JPH0379761A - イオンビームスパッタ装置およびニュートラライザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、電荷中和を行なうニュートラライザを備えた
、イオンビームスパッタ装置に関する。

［従来の技術］ イオンビームスパッタ装置では、電荷を有するイオンビ
ームを絶縁性のターゲットに照射すると、イオンビーム
の電荷が次第に蓄積され、ターゲットが電位を持つ。す
ると、電荷反発により、ターゲットへのイオンビームの
入射量が減少し、スパッタレートが低下するという問題
が生じる。

この問題を解決する手段として、絶縁性のターゲットに
スパッタリングを施して、基板に成膜を行なう場合には
、電子を放射して電荷中和を行なうニュートラライザを
備えたイオンビームスパッタ装置が知られている。

ニュートラライザは、ターゲットの電荷上昇を防ぐため
に、イオンビームに電子を照射し、イオンビームと電子
を衝突させ、イオンビームの電荷を中性化するか、イオ
ンビームの入射により電荷が蓄積したターゲットに電子
を照射することで中性化する。

ニュートラライザの電子供給源としては、フィラメント
を用いた熱電子放射装置、電子銃、これらを用いた二次
電子発生装置等がある。

これらの中で、電子が収束されたり、電子の指向性が強
い装置、例えば電子銃のような装置を。

電子供給源として用いると、電子ビームが細いので、タ
ーゲットやイオンビームとの接触部が小さく、電荷中和
の効率が悪いという欠点がある。

これに対して、フィラメントを用いる熱電子放射装置は
、指向性を持たず、広い範囲にわたって電子を放射する
特性を有し、また、電子放射部分を小さくでき、しかも
、価格も安い等の理由からよく用いられている。

イオンビームスパッタ装置では、ニュートラライザのｖ
１置箇所として、イオンビーム軌道内、あるいは、軌道
外の二通りの方式がある。

第４図に、ニュートラライザの電子供給源としてフィラ
メントを用い、ニュートラライザをイオンビーム軌道内
に設けた、イオンビームスパッタ装置を示す。

第４図において、正の電荷を持つイオンビーム（実線で
示す〉５は、フィラメント２とイオンの引き出し電極３
，４と加速電源１０．′ｆＡ速電源１３とからなるイオ
ン発生装置１から発せられる。

電子（破線で示す）１２を発生するフィラメント９は、
イオンビーム５の軌道内に設置される。

この装置において、フィラメント２から放射された電子
１２ば、イオンビーム５に捕獲されて、正の電荷を持つ
イオンビーム５をニュートラルビームにする。このニュ
ートラルビームがターゲット６に入射し、ターゲット６
からスパッタ粒子７が放出される。スパッタ粒子７は、
基板８に向って進行し、基板８上で膜形成を行なう。

この従来装置では、ニュートラルビームがターゲット６
に入射するため、ターゲット６の帯電が防止される。

一方、ニュートラライザとなる電子供給源を、イオンビ
ーム軌道外に設ける方式は、特開昭６２−２６０３２７
号公報等に記、載されている。この方式は、ニュートラ
ライザの電子供給源から発せられる電子を、ターゲット
へ向けることにより、正に帯電したターゲツト面の電荷
中和を行なう。

［発明を解決しようとする課題］ しかし、第４図に示すイオンビーム軌道内にニュートラ
ライザを設けたイオンビームスパッタ装置は、ニュート
ラライザの電子供給源としてフィラメントを用いると、
イオンビームがフィラメントをスパッタすることにより
、フィラメントからイオンが発生する。そして、このイ
オンがターゲットに取り込まれ、さらに、基板にも取り
込まれてしまう。この結果、得られる基板には、フィラ
メントのイオンが不純物として含まれてしまう。

このイオンビームスパッタ装置で、Ｎｉ膜を形成する場
合、例えば、Ｔａ線からなるフィラメントを電子供給源
として用いたニュートラライザにより中和を行なうと、
フィラメントのＴａイオンが、重量比で１１００ｐｐ程
度、Ｎｉ膜中に不純物として含まれる。

一方、特開昭６２−２６０３２７号公報等に開示されて
いるような、イオンビーム軌道外に、電子供給源として
フィラメントを用いているイオンビームスパッタ装置は
、基板にフィラメントのイオンが含まれることはない。

しかし、フィラメントから発生する電子が十分な運動量
を有しないために、フィラメントの周りに電子鞘を生じ
てしまう。このため、ターゲツト面に充分な電子が供給
されず、ターゲツト面での電荷中和の効率が悪く、スパ
ッタレートの低下を防止できない。

ところで、基板上に形成される膜の電気的、機械的、光
学的、結晶学的性質を制御するために。

副イオン発生装置（アシスト用イオン源）によりイオン
を基板に照射する方式が知られている。しかし、この方
式を採用したイオンビームスパッタ装置は、照射された
イオンにより、基板の電荷が上昇し、膜破壊を生じるこ
とがある。

この膜破壊を防止するためには、基板に電子を供給し、
基板の電荷中和を行えばよい。

しかし、上記ターゲットに電子を照射する従来技術のう
ち、イオンビーム軌道内に電子供給源としてフィラメン
トを設ける方法を用いると、ターゲットに不純物が混入
する。その上、フィラメントから放射される電子が基板
に到達しないので、基板の電荷を中和することもできな
い。一方、上記ターゲットに電子を照射する従来技術の
うち。

イオンビーム軌道外に電子供給源としてフィラメントを
設ける方法を用いると、基板面の電位がかなり上昇しな
いと、電子が電子鞘から抜は出すことができず、電荷中
和の効率は極めて悪い。

また、副イオン発生装置より照射されるイオンビーム軌
道内にフィラメントを設けても、上記従来技術の、イオ
ンビーム軌道内に電子供給源としてフィラメントを設け
る方法と同様に、フィラメントのイオンが、基板に不純
物として含まれてしまう。

そこで、本発明の第１の目的は、生成される膜を汚染す
ることがなく、しかも、ターゲットの帯電を効率良く防
止できるため、スパッタレートの低下がないイオンビー
ムスパッタ装置を提供することにある。

本発明の第２の目的は、基板に形成された膜の特性を制
御するために副イオン発生装置を用いても、基板の電荷
上昇がなく、膜破壊を防止できるイオンビームスパッタ
装置を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 前記目的は、イオン発生装置から放射されるイオンビー
ムをターゲットに照射し、前記ターゲットから発せられ
るスパッタ粒子によって基板表面に薄膜を形成するイオ
ンビームスパッタ装置において、電子放射部分を前記イ
オンビームの軌道外に配置する電子供給源と、前記電子
供給源から放射される電子に、目的の方向に向かう運動
量を付与する機能を有する指向性付与手段とを有するニ
ュートラライザを備えたことを特徴とするイオンビーム
スパッタ装置によって達成される。

前記ニュートラライザは、イオンビームの軌道外に配置
する電子供給源と、電子供給源の近傍に導体と、前記導
体に負電位を印加する電源とを有し、前記導体は、負電
位の印加によって、前記電子供給源から放射される電子
を、目的の方向に進行させる電界を形成する形状を有す
るものであってもよい。

前記電子が向かう方向は、ターゲットおよび／またはイ
オンビームの軌道が存在する空間に向かう方向であるこ
とが好ましい。

イオンビームスパッタ装置に備えられるニュートラライ
ザは、電荷中和を行なうべき対象に電子を放射し、電子
放射部分と、電荷中和すべき対象を含む空間へ、前記電
子を加速する電界を形成する機能とを有するものであっ
てもよい。

本発明の第２の目的は、イオン発生装置と副イオン発生
装置とを有し、前記イオン発生装置から放射されるイオ
ンビームをターゲットに照射し。

前記ターゲットから発せられるスパッタ粒子によって、
基板に薄膜を形威し、かつ、前記副イオン発生装置から
放射されるイオンを、前記スパッタ粒子により形成され
た薄膜に照射する構成のイオンビームスパッタ装置にお
いて、電子放射部分を前記イオンビームの軌道外に配置
する電子供給源と、前記電子供給源から放射される電子
に、目的の方向に向かう運動量を付与する機能を有する
指向性付与手段とを有するニュートラライザを備えたこ
とを特徴とするイオンビームスパッタ装置によって達成
される。

ニュートラライザは、電子放射部を前記イオンビームの
軌道外に配置する電子供給源と、電子供給源の近傍に導
体と、前記導体に負電位を印加する電源とを有し、前記
導体は、負電位の印加によって、前記電子供給源から放
射される電子を目的の方向に進行させる電界を形成する
形状を有するものであってもよい。

前記電子が向かう方向は、ターゲットおよび／またはイ
オンビームの軌道と、基板が存在する空間に向かう方向
であることが好ましい。

本発明において用いる電子供給源は、フィラメントを用
いる熱電子放射装置、電子銃、これらを用いた二次電子
発生装置等、特に限定されないが。

指向性を持たず、広い範囲にわたって電子を放射する特
性を有し、さらに、電子放射部分を小さくでき、しかも
、価格も安い等からフィラメントを用いる熱電子放射装
置が好ましく用いられる。

一方、放射する電子の指向性が高い電子供給源を用いる
と、ニュートラライズする対象であるイオンビームを通
過しやすく、電荷を中和する効率が低い。

また、ターゲットやイオンビームを多元化したイオンビ
ームスパッタに、電子供給源として電子が収束されたり
、電子の指向性が強い装置を用いると、電子供給源を複
数設ける必要がある。しかし、フィラメントのように、
放射される電子に広がりを付与できる電子供給源を用い
ると、電子供給源は一つあればよい。もっとも、二つ以
上設けることを否定するものでない。

導体と、導体に負電位を印加する電源とから構成される
指向性付与手段は、電子供給源から放射される電子に、
目的の方向に進行させる運動量を付与する機能を持つ。

電源から電位を与えられた導体は、電界を発生し、電子
供給源が放射する電子に運動量を付与する。導体と電子
供給源との間の電界強度は、例えば、３　Ｖ　／　ｍ　
ｍ程度以上になるように、電荷が印加される。電界強度
がこの値より小さいと、電子供給源の周りに電子鞘を生
じやすい傾向がある。

導体は、電子に電荷中和をする対象物であるイオンビー
ム軌道とターゲットが存在する空間に向かう方向への運
動量を付与できる形状を有している。導体の材質、形状
、大きさは、ニュートラライズする対象であるターゲッ
ト、イオンビーム軌道あるいは基板に電子を供給できる
ならば、特に限定はされない。形状としては、例えば、
溝型、弧状曲面等がある。

導体に負電位を印加する電源は、イオン発生装置の減速
電源を用いると、新たに電源を準備する必要がなく、装
置を小さくまた安価にできて好ましい。

本発明は、基板上の生成膜に副イオン発生装置（アシス
ト用イオン源）からイオンを照射することによって、膜
の電気的、機械的、光学的、結晶学的性質を制御する機
能を有するスパッタ装置にも適用できる。この場合には
、指向性付与手段は。

電子供給源から放射される電子を基板にも照射して、基
板の電荷を中和できる構成とする。

また、本発明の用いられるイオンビームスパッタ装置は
、ターゲットやイオン発生装置の組み合わせを複数個と
した、多元イオンビームスパッタ装置にも応用できる。

さらに、本発明において、ニュートラライザを。

スパッタレートを変化させる手段として用いる構成とし
てもよい。例えば、スパッタレートを高くするためには
、電子供給源からの電子の出力電流をイオンビーム電流
よりやや多くする。電子供給源からの電子の出力電流は
、フィラメント電流や指向性付与手段に印加するバイア
ス電位により調節する。

［作　用］ 本発明のイオンビームスパッタ装置は、イオンビーム軌
道外に、電子供給源を設けているため、電子供給源とし
てフィラメントを用いても、イオンビームがフィラメン
トをスパッタしない。このため、フィラメントから発生
したイオンが、ターゲットに取り込まれず、さらに、基
板に取り込まれることもない。この結果、得られる基板
には、フィラメントのイオンが不純物として含まれるこ
とはない。

また１本発明において、指向性付与手段は、電子供給源
から放射される電子に運動量を付与する。

具体的には、指向性付与手段を構成する導体と電子供給
源との間に電界強度が１例えば、３　Ｖ　／　ｍｍ程度
以上になるように、負電位を印加する。電子供給源から
放射される電子は、電界によって加速されることにより
、運動量が付与され、電子鞘を生じることなく放射され
る。

ここで、指向性付与手段は、電子に付与される運動量の
方向が、電子を放射すべき方向となるように、電界を形
成する。すなわち、′電子を、電荷中和の対象であるイ
オンビーム軌道およびターゲットが存在する空間に向か
うように加速する電界を形成する。

このようにして、本発明は、イオンビーム軌道とターゲ
ットとに向けて、電子を放射することにより、これらに
存在する正の電荷の影響を中和する。

さらに、本発明では、指向性付与手段を用いて、電子供
給手段から放射される電子を、イオンビーム軌道とター
ゲットだけでなく、基板に照射することができる。この
ために、副イオン発生装置（アシスト用イオン源）を用
いて基板に形成される膜の特性を制御する場合でも、基
板に蓄積される電荷を消去することができる。

（以下余白） Ｃ実施例〕 以下、実施例を説明するが、本発明はこれに限定される
ものではない。

第１図に示すイオンビームスパッタ装置は、イオンビー
ム５を放射するイオン発生装置ｌｌと、前記イオン発生
装置ｉ！１からイオンビーム５の照射を受けて、スパッ
タ粒子（成膜物質）７を放出するターゲット６と、スパ
ッタ粒子７によって成膜を行なう基板８を保持する基板
支持台（図示せず）とをスパッタ部として有し、かつ、
空間に電子を放射する電子供給源９と、放射された電子
に指向性を付与する指向性付与手段１１とをニュートラ
ライザとして備えて構成される。

また、本実施例のイオンビームスパッタ装置は、図示は
していないが、一般的なイオンビームスパッタ装置と同
様に、真空容器および真空ポンプを有している。

イオン発生装置１は、フィラメント２と、２枚の引き出
し電極３および４と、減速電源１０と、加速電源１３と
からなる。フィラメント２から発生したイオンは、減速
電源１０および加速電源１３と接続した引き出し電極３
と４により、イオン発生装置１の外に引き出されて、イ
オンビーム５を形成する。

本実施例において、ニュートラライザの電子供給源９と
しては、フィラメント９ａを電子放射部分として用い、
このフィラメント９ａは１図示しない電源により加熱さ
れて、熱電子を放射する。

フィラメント９ａとしては２例えば、コイル状のものが
用いられる。

ニュートラライザの指向性付与手段１１は、電界を形成
するための電極として機能する導体１１ａと、この導体
１１ａに負電位を印加する電源１０とを有して構成され
る。

導体１１ａは、フィラメント９ａの前方に配置されるタ
ーゲット６およびイオンビーム５の軌道が存在する空間
に向けて電子を加速する電界を形成するよう、フィラメ
ント９ａの後方に配置される。

この導体１１ａの形状は、前述したように電子に作用す
る電界を形成できる形状とする１本実施例の導体１１ａ
は、溝型構造としてあり、がっ、開口面の幅が底面の幅
より広くしである。

電源１０は、前述した減速電源１０を共用している。も
ちろん、専用の電源としてもよい。

本実施例の作用について説明する。

本実施例においても、前述した従来の装置と同様にして
、イオンビームスパッタが行なわれる。

すなわち、イオン発生装Ｎ１から放射されるイオンビー
ム５をターゲット６に照射して、このターゲット６から
スパッタ粒子７を放出させ、このスパッタ粒子７により
、基板８上に成膜する。

このスパッタリングに際し１本実施例では、ニュートラ
ライザは、次のように作用する。

フィラメント９ａが放射した電子１２は、イオン発生装
置１の減速電源１０より負の電位を与えられた導体１１
ａが形成する電界により加速されて、運動量を受け、イ
オンビーム５とターゲット６の方向へ加速されている。

このため、電子は飛散し、フィラメント９ａの周りに電
子鞘を生じない。

フィラメント９ａより発せられる電子１２の群（以下電
子群１２と表現する場合もある）は、広がりを持って進
行し、その一部がイオンビーム５の軌道と交差する。こ
こで、電子１２は、イオンビーム５中に取り込まれ、正
の電荷を有するイオンビーム５を中和するように作用す
る。そのため。

ターゲット６にイオンビーム５が照射された際。

ターゲット６の電荷蓄積量は少なくなる。

また、空間を進行する電子群１２の一部は、ターゲット
６に入射する。

ターゲット６に入射した電子は、ターゲット６上の正電
荷を中和するように作用するため、ターゲット６は、電
荷上昇を引き起こさない。

このように、イオンビーム５の中性化と、ターゲット６
の中性化とによって、ターゲット６の電荷上昇が抑えら
れる。従って、スパッタレートの低下が防止される。

フィラメント９ａは、イオンビーム５の軌道外にあるの
で、イオンビーム５がフィラメント９ａをスパッタする
ことがない、このため、前述した従来技術のように、フ
ィラメント９ａがら発生したイオンが、ターゲットに取
り込まれ、さらに。

基板８に取り込まれることがなく、基板８には、フィラ
メント９ａのイオンが、不純物として含まれることがな
い。

次に、本実施例の一実験例について示す。

本実験例のイオンビームスパッタ装置では、導体１１ａ
として、溝型をした、長さ１８０ｍ、幅３０ｍ、深さ８
ｍの金属体を用いた。導体１１ａは、イオン発生装Ｗ１
の減速電源１０と接続して、−８０Ｖのバイアス電圧を
印加できるようにした。

フィラメント９ａは、導体１１ａから２０ｍ５離れた位
置に、φ＝　０．３　ｍ、長さ１６０ｍｗのＴａ線を用
いた。

本実験例において、ビーム電流を５０ｍＡ、フィラメン
ト電流を５０■Ａにしてスパッタリングを行なった。こ
のとき、フィラメント９ａに通電して、熱電子を放射さ
せると共に、前記導体１１ａに、−５ＯＶのバイアス電
圧を印加した。

この状態でスパッタリングを行なったところ、ターゲッ
ト６における帯電現象はＩｌ！察されず、スパッタレー
トの低下も生じなかった。また、得られた膜について分
析したところ、フィラメント９ａを構成する成分は検出
されなかった。

一方、比較例として、前述したイオンビームスパッタ装
置において、フィラメント９ａに通電を行なうが、導体
１１ａに負電位を印加せずに、スパッタリングを行なっ
た。この場合には、スパッタ中にターゲット６に帯電現
象が現れ、スパッタレートが低下した。前述した実験例
と同一の時間スパッタして得られた膜は、実験例によっ
て得られた膜と比べて、膜厚が薄かった。

第２図は、膜の特性を制御するために副イオン発生装！
！（アシスト用イオン源）１４を用いたイオンビームス
パッタ装置の実施例の構成を示す。

本実施例は、基板８にイオンを照射する副イオン発生装
置［１４を備えると共に、前記基板８についても中和を
行なえるようにした、電子供給源９および指向性付与手
段１１からなるニュートラライザを備えるものであって
、他の構成は、前述した第１図に示す実施例と同様であ
る。従って、以下では、相違点を中心として説明する。

電子供給源９は、第１図に示すものと同様に、フィラメ
ント９ａを電子放射部分として用いる。

ここで、フィラメント９Ｉｉは、イオン発生装置１から
放射されるイオンビーム５、および、副イオン発生装置
１４から放射されるイオンビーム１５のいずれについて
も軌道の外となる範囲に配置される。

指向性付与手段１１を構成する導体１１ａは。

電子供給源９を構成するフィラメント９ａから放射され
る電子を、前述したイオンビーム５の軌道およびターゲ
ット６の存在する空間に加えて、基板８の存在する空間
に向けて加速するような電界を形成できる形状および配
置としである。すなわち、前述した第工図に示す実施例
の導体１１ａより広範囲に電子１２を放射させる形状お
よび配置としである。本実施例では、導体１１ａの開口
面積を大きくすると共に、取り付は角度を、基板８方向
にも電界の成分が生じるように設定しである。

本実施例で、イオンビームスパッタを行なう際に、基板
８上に生成される膜に対し、副イオン発生装置１４から
イオンビーム１５を照射して、膜の特性制御を行なう、
また、このスパッタリングに際し、ニュートラライザに
よる電荷中和を行なう。

イオンビーム５およびターゲット６についての電荷中和
は、前述した第１図に示す実施例と同様に行なわれる。

また、基板８についての電荷中和は、フィラメント９ａ
から放射された電子群１２の一部は、導体１１ａの形成
する電界によって基板８方向に加速される。これによっ
て、基板８上に電子１２が照射され、イオンビーム１５
による正電荷の影響を中和する。

第３図は、多元イオンビームスパッタ装置の一例として
、三元イオンビームスパッタ装置を示している。

本実施例のイオンビームスパッタ装置は、３個のイオン
発生装置１と、対応して配置される３個のターゲット６
と、基板８を支持する支持台（図示せず）とを有し、か
つ、ニュートラライザを構成する電子供給源９および指
向性付与手段１１を有して構成される。３個のイオン発
生装置１と３個のターゲット６とは、１対１に対応する
ように配置され、各ターゲット６は、各々が放出するス
パッタ粒子７が同一の基板８に到達するよう配置される
。

ニュートラライザは、第１図に示す実施例と同様に、電
子供給源９についてはフィラメント９ａを電子放射部分
として用いると共に、これを各イオン発生装置１から放
射されるイオンビーム５の軌道外の空間に配置する。ま
た、指向性付与手段１１を構成する導体１１ａは、各イ
オン発生装置１からのイオンビーム５の軌道および各タ
ーゲット６の存在する空間に向かって放射された電子が
進行するように電界を形成する。

本実施例の三元イオンビームスパッタ装置は、三元化合
物、三元合金、多層膜等を基板８上に成膜することに好
適である。

本実施例の場合における電荷中和は、対象が多いだけで
あって、その作用自体は、第１図に示す実施例と同様で
ある。

本実施例では、１個のニュートラライザを用いて３組分
のイオンビームスパッタ部における電荷中和を実行して
いるので、イオンビームスパッタ装置内部の構造を複雑
化することがないと共に、限られた空間を有効に利用す
ることができる。

なお、空間的に可能であれば、複数個のニュートラライ
ザを設けてもよい。

以上に説明した各実施例では、イオン発生装置１からの
イオンビーム５の軌道と、ターゲット６の両者に電子を
照射して、正電荷の影響を中和している。好ましくは、
イオンビームＳの軌道とターゲット６に電子を照射すべ
きであるが、いずれか一方としてもよい。

また、前記各実施例では、指向性付与手段１１において
用いられる電源を、固定電圧として用いているが、電圧
可変としてもよい。同様に、フィラメント９ａの電流に
ついても、可変としてもよい。これらを調節することに
より、ニュートラライザから放出される電子の量、すな
わち、出力電流の大きさを制御することができる。これ
を利用して、スパッタレートを変化させることもできる
。

スパッタレートを適宜変化させることにより、基板上に
形成される膜の特性を制御することも可能となる。

［発明の効果］ 本発明によれば、電子供給源の電子放射部分がイオンビ
ーム軌道上に設置されていないので、基板上に形成され
る膜に不純物が混入することがなく、高純度の膜を得る
ことができる。さらに、電荷中和が行なわれて、ターゲ
ットの電位が上昇しないので、スパッタレートの低下が
なく、成膜効率を向上することができる。

また、本発明によれば、副イオン発生装置を用いて基板
に形成される膜の特性を制御する場合には、基板にも電
子を照射することにより、基板の電荷蓄積を低い電位に
押さえることができ、基板に形成される膜の絶縁破壊を
防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のイオンビーム発生装置の一実施例の要
部構成を示す概略図、第２＠は副イオン発生装置を備え
るイオンビーム発生装置の一実施例の要部構成を示す概
略図、第３図は多元イオンビームスパッタ装置の一実施
例の要部構成を示す概略図、第４図は従来使用されてい
るイオンビームスパッタ装置の要部構成を示す概略図で
ある。 工・・・イオン発生装置、２・・・フィラメント、３゜
４・・・引き出し電極、５・・・イオンビーム、６・・
・ターゲット、７・・・スパッタ粒子、８・・・基板、
９・・・電子供給源、９ａ・・・フィラメント、１０・
・・減速電源、１１・・・指向性付与手段、ｌｌａ・・
・導体、１２・・・電子、１３・・・加速電源、１４・
・・副イオン発生装置（アシスト用イオンｉ！ＪＸ）、
１５・・・イオンビーム。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. １．イオン発生装置から放射されるイオンビームをター
   ゲットに照射し、前記ターゲットから発せられるスパッ
   タ粒子によって基板表面に薄膜を形成するイオンビーム
   スパッタ装置において、電子放射部分を前記イオンビー
   ムの軌道外に配置する電子供給源と、前記電子供給源か
   ら放射される電子に、目的の方向に向かう運動量を付与
   する機能を有する指向性付与手段とを有するニュートラ
   ライザを備えたことを特徴とするイオンビームスパッタ
   装置。
2. ２．イオン発生装置から放射されるイオンビームをター
   ゲットに照射し、前記ターゲットから発せられるスパッ
   タ粒子によって基板表面に薄膜を形成するイオンビーム
   スパッタ装置において、電子放射部分を前記イオンビー
   ムの軌道外に配置する電子供給源と、電子供給源の近傍
   に導体と、前記導体に負電位を印加する電源とを有する
   ニュートラライザを備え、 前記導体は、負電位の印加によって、前記電子供給源か
   ら放射される電子を、目的の方向に進行させる電界を形
   成する形状を有することを特徴とするイオンビームスパ
   ッタ装置。
3. ３．前記電子を進行させる目的の方向は、ターゲットお
   よび／またはイオンビームの軌道が存在する空間に向か
   う方向であることを特徴とする請求項１または２記載の
   イオンビームスパッタ装置。
4. ４．イオン発生装置と副イオン発生装置とを有し、前記
   イオン発生装置から放射されるイオンビームをターゲッ
   トに照射し、前記ターゲットから発せられるスパッタ粒
   子によって、基板に薄膜を形成し、かつ、前記副イオン
   発生装置から放射されるイオンを、前記スパッタ粒子に
   より形成された薄膜に照射する構成のイオンビームスパ
   ッタ装置において、 電子放射部分を前記イオンビームの軌道外に配置する電
   子供給源と、前記電子供給源から放射される電子に、目
   的の方向に向かう運動量を付与する機能を有する指向性
   付与手段とを有するニュートラライザを備えたことを特
   徴とするイオンビームスパッタ装置。
5. ５．イオン発生装置と副イオン発生装置とを有し、前記
   イオン発生装置から放射されるイオンビームをターゲッ
   トに照射し、前記ターゲットから発せられるスパッタ粒
   子によって、基板に薄膜を形成し、かつ、前記副イオン
   発生装置から放射されるイオンを、前記スパッタ粒子に
   より形成された薄膜に照射する構成のイオンビームスパ
   ッタ装置において、 電子放射部を前記イオンビームの軌道外に配置する電子
   供給源と、電子供給源の近傍に導体と、前記導体に負電
   位を印加する電源とを有するニュートラライザを有し、 前記導体は、負電位の印加によって、前記電子供給源か
   ら放射される電子を目的の方向に進行させる電界を形成
   する形状を有することを特徴とするイオンビームスパッ
   タ装置。
6. ６．前記電子を進行させる目的の方向は、ターゲットお
   よび／またはイオンビームの軌道と、基板が存在する空
   間に向かう方向であることを特徴とする請求項４または
   ５記載のイオンビームスパッタ装置。
7. ７．前記導体に負電位を印加する電源として、イオンビ
   ーム発生装置の減速電源の出力を用いることを特徴とす
   る請求項２，３，５および６記載のイオンビームスパッ
   タ装置。
8. ８．電荷中和を行なうべき対象に電子を放射するニュー
   トラライザ装置において、 前記ニュートラライザは、電子放射部分と、電荷中和す
   べき対象を含む空間へ、前記電子を加速する電界を形成
   する機能とを有することを特徴とするニュートラライザ
   装置。