JPH0378779B2 - - Google Patents
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- JPH0378779B2 JPH0378779B2 JP60033763A JP3376385A JPH0378779B2 JP H0378779 B2 JPH0378779 B2 JP H0378779B2 JP 60033763 A JP60033763 A JP 60033763A JP 3376385 A JP3376385 A JP 3376385A JP H0378779 B2 JPH0378779 B2 JP H0378779B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱支持板の半導体チツプを固着す
る方の面のみならず、これを反対側の面にも成形
樹脂体層を設ける電力用樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関する。
る方の面のみならず、これを反対側の面にも成形
樹脂体層を設ける電力用樹脂封止型半導体装置の
製造方法に関する。
半導体チツプを固着した放熱支持板の裏面にも
薄い樹脂層（厚さ数百μm）を形成し、外部放熱
体等への取付けに際してマイカ薄板のような絶縁
板を使用する必要をなくした樹脂封止型半導体装
置が例えば特開昭57−147260号公報に開示されて
いる。
薄い樹脂層（厚さ数百μm）を形成し、外部放熱
体等への取付けに際してマイカ薄板のような絶縁
板を使用する必要をなくした樹脂封止型半導体装
置が例えば特開昭57−147260号公報に開示されて
いる。
また、この種の樹脂封止型半導体装置における
放熱支持板の裏面側に薄い樹脂層を良好に形成す
るために、第１０図に示す様な金型を使用するこ
とは、本件出願人に係わる特願昭59−114018号で
提案されている。第１０図において、１は放熱支
持板、２はリード、３はパワートランジスタチツ
プ、４は内部リード、５は保護樹脂、６は成形樹
脂、７は上部金型、８は下部金型、７ａは樹脂の
流れを抑制する仕切り状の突出部、９は樹脂注入
孔、１０は金型が型締めされることによつて形成
される。成形用空所である。この装置において、
樹脂注入孔９から粘液状態の樹脂を加熱されてい
る金型７，８の中に注入すると、放熱支持板１の
上と下に脂が流れ込む。この時、上側の樹脂の流
れが突出部７ａで抑制され、放熱支持板１の下側
の樹脂の流れが相対的に強められる。この結果、
放熱支持板１の裏面に薄い樹脂層を良好に形成す
ることが出来る。
放熱支持板の裏面側に薄い樹脂層を良好に形成す
るために、第１０図に示す様な金型を使用するこ
とは、本件出願人に係わる特願昭59−114018号で
提案されている。第１０図において、１は放熱支
持板、２はリード、３はパワートランジスタチツ
プ、４は内部リード、５は保護樹脂、６は成形樹
脂、７は上部金型、８は下部金型、７ａは樹脂の
流れを抑制する仕切り状の突出部、９は樹脂注入
孔、１０は金型が型締めされることによつて形成
される。成形用空所である。この装置において、
樹脂注入孔９から粘液状態の樹脂を加熱されてい
る金型７，８の中に注入すると、放熱支持板１の
上と下に脂が流れ込む。この時、上側の樹脂の流
れが突出部７ａで抑制され、放熱支持板１の下側
の樹脂の流れが相対的に強められる。この結果、
放熱支持板１の裏面に薄い樹脂層を良好に形成す
ることが出来る。
ところで、成形樹脂６の流れは第１図で斜線で
説明的に示す如く支持板１の上側の流れＵと下側
の流れＬに大別される。空所１０に対する成形樹
脂６の充填は、支持板１の上下において注入孔９
側から開始され、リード２側端部で終了すること
が好ましい。突出部７ａは、この様な充填を達成
するため設けられている。
説明的に示す如く支持板１の上側の流れＵと下側
の流れＬに大別される。空所１０に対する成形樹
脂６の充填は、支持板１の上下において注入孔９
側から開始され、リード２側端部で終了すること
が好ましい。突出部７ａは、この様な充填を達成
するため設けられている。
しかし、支持板１のチツプ３の上部の相対的に
厚い樹脂層６ａの充填状態に問題のあることが判
明した。即ち、第１２図に模式的に示すように、
樹脂の下側の流れＬは、樹脂の基本的な流動方向
である支持板１のリード側端部に向かつて進む下
側のみの流れL1と、支持板１の側面を通つて支
持板１の上側に回り込む流れL2、L3に分かれる。
樹脂の下側の流れＬが強められている結果、支持
板１の上側の点Ａにおいては、まず樹脂の流れ
L2、L3がぶつかり、その後で樹脂の流れＵが到
達するという過程を経る。このような樹脂充填状
態では、点Ｂ近傍の空気が樹脂の流れＵ、L2、
L3に囲まれることによつて逃げ道を失い、最終
的にはチツプ３の上部近傍において樹脂層６ａに
未充填部分を残すことになる。
厚い樹脂層６ａの充填状態に問題のあることが判
明した。即ち、第１２図に模式的に示すように、
樹脂の下側の流れＬは、樹脂の基本的な流動方向
である支持板１のリード側端部に向かつて進む下
側のみの流れL1と、支持板１の側面を通つて支
持板１の上側に回り込む流れL2、L3に分かれる。
樹脂の下側の流れＬが強められている結果、支持
板１の上側の点Ａにおいては、まず樹脂の流れ
L2、L3がぶつかり、その後で樹脂の流れＵが到
達するという過程を経る。このような樹脂充填状
態では、点Ｂ近傍の空気が樹脂の流れＵ、L2、
L3に囲まれることによつて逃げ道を失い、最終
的にはチツプ３の上部近傍において樹脂層６ａに
未充填部分を残すことになる。
そこで、本発明の目的は、支持板の表面側に厚
い樹脂層を有し、裏面側に薄い樹脂層を有する半
導体装置を製造する際に表面側と裏面側との両方
に良好に樹脂を充填することができる方法を提供
することにある。
い樹脂層を有し、裏面側に薄い樹脂層を有する半
導体装置を製造する際に表面側と裏面側との両方
に良好に樹脂を充填することができる方法を提供
することにある。
上記目的を達成するための本発明は、放熱機能
及び電気伝導機能を有し且つ互いに平行な一対の
側面及びこの一対の側面の相互間の一対の端面を
有する支持板と、前記支持板の一方の主表面上に
固着された半導体チツプと、前記支持板の前記一
対の端面の一方の側に連結された支持板接続用外
部リードと、前記半導体チツプに電気的に接続さ
れた少なくとも１本のチツプ接続用外部リード
と、前記支持板接続用及び前記チツプ接続用外部
リードの支持板側の一部、前記半導体チツプ、及
び前記支持板を被覆する成形樹脂体とを具備し、
且つ前記支持板の一方の主表面側の樹脂層が他方
の主表面側の樹脂層よりも厚くなるように前記成
形樹脂体が形成されている半導体装置の製造方法
において、前記支持板の前記一対の端面の他方の
側から樹脂を注入するための樹脂注入孔を有し、
且つ前記樹脂注入孔から注入された樹脂の流れを
抑制するための突出部を有し、前記突出部が前記
支持板の一対の側面に沿うように配設されている
一対の側方突出部と前記支持板の前記一方の主表
面上において前記一対の端面の他方から一方に向
う樹脂の流れを抑制するために前記一対の側方突
出部の相互間の少なくとも一部に設けられた仕切
り状突出部とを備えている樹脂封止用型を用意
し、この樹脂封止用型の成形用空所に前記半導体
チツプを固着した前記支持板を配置し、前記樹脂
注入孔から樹脂を注入することによつて前記成形
樹脂体を形成することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法に係わるものである。
及び電気伝導機能を有し且つ互いに平行な一対の
側面及びこの一対の側面の相互間の一対の端面を
有する支持板と、前記支持板の一方の主表面上に
固着された半導体チツプと、前記支持板の前記一
対の端面の一方の側に連結された支持板接続用外
部リードと、前記半導体チツプに電気的に接続さ
れた少なくとも１本のチツプ接続用外部リード
と、前記支持板接続用及び前記チツプ接続用外部
リードの支持板側の一部、前記半導体チツプ、及
び前記支持板を被覆する成形樹脂体とを具備し、
且つ前記支持板の一方の主表面側の樹脂層が他方
の主表面側の樹脂層よりも厚くなるように前記成
形樹脂体が形成されている半導体装置の製造方法
において、前記支持板の前記一対の端面の他方の
側から樹脂を注入するための樹脂注入孔を有し、
且つ前記樹脂注入孔から注入された樹脂の流れを
抑制するための突出部を有し、前記突出部が前記
支持板の一対の側面に沿うように配設されている
一対の側方突出部と前記支持板の前記一方の主表
面上において前記一対の端面の他方から一方に向
う樹脂の流れを抑制するために前記一対の側方突
出部の相互間の少なくとも一部に設けられた仕切
り状突出部とを備えている樹脂封止用型を用意
し、この樹脂封止用型の成形用空所に前記半導体
チツプを固着した前記支持板を配置し、前記樹脂
注入孔から樹脂を注入することによつて前記成形
樹脂体を形成することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法に係わるものである。
本発明における仕切り状突出部は、支持板の一
方の主表面上の樹脂の流れを抑制し、支持板の他
方の主表面下の樹脂の流れを強める。他方の主表
面側の樹脂の流れが強められると、支持板側面を
通つて一方の主表面上に回り込む樹脂の流れが生
じる。しかし、この流れは側方突出部によつて阻
止されるか又は抑制される。この結果、支持板の
一方の主表面上と他方の主表面下に流れる樹脂の
バランスが良くなり、且つ支持板の一方の主表面
上における樹脂の流れと支持板の他方の主表面側
から一方主表面側に回り込む樹脂の流れとのぶつ
かり合いが阻止されるか又は弱められ、不完全な
樹脂充填部分の発生が防止される。
方の主表面上の樹脂の流れを抑制し、支持板の他
方の主表面下の樹脂の流れを強める。他方の主表
面側の樹脂の流れが強められると、支持板側面を
通つて一方の主表面上に回り込む樹脂の流れが生
じる。しかし、この流れは側方突出部によつて阻
止されるか又は抑制される。この結果、支持板の
一方の主表面上と他方の主表面下に流れる樹脂の
バランスが良くなり、且つ支持板の一方の主表面
上における樹脂の流れと支持板の他方の主表面側
から一方主表面側に回り込む樹脂の流れとのぶつ
かり合いが阻止されるか又は弱められ、不完全な
樹脂充填部分の発生が防止される。
次に、第１図〜第８図に基づいて本発明の実施
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法について説明する。
例に係わる樹脂封止型パワートランジスタの製造
方法について説明する。
まず、第１図に示すリードフレーム１１を用意
する。図ではトランジスタ１個分を示している
が、実際には多数個分（例えば10個分）が並列配
置されている。１２はNi被覆Cu板から成る放熱
機能と電気伝導機能を合わせ持つた支持板であ
る。１４は支持板１２の一端に連結された支持板
接続用外部リードであり、コレクタリードとして
機能する。
する。図ではトランジスタ１個分を示している
が、実際には多数個分（例えば10個分）が並列配
置されている。１２はNi被覆Cu板から成る放熱
機能と電気伝導機能を合わせ持つた支持板であ
る。１４は支持板１２の一端に連結された支持板
接続用外部リードであり、コレクタリードとして
機能する。
１３，１５はチツプ接続用外部リードであり、
それぞれベースリード、エミツタリードとして機
能する。各外部リード１３，１４，１５は、支持
板１２と同一の材料で形成されている。１６は外
部リード同志を橋絡するタイバー、１７は外部リ
ード端を共通して連結する細条である。支持板１
２の外部リードとは反対側には、Ｕ字状切欠部１
８及び支持板１２の肉薄部１２ｂが形成されてい
る。１２ａは支持板１２の肉厚部である。１９は
シリコンパワートランジスタチツプで、その下面
はコレクタ電極（図示せず）となつており、支持
板１２の一方の主表面上に半田（図示せず）によ
り固着されている。チツプ１９の上面には、ベー
ス電極及びエミツタ電極（図示せず）が形成され
ており、これらの電極と外部リード１３，１５の
間がAl線から成る内部リード２０，２１で接続
されている。２２はシリコン樹脂から成るチツプ
保護用樹脂である。
それぞれベースリード、エミツタリードとして機
能する。各外部リード１３，１４，１５は、支持
板１２と同一の材料で形成されている。１６は外
部リード同志を橋絡するタイバー、１７は外部リ
ード端を共通して連結する細条である。支持板１
２の外部リードとは反対側には、Ｕ字状切欠部１
８及び支持板１２の肉薄部１２ｂが形成されてい
る。１２ａは支持板１２の肉厚部である。１９は
シリコンパワートランジスタチツプで、その下面
はコレクタ電極（図示せず）となつており、支持
板１２の一方の主表面上に半田（図示せず）によ
り固着されている。チツプ１９の上面には、ベー
ス電極及びエミツタ電極（図示せず）が形成され
ており、これらの電極と外部リード１３，１５の
間がAl線から成る内部リード２０，２１で接続
されている。２２はシリコン樹脂から成るチツプ
保護用樹脂である。
また、第１図のチツプ１９が固着されたリード
フレーム１１を樹脂封止するために、第２図〜第
４図に示す上下の金型２３，２４を用意する。こ
の上下の金型２３，２４は、これを組み合せるこ
とによつて第３図及び第４図に示す如き成形空所
２５を得るものであり、支持板の肉薄部１２ｂを
挾持するための一対の円錐台状ピン２３ａと、取
付孔を得るための円筒状突起２３ｂと、取付孔を
得るための円筒状突起２３ｂと、支持板１２のチ
ツプ１９が固着されている上面（一方の主表面
側）における樹脂の流れを妨げるための仕切り状
突出部２３ｃと、支持板１２の下面（他方の主表
面側）から側方を通つて上面側に樹脂が流れ込む
ことを妨げるための側方突出部２３ｄとを有す
る。なお、仕切り状突出部２４ｃの中央には脂の
流れ方向に従つて末広状に幅が大になつている溝
２３ｅが設けられている。この溝２３ｅは、円筒
状突起２３ｂによつて妨げられた中央部の樹脂の
流れの強さを補償する機能を有する。下部金型２
４は支持板１２を挾持するための一対の円錐台状
ピン２４ａと、リード配置用溝２４ｂと、樹脂注
入孔２６とを有する。
フレーム１１を樹脂封止するために、第２図〜第
４図に示す上下の金型２３，２４を用意する。こ
の上下の金型２３，２４は、これを組み合せるこ
とによつて第３図及び第４図に示す如き成形空所
２５を得るものであり、支持板の肉薄部１２ｂを
挾持するための一対の円錐台状ピン２３ａと、取
付孔を得るための円筒状突起２３ｂと、取付孔を
得るための円筒状突起２３ｂと、支持板１２のチ
ツプ１９が固着されている上面（一方の主表面
側）における樹脂の流れを妨げるための仕切り状
突出部２３ｃと、支持板１２の下面（他方の主表
面側）から側方を通つて上面側に樹脂が流れ込む
ことを妨げるための側方突出部２３ｄとを有す
る。なお、仕切り状突出部２４ｃの中央には脂の
流れ方向に従つて末広状に幅が大になつている溝
２３ｅが設けられている。この溝２３ｅは、円筒
状突起２３ｂによつて妨げられた中央部の樹脂の
流れの強さを補償する機能を有する。下部金型２
４は支持板１２を挾持するための一対の円錐台状
ピン２４ａと、リード配置用溝２４ｂと、樹脂注
入孔２６とを有する。
次に、第１図に示すチツプ１９が固着されたリ
ードフレーム１１を第２図の金型２３，２４の成
形空所２５に第３図及び第４図に示す如く配置
し、一対の金型２３，２４の型締めをなす。これ
より、リード１３〜１５が上下の金型２３，２４
で挾持されると共に、上下のピン２３ａ，２４ａ
によつて支持板１２の肉薄部１２ｂが挾持され
る。円筒状突起２３ｂは支持板１２の切欠部１８
を通つて下部金型２４に接する。仕切り状突出部
２３ｃは樹脂注入孔２６とチツプ１９との間に位
置する。側方突出部２３ｄは、仕切り状突出部２
３ｃからチツプ１９のほぼ中央部までに対応する
側方に位置し、この先端と支持板１２との間に僅
かな隙間が生じる。支持板１２はその厚み方向に
おける位置が正確になるように金型２３，２４内
に収容されているので、側方突出部２３ｄの先端
と支持板１２との間隔の精度は高い。支持板１２
の上方の生じる上部空所２５ａに比較し、下部空
所２５ｂは極めて狭く、支持板の肉厚部１２ａと
下部金型２４との間隔は約0.5mmである。
ードフレーム１１を第２図の金型２３，２４の成
形空所２５に第３図及び第４図に示す如く配置
し、一対の金型２３，２４の型締めをなす。これ
より、リード１３〜１５が上下の金型２３，２４
で挾持されると共に、上下のピン２３ａ，２４ａ
によつて支持板１２の肉薄部１２ｂが挾持され
る。円筒状突起２３ｂは支持板１２の切欠部１８
を通つて下部金型２４に接する。仕切り状突出部
２３ｃは樹脂注入孔２６とチツプ１９との間に位
置する。側方突出部２３ｄは、仕切り状突出部２
３ｃからチツプ１９のほぼ中央部までに対応する
側方に位置し、この先端と支持板１２との間に僅
かな隙間が生じる。支持板１２はその厚み方向に
おける位置が正確になるように金型２３，２４内
に収容されているので、側方突出部２３ｄの先端
と支持板１２との間隔の精度は高い。支持板１２
の上方の生じる上部空所２５ａに比較し、下部空
所２５ｂは極めて狭く、支持板の肉厚部１２ａと
下部金型２４との間隔は約0.5mmである。
次に、第５図及び第６図に示すように、公知の
トランスフアモールド法に基づいて、加熱されて
いつたん粘液状となつたエポキシ樹脂を注入孔２
６から空所２５に加圧注入する。金型２３，２４
は約180℃に加熱されているので、空所２５に充
填されたエポキシ樹脂は数分以内に熱硬化し、成
形樹脂体２７となる。この成形樹脂体２７を得る
ための樹脂注入時に、金型の仕切り状突出部２３
ｃは第１１図の突出部７ａと同じく上部空所２５
ａへの樹脂の流れを抑制して相対的に下部空所２
５ｂへの樹脂の流れを強める。このため、下部空
所２５ｂに樹脂の未充填部分が生じることが防止
され、薄い樹脂層２７ｂが良好に形成される。ま
た、金型の側方突出部２３ｄは下部空所２５ｂを
流れた樹脂が上部空所２５ａに回り込もうとする
のを抑制する。即ち、第１１図で言えば、樹脂の
流れL2，L3を弱めるように作用する。このため、
上部空所２５ａのチツプ１９の上部近傍に樹脂の
未充填部分が発生することが防止され、厚い樹脂
層２７ａも良好に形成される。この樹脂注入時に
おける支持板１２の上面中央部の樹脂の流れは、
仕切り状突出部２３ｃの中央に溝２３ｅが設けら
れているので、比較的強い。即ち、円筒状突起２
３ｂが前方にあるにも拘らず、中央部の流れの強
さがこの中央部の両側よりも落ちることが防止さ
れる。更に溝２３ｅは末広がり形成されているの
で、支持板１２の上面を流れる樹脂と下面から側
方を通つて回り込んでくる樹脂とのバランスが良
くなる。
トランスフアモールド法に基づいて、加熱されて
いつたん粘液状となつたエポキシ樹脂を注入孔２
６から空所２５に加圧注入する。金型２３，２４
は約180℃に加熱されているので、空所２５に充
填されたエポキシ樹脂は数分以内に熱硬化し、成
形樹脂体２７となる。この成形樹脂体２７を得る
ための樹脂注入時に、金型の仕切り状突出部２３
ｃは第１１図の突出部７ａと同じく上部空所２５
ａへの樹脂の流れを抑制して相対的に下部空所２
５ｂへの樹脂の流れを強める。このため、下部空
所２５ｂに樹脂の未充填部分が生じることが防止
され、薄い樹脂層２７ｂが良好に形成される。ま
た、金型の側方突出部２３ｄは下部空所２５ｂを
流れた樹脂が上部空所２５ａに回り込もうとする
のを抑制する。即ち、第１１図で言えば、樹脂の
流れL2，L3を弱めるように作用する。このため、
上部空所２５ａのチツプ１９の上部近傍に樹脂の
未充填部分が発生することが防止され、厚い樹脂
層２７ａも良好に形成される。この樹脂注入時に
おける支持板１２の上面中央部の樹脂の流れは、
仕切り状突出部２３ｃの中央に溝２３ｅが設けら
れているので、比較的強い。即ち、円筒状突起２
３ｂが前方にあるにも拘らず、中央部の流れの強
さがこの中央部の両側よりも落ちることが防止さ
れる。更に溝２３ｅは末広がり形成されているの
で、支持板１２の上面を流れる樹脂と下面から側
方を通つて回り込んでくる樹脂とのバランスが良
くなる。
次に、金型２３，２４の型締めを解いてリード
フレーム１１を取り出し、成形樹脂体２７を完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行
う。続いてタイバー１６および細条１７をプレス
加工により切断で除去し、第７図及び第８図に示
すパワートランジスタとする。凹部２８，２９
は、それぞれ金型の円錐台状ピン２３ａ，２４ａ
に対応して形成されるものである。３０は外部放
熱体に取付けるときにネジ等を通すための取付孔
であり、金型の円筒状ピン２３ｂに対応して形成
されたものである。凹所３１，３２は、それぞれ
金型の突出部２３ｃ，２３ｄに対応して形成され
たものである。凹部３１，３２の底と支持板１２
との間には薄い樹脂層が介在している。
フレーム１１を取り出し、成形樹脂体２７を完全
に熱硬化させるために更に長時間の熱処理を行
う。続いてタイバー１６および細条１７をプレス
加工により切断で除去し、第７図及び第８図に示
すパワートランジスタとする。凹部２８，２９
は、それぞれ金型の円錐台状ピン２３ａ，２４ａ
に対応して形成されるものである。３０は外部放
熱体に取付けるときにネジ等を通すための取付孔
であり、金型の円筒状ピン２３ｂに対応して形成
されたものである。凹所３１，３２は、それぞれ
金型の突出部２３ｃ，２３ｄに対応して形成され
たものである。凹部３１，３２の底と支持板１２
との間には薄い樹脂層が介在している。
本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形例が可能なものである。
く、例えば次の変形例が可能なものである。
(A) 第９図に示す完成したトランジスタに示す凹
部３２が得られるように、上部金型２３の側方
突出部２３ｄを金型２３の側壁から少し離して
もよい。即ち突出部２３ｄを仕切り状に形成し
てもよい。
部３２が得られるように、上部金型２３の側方
突出部２３ｄを金型２３の側壁から少し離して
もよい。即ち突出部２３ｄを仕切り状に形成し
てもよい。
(B) 完成したトランジスタにおいて、成形樹脂体
２７の側面にのみ開口入口を有するように突出
部２３ｄが金型２３の側壁から支持板１２平行
に突出するようにしてもよい。
２７の側面にのみ開口入口を有するように突出
部２３ｄが金型２３の側壁から支持板１２平行
に突出するようにしてもよい。
第１図は本発明の実施例に係わるリードフレー
ムを示す斜視図、第２図は本発明の実施例に係わ
る金型の一部を示す斜視図、第３図は第１図のリ
ード１４に沿う部分に対応する金型とリードフレ
ームとの断面図、第４図は第１図のリード１３に
沿う部分に対応する金型とリードフレームとの断
面図、第５図及び第６図は成形樹脂体を形成した
ものを示す第３図及び第４図に対応する断面図、
第７図は完成したトランジスタの斜視図、第８図
は第７図のトランジスタの平面図、第９図は変形
例のトランジスタを示す平面図、第１０図は従来
の金型とトランジスタを示す断面図、第１１図は
第１０図のトランジスタのリードフレームを示す
斜視図である。 １２……支持板、１３，１４，１５……リー
ド、１９……チツプ、２３……上部金型、２３ｃ
……仕切り状突出部、２３ｄ……側方突出部、２
４……下部金型。
ムを示す斜視図、第２図は本発明の実施例に係わ
る金型の一部を示す斜視図、第３図は第１図のリ
ード１４に沿う部分に対応する金型とリードフレ
ームとの断面図、第４図は第１図のリード１３に
沿う部分に対応する金型とリードフレームとの断
面図、第５図及び第６図は成形樹脂体を形成した
ものを示す第３図及び第４図に対応する断面図、
第７図は完成したトランジスタの斜視図、第８図
は第７図のトランジスタの平面図、第９図は変形
例のトランジスタを示す平面図、第１０図は従来
の金型とトランジスタを示す断面図、第１１図は
第１０図のトランジスタのリードフレームを示す
斜視図である。 １２……支持板、１３，１４，１５……リー
ド、１９……チツプ、２３……上部金型、２３ｃ
……仕切り状突出部、２３ｄ……側方突出部、２
４……下部金型。
Claims (1)
- １ 放熱機能及び電気伝導機能を有し且つ互いに
平行な一対の側面及びこの一対の側面の相互間の
一対の端面を有する支持板と、前記支持板の一方
の主表面上に固着された半導体チツプと、前記支
持板の前記一対の端面の一方の側に連結された支
持板接続用外部リードと、前記半導体チツプに電
気的に接続された少なくとも１本のチツプ接続用
外部リードと、前記支持板接続用及び前記チツプ
接続用外部リードの支持板側の一部、前記半導体
チツプ、及び前記支持板を被覆する成形樹脂体と
を具備し、且つ前記支持板の一方の主表面側の樹
脂層が他方の主表面側の樹脂層よりも厚くなるよ
うに前記成形樹脂体が形成されている半導体装置
の製造方法において、前記支持板の前記一対の端
面の他方の側から樹脂を注入するための樹脂注入
孔を有し、且つ前記樹脂注入孔から注入された樹
脂の流れを抑制するための突出部を有し、前記突
出部が前記支持板の一対の側面に沿うように配設
されている一対の側方突出部と前記支持板の前記
一方の主表面上において前記一対の端面の他方か
ら一方に向う樹脂の流れを抑制するために前記一
対の側方突出部の相互間の少なくとも一部に設け
られた仕切り状突出部とを備えている樹脂封止用
型を用意し、この樹脂封止用型の成形用空所に前
記半導体チツプを固着した前記支持板を配置し、
前記樹脂注入孔から樹脂を注入することによつて
前記成形樹脂体を形成することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033763A JPS61193460A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033763A JPS61193460A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193460A JPS61193460A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH0378779B2 true JPH0378779B2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=12395470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033763A Granted JPS61193460A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193460A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
| US5728600A (en) * | 1994-11-15 | 1998-03-17 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation process |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980951A (ja) * | 1983-08-24 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | レジンモ−ルド電子部品 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP60033763A patent/JPS61193460A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61193460A (ja) | 1986-08-27 |
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