JPH03781B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH03781B2 JPH03781B2 JP58032979A JP3297983A JPH03781B2 JP H03781 B2 JPH03781 B2 JP H03781B2 JP 58032979 A JP58032979 A JP 58032979A JP 3297983 A JP3297983 A JP 3297983A JP H03781 B2 JPH03781 B2 JP H03781B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- film carrier
- metal layer
- bonding tool
- tool
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/077—Connecting of TAB connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体素子の実装に際し、半導体素子
の電極とフイルムキヤリヤのリードとをボンデイ
ングする時使用するボンデイングツールに関す
る。
の電極とフイルムキヤリヤのリードとをボンデイ
ングする時使用するボンデイングツールに関す
る。
従来例の構成とその問題点
従来より、半導体素子の実装方式の中で、高速
で量産化に富み高信頼性化を有する方式として、
複数の電極を一度にボンデイング出来るフイルム
キヤリヤ方式が一般的に多く採用されている。
で量産化に富み高信頼性化を有する方式として、
複数の電極を一度にボンデイング出来るフイルム
キヤリヤ方式が一般的に多く採用されている。
これは半導体素子のアルミニウムパツド側にク
ロムを蒸着し、次いで銅が蒸着された層を介して
10〜15μｍ厚みの金突起を形成したものを半導体
素子の電極とする。一方フイルムキヤリヤ側はリ
ードに銅を用い、銅の表面に0.3〜0.8μｍ厚みの
すずを形成するか、もしくは銅表面に0.5μｍ厚み
のニツケルを形成し、さらに0.5μｍ厚みの金を形
成し、半導体素子電極部とフイルムキヤリヤリー
ド部を位置合わせし、熱圧着することによつて前
記半導体素子の金突起とフイルムキヤリヤのリー
ドとを接合する方法である。一般的に、フイルム
キヤリヤリードに金を使用することは材料的に高
価となりすずリードのフイルムキヤリヤが多く使
われている。
ロムを蒸着し、次いで銅が蒸着された層を介して
10〜15μｍ厚みの金突起を形成したものを半導体
素子の電極とする。一方フイルムキヤリヤ側はリ
ードに銅を用い、銅の表面に0.3〜0.8μｍ厚みの
すずを形成するか、もしくは銅表面に0.5μｍ厚み
のニツケルを形成し、さらに0.5μｍ厚みの金を形
成し、半導体素子電極部とフイルムキヤリヤリー
ド部を位置合わせし、熱圧着することによつて前
記半導体素子の金突起とフイルムキヤリヤのリー
ドとを接合する方法である。一般的に、フイルム
キヤリヤリードに金を使用することは材料的に高
価となりすずリードのフイルムキヤリヤが多く使
われている。
しかしながら前記すずリードからなるフイルム
キヤリヤを用い、半導体素子電極部とフイルムキ
ヤリヤリードを加熱したツールにて加圧するボン
デイングの際に、ツールにフイルムキヤリヤリー
ドが癒着し、半導体素子の電極部とフイルムキヤ
リヤリード部との接合が確実にできない問題が発
生している。この現象は加熱したツールの温度が
低い場合は少なく、450℃より高温度となると顕
著に現われてくる。
キヤリヤを用い、半導体素子電極部とフイルムキ
ヤリヤリードを加熱したツールにて加圧するボン
デイングの際に、ツールにフイルムキヤリヤリー
ドが癒着し、半導体素子の電極部とフイルムキヤ
リヤリード部との接合が確実にできない問題が発
生している。この現象は加熱したツールの温度が
低い場合は少なく、450℃より高温度となると顕
著に現われてくる。
これはフイルムキヤリヤリードの銅が拡散し、
すず表面に現われてくるためであり、すず表面の
銅とツールが癒着するためである。
すず表面に現われてくるためであり、すず表面の
銅とツールが癒着するためである。
この現象はフイルムキヤリヤリードの銅とすず
との層間に、銅の拡散を防止するバリヤ層を設け
ることによつてなくすことはできるが、フイルム
キヤリヤの製造が複雑となりコスト高となる欠点
がある。
との層間に、銅の拡散を防止するバリヤ層を設け
ることによつてなくすことはできるが、フイルム
キヤリヤの製造が複雑となりコスト高となる欠点
がある。
また、ツールの材質を選択することによつて、
なくすことも出来るが、ツール自体もボンデイン
グツールとしての制約条件があり、例えばツール
底面の温度分布の均一性と材質との関係、さらに
は、比抵抗、熱伝導率、熱膨張率などがあり、癒
着をなくすことは非常に困難である。
なくすことも出来るが、ツール自体もボンデイン
グツールとしての制約条件があり、例えばツール
底面の温度分布の均一性と材質との関係、さらに
は、比抵抗、熱伝導率、熱膨張率などがあり、癒
着をなくすことは非常に困難である。
発明の目的
本発明は、従来の欠点を除去し、フイルムキヤ
リヤのリード部の構造を変えることなく、またツ
ールとして比抵抗、熱伝導率、熱膨張率などから
一般的に多く使用されているモリブデン材料を用
いて、ボンデイングツールとフイルムキヤリヤリ
ードとの癒着のない、構造が簡単で容易に製造で
き実用的価値の大なるボンデイングツールを得る
にある。
リヤのリード部の構造を変えることなく、またツ
ールとして比抵抗、熱伝導率、熱膨張率などから
一般的に多く使用されているモリブデン材料を用
いて、ボンデイングツールとフイルムキヤリヤリ
ードとの癒着のない、構造が簡単で容易に製造で
き実用的価値の大なるボンデイングツールを得る
にある。
発明の構成
本発明は、モリブデンを主成分とする角柱体ま
たは円柱体の第１金属層の下底面に、450℃〜500
℃において銅の表面にすずの薄膜を設けたリード
線に圧着しても前記リード線との間に癒着を生じ
ない0.005〜2.0mm厚の鉄とクロム主成分のカンタ
ルあるいはステンレスの第２金属層を設けたこと
を特徴とする。
たは円柱体の第１金属層の下底面に、450℃〜500
℃において銅の表面にすずの薄膜を設けたリード
線に圧着しても前記リード線との間に癒着を生じ
ない0.005〜2.0mm厚の鉄とクロム主成分のカンタ
ルあるいはステンレスの第２金属層を設けたこと
を特徴とする。
本発明はボンデイングツールを前記構成にする
ことによつて、半導体素子電極部とフイルムキヤ
リヤリード部を加熱圧着するボンデイングの際に
従来発生したフイルムキヤリヤのすずリードの表
面に現われた銅とのツールの癒着は第２の金属層
がバリヤとなり完全になくすることができ、ボン
デイング歩留りも大幅に向上さすことができる。
一般的に、モリブデン材と銅材は焼きつきやすい
材料として知られている。
ことによつて、半導体素子電極部とフイルムキヤ
リヤリード部を加熱圧着するボンデイングの際に
従来発生したフイルムキヤリヤのすずリードの表
面に現われた銅とのツールの癒着は第２の金属層
がバリヤとなり完全になくすることができ、ボン
デイング歩留りも大幅に向上さすことができる。
一般的に、モリブデン材と銅材は焼きつきやすい
材料として知られている。
金属層の厚みが0.005〜2.0mmの範囲内よりも小
さければ、モリブデン材である角柱体または円柱
体の第１金属層に固定するのが非常に難かしく、
形成された後も表面に凹凸が発生してしまいボン
デイングツール底面の温度分布が不均一となる。
また範囲内よりも大きければ、モリブデン材その
ものの性質が損なわれ、ボンデイングツール自体
の特性（比抵抗、熱伝導率、熱膨張率など）がな
くなる。
さければ、モリブデン材である角柱体または円柱
体の第１金属層に固定するのが非常に難かしく、
形成された後も表面に凹凸が発生してしまいボン
デイングツール底面の温度分布が不均一となる。
また範囲内よりも大きければ、モリブデン材その
ものの性質が損なわれ、ボンデイングツール自体
の特性（比抵抗、熱伝導率、熱膨張率など）がな
くなる。
実施例の説明
実施例
第１図に本発明のボンデイングツールの断面図
を示す。
を示す。
先ずモリブデン材を用い、第２図のごとくヒー
タ挿入孔９を設けた第１金属層７を形成し、先端
側面に円弧状欠除部７−１を形成し先端に第１金
属層７の断面積より狭い第２金属層を設ける先端
面７−２を有する突出部７Ａを形成する。
タ挿入孔９を設けた第１金属層７を形成し、先端
側面に円弧状欠除部７−１を形成し先端に第１金
属層７の断面積より狭い第２金属層を設ける先端
面７−２を有する突出部７Ａを形成する。
次に、鉄とクロムを主成分とするカンタル材を
用い、第３図のごとく第１の金属層７の先端部と
同形状で0.3mm厚みの第２の金属層８を形成した。
用い、第３図のごとく第１の金属層７の先端部と
同形状で0.3mm厚みの第２の金属層８を形成した。
その後モリブデンからなる第１金属層７先端面
上に、無機質の接着剤を塗布した。接着剤は住友
化学（株）製、商品名スミセラムを使用した。
上に、無機質の接着剤を塗布した。接着剤は住友
化学（株）製、商品名スミセラムを使用した。
次に接着剤を塗布した第１金属層７先端部分
に、カンタルからなる第２金属層８を貼り合わ
せ、さらに両方から圧力を加えて固定した。
に、カンタルからなる第２金属層８を貼り合わ
せ、さらに両方から圧力を加えて固定した。
その後加圧状態のまま500℃〜550℃の電気炉の
中に30分間放置した。次に接着剤を硬化させて電
気炉から取り出し、第１金属層７の先端側面に
CA熱電対を溶接することによつて本発明のボン
デイングを得ることができた。
中に30分間放置した。次に接着剤を硬化させて電
気炉から取り出し、第１金属層７の先端側面に
CA熱電対を溶接することによつて本発明のボン
デイングを得ることができた。
第４図に本発明のボンデイングツールを使用し
てボンデイングを行う状態の側面図を示す。
てボンデイングを行う状態の側面図を示す。
前記本発明のボンデイングツールを使用し、半
導体素子電極部とフイルムキヤリヤのすずリード
を位置合わせせしめ、ボンデイングツール先端温
度480℃〜500℃、圧力60〜80（ｇ／リード１本当
たり）でボンデイングしても、フイルムキヤリヤ
リードがボンデイングツールに癒着することなく
完全な接合を得ることができた。
導体素子電極部とフイルムキヤリヤのすずリード
を位置合わせせしめ、ボンデイングツール先端温
度480℃〜500℃、圧力60〜80（ｇ／リード１本当
たり）でボンデイングしても、フイルムキヤリヤ
リードがボンデイングツールに癒着することなく
完全な接合を得ることができた。
発明の効果
以上のように本発明のボンデイングツールは、
フイルムキヤリヤリードの構造を変えることな
く、またボンデイングツールとして一般的に多く
採用されているモリブデン材が使用でき、ボンデ
イングツールとフイルムキヤリヤリードとの癒着
をなくすることができるものである。さらに、構
造が簡単であり、容易に製造できるなどの実用的
価値の大なる効果を生ずる。
フイルムキヤリヤリードの構造を変えることな
く、またボンデイングツールとして一般的に多く
採用されているモリブデン材が使用でき、ボンデ
イングツールとフイルムキヤリヤリードとの癒着
をなくすることができるものである。さらに、構
造が簡単であり、容易に製造できるなどの実用的
価値の大なる効果を生ずる。
第１図は本発明のボンデイングツールの構成の
断面図、第２図は本発明の金属ブロツクの斜視
図、第３図は本発明の金属層の斜視図、第４図は
本発明のボンデイングツールの使用状態の側面
図、を示す。 １：絶縁フイルム、２：開孔部、３：すずリー
ド、４：半導体素子、５：電極部、６：ツール、
７：金属ブロツク、８：金属層、９：ヒータ挿入
孔。
断面図、第２図は本発明の金属ブロツクの斜視
図、第３図は本発明の金属層の斜視図、第４図は
本発明のボンデイングツールの使用状態の側面
図、を示す。 １：絶縁フイルム、２：開孔部、３：すずリー
ド、４：半導体素子、５：電極部、６：ツール、
７：金属ブロツク、８：金属層、９：ヒータ挿入
孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ モリブデンを主成分とする角柱体または円柱
体の下底面に450℃〜500℃において、銅の表面に
すずの薄膜を設けたリード線に圧着しても前記リ
ード線との間に癒着を生じない0.005〜2.0mm厚の
金属層を設けたことを特徴とするボンデイングツ
ール。 ２ 前記金属層を鉄とクロム主成分のカンタルま
たはステンレスとしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のボンデイングツール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032979A JPS59159538A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | ボンデイングツ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58032979A JPS59159538A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | ボンデイングツ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59159538A JPS59159538A (ja) | 1984-09-10 |
| JPH03781B2 true JPH03781B2 (ja) | 1991-01-08 |
Family
ID=12373998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58032979A Granted JPS59159538A (ja) | 1983-03-02 | 1983-03-02 | ボンデイングツ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59159538A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61158154A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-07-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱圧着ツ−ル |
| KR0186084B1 (ko) * | 1995-09-02 | 1999-04-15 | 문정환 | 히팅장치를 구비한 웨지 공구 |
| CN114883286B (zh) * | 2022-06-08 | 2024-08-20 | 江西蓝微电子科技有限公司 | 一种金银合金复合键合丝及其制造方法 |
-
1983
- 1983-03-02 JP JP58032979A patent/JPS59159538A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59159538A (ja) | 1984-09-10 |
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