JPH0379842B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0379842B2 JPH0379842B2 JP29177887A JP29177887A JPH0379842B2 JP H0379842 B2 JPH0379842 B2 JP H0379842B2 JP 29177887 A JP29177887 A JP 29177887A JP 29177887 A JP29177887 A JP 29177887A JP H0379842 B2 JPH0379842 B2 JP H0379842B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- protective film
- thermal expansion
- barium titanate
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Transportation (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐候性、耐薬品性、耐湿性、耐熱性
などに優れたサーミスタに関するものである。 〔従来の技術〕 近年、電子制御技術の著しい進歩に伴い、制御
に使用されるサーミスタには、より高い信頼性が
強く要求されている。 ところが、従来のサーミスタは高温、高湿、還
元性雰囲気の過酷な状況下に置かれると、諸特性
が著しく劣化して、信頼性が低下し、精密な制御
には不向なものであつた。 このため、サーミスタの表面を合成樹脂で被覆
したものが用いられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 サーミスタの表面を合成樹脂で被覆したサーミ
スタは、合成樹脂の性能上、使用温度が略々120
℃以下に限定される。 また、合成樹脂は経年変化があつて、初期の性
能を永く維持できない欠点がある。 このような現状から、使用可能な温度より高
く、経年劣化のないサーミスタの出現が業界で強
く要望されている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のサーミスタは、上記のような要望を満
たすために発明されたもので、チタン酸バリウム
系のサーミスタの表面の少なくとも一部に、チタ
ン酸バリウム系のサーミスタの熱膨張係数との差
が±30×10-7／ｋ以下の熱膨張係数を有する材質
の保護膜を50Å〜5500Åの厚さに施したものであ
る。 〔作 用〕 チタン酸バリウム系のサーミスタの表面の少な
くとも一部に保護膜を施すには、スパツタリング
または蒸着によつて形成する。 このようにしてチタン酸バリウム系のサーミス
タの表面の少なくとも一部に施された保護膜は、
耐候性、耐薬品性、耐湿性、耐熱性などに優れて
おり、十分にサーミスタ本体を保護する。 また、チタン酸バリウム系のサーミスタの熱膨
張係数との差が±30×10-7以下の熱膨張係数を有
する材質であるから、繰返しの熱履歴によつても
サーミスタ本体から剥離する危険性がない。 しかも、施された厚みが50Å〜5500Åの厚さで
あるので、より一層剥離の危険性がなくなる。 上記の熱膨張差の範囲の外の値のところ、ある
いは、上記の厚みの範囲の外の値のところでは、
以下の実施例からも考察できるように、サーミス
タの劣化を生ずる傾向にある。 〔実施例〕 実施例において使用した各材質について３回
づゝ測定した線熱膨張率は第１表に示す通りであ
る。
などに優れたサーミスタに関するものである。 〔従来の技術〕 近年、電子制御技術の著しい進歩に伴い、制御
に使用されるサーミスタには、より高い信頼性が
強く要求されている。 ところが、従来のサーミスタは高温、高湿、還
元性雰囲気の過酷な状況下に置かれると、諸特性
が著しく劣化して、信頼性が低下し、精密な制御
には不向なものであつた。 このため、サーミスタの表面を合成樹脂で被覆
したものが用いられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 サーミスタの表面を合成樹脂で被覆したサーミ
スタは、合成樹脂の性能上、使用温度が略々120
℃以下に限定される。 また、合成樹脂は経年変化があつて、初期の性
能を永く維持できない欠点がある。 このような現状から、使用可能な温度より高
く、経年劣化のないサーミスタの出現が業界で強
く要望されている。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明のサーミスタは、上記のような要望を満
たすために発明されたもので、チタン酸バリウム
系のサーミスタの表面の少なくとも一部に、チタ
ン酸バリウム系のサーミスタの熱膨張係数との差
が±30×10-7／ｋ以下の熱膨張係数を有する材質
の保護膜を50Å〜5500Åの厚さに施したものであ
る。 〔作 用〕 チタン酸バリウム系のサーミスタの表面の少な
くとも一部に保護膜を施すには、スパツタリング
または蒸着によつて形成する。 このようにしてチタン酸バリウム系のサーミス
タの表面の少なくとも一部に施された保護膜は、
耐候性、耐薬品性、耐湿性、耐熱性などに優れて
おり、十分にサーミスタ本体を保護する。 また、チタン酸バリウム系のサーミスタの熱膨
張係数との差が±30×10-7以下の熱膨張係数を有
する材質であるから、繰返しの熱履歴によつても
サーミスタ本体から剥離する危険性がない。 しかも、施された厚みが50Å〜5500Åの厚さで
あるので、より一層剥離の危険性がなくなる。 上記の熱膨張差の範囲の外の値のところ、ある
いは、上記の厚みの範囲の外の値のところでは、
以下の実施例からも考察できるように、サーミス
タの劣化を生ずる傾向にある。 〔実施例〕 実施例において使用した各材質について３回
づゝ測定した線熱膨張率は第１表に示す通りであ
る。
【表】
第１表に示した線熱膨張率のチタン酸バリウム
系の３個のサーミスタ１の表面に第１図に示すよ
うにそれぞれ第１表に示した線熱膨張率のシリ
カ、或いはアルミナ、或いは窒化シリコンを保護
膜３として施し、前記各サーミスタの両端にそれ
ぞれ電極２を設け、各種の試験を行つた。 第２表、第３表及び第４表は、上記３種の保護
膜を施した試料をそれぞれ０℃と98℃の水中に交
互に５分間づつ浸漬する冷熱サイクルを15サイク
ル繰返えした後の室温における電気抵抗値の変化
の測定結果を示すもので、保護膜（スパツタ膜）
を施さないものに比し変化率が少いものが得られ
ることがわかる。
系の３個のサーミスタ１の表面に第１図に示すよ
うにそれぞれ第１表に示した線熱膨張率のシリ
カ、或いはアルミナ、或いは窒化シリコンを保護
膜３として施し、前記各サーミスタの両端にそれ
ぞれ電極２を設け、各種の試験を行つた。 第２表、第３表及び第４表は、上記３種の保護
膜を施した試料をそれぞれ０℃と98℃の水中に交
互に５分間づつ浸漬する冷熱サイクルを15サイク
ル繰返えした後の室温における電気抵抗値の変化
の測定結果を示すもので、保護膜（スパツタ膜）
を施さないものに比し変化率が少いものが得られ
ることがわかる。
【表】
【表】
本発明に係るサーミスタは、チタン酸バリウム
系のサーミスタの表面の少なくとも一部に、チタ
ン酸バリウム系のサーミスタの熱膨張係数との差
が±30×10-7／ｋ以下の熱膨張係数を有する材質
の保護膜を50Å〜5500Åの厚さに施してあり、そ
の保護膜の材質が、シリカ、酸化アルミニウムま
たは窒化シリコンであるので、耐候性、耐薬品
性、耐湿性、耐熱性などに優れており、繰返しの
熱履歴によつてもサーミスタ本体から剥離する危
険性がないなどの利点があつて、高温、高湿、還
元性雰囲気の過酷な状況下に置かれても劣化しな
いサーミスタが得られるので、本発明は産業の発
達に寄与するところ極大になるものがある。
系のサーミスタの表面の少なくとも一部に、チタ
ン酸バリウム系のサーミスタの熱膨張係数との差
が±30×10-7／ｋ以下の熱膨張係数を有する材質
の保護膜を50Å〜5500Åの厚さに施してあり、そ
の保護膜の材質が、シリカ、酸化アルミニウムま
たは窒化シリコンであるので、耐候性、耐薬品
性、耐湿性、耐熱性などに優れており、繰返しの
熱履歴によつてもサーミスタ本体から剥離する危
険性がないなどの利点があつて、高温、高湿、還
元性雰囲気の過酷な状況下に置かれても劣化しな
いサーミスタが得られるので、本発明は産業の発
達に寄与するところ極大になるものがある。
第１図は本発明の実施例の拡大断面図、第２図
は保護膜としてシリカのスパツタ膜を施したもの
と、従来品を200℃の空気中に長時間置いた場合
の室温電気抵抗値の経時変化を現わすグラフ、第
３図は保護膜としてシリカのスパツタ膜を施した
ものと、従来品にバイアス電圧100Vを印加し、
相対湿度95％、温度85℃の雰囲気においた場合の
室温電気抵抗値の経時変化を現わすグラフ、第４
図はシリカのスパツタ膜を保護膜として被覆した
試料を400℃の窒素ガス中で10分間加熱した後の
抵抗温度特性の変化を現わすグラフ、第５図は酸
化アルミニウムのスパツタ膜を保護膜として被覆
した試料を400℃の窒素ガス中で10分間加熱した
後の抵抗温度特性の変化を現わすグラフ、第６図
は窒化シリコンのスパツタ膜を保護膜として被覆
した試料を400℃の窒素ガス中で10分間加熱した
後の抵抗温度特性の変化を現わすグラフである。 １…サーミスタ、２…電極、３…保護膜。
は保護膜としてシリカのスパツタ膜を施したもの
と、従来品を200℃の空気中に長時間置いた場合
の室温電気抵抗値の経時変化を現わすグラフ、第
３図は保護膜としてシリカのスパツタ膜を施した
ものと、従来品にバイアス電圧100Vを印加し、
相対湿度95％、温度85℃の雰囲気においた場合の
室温電気抵抗値の経時変化を現わすグラフ、第４
図はシリカのスパツタ膜を保護膜として被覆した
試料を400℃の窒素ガス中で10分間加熱した後の
抵抗温度特性の変化を現わすグラフ、第５図は酸
化アルミニウムのスパツタ膜を保護膜として被覆
した試料を400℃の窒素ガス中で10分間加熱した
後の抵抗温度特性の変化を現わすグラフ、第６図
は窒化シリコンのスパツタ膜を保護膜として被覆
した試料を400℃の窒素ガス中で10分間加熱した
後の抵抗温度特性の変化を現わすグラフである。 １…サーミスタ、２…電極、３…保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタン酸バリウム系のサーミスタの表面の少
なくとも一部に、チタン酸バリウム系のサーミス
タの熱膨張係数との差が±30×10-7／ｋ以下の熱
膨張係数を有する材質の保護膜を50Å〜5500Åの
厚さに施したことを特徴とするサーミスタ。 ２ 保護膜の材質がシリカ、酸化アルミニウムま
たは窒化シリコンである特許請求の範囲第１項に
記載のサーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291778A JPH01134901A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62291778A JPH01134901A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01134901A JPH01134901A (ja) | 1989-05-26 |
| JPH0379842B2 true JPH0379842B2 (ja) | 1991-12-20 |
Family
ID=17773300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62291778A Granted JPH01134901A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01134901A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4999528B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-08-15 | ニチコン株式会社 | 正特性サーミスタ装置およびその製造方法 |
| CN203733541U (zh) * | 2013-12-24 | 2014-07-23 | 爱普科斯公司 | 变阻器器件 |
| KR102254876B1 (ko) * | 2019-06-03 | 2021-05-24 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자 부품 및 그 실장 기판 |
| JP7529182B1 (ja) * | 2022-10-12 | 2024-08-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び成膜方法 |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62291778A patent/JPH01134901A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01134901A (ja) | 1989-05-26 |
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