JPH0379760A

JPH0379760A - スパッタリング装置

Info

Publication number: JPH0379760A
Application number: JP21412489A
Authority: JP
Inventors: Junji Nakada; 純司中田
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp
Priority date: 1989-08-22
Filing date: 1989-08-22
Publication date: 1991-04-04

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、スパッタリング装置に関し、特に連続的に移
送される基板上に連続的にスパッタリングを行い薄膜を
形成するスパッタリング装置に関する。

〔従来技術〕

近年、光磁気記録媒体はレーザー光による書き込み、読
み出しが可能な光磁気ディスクとして大容量のデータフ
ァイル等に広く利用されている。

この光磁気ディスクは、ガラスやプラスチック等の透明
基板上に形成された誘電体層、記録層及び保護層等から
戒る多層構造で構成されている。例えば、光磁気効果を
示す前記記録層は、希土類金属（以下ＲＥと称す）と遷
移金゛属（以下ＴＭと称す）の混合膜或いは積ＮＭとか
ら戒っており、このような薄膜を形成する薄膜形成法と
してスパッタ法がある。

前記スパッタ法とは、低圧雰囲気中においてＡｒガス等
の不活性ガスを導入してグロー放電を発生せしめ、プラ
ズマ中のイオンを陰極ターゲットに照射してターゲット
せ料表面から構造原子、分子を叩き出すことにより、該
ターゲットに対向するように配置された陽極基板ホルダ
ー上の基板表面に薄膜を付着形成するｆｌ膜形形成法で
あり、広く工業的に利用されている。

前記薄膜形成方法のなかでも、前記ターゲット上に該タ
ーゲットと概ね平行な磁場成分を形成し、電界と磁界を
ほぼ直交させるマグネトロンスパッタ法は、成膜速度が
速く、被スパツタリング基板の温度上昇が抑えられる等
の効果があり、非常に有効なｆｉ膜形成方法として半導
体や磁気記録媒体の製造工程等で広く利用されている。

次に、従来の光磁気記録媒体の記録層の製造装置につい
て説明する。

従来の製造装置にはその一つに回転成膜方式と呼ばれて
いるマグネトロン型スパッタリング装置があり、この基
本的構造はスパッタ室内において、室内上方に回転する
ホルダーが設置され、このホルダーに成膜用基板を装着
するように構成され、更に、スパッタ室内の低部に、例
えば２つのマグネトロンスパッタカソードがそれぞれ成
膜材料であるＲＥ金金属ＴＭ金金属から成る円形のター
ゲットを有し、マグネトロン放電を可能にするために各
ターゲット裏面側には永久磁石を備えた構成にて所定の
間隔をあけて配置されている。

前記回転成膜方式の装置には、前記マグネトロンスパッ
タカソードに対向するように設けられた前記ホルダーに
は、単に公転する構造のものと、自公転（遊星ギア等を
有した構成）する構造のものとがある。公転型の場合は
膜厚分布を均一にするために膜厚分布修正板が配置され
ており、自公転型のもは前記膜厚分布修正板が無くとも
膜厚分布の均一化が良好にできる。

このような回転成膜方式の成膜装置によれば、前記ＲＥ
金属層とＴＭ金属層の積層構造を自由に変えることがで
きるので、記録層の磁化量、保磁力、光磁気効果（カー
効果）等の優れた特性を有する高品質な光磁気記録媒体
が得られる。更に、記録層の積層構造変化は前記基板ホ
ルダーの公転成いは自転の回転数と前記両ターゲットに
印加するスパッタパワー比とでコントロールできるため
に、比較的制御性が良い。

しかしながら従来装置によれば、膜厚の均一性を図るた
めに前記膜厚分布修正板や自公転機構等の機械的動作構
造に多く依存しているので、前記スパッタ室内の清浄性
の点から望ましくなく、例えば前記膜厚分布修正板に付
着したスパッタ粒子に起因したダストが薄膜を形成する
基板上に付着して薄膜のピンホールを発生する。

また、前記自公転式の成膜装置においては、前記基板を
自公転機構に取り付ける作業は複雑で自動化しにくく生
産性が低い。また、駆動機構が複雑で設備コストが高い
だけでなく、メンテナンス性においても問題がある。

更に、上記回転成膜方式の成膜装置においては、前記基
板上への誘電体層、保護層、記録層等の各層の成膜がそ
れぞれ独立したスパッタ室で行われるため、スパッタ室
の開放は一回のスパッタリング毎に必要になることは当
然のことながら、前記基板ホルダーは前記各スパッタ室
間の移送や前記各スパッタ室内の回転軸への取付けの際
にチャッキングが必要になる。このため、前記基板ホル
ダーのセツティング時間が大きくなり、生産性が上がら
ないと言う問題がある。

そこで、前記生産性の向上のために、第６図に示した様
な通過成膜方式の連続スパッタ装置が採用されている。

前記通過成膜方式の連続スパッタ装置は、それぞれ独立
した排気系を持つ複数の真空室を有しており、そのうち
連続して設けられたスパッタ室１２６゜１２７．１２８
では連続してスバ・ン夕が行われる。前記スパッタ室１
２６．１２７．１２８はゲートバルブ１３１により連通
して分けられている。そして、搬送経路を形成した搬送
ロール１２０に案内された複数の基板ホルダー１２１　
は、前記スパッタ室１２６，１２７．１２８内に連続し
て一定速度で移送されるように構成されている。また、
前記基板ホルダー１２１は、その移送方向に対して水平
な面でＪ且つ直交方向に並んだ複数のプラスチック基板
１２５を保持している。

そして、例えば前記スパッタ室１２７内には、底部にマ
グネトロンスパッタカソード１２２が成膜材料であるＲ
Ｅ金金属ＴＭ金金属ら戒り基板搬送方向とは水平な面で
、且つターゲットの長辺方向が、前記基板の移送方向に
対して直交して位置する長方形の合金ターゲッロ２３を
有し、マグネトロン放電を可能にするためにターゲット
裏面側には、例えば第７図に示す如く上方から見て両極
が矩形環状の間隙２５を空けるようにして前記合金ター
ゲラ目２３の全域に対応する永久磁石１２４を備えてい
る。また、前記プラスチック基板１２５上に形成される
威膜層の成膜時間を調整するために、前記合金ターゲッ
ト１２３の上方にはシャッター１２９が配置されている
。

前記合金ターゲラ）　１２３は、ターゲット電源１３０
が繋げられており、該合金ターゲット１２３に適したス
パンタバワーを与え、所望の積層薄膜が形成出来るよう
になされている。更に、前記合金ターゲラ目２３は、上
記したように前記基板ホルダー１２１の移送方向に対し
て水平な面で、且つターゲットの長辺方向が、前記基板
の移送方向に対して直交して位置する矩形状に形成され
ており、該合金ターゲット１２３の長手方向の長さは通
常、前記基板ホルダー１２１に並設された前記プラスチ
ック基板１２５の直径の合計長に対して従来においては
実用上から約１．６〜２．０倍程度に設定されている。

そこで、前記通過成膜方式の連続スパッタ装置では、前
記基板ホルダー１２１に並設された複数の前記プラスチ
ック基板１２５が連続移送されながらスパッタを行われ
同時成膜されるので、生産性が大幅に向上する。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、前記通過成膜方式の連続スパッタ装置で
は、前記基板ホルダー１２１の移送直角方向の中央部分
に設置されたプラスチック基板１２５上に形成された薄
膜の平均膜厚と、移送方向両側端部分に設置されたプラ
スチック基板１２５上に形成された薄膜の平均膜厚との
間に差が生してしまい、両端の前記プラスチック基板１
２５の平均膜厚が中央のものに比べて薄くなるといった
所謂取付は位置による膜厚差が生しるといった問題があ
つこれは、第８図に示した長方形のターゲットを使用し
た場合の基板ホルダーの移送直角方向における薄膜の膜
厚分布から明らかな様に、スパッタ室両端部分（即ち、
長方形ターゲットの長手方向両端部分）の膜厚が低くな
ってしまうためであり、例えば前記長方形ターゲット１
２３上の基板ホルダーの移送直角方向に並設された基板
Ａ、Ｂ、Ｃに形成される３Ｍ４の膜厚もこれに比して両
端の基板Ｂ、Ｃの膜厚が中央の基板Ａの膜厚よりも薄く
なってしまう。尚、第８図における規格化膜厚とは、最
大膜厚をｌとした時の各測定位置の膜厚の比であり、各
測定位置はスパッタ室中央を座標原点とした際の距離に
よって示した。

そこで、従来においては前記基板ホルダー１２１の移送
方向に対して水平な面で、且つ前記ターゲットの長辺方
向が前記基板ホルダー１２１の移送方向に対して直交に
位置する処の前記合金ターゲット１２３の長手方向の長
さを基板走行ラインの幅に比べて十分に長くすると云う
対策を取っていた。

しかし、前記合金ターゲット１２３の長手方向の長さを
長くすると、スパッタ室の大型化になるだけでなくター
ゲット材料の基板への付着効率が減少し、製造コストが
増加するという問題を生した。

即ち、本発明の目的は上記課題を解消することにあり、
生産性が良く、膜厚分布がターゲットを搬送方向に対し
て直角方向に長くしなくとも均一で高品質な′ａ膜を形
成することができるスパッタリング装置を提供するもの
である。

［課題を解決するための手段］本発明の上記目的は、スパッタ室内に連続的に移送され
る基板上に薄膜を形成するため、前記基板に対向して配
設されたターゲットによって連続的にスパッタリングを
行うスパッタリング装置において、前記ターゲットは前
記基板に対して平行な矩形の水平ターゲット面と、該水
平ターゲット面を挟んで基板移送方向に対して前記ター
ゲット全体の長辺方向が前記基板の移送方向に対して直
交する位置で向かい合うように傾斜して並設された矩形
の傾斜ターゲット面とから成り、該ターゲットの裏面側
に配置されてターゲット表面の近傍にて電界と略直交す
るように該表面に沿った磁界を形成する磁界発生手段が
前記ターゲットの裏面全域に対応した形状で設けられて
いることをｖＰ＠とするスパッタリング装置により達成
される。

以下、本発明の一実施Ｂ様について詳細に説明する。

〔実施Ｂ様〕

第１図は、本発明に基づくスパッタリング装置の要部概
略図を示し、第２図はターゲットと基板の位置関係を示
すための概略平面図である。

第１図及び第２図に示すように、本発明に基づくスパッ
タリング装置は、それぞれ独立した排気系１７を持つ複
数の真空室を有しており、そのうち連続して設けられた
スパッタ室１４．１５．１６では連続してスパッタが行
われる。前記スパッタ室１４．１５１６はゲートバルブ
１８により連通して分けられている。そして、搬送経路
を形成した搬送ロール１１に案内された複数の基板ホル
ダー７は、前記スパッタ室１４．１５．１６内に連続し
て一定速度で移送されるように構成されている。また、
前記基板ホルダー７の本体の下方側に、それぞれ円形の
プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃを保持した回転自在なター
ンテーブル６を備えている。前記ターンテーブル６は、
その中心に回転軸８を有しており、該回転軸８が前記基
板ホルダー７の本体を貫通して上方に延びており、該回
転軸８の上方端寄りにビニオン９が設けられている。前
記ビニオン９は前記スパッタ室１４．１５．１６に固定
されているラック１０に係合し、前記基板ホルダー７が
前記搬送ロール１１に沿って移動することにより、前記
ターンテーブル６をそれぞれ所定方向に回転させること
ができる。

そして、例えば前記スパッタ室１５内の底部には、中央
マグネトロンスパッタカソード３ｂと該中央マグネトロ
ンスパッタカソード３ｂの両側の両端部マグネトロンス
パッタカソード３ａ、３ｃとが設置されており、それぞ
れ成膜材料であるＲＥ金金属７Ｍ金属とから成る長形角
型の水平ターゲット１ｂを挟む位置に傾斜ターゲットｌ
ａ、　ｌｃが基板移送方向に対する水平直交方向に沿っ
て並設されている（第３図参照）、前記水平ターゲッロ
す並びに傾斜ターゲットＩａ、ｌｃの裏面側には、マグ
ネトロン放電を可能にするため各ターゲット表面の近傍
にて電界と略直交するように該表面に沿った漏れ磁界を
発生させる永久磁石２ａ、２ｂ、２ｃが設置されている
。

また、前記水平ターゲット１ｂ並びに傾斜ターゲラ）　
１ａ、　ｌｅにはそれぞれ独立のスパッタ室ａ４が接続
されている。

更に、前記両端部マグネトロンスパッタカソード３ａ、
３ｃは、互いに向かい合うように傾斜して設置されてお
り、前記水平ターゲラ）ｌｂのスパッタ平面と前記（頃
斜ターゲット１ａ＋　ｌｃのそれぞれのスバ・ツタ平面
との間のなす角αが、少なくとも１０度〜８０度の範囲
において任意の角度に固定保持できるように構成されて
いる。

そこで、上記のように構成されたスパッタリング装置の
スパッタ室１５にアルゴン（Ａｒ）ガス等の不活性ガス
をガス導入口１９から導入し、且つ前記水平ターゲット
ｌｂ並びに傾斜ターゲットｌａ、ｌｃに適宜スパッタパ
ワーを付加させた状態にしておき、前記基板ホルダー７
に予め誘電体層が形成された前記プラスチック基板Ａ、
Ｂ、Ｃを連続して次々に装着する。

前記基板ホルダー７は連続して前記スパッタ室１５に移
送されて行き、前記プラスチック基板Ａ。

Ｂ、Ｃはそれぞれ前記ターンテーブル６によりスパッタ
室内にて回転されながら移送され、各基板表面上に薄膜
が形成される。

このように、本発明によれば、複数の前記プラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃは前記基板ホルダー７に保持されて連続
的に移送されながらスパッタリングされるので、生産性
を向上させることができる。

また、互いに向かい合うように傾斜して設置された前記
傾斜ターゲラ）　ｌａ、　ｌｃの表面から飛散するスバ
・ンタ粒子は前記プラスチック基ＦｉＡ、Ｂ。

Ｃが移送される有効成膜領域の移送方向に直角な方向の
両端部に向かって飛散する。そこで、膜厚の低い前記有
効成膜領域の移送方向に直角な方向の両端部にもスパッ
タ粒子が補われ、前記有効成膜領域内の膜厚を均一にす
ることができる。従って、前記プラスチック基板Ａ、Ｂ
、Ｃに付着するり基板Ｂだけが多くなることが効果的に
避けられ、スパッタ室の移送方向に対して直角の方向の
両端部分を通過する前記プラスチック基板Ａ、Ｃにも前
記プラスチック基板Ｂと同量のスパッタ粒子を付着させ
ることができるので、複数の前記プラスチック基板の取
付は位置による膜厚のばらつきが解消され、各々の基板
間の膜厚分布が均一にでき、当然、各基板内における膜
厚分布の均一性も向上し動特性の良好な光磁気ディスク
を提供することができる。

前記実施態様においては、水平ターゲットｌｂ及び傾斜
ターゲラ）　ｌａ、　ｌｃがそれぞれ独立のマグネトロ
ン磁気回路を有し、電気的にも絶縁された３つのマグネ
トロンスパッタカソードブロックによって構成されたが
、本発明の装置はこれに限るものではなく、１つのマグ
ネトロンスパッタカソードブロックによって構成されて
も良い。この場合、ターゲラｌ−２１−面側に配設され
た永久磁石２０は、第５図に示すように上方から見て両
極が矩形環状の間隙２１を空けるように形成されると共
に、その中央部及び両端部にはには水平部２２及び互い
に向かい合う方向に傾斜した傾斜部２３．２４が構成さ
れている。

尚、前記実施態様においてはＲＥ金金属ＴＭ金金属から
成る合金ターゲットを用いたが、本発明はこれに限るも
のではなく、他のターゲット材料を用いても良い。

また、前記実施Ｂ様では、前記基板ホルダー７のそれぞ
れのターンテーブル６に一枚の前記プラスチック基板を
対応させて計３枚装着して自転させながら移送する例を
示したが、本発明はこれに限るものではなく、基板が更
に多い場合でもよく、また、基板ホルダーに複数の基板
を装着して該基板を静止、公転成いは自公転させながら
移送して成膜を行っても充分な効果が期待できることは
言うまでもない。

〔発明の効果］以上述べたように、本発明のスパッタリング装置は、ス
パッタ室内に連続的に移送される基板上に薄膜を形成す
るため、前記基板に対向して配設されたターゲットが前
記基板に対して平行な矩形の水平ターゲット面と、該水
平ターゲット面を挟んで基板移送方向に対して直交方向
に向かい合うように傾斜して並設された矩形の傾斜ター
ゲット面とから成り、該ターゲラＦの裏面側に配置され
てターゲット表面の近傍にて電界と略直交するように該
表面に沿った磁界を形成する磁界発生手段が前記ターゲ
ットの裏面全域に対応した形状で設けられて連続的にス
パッタリングを行うように構成されている。

そこで、基板ホルダーのセツティングに要する時間中も
連続してスパッタリングを行うことができて生産性が向
上するだけでなく、この優れた生産性に加え、ターゲッ
ト表面から飛散するスパッタ粒子は複数の前記基板の有
効成膜領域の移送方向に直角の方向の両端部に向かって
飛散するので、膜厚の低い前記有効成膜領域の移送方向
両端部にもスパッタ粒子が補われ、前記有効成膜領域内
の膜厚を均一にすることができる。

従って、基板ホルダーに保持された複数の基板に均一な
膜厚の薄膜を成膜するために従来のようにターゲット長
手方向にターゲットを大きくしなくても基板の基板ホル
ダーへの装着位置による膜厚差が回避でき、スパッタ室
の小型化を促進でき、製品の品質のバラ付きを無くすこ
とができるだけでなく、該ターゲット材料の節約でき極
めて高い生産効率を得ることができる。

［実施例〕以下、実施例により本発明の効果を更に明確にする。

実１む生り第１図〜第３図に示す本発明のスパッタリング装置を用
いて試料光磁気ディスクを作製した。

スパッタ室内に配設されたマグネトロンスパッタカソー
ドブロックは、幅：　１３０　肺、長さ：４００圓、厚
さ：５ａの大きさのＴｂｘＪＩ３ｖｏＣ（１＋材料の水
平ターゲット１ｂを備えた中央マグネトロンスバソタカ
ソード３ｂと、幅：１３０閣、長さ：　１５０　ｍｓ、
厚さ：５閤の大きさのＴｂ、、Ｆｅ、。Ｃｏ？材料の傾
斜ターゲット１ａ、１ｃを備えた両端部マグネトロンス
パッタカソード３ａ、３ｃとから戒り、前記水平ターゲ
ット１ｂのスバフタ平面と前記傾斜ターゲラ）　ｌａ、
　ｌｃのそれぞれのスパッタ手痛との間のなす角αは３
０度に設定した。

また、厚さ：１．２ｍ、直径：１３０鵬のプラスチック
基板Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ中心距離１５０ｍで基板ホ
ルダー７に装着し、前記水平ターゲットｔｂと前記プラ
スチック基板Ａ、Ｂ、Ｃとの垂直距離は１００閤とした
。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５ＸＩＯ−’Ｔ
　ｏｒｒまで真空排気した後、前記ガス導入口１９から
Ａｒガスを４０ＳＣＣＭ導入しガス圧を２．０　ｍＴｏ
ｒｒとした０次に、前記中央ターゲット１ｂに４．０ｋ
Ｗの放電パワー（ＤＣ電力）を印加し、かつ前記両端部
ターゲット１ａ、Ｉｃに２．０ｋＷの放電パワー（ＤＣ
１ｇ力）を印加してスパッタ放電を維持した後、前記基
板ホルダー７は前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃをそれ
ぞれ２ｒｐｍで回転させながら１５０　ｍ／ｓｉｎの搬
送速度で移送させ、前記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃ上
に磁性膜を形成した。このときの前記スパッタ室１５の
左右方向（基板搬送方向に対して直角方向）の基板位置
における規格化膜厚を第４図に示す、また、成膜後、前
記各基板に付着したＴｂｚ３Ｆｅｌ。Ｇｏ？膜の膜厚を
段差計により複数箇所測定した。その平均膜厚を表１に
示す。

表１表１より明らかなように、膜厚のバラツキは±２．０％
以内と極めて良好な結果が得られた。

且」動差次に、上記実施例１に対する比較として、第６図及び第
７図に示すような従来のスパッタリング装置を用いた。

スパッタ室１２７内に配設された合金ターゲット１２３
は、ｆＰＭ　：　１２７　ｍ、長さ：６１０ｍ、厚さ：
５ｍの大きさの一枚の矩形Ｔｂ２）Ｆｅ？。Ｃｏ７材料
から戒り、その長手方向が基板の移送方向に対して水平
な面内で、且つ前記ターゲットの長辺方向が前記基板の
移送方向に対して直交して位置するように組み込まれて
いる。また、厚さ：　１．２　ｕ、直径：１３０皿のプ
ラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃは、それぞれ中心距離１５０
　ｍで基板ホルダー１２１に装着し、前記合金ターゲラ
）　１２３と前記プラスチック基板Ａ。

Ｂ、Ｃとの垂直距離は１００■とした。

そして、前記スパッタ室１５内の圧力を５Ｘ１０−’Ｔ
　ｏｒｒまで真空排気した後、前記ガス導入口１９から
Ａｒガスを４０５ＣＣＭ導入しガス圧を２．Ｑ　ｍＴｏ
ｒｒとした０次に、前記合金ターゲット１２３に７．０
　ｋ　Ｗの放電パワー（ＤＣ１ｉ力）を印加してスパッ
タ放電を維持した後、前記基板ホルダー７は前記プラス
チック基板Ａ、Ｂ、Ｃをそれぞれ２ｒｐｍで回転させな
がら１５０　ａｓ／ｌ１ｉｎの搬送速度で移送させ、前
記プラスチック基板Ａ、Ｂ、Ｃ上に磁性膜を形成した。

このときの前記スパッタ室１２７の左右方向（基板搬送
方向に対して水平直角方向）の基板位置における規格化
膜厚を第８図に示す、また、成膜後、前記各基板に付着
したＴｂｔｓＰｅｔ。Ｃｏｔ膜の膜厚を段差計により複
数箇所測定した。その平均膜厚を表２に示す。

表２表２から判るように、従来のスパッタリング装置によっ
て形成された膜厚のバラツキは±４．０％程度となり、
本発明の実施例に比べて明らかに膜厚分布が劣っている
ことがわかる。

また、第４図と第８図の基板搬送方向に対して水平な面
内で、且つ前記ターゲットの長辺方向が前記移送方向に
対して直交して位置する基板位置における規格化膜厚の
分布を比較すれば明らかなように、本実施例のスパッタ
リング装置においては膜厚比の分布が均一に改善されて
いる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に基づくスパッタリング装置の要部概
略図、第２図はターゲットと基板の位置関係を示すため
の概略平面図、第３図はマグネトロンスパッタカソード
の構成を示す断面図、第４図は本発明の実施例における
スパッタ室左右方向（基板搬送方向に対して水平な面内
で、且つ直角方向）の基板位置と規格化膜厚との関係を
示す分布図、第５図は本発明の他の実施ｅｔａに基づく
マグネトロンスパッタカソードの磁極形状を示す平面図
、第６図は従来の通過成膜方式の連続スパッタリング装
置の要部概略図、第７図は従来のマグネトロンスパッタ
カソードの磁極形状を示す平面図、第８図は従来の装置
におけるスパッタ室左右方向（基板搬送方向に対して水
平な面内で、且つ直角方向）の基板位置と規格化膜厚と
の関係を示す分布図である。（図中の符号）ｌａ、ｌｃ・・・傾斜ターゲット、　１ｂ・・・水平タ
ーゲット２ａ＋２ｂ＋２Ｃ’・’永久磁石、３ａ、３ｃ・・・両端部マグネトロンスパッタカソード
、３ｂ・・・中央マグネトロンスパッタカソード、４・
・・スパッタ電源、６・・・ターンテーブル、　　　　７・・・基板ホルダ
ー８・・・回転軸、　　　　　　　　９・・・ビニオン
、１０・・・ラック、　　　　　　　　１１・・・搬送
ロール、１４、１５．１６・・・スパッタ室、１７・・
・排気系、１８・・・ゲートバルブ、１９・・・ガス導
入口、２０・・・永久磁石、　　　　　　２１．２５・
・・間隙２２・・・水平部、２３．２４・・・傾斜部、　　　　　１２０・・・搬送
ロール、１２１・・・基板ホルダ、１２２・・・マグネトロンスパッタカソード、１２３・
・・合金ターゲット、　　１２４・・・永久磁石、１２
５・・・プラスチック基板、１２６．１２７．１２８・・・スパッタ室、２９・・・シャッター３０・・・スパッタ電源、３１・・・ゲートバルブ。第図第２図第図第図１Ｍ焚イ寸）もＡＩプＬ（都／ｆｆ＋）第図第図第図第図Ｓ　膜　イ寸１　イｉ−ｘ（ｍｌ伺）

Claims

【特許請求の範囲】

　スパッタ室内に連続的に移送される基板上に薄膜を形
成するため、前記基板に対向して配設されたターゲット
によって連続的にスパッタリングを行うスパッタリング
装置において、前記ターゲットは前記基板に対して平行
な矩形の水平ターゲット面と、該水平ターゲット面を挟
んで基板移送方向に対して前記ターゲット全体の長辺方
向が前記基板の移送方向に対して直交する位置で向かい
合うように傾斜して並設された矩形の傾斜ターゲット面
とから成り、該ターゲットの裏面側に配置されてターゲ
ット表面の近傍にて電界と略直交するように該表面に沿
った磁界を形成する磁界発生手段が前記ターゲットの裏
面全域に対応した形状で設けられていることを特徴とす
るスパッタリング装置。