JPH0377676B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0377676B2 JPH0377676B2 JP57057718A JP5771882A JPH0377676B2 JP H0377676 B2 JPH0377676 B2 JP H0377676B2 JP 57057718 A JP57057718 A JP 57057718A JP 5771882 A JP5771882 A JP 5771882A JP H0377676 B2 JPH0377676 B2 JP H0377676B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- diode chip
- attaching
- solder material
- fragment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明へはレーザーダイオード等のごとき発光
素子の取付け方法に係わる。
素子の取付け方法に係わる。
例えばレーザーダイオードチツプをヘツダ上の
放熱体に取付ける方法の１つとして、所謂サブマ
ウント法がある。このサブマウント法は例えばシ
リコンまたはモリブデン等による薄板状部材（所
謂サブマウント部材）を用意し、その両面に夫々
所要の半田材を蒸着して後、この部材を格子状に
ダイシングし、各断片に切断する。一方、例えば
銅の放熱体を取付けたヘツダ（即ち組立体）を用
意し、この放熱体に上記の断片の一方の面を半田
材を介して取付けて後、この断片の他方の面に対
して同様に半田材を介してレーザーダイオードチ
ツプを取付けるようになしている。この場合、レ
ーザーダイオードチツプの断片への取付けに際し
ては、レーザー光線が邪魔されぬように断片の上
縁とレーザーダイオードチツプのレーザー光線が
出る端面とが面一とるように正確に位置決めする
必要がある。しかし乍ら、上記の取付け方法にお
いては、最終工程でレーザーダイオードチツプを
取付けねばならないために、チツプに対するハン
ドリングが極めて困難であり且つ高精度に取付け
るのが困難であつた。また熱工程上、断片及びレ
ーザーダイオードチツプを取付ける際の半田材が
制限されていた。さらに一般のレーザーダイオー
ドチツプの取付け用の半田材として使用される
In、Sn、Au−Sn合金を考えると酸化を防止する
等の処理を必要とし作業性が悪いものであつた。
放熱体に取付ける方法の１つとして、所謂サブマ
ウント法がある。このサブマウント法は例えばシ
リコンまたはモリブデン等による薄板状部材（所
謂サブマウント部材）を用意し、その両面に夫々
所要の半田材を蒸着して後、この部材を格子状に
ダイシングし、各断片に切断する。一方、例えば
銅の放熱体を取付けたヘツダ（即ち組立体）を用
意し、この放熱体に上記の断片の一方の面を半田
材を介して取付けて後、この断片の他方の面に対
して同様に半田材を介してレーザーダイオードチ
ツプを取付けるようになしている。この場合、レ
ーザーダイオードチツプの断片への取付けに際し
ては、レーザー光線が邪魔されぬように断片の上
縁とレーザーダイオードチツプのレーザー光線が
出る端面とが面一とるように正確に位置決めする
必要がある。しかし乍ら、上記の取付け方法にお
いては、最終工程でレーザーダイオードチツプを
取付けねばならないために、チツプに対するハン
ドリングが極めて困難であり且つ高精度に取付け
るのが困難であつた。また熱工程上、断片及びレ
ーザーダイオードチツプを取付ける際の半田材が
制限されていた。さらに一般のレーザーダイオー
ドチツプの取付け用の半田材として使用される
In、Sn、Au−Sn合金を考えると酸化を防止する
等の処理を必要とし作業性が悪いものであつた。
本発明は上述した点に鑑み容易且つ高精度にレ
ーザーダイオード等の発光素子の取付けを行える
ようにした発光素子の取付け方法を提供するもの
である。
ーザーダイオード等の発光素子の取付けを行える
ようにした発光素子の取付け方法を提供するもの
である。
以下図面を参照して本発明による発光素子の取
付け方法の一例を説明する。なお本例ではレーザ
ーダイオードチツプの取付けに適用した場合であ
る。
付け方法の一例を説明する。なお本例ではレーザ
ーダイオードチツプの取付けに適用した場合であ
る。
本発明においては、第１図に示すように薄板状
部材（所謂サブマウント部材）１を用意する。こ
の薄板状部材１としては、シリコンウエーハ或い
はモリブデンウエーハを使用することができる。
本例では厚さ0.15〜0.2mmのシリコンウエーハ１
を使用する。また取付けるべきレーザーダイオー
ドチツプは0.1mm厚×0.2mm幅×0.3mm長のもので、
そのチツプの取付け側の面（基板又は活性層の
側）にAuを3000Å程度被着する。なお部材１と
して、シリコンウエーハを使うときは平滑な取付
け面が得られるので取扱い易く、またモリブデン
の場合はレーザーダイオードチツプと熱膨張係数
が近い。次に、第２図に示すようにこのシリコン
ウエーハ１の第１の主面１ａにダイシングにより
格子状の溝２を形成する。この場合の各格子状の
溝２に囲まれた領域３の寸法は0.5mm×0.5mm角で
あり、また溝２の深さはシリコンウエーハ１の厚
みの1/2程度とするを可とする。次に第３図に示
すようにシリコンウエーハ１のレーザーダイオー
ドチツプを取付ける第１の主面１ａ上に、即ちそ
の溝２で囲まれた各領域３上にIn、Sn等のよう
な低融点半田材４を蒸着する。次に第４図に示す
ように、溝２に囲まれた夫々の領域３上にその溝
２の辺部３ａに臨んで光方向５が溝２にほぼ直角
となるようにレーザーダイオードチツプ６を配置
する。そして半田材４を酸化させないように窒素
雰囲気中で加熱してレーザーダイオードチツプ６
を各領域３上に取付ける。レーザーダイオードチ
ツプはGaAs基板にＸ方向にスクライブした後に
Ｙ方向にへき開して分割するが、予めGaAs基板
の取付け面Au電極上にメタル・マスクを介して
へき開線上を除いたＹ方向のストライプ状、又は
スクライブ線とへき開線の上を除いたモザイク状
に半田材を約10μの厚さに蒸着形成し、分割する
ことができる。このときウエーハ１上の半田材４
は薄くてよい。
部材（所謂サブマウント部材）１を用意する。こ
の薄板状部材１としては、シリコンウエーハ或い
はモリブデンウエーハを使用することができる。
本例では厚さ0.15〜0.2mmのシリコンウエーハ１
を使用する。また取付けるべきレーザーダイオー
ドチツプは0.1mm厚×0.2mm幅×0.3mm長のもので、
そのチツプの取付け側の面（基板又は活性層の
側）にAuを3000Å程度被着する。なお部材１と
して、シリコンウエーハを使うときは平滑な取付
け面が得られるので取扱い易く、またモリブデン
の場合はレーザーダイオードチツプと熱膨張係数
が近い。次に、第２図に示すようにこのシリコン
ウエーハ１の第１の主面１ａにダイシングにより
格子状の溝２を形成する。この場合の各格子状の
溝２に囲まれた領域３の寸法は0.5mm×0.5mm角で
あり、また溝２の深さはシリコンウエーハ１の厚
みの1/2程度とするを可とする。次に第３図に示
すようにシリコンウエーハ１のレーザーダイオー
ドチツプを取付ける第１の主面１ａ上に、即ちそ
の溝２で囲まれた各領域３上にIn、Sn等のよう
な低融点半田材４を蒸着する。次に第４図に示す
ように、溝２に囲まれた夫々の領域３上にその溝
２の辺部３ａに臨んで光方向５が溝２にほぼ直角
となるようにレーザーダイオードチツプ６を配置
する。そして半田材４を酸化させないように窒素
雰囲気中で加熱してレーザーダイオードチツプ６
を各領域３上に取付ける。レーザーダイオードチ
ツプはGaAs基板にＸ方向にスクライブした後に
Ｙ方向にへき開して分割するが、予めGaAs基板
の取付け面Au電極上にメタル・マスクを介して
へき開線上を除いたＹ方向のストライプ状、又は
スクライブ線とへき開線の上を除いたモザイク状
に半田材を約10μの厚さに蒸着形成し、分割する
ことができる。このときウエーハ１上の半田材４
は薄くてよい。
次にこのシリコンウエーハ１の第２の主面１ｂ
即ち裏面にIn、Sn等の半田材（図示せず）を蒸
着して後、このシリコンウエーハ１をその溝２に
沿つて分割し夫々レーザーダイオードチツプ６が
取付けられた各ペレツト即ち断片７を得る（第５
図参照）。次いで、各断片７に対する良、不良の
検査を行う。一方、第６図に示すようにヘツダ８
上に銅の放熱体９を取付けた組立体１０を用意す
る。この組立体１０の放熱体９の一側面に、上記
のレーザーダイオードチツプ６を取付けた断片７
の裏面をその半田材を介して取付けてレーザーダ
イオードチツプ６の取付体１０への取付けを完了
する。
即ち裏面にIn、Sn等の半田材（図示せず）を蒸
着して後、このシリコンウエーハ１をその溝２に
沿つて分割し夫々レーザーダイオードチツプ６が
取付けられた各ペレツト即ち断片７を得る（第５
図参照）。次いで、各断片７に対する良、不良の
検査を行う。一方、第６図に示すようにヘツダ８
上に銅の放熱体９を取付けた組立体１０を用意す
る。この組立体１０の放熱体９の一側面に、上記
のレーザーダイオードチツプ６を取付けた断片７
の裏面をその半田材を介して取付けてレーザーダ
イオードチツプ６の取付体１０への取付けを完了
する。
なお、シリコンウエーハ１の表面即ち第１の主
面１ａにはAuを蒸着してAu−Si合金による半田
材を形成するようにしてもよい。何れにせよシリ
コンウエーハ１の裏面には表面より融点のあまり
高くない半田材を用いる。
面１ａにはAuを蒸着してAu−Si合金による半田
材を形成するようにしてもよい。何れにせよシリ
コンウエーハ１の裏面には表面より融点のあまり
高くない半田材を用いる。
また薄板状部材１としてモリブデンウエーハを
使用するときには厚みの殆んどをダイシングし、
その後割つて断片を得るようになす。蒸着金属
（半田材）はAuを除けばシリコンのときと全く同
様である。
使用するときには厚みの殆んどをダイシングし、
その後割つて断片を得るようになす。蒸着金属
（半田材）はAuを除けばシリコンのときと全く同
様である。
上述の本発明による取付け方法によれば、まず
各断片７に分割する前の格子状の溝２を形成した
状態の薄板状部材１に対して夫々レーザーダイオ
ードチツプ６を平面的に取付けているので、レー
ザーダイオードチツプ６と各領域３従つて断片７
との位置合わせが極めて高精度に行え、レーザー
ダイオードチツプ６の断片７への取付けが正確且
つ容易に行える。同時に薄板状部材１へのレーザ
ーダイオードチツプ６の取付けが、平面的且つ周
期的に行えるので自動化が容易となる。また、各
レーザーダイオードチツプ６に薄板状部材１の各
対応する領域３上に配した状態で一括熱処理で同
時に取付けるので作業性が極めて良い。
各断片７に分割する前の格子状の溝２を形成した
状態の薄板状部材１に対して夫々レーザーダイオ
ードチツプ６を平面的に取付けているので、レー
ザーダイオードチツプ６と各領域３従つて断片７
との位置合わせが極めて高精度に行え、レーザー
ダイオードチツプ６の断片７への取付けが正確且
つ容易に行える。同時に薄板状部材１へのレーザ
ーダイオードチツプ６の取付けが、平面的且つ周
期的に行えるので自動化が容易となる。また、各
レーザーダイオードチツプ６に薄板状部材１の各
対応する領域３上に配した状態で一括熱処理で同
時に取付けるので作業性が極めて良い。
次で、薄板状部材を各断片７に分割したのち、
直接レーザーダイオードチツプ６をハンドリング
することなく、レーザーダイオードチツプ６より
大きな断片７をハンドリングして放熱体９の側面
に取付けるので、最終的なレーザーダイオードチ
ツプ６の取付体１０への取付けが容易となる。
直接レーザーダイオードチツプ６をハンドリング
することなく、レーザーダイオードチツプ６より
大きな断片７をハンドリングして放熱体９の側面
に取付けるので、最終的なレーザーダイオードチ
ツプ６の取付体１０への取付けが容易となる。
また、レーザーダイオードチツプ６を薄板状部
材１に取付けた後に、薄板状部材１の裏面１ｂに
半田材を蒸着するので、このときの半田材の選択
の自由度が大きくなる。さらに、レーザーダイオ
ードチツプ６を断片７に取付けた状態でその良、
不良の検査を行うので、その時点で良、不良の判
別が出来、爾後の製品の歩留りも向上する。
材１に取付けた後に、薄板状部材１の裏面１ｂに
半田材を蒸着するので、このときの半田材の選択
の自由度が大きくなる。さらに、レーザーダイオ
ードチツプ６を断片７に取付けた状態でその良、
不良の検査を行うので、その時点で良、不良の判
別が出来、爾後の製品の歩留りも向上する。
尚、上例ではレーザーダイオードチツプの取付
けに適用したが、その他の発光素子の取付けにも
適用できる。
けに適用したが、その他の発光素子の取付けにも
適用できる。
第１図乃至第６図は本発明による発光素子の取
付方法の一例を示す工程図である。 １は薄板状部材、２は格子状の溝、６は発光素
子、７は断片、９は放熱体、１０は取付体であ
る。
付方法の一例を示す工程図である。 １は薄板状部材、２は格子状の溝、６は発光素
子、７は断片、９は放熱体、１０は取付体であ
る。
Claims (1)
- １ 薄板状部材の第１の主面に格子状の溝を形成
する工程、前記溝に囲まれた部材の夫々の領域の
所定辺部に臨んで光方向が前記溝にほぼ直角とな
るように発光素子を取付ける工程、前記部材を前
記溝に沿つて分割する工程、分割された部材の断
片の第２の主面を組立体に取付ける工程を有する
発光素子の取付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057718A JPS58173880A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 発光素子の取付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57057718A JPS58173880A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 発光素子の取付け方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58173880A JPS58173880A (ja) | 1983-10-12 |
| JPH0377676B2 true JPH0377676B2 (ja) | 1991-12-11 |
Family
ID=13063721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57057718A Granted JPS58173880A (ja) | 1982-04-07 | 1982-04-07 | 発光素子の取付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58173880A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188588A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Sony Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
| JPH073657Y2 (ja) * | 1985-03-11 | 1995-01-30 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ製造用半導体基板 |
| US5631918A (en) * | 1993-11-22 | 1997-05-20 | Xerox Corporation | Laser diode arrays with close beam offsets |
-
1982
- 1982-04-07 JP JP57057718A patent/JPS58173880A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58173880A (ja) | 1983-10-12 |
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