JPH0376964B2 - - Google Patents
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- JPH0376964B2 JPH0376964B2 JP59207026A JP20702684A JPH0376964B2 JP H0376964 B2 JPH0376964 B2 JP H0376964B2 JP 59207026 A JP59207026 A JP 59207026A JP 20702684 A JP20702684 A JP 20702684A JP H0376964 B2 JPH0376964 B2 JP H0376964B2
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- JP
- Japan
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- dust removal
- gas
- section
- removal section
- exhaust gas
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- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Separation Of Particles Using Liquids (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は湿式の排ガス処理装置に関する。
従来の湿式排ガス処理装置例えば排煙脱流装置
等の場合には、硫黄酸化物（SOx）および塩化水
素（HCl）等のガス吸収と共に、排ガス中のダス
ト除去を兼ているものが多い。このダスト除去の
ために、入口部のガス冷却部に湿式スクラバを設
けている。なおここにスクラバとは、気体中の不
純物を水等の液体を利用して除去する装置をい
う。そこで第４図を参照して従来の湿式排ガス処
理装置について説明する。第４図中符号１は吸収
塔を示し、この吸収塔１にはダクト２が接続され
ている。上記吸収塔１内の下部には冷却水３が吸
容されており、この冷却水はポンプ４により配管
５および６、これら配管５および６に接続された
スプレイノズル７および８を介してダクト２およ
び吸収塔１内にスプレイされる。また図中符号ａ
は冷却除塵部を示し、この冷却除塵部ａで上記ス
プレイノズル８を介してスプレイされる冷却水３
により排ガスの冷却、除塵を行なうとともに、一
部ガス吸収を行なう。またｂ部は、ガス吸収の為
の充填層部を示し、この充填層部ｂでも一部除塵
が行なわれる。さらにｃ部はミスト除去部であ
る。上記ミスト除去部ｃにはミストキヤツチヤー
９が設置されている。このようなスプレイ式スク
ラバにおいては、その圧力損失は通常50〜300mm
H2O程度であるが、スクラバ装置のダクト捕集
機構は、液滴とダクトの慣性衝突によるため、特
に数μm〜サブミクロン粒子の除去率は急激に低
下する。またベンチユリスクラバを使用した場合
には、上記スプレイ式に比べて総合除塵効率は向
上するがサブミクロン粒子の除塵効率は低下す
る。またこの場合には圧力損失を500〜1500mm
（H2O）と相当大きくする必要がある。そして動
力面を考えた場合にも、ボイラ排ガス等のガス量
の多い排ガス処理には不向である。
等の場合には、硫黄酸化物（SOx）および塩化水
素（HCl）等のガス吸収と共に、排ガス中のダス
ト除去を兼ているものが多い。このダスト除去の
ために、入口部のガス冷却部に湿式スクラバを設
けている。なおここにスクラバとは、気体中の不
純物を水等の液体を利用して除去する装置をい
う。そこで第４図を参照して従来の湿式排ガス処
理装置について説明する。第４図中符号１は吸収
塔を示し、この吸収塔１にはダクト２が接続され
ている。上記吸収塔１内の下部には冷却水３が吸
容されており、この冷却水はポンプ４により配管
５および６、これら配管５および６に接続された
スプレイノズル７および８を介してダクト２およ
び吸収塔１内にスプレイされる。また図中符号ａ
は冷却除塵部を示し、この冷却除塵部ａで上記ス
プレイノズル８を介してスプレイされる冷却水３
により排ガスの冷却、除塵を行なうとともに、一
部ガス吸収を行なう。またｂ部は、ガス吸収の為
の充填層部を示し、この充填層部ｂでも一部除塵
が行なわれる。さらにｃ部はミスト除去部であ
る。上記ミスト除去部ｃにはミストキヤツチヤー
９が設置されている。このようなスプレイ式スク
ラバにおいては、その圧力損失は通常50〜300mm
H2O程度であるが、スクラバ装置のダクト捕集
機構は、液滴とダクトの慣性衝突によるため、特
に数μm〜サブミクロン粒子の除去率は急激に低
下する。またベンチユリスクラバを使用した場合
には、上記スプレイ式に比べて総合除塵効率は向
上するがサブミクロン粒子の除塵効率は低下す
る。またこの場合には圧力損失を500〜1500mm
（H2O）と相当大きくする必要がある。そして動
力面を考えた場合にも、ボイラ排ガス等のガス量
の多い排ガス処理には不向である。
本発明は以上の点に基づいてなされたものでそ
の目的とするところは、サブミクロン粒子の捕集
効率を向上させることにより低圧損、高効率の湿
式排ガス処理装置を提供することにある。
の目的とするところは、サブミクロン粒子の捕集
効率を向上させることにより低圧損、高効率の湿
式排ガス処理装置を提供することにある。
すなわち本発明による湿式排ガス処理装置は、
排ガスを導入しガス吸収およびダスト除去を行な
う一次冷却除塵部と、この一次冷却除塵部を通過
した排ガスを導入しガス吸収およびダスト除去を
行なう二次冷却除塵部と、上記一次冷却除塵部を
通過した排ガスの一部を上記二次冷却除塵部の後
流側に導入するバイパス流路と、このバイパス流
路を介して導入された高温飽和ガスおよび上記二
次冷却除塵部を通過した低温飽和ガスとを混合さ
せる混合部と、上記一次冷却除塵部および二次冷
却除塵部との間に設けられ上記混合部における高
温飽和ガスおよび低温飽和ガスとの混合比を調節
するガス量調節機構とを具備したことを特徴とす
るものである。
排ガスを導入しガス吸収およびダスト除去を行な
う一次冷却除塵部と、この一次冷却除塵部を通過
した排ガスを導入しガス吸収およびダスト除去を
行なう二次冷却除塵部と、上記一次冷却除塵部を
通過した排ガスの一部を上記二次冷却除塵部の後
流側に導入するバイパス流路と、このバイパス流
路を介して導入された高温飽和ガスおよび上記二
次冷却除塵部を通過した低温飽和ガスとを混合さ
せる混合部と、上記一次冷却除塵部および二次冷
却除塵部との間に設けられ上記混合部における高
温飽和ガスおよび低温飽和ガスとの混合比を調節
するガス量調節機構とを具備したことを特徴とす
るものである。
つまりサブミクロン粒子の捕集効率を向上させ
るためには、粒子の表面に水蒸気を凝縮させて粒
子を粗粒化させる必要があり、このような水蒸気
の粒子表面への凝縮を実現する方法としては、蒸
気吹込法および高温飽和ガス、低温飽和ガス混合
法が考えられている。本発明はこの内高温飽和ガ
ス、高温飽和ガス混合法を実現するもので、一次
冷却除塵部からバイパス流路を介して導入した高
温飽和ガスと二次冷却除塵部からの低温飽和ガス
とを混合部にて混合させることにより、微細粒子
を粗粒化せんとするものである。これを第３図を
参照して説明すると、高温飽和ガス２１（温度が
T2で湿度がH2）と低温飽和ガス２２（温度がT3
で湿度がH3）とを混合させて、過飽和状態を作
る（図中符号２４で示す）。この過飽和状態２４
は一時的なものである。この過飽和状態２４から
飽和状態２５に変化する時、仮に核となる粒子が
存在すればその粒子に湿度（ΔH）に相当する水
蒸気が粒子表面に凝集する。これによつて粒子の
粗粒化を図ることができる。なお図中符号２０で
示す点は、湿式排ガス処理装置の入口ガス状態を
示す点で、温度がT1で湿度がH1である。
るためには、粒子の表面に水蒸気を凝縮させて粒
子を粗粒化させる必要があり、このような水蒸気
の粒子表面への凝縮を実現する方法としては、蒸
気吹込法および高温飽和ガス、低温飽和ガス混合
法が考えられている。本発明はこの内高温飽和ガ
ス、高温飽和ガス混合法を実現するもので、一次
冷却除塵部からバイパス流路を介して導入した高
温飽和ガスと二次冷却除塵部からの低温飽和ガス
とを混合部にて混合させることにより、微細粒子
を粗粒化せんとするものである。これを第３図を
参照して説明すると、高温飽和ガス２１（温度が
T2で湿度がH2）と低温飽和ガス２２（温度がT3
で湿度がH3）とを混合させて、過飽和状態を作
る（図中符号２４で示す）。この過飽和状態２４
は一時的なものである。この過飽和状態２４から
飽和状態２５に変化する時、仮に核となる粒子が
存在すればその粒子に湿度（ΔH）に相当する水
蒸気が粒子表面に凝集する。これによつて粒子の
粗粒化を図ることができる。なお図中符号２０で
示す点は、湿式排ガス処理装置の入口ガス状態を
示す点で、温度がT1で湿度がH1である。
したがつて微細粒子を効果的に粗粒化させるこ
とができ、それによつてサブミクロン粒子等の微
細粒子の捕集効率を大幅に向上させることが可能
となる。
とができ、それによつてサブミクロン粒子等の微
細粒子の捕集効率を大幅に向上させることが可能
となる。
以下第１図を参照して本発明の第１の実施例を
説明する。第１図は本実施例による湿式排ガス処
理装置の概略構成を示す断面図であり、図中符号
１０１は吸収塔を示し、この吸収塔１０１にはダ
クト１０２が接続されている。上記吸収塔１０１
内には冷却水１０３が収容されている。この冷却
水１０３内には、カセイソーダおよび水酸化マグ
ネシウム等のアルカリ性物質が含有されており、
これによつてSOxおよびHCl等のガス吸収を効果
的に行なおうとするものである。また上記吸収塔
１０１には吸込配管１０４を介してポンプ１０５
が接続されている。このポンプ１０５の吐出配管
１０７は、上記吸収塔１０１の上部を貫通配置さ
れており、その先端にはスプレイノズル１０８が
接続されている。上記吐出配管１０７には別の吐
出配管１０９が分岐接続されており、この吐出配
管１０９は上記ダクト１０２の上部を貫通配置さ
れている。その先端にはスプレイノズル１１０が
接続されている。上記吐出配管１０７にはさらに
別の吐出配管１１１が分岐接続されており、この
吐出配管１１１は吸収塔１０１の略中間位置を貫
通して配設されている。この吐出配管１１１の先
端には二次冷却除塵部用スプレイノズル１１２が
接続されている。上記吐出配管１１１には熱交換
器１１３が介挿されているともに、外部補給水供
給配管１１４が接続されている。上記ダクト１０
２と吸収塔１０１との間にはバイパスダクト１２
１が配設されている。
説明する。第１図は本実施例による湿式排ガス処
理装置の概略構成を示す断面図であり、図中符号
１０１は吸収塔を示し、この吸収塔１０１にはダ
クト１０２が接続されている。上記吸収塔１０１
内には冷却水１０３が収容されている。この冷却
水１０３内には、カセイソーダおよび水酸化マグ
ネシウム等のアルカリ性物質が含有されており、
これによつてSOxおよびHCl等のガス吸収を効果
的に行なおうとするものである。また上記吸収塔
１０１には吸込配管１０４を介してポンプ１０５
が接続されている。このポンプ１０５の吐出配管
１０７は、上記吸収塔１０１の上部を貫通配置さ
れており、その先端にはスプレイノズル１０８が
接続されている。上記吐出配管１０７には別の吐
出配管１０９が分岐接続されており、この吐出配
管１０９は上記ダクト１０２の上部を貫通配置さ
れている。その先端にはスプレイノズル１１０が
接続されている。上記吐出配管１０７にはさらに
別の吐出配管１１１が分岐接続されており、この
吐出配管１１１は吸収塔１０１の略中間位置を貫
通して配設されている。この吐出配管１１１の先
端には二次冷却除塵部用スプレイノズル１１２が
接続されている。上記吐出配管１１１には熱交換
器１１３が介挿されているともに、外部補給水供
給配管１１４が接続されている。上記ダクト１０
２と吸収塔１０１との間にはバイパスダクト１２
１が配設されている。
上記ダクト１０２のスプレイノズル１１０の下
方位置は、一次冷却除塵部Ａとなつており、ダク
ト１０２を介して導入された排ガスは、この一次
冷却系除塵部Ａにて増湿冷却され約60℃程度の高
温飽和ガスとなり、またその際除塵およびガス吸
収が行なわれる。上記一次冷却除塵部Ａを通過し
た排ガスの一部は、上記バイパスダクト１２１を
介して過飽和部Ｂに導入される。一方残りの排ガ
スは前記スプレイノズル１１２の下方の絞り部
（この絞り部が二次冷却除塵部となる）Ｃ内に導
入される。この二次冷却除塵部Ｃにて上記スプレ
イノズル１１２よりスプレイされる冷却水１０３
により冷却され、約40℃程度の低温飽和ガスとな
る。なおこの時冷却水１０３の代りに外部捕給水
を使用してもよい。またその際除塵およびガス吸
収も行なわれる。この二次冷却除塵部Ｃを通過し
た低温飽和ガスは上方に流通して上記過飽和部Ｂ
内に流入する。この過飽和部Ｂにて前記バイパス
ダクト１２１を介して導入された高温飽和ガスに
衝突し、夫々の圧力の差により両者は混合する。
この混合により前述した原理に基づき微細粒子が
粗粒化される。前記バイパスダクト１２１内には
ガス量調節機構としてのダンパ１３１が設置され
ており、このダンパ１３１の開度を自動あるいは
手動により調節することにより、バイパスダクト
１２１を介して吸収塔１０１内に導入される高温
飽和ガスの量を調節し、それによつて低温飽和ガ
スおよび高温飽和ガスの混合比を調節する。なお
十分な粗粒化効果を得るためには、低温飽和ガス
および高温飽和ガスとの混合比を適当なものとす
る必要があり、特にボイラ等の場合にはその付加
変動の対応のためにも適切な制御が必要とされ
る。そして粗粒化された粒子を含んだ排ガスは上
昇し、吸収部充填層Ｄおよびミストキヤツチ部Ｅ
を通過し、さらに上方に流通する。上記ミストキ
ヤツチ部Ｅにはミストキヤツチ１２２が設置され
ている。その際上記粗粒化された粒子は、吸収部
充填層Ｄおよびミストキヤツチ部Ｅにて除去され
る。尚上記吸収部充填層Ｄには前記スプレイノズ
ル１０８より冷却水１０３がスプレイされる。
方位置は、一次冷却除塵部Ａとなつており、ダク
ト１０２を介して導入された排ガスは、この一次
冷却系除塵部Ａにて増湿冷却され約60℃程度の高
温飽和ガスとなり、またその際除塵およびガス吸
収が行なわれる。上記一次冷却除塵部Ａを通過し
た排ガスの一部は、上記バイパスダクト１２１を
介して過飽和部Ｂに導入される。一方残りの排ガ
スは前記スプレイノズル１１２の下方の絞り部
（この絞り部が二次冷却除塵部となる）Ｃ内に導
入される。この二次冷却除塵部Ｃにて上記スプレ
イノズル１１２よりスプレイされる冷却水１０３
により冷却され、約40℃程度の低温飽和ガスとな
る。なおこの時冷却水１０３の代りに外部捕給水
を使用してもよい。またその際除塵およびガス吸
収も行なわれる。この二次冷却除塵部Ｃを通過し
た低温飽和ガスは上方に流通して上記過飽和部Ｂ
内に流入する。この過飽和部Ｂにて前記バイパス
ダクト１２１を介して導入された高温飽和ガスに
衝突し、夫々の圧力の差により両者は混合する。
この混合により前述した原理に基づき微細粒子が
粗粒化される。前記バイパスダクト１２１内には
ガス量調節機構としてのダンパ１３１が設置され
ており、このダンパ１３１の開度を自動あるいは
手動により調節することにより、バイパスダクト
１２１を介して吸収塔１０１内に導入される高温
飽和ガスの量を調節し、それによつて低温飽和ガ
スおよび高温飽和ガスの混合比を調節する。なお
十分な粗粒化効果を得るためには、低温飽和ガス
および高温飽和ガスとの混合比を適当なものとす
る必要があり、特にボイラ等の場合にはその付加
変動の対応のためにも適切な制御が必要とされ
る。そして粗粒化された粒子を含んだ排ガスは上
昇し、吸収部充填層Ｄおよびミストキヤツチ部Ｅ
を通過し、さらに上方に流通する。上記ミストキ
ヤツチ部Ｅにはミストキヤツチ１２２が設置され
ている。その際上記粗粒化された粒子は、吸収部
充填層Ｄおよびミストキヤツチ部Ｅにて除去され
る。尚上記吸収部充填層Ｄには前記スプレイノズ
ル１０８より冷却水１０３がスプレイされる。
以上本実施例による湿式排ガス処理装置による
と、低温飽和ガスと高温飽和ガスとを適切な混合
比で混合させることにより、サブミクロン粒子等
の微細粒子を効果的に粗粒化することができ、そ
の結果吸収部充填層Ｄおよびミストキヤツチ部Ｅ
でのサブミクロン粒子の除去効率を大幅に向上さ
せることが可能となる。
と、低温飽和ガスと高温飽和ガスとを適切な混合
比で混合させることにより、サブミクロン粒子等
の微細粒子を効果的に粗粒化することができ、そ
の結果吸収部充填層Ｄおよびミストキヤツチ部Ｅ
でのサブミクロン粒子の除去効率を大幅に向上さ
せることが可能となる。
次に第２図を参照して第２の実施例を説明す
る。すなわち前記第１の実施例ではガス量調節機
構として、ダンパ１３１を使用したが、本実施例
の場合には、図に示すように二次冷却除塵部Ｄの
上方に間隔を存して環状部材１４１を配置し、こ
の環状部材１４１の中央に円環部１４２を配置さ
せる。この円環部１４２は吸収塔１０１の外に設
置された油圧ユニツト１４３に連結されており、
鉛直方向にスライド可能な構成となつている。そ
して上記円環部１４２を上下動させることにより
環状部材１４１と二次冷却系除塵部Ｃを形成して
いる絞り部材１４４との間（スロート部）の間隔
が調節され、それによつて高温飽和ガスの流量ひ
いては低温飽和ガスと高温飽和ガスとの混合比を
調節する。またスプレイノズル１１２は上方に指
向した状態で設置されている。他の構成は前記第
１の実施例と同様であり、その説明は省略する。
る。すなわち前記第１の実施例ではガス量調節機
構として、ダンパ１３１を使用したが、本実施例
の場合には、図に示すように二次冷却除塵部Ｄの
上方に間隔を存して環状部材１４１を配置し、こ
の環状部材１４１の中央に円環部１４２を配置さ
せる。この円環部１４２は吸収塔１０１の外に設
置された油圧ユニツト１４３に連結されており、
鉛直方向にスライド可能な構成となつている。そ
して上記円環部１４２を上下動させることにより
環状部材１４１と二次冷却系除塵部Ｃを形成して
いる絞り部材１４４との間（スロート部）の間隔
が調節され、それによつて高温飽和ガスの流量ひ
いては低温飽和ガスと高温飽和ガスとの混合比を
調節する。またスプレイノズル１１２は上方に指
向した状態で設置されている。他の構成は前記第
１の実施例と同様であり、その説明は省略する。
よつて前記第１の実施例と同様の効果を奏する
ことが可能となる。
ことが可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例を示す湿式排ガ
ス処理装置の断面図、第２図は第２の実施例を示
す湿式排ガス処理装置の断面図、第３図は本発明
の原理を説明するための図、第４図は従来の湿式
排ガス処理装置の断面図である。 １０１……吸収塔、１０２……ダクト、１２１
……バイパスダクト（バイパス流路）、１３１…
…ダンパ（ガス量調節機構）、Ａ……一次冷却除
塵部、Ｂ……過飽和部、Ｃ……二次冷却除塵部、
Ｄ……吸収部充填部、Ｅ……ミストキヤツチ部。
ス処理装置の断面図、第２図は第２の実施例を示
す湿式排ガス処理装置の断面図、第３図は本発明
の原理を説明するための図、第４図は従来の湿式
排ガス処理装置の断面図である。 １０１……吸収塔、１０２……ダクト、１２１
……バイパスダクト（バイパス流路）、１３１…
…ダンパ（ガス量調節機構）、Ａ……一次冷却除
塵部、Ｂ……過飽和部、Ｃ……二次冷却除塵部、
Ｄ……吸収部充填部、Ｅ……ミストキヤツチ部。
Claims (1)
- １ 排ガスを導入しガス吸収およびダスト除去を
行なう一次冷却除塵部と、この一次冷却除塵部を
通過した排ガスを導入しガス吸収およびダスト除
去を行なう二次冷却除塵部と、上記一次冷却除塵
部を通過した排ガスの一部を上記二次冷却除塵部
の後流側に導入するバイパス流路と、このバイパ
ス流路を介して導入された高温飽和ガスおよび上
記二次冷却除塵部を通過した低温飽和ガスとを混
合させる混合部と、上記一次冷却除塵部および二
次冷却除塵部との間に設けられ上記混合部におけ
る高温飽和ガスおよび低温飽和ガスとの混合比を
調節するガス量調節機構とを具備したことを特徴
とする湿式排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207026A JPS6186922A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 湿式排ガス処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59207026A JPS6186922A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 湿式排ガス処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6186922A JPS6186922A (ja) | 1986-05-02 |
| JPH0376964B2 true JPH0376964B2 (ja) | 1991-12-09 |
Family
ID=16532972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59207026A Granted JPS6186922A (ja) | 1984-10-04 | 1984-10-04 | 湿式排ガス処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6186922A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63126016U (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-17 | ||
| CN1116913C (zh) * | 1997-11-11 | 2003-08-06 | 三菱重工业株式会社 | 湿气处理方法和采用此方法的装置 |
| JP5415306B2 (ja) * | 2010-01-21 | 2014-02-12 | 三菱重工環境・化学エンジニアリング株式会社 | 排ガス処理装置及びその運転方法 |
| EP3123011A1 (en) * | 2014-03-26 | 2017-02-01 | Exxonmobil Upstream Research Company | System and method for the conditioning of recirculated exhaust gas |
| JP5979269B1 (ja) * | 2015-03-16 | 2016-08-24 | 富士電機株式会社 | 排ガス処理装置 |
| JP2025010979A (ja) * | 2023-07-10 | 2025-01-23 | 三菱重工業株式会社 | 集塵システム及び集塵方法 |
-
1984
- 1984-10-04 JP JP59207026A patent/JPS6186922A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6186922A (ja) | 1986-05-02 |
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