JPH0378674A - Ｓｑｕｉｄ素子 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ素子Info
- Publication number
- JPH0378674A JPH0378674A JP1215204A JP21520489A JPH0378674A JP H0378674 A JPH0378674 A JP H0378674A JP 1215204 A JP1215204 A JP 1215204A JP 21520489 A JP21520489 A JP 21520489A JP H0378674 A JPH0378674 A JP H0378674A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- squid
- substrate
- ring
- squid ring
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は高温超電導薄膜を用いたＳＱＵＩＤ素子に関す
る。
る。
なお、本発明のＳＱＵＩＤ素子は、例えば生体磁気計測
の分野、金属疲労や金属腐食等を検査する材料試験や資
源探査、あるいは地震予知等の、極めて微弱な磁気の検
出分野等に適用することができる。
の分野、金属疲労や金属腐食等を検査する材料試験や資
源探査、あるいは地震予知等の、極めて微弱な磁気の検
出分野等に適用することができる。
〈従来の技術〉
ＳＱＵＩＤ素子は一般に極めて感度が高いために、それ
に応じた磁気雑音対策が必要となる。
に応じた磁気雑音対策が必要となる。
このような磁気雑音対策の一つとして、従来、高温超電
導体を円筒状等に焼結したたシールドケースがあり、Ｓ
ＱＵＩＤ素子をその内部に入れて磁気ないし電磁シール
ドしている。
導体を円筒状等に焼結したたシールドケースがあり、Ｓ
ＱＵＩＤ素子をその内部に入れて磁気ないし電磁シール
ドしている。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、原料粉末を焼結して得られる高温超電導体は
、一般に臨界電流密度が低く、従ってシールド効果は充
分とは言いがたい。
、一般に臨界電流密度が低く、従ってシールド効果は充
分とは言いがたい。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、特に別
途シールドケース等を用意することな（、磁気雑音に対
してより充分なシールド効果を持ち、安定に動作するこ
とのできるＳＱＵＩＤ素子を提供することを目的として
いる。
途シールドケース等を用意することな（、磁気雑音に対
してより充分なシールド効果を持ち、安定に動作するこ
とのできるＳＱＵＩＤ素子を提供することを目的として
いる。
〈課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための構成を、実施例に対応する
第１図を参照しつつ説明すると、本発明では、基板１の
片面に、少なくとも一個の粒界ジョセフソン接合を持つ
高温超電導薄膜製のＳＱＵＩＤリング２を形成し、かつ
、その裏面には一様な高温超電導薄膜３を形成し、その
基板１を、ＳＱＵＩＤリング２を内側にして円筒状に巻
回している。
第１図を参照しつつ説明すると、本発明では、基板１の
片面に、少なくとも一個の粒界ジョセフソン接合を持つ
高温超電導薄膜製のＳＱＵＩＤリング２を形成し、かつ
、その裏面には一様な高温超電導薄膜３を形成し、その
基板１を、ＳＱＵＩＤリング２を内側にして円筒状に巻
回している。
〈作用〉
一つの基板１にＳＱＵＩＤリング２とこれを取り囲む高
温超電導薄膜３が一体形成され、ＳＱＵＩＤリング２は
高温超電導薄膜３によってシールドされるので、別途シ
ールドケースを用意する必要がない。
温超電導薄膜３が一体形成され、ＳＱＵＩＤリング２は
高温超電導薄膜３によってシールドされるので、別途シ
ールドケースを用意する必要がない。
ここで、高温超電導体は、一般に、焼結体よりもｇＪ成
膜状成長させたものの方が臨界電流密度が大幅に高く、
シールド効果が向上する。
膜状成長させたものの方が臨界電流密度が大幅に高く、
シールド効果が向上する。
〈実施例〉
第１図は本発明実施例の外観図である。
円筒状に巻かれたＭｇＯ基板１の内側には、多結晶のＹ
ＢＣｏ薄膜による超電導リングの一部にマイクロブリッ
ジ型の粒界ジョセフソン接合を設けてなる５Ｑ（ＪＩＤ
リング２が形成されている。
ＢＣｏ薄膜による超電導リングの一部にマイクロブリッ
ジ型の粒界ジョセフソン接合を設けてなる５Ｑ（ＪＩＤ
リング２が形成されている。
この基板１の外側には、ＹＢＣｏ薄膜からなる高温超電
導薄膜３が形成されている。この超電導薄膜３は、粒界
が存在しないか、あるいは存在しても極めて僅かであり
、実質的に単結晶膜であって、その臨界電流密度は高い
。
導薄膜３が形成されている。この超電導薄膜３は、粒界
が存在しないか、あるいは存在しても極めて僅かであり
、実質的に単結晶膜であって、その臨界電流密度は高い
。
このような構造を持つＳＱＵＩＤ素子では、内側のＳＱ
ＵＩＤリング２は外側の高温超電導薄膜３によってシー
ルドされ、外部の磁気雑音の影響を受けない。
ＵＩＤリング２は外側の高温超電導薄膜３によってシー
ルドされ、外部の磁気雑音の影響を受けない。
以上の本発明実施例は、以下の手順によって製造するこ
とができる。
とができる。
まず、厚さ０．５ｍｍの適当な大きさのＭｇＯ１板１を
用意し、片面にＳＱＵＩＤリング２の基になる適当な面
積のＹＢＣＯ薄膜を製膜する。製膜方法は、スパッタ法
、レーザーアブレーション、あるいは反応性蒸着法等、
公知の方法のうちのいずれでもよい。この製膜にあたっ
ては、基板１の加熱は行わない。
用意し、片面にＳＱＵＩＤリング２の基になる適当な面
積のＹＢＣＯ薄膜を製膜する。製膜方法は、スパッタ法
、レーザーアブレーション、あるいは反応性蒸着法等、
公知の方法のうちのいずれでもよい。この製膜にあたっ
ては、基板１の加熱は行わない。
次いでそのＹＢＣｏ薄膜をフォトリソグラフィの技術で
パターニングして、ＳＱＵＩＤリング２の形状を作る。
パターニングして、ＳＱＵＩＤリング２の形状を作る。
次に、その裏面に、同様な方法で比較的厚い、かつ、全
面にわたるＹＢＣＯ薄膜を製膜する。
面にわたるＹＢＣＯ薄膜を製膜する。
この裏面側の製膜時には、基板１を加熱し、アズグロウ
ン膜とすることが望ましい。これによって、ＳＱＵＩＤ
リング２の裏側に高温超電導薄膜３が形成されることに
なる。
ン膜とすることが望ましい。これによって、ＳＱＵＩＤ
リング２の裏側に高温超電導薄膜３が形成されることに
なる。
この状態を第２図に示す。
その後に、０□雰囲気下で８００〜９５０°Ｃでアニー
ルし、ＳＱＵＩＤリング２を多結晶化して粒界ジョセフ
ソン接合を得ると同時に、この５ＱＵ１０リング２を内
側にして基板１を巻くように力を加えると、ＭｇＯ基板
１は曲がり、第１図に示したシールド体（高温超電導薄
膜）３とＳＱＵＩＤリング２が一体化された円筒状のＳ
ＱＵＩＤ素子が得られる。
ルし、ＳＱＵＩＤリング２を多結晶化して粒界ジョセフ
ソン接合を得ると同時に、この５ＱＵ１０リング２を内
側にして基板１を巻くように力を加えると、ＭｇＯ基板
１は曲がり、第１図に示したシールド体（高温超電導薄
膜）３とＳＱＵＩＤリング２が一体化された円筒状のＳ
ＱＵＩＤ素子が得られる。
なお、基板１としては、上記の実施例のように０．５ｍ
ｍ程度の厚さのＭｇＯ基板のほか、フィルム状のＹＳＺ
基板を使用することができる。
ｍ程度の厚さのＭｇＯ基板のほか、フィルム状のＹＳＺ
基板を使用することができる。
また、シールド体である高温超電導薄膜３は、必ずしも
基板１を加熱しながら製膜しなくてもよいが、基板加熱
を行った方が臨界電流密度が高くなってシールド効果が
より向上するという利点がある。
基板１を加熱しながら製膜しなくてもよいが、基板加熱
を行った方が臨界電流密度が高くなってシールド効果が
より向上するという利点がある。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、ＳＱＵＩＤリン
グが形成された基板の反対の面に、高温超電導薄膜を形
成して、その基板を、ＳＱＵＩＤリングを内側にして円
筒状に巻回したので、ＳＱＵＩＤリングとシールド体が
一体化されたＳＱＵＩＤ素子を実現できる。
グが形成された基板の反対の面に、高温超電導薄膜を形
成して、その基板を、ＳＱＵＩＤリングを内側にして円
筒状に巻回したので、ＳＱＵＩＤリングとシールド体が
一体化されたＳＱＵＩＤ素子を実現できる。
しかも、本発明の高温超電導薄膜によるシールド体では
、特に単結晶の薄膜を使用した場合、従来のような高温
超電導体原料粉末を焼結したシールド体に比して、臨界
電流密度が大幅に高くなるので、そのシールド効果が飛
躍的に向上し、安定したＳＱＵＩＤ素子となり得る。
、特に単結晶の薄膜を使用した場合、従来のような高温
超電導体原料粉末を焼結したシールド体に比して、臨界
電流密度が大幅に高くなるので、そのシールド効果が飛
躍的に向上し、安定したＳＱＵＩＤ素子となり得る。
第１図は本発明実施例の外観図、第２図はその製造方法
の説明図である。 １・・・・基板 ２、、、、ｓ ＱＵ Ｉ Ｄリング ３・・・・高温超電導薄膜
の説明図である。 １・・・・基板 ２、、、、ｓ ＱＵ Ｉ Ｄリング ３・・・・高温超電導薄膜
Claims (1)
- 片面に少なくとも一個の粒界ジョセフソン接合を持つ高
温超電導薄膜製のＳＱＵＩＤリングが形成され、かつ、
その裏面には一様な高温超電導薄膜が形成された基板が
、上記ＳＱＵＩＤリングを内側にして円筒状に巻回され
てなるＳＱＵＩＤ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215204A JPH0675100B2 (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1215204A JPH0675100B2 (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378674A true JPH0378674A (ja) | 1991-04-03 |
| JPH0675100B2 JPH0675100B2 (ja) | 1994-09-21 |
Family
ID=16668417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1215204A Expired - Lifetime JPH0675100B2 (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | Ｓｑｕｉｄ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0675100B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091491A1 (fr) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de production d'un fluxmetre de type d'interference quantique |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP1215204A patent/JPH0675100B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002091491A1 (fr) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Japan Science And Technology Corporation | Procede de production d'un fluxmetre de type d'interference quantique |
| US6830775B1 (en) | 2001-05-07 | 2004-12-14 | Japan Science And Technology Agency | Method of manufacturing superconducting quantum interference type magnetic fluxmeter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0675100B2 (ja) | 1994-09-21 |
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