JPH0380541A - 半導体装置の表面保護膜の形成方法 - Google Patents
半導体装置の表面保護膜の形成方法Info
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- JPH0380541A JPH0380541A JP21793189A JP21793189A JPH0380541A JP H0380541 A JPH0380541 A JP H0380541A JP 21793189 A JP21793189 A JP 21793189A JP 21793189 A JP21793189 A JP 21793189A JP H0380541 A JPH0380541 A JP H0380541A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の表面保護膜の形成方法に関し、
特に弗素樹脂膜を表面保護膜として用いる方法に関する
。
特に弗素樹脂膜を表面保護膜として用いる方法に関する
。
従来、この種の表面保護膜の形成方法としては、シリコ
ン窒化膜、又は、シリコン酸化窒化膜をプラズマ化学気
相成長法によって形成する方法がある。すなわち、第３
図に示すように多層配線の最終配線層３０２が形成され
た基板３０１上にプラズマ化学気相成長法により、シリ
コン窒化膜、又は、シリコン酸化窒化膜３０３を形成し
、保護膜としていた。
ン窒化膜、又は、シリコン酸化窒化膜をプラズマ化学気
相成長法によって形成する方法がある。すなわち、第３
図に示すように多層配線の最終配線層３０２が形成され
た基板３０１上にプラズマ化学気相成長法により、シリ
コン窒化膜、又は、シリコン酸化窒化膜３０３を形成し
、保護膜としていた。
しかしながら、一般にプラズマ化学気相成長法によって
形成したシリコン窒化膜又は、シリコン酸化窒化膜は、
下地の形状を反映しやすいことから、これらの膜を凹凸
の大きい多層配線構造体の表面に形成した後の表面は凹
凸が大きく、これらを樹脂封止形のパッケージに組み込
んで用いる場合、熱機械的な特性が劣化してしまう。す
なわち、動作環境の温度変化が著しい場合には、封止樹
脂の熱膨張により半導体チップ表面に熱応力が加わり、
保護膜又は、層間絶縁膜に亀裂が発生し、耐湿信頼性が
著しく劣化したり、あるいは保護膜よりも下層の配線の
形状が変化する等の問題が起こり、半導体装置の信頼性
が著しく劣化するという欠点がある。
形成したシリコン窒化膜又は、シリコン酸化窒化膜は、
下地の形状を反映しやすいことから、これらの膜を凹凸
の大きい多層配線構造体の表面に形成した後の表面は凹
凸が大きく、これらを樹脂封止形のパッケージに組み込
んで用いる場合、熱機械的な特性が劣化してしまう。す
なわち、動作環境の温度変化が著しい場合には、封止樹
脂の熱膨張により半導体チップ表面に熱応力が加わり、
保護膜又は、層間絶縁膜に亀裂が発生し、耐湿信頼性が
著しく劣化したり、あるいは保護膜よりも下層の配線の
形状が変化する等の問題が起こり、半導体装置の信頼性
が著しく劣化するという欠点がある。
上述した従来の表面保護膜の形成方法に対し、本発明に
おいては、弗素樹脂のデスパージ３ンをスピンコード法
、又は、デイツプ法により塗布し、熱処理、溶融せしめ
て形成した弗素樹脂膜を表面保護膜として用いることに
よって半導体装置の信頼性を著しく向上せしめる。
おいては、弗素樹脂のデスパージ３ンをスピンコード法
、又は、デイツプ法により塗布し、熱処理、溶融せしめ
て形成した弗素樹脂膜を表面保護膜として用いることに
よって半導体装置の信頼性を著しく向上せしめる。
本発明の半導体装置の表面保護膜の形成方法は、多層配
線構造体が形成された半導体基板上に、シリコン化合物
を含有するポリイミド膜を形成する工程と、続いて弗素
樹脂膜を形成する工程と、ＣＦ４等の弗素系ガス、又は
０２ガスを用いる反応性イオンエツチングにより該弗素
樹脂膜表面を改質せしめる工程と、続いて、フォトレジ
スト膜を形成する工程と、フォトリソグラフィー技術に
より、バターニングせしめる工程と、公知のドライエツ
チング技術により、ボンディングパッド上部の前記シリ
コン化合物を含有するポリイミド膜及び弗素樹脂膜を選
択的にエツチング除去せしめる工程とを含むことを特徴
とする。
線構造体が形成された半導体基板上に、シリコン化合物
を含有するポリイミド膜を形成する工程と、続いて弗素
樹脂膜を形成する工程と、ＣＦ４等の弗素系ガス、又は
０２ガスを用いる反応性イオンエツチングにより該弗素
樹脂膜表面を改質せしめる工程と、続いて、フォトレジ
スト膜を形成する工程と、フォトリソグラフィー技術に
より、バターニングせしめる工程と、公知のドライエツ
チング技術により、ボンディングパッド上部の前記シリ
コン化合物を含有するポリイミド膜及び弗素樹脂膜を選
択的にエツチング除去せしめる工程とを含むことを特徴
とする。
さらに、上記のシリコン化合物を含有するポリイミド膜
は、下記の式（１）で表わされる芳香族テトラカルボン
酸二無水物と、式（２）で表わされるジアミンと、式（
３）で表わされるアミノシリコン化合物とを混合反応せ
しめることによって形成されるポリアミック酸シリコン
型中間体を含有してなる溶液を塗布・熱処理せしめるこ
とによって形成されることを特徴とする。
は、下記の式（１）で表わされる芳香族テトラカルボン
酸二無水物と、式（２）で表わされるジアミンと、式（
３）で表わされるアミノシリコン化合物とを混合反応せ
しめることによって形成されるポリアミック酸シリコン
型中間体を含有してなる溶液を塗布・熱処理せしめるこ
とによって形成されることを特徴とする。
ＮＨ２−Ｒ２−ＮＲ２（２）
Ｎ Ｈ２（（さＳｉ・Ｒ３−え（ＯＲ３）、（３）（式
（１）〜（３）において、Ｒ′は４価の炭素環式芳香族
基を表わし、Ｒ２は炭素数６〜３０個の芳香族基、又は
炭素数６〜３０個の炭素環式芳香族基、Ｒ３及びＲ４は
独立に炭素数１〜６のアルキル基、又はフェニル基であ
り、Ｋは、１≦に≦３の整数である。） さらに、上記の弗素樹脂膜はポリテトラフルオロエチレ
ン（化学式＋ＣＦ２テｍ、ｍ：整数）又は、テトラフル
オロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体（化学式（ＣＦ ２ ＬへＣＦ ＯＲ’ｆ −。
（１）〜（３）において、Ｒ′は４価の炭素環式芳香族
基を表わし、Ｒ２は炭素数６〜３０個の芳香族基、又は
炭素数６〜３０個の炭素環式芳香族基、Ｒ３及びＲ４は
独立に炭素数１〜６のアルキル基、又はフェニル基であ
り、Ｋは、１≦に≦３の整数である。） さらに、上記の弗素樹脂膜はポリテトラフルオロエチレ
ン（化学式＋ＣＦ２テｍ、ｍ：整数）又は、テトラフル
オロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共
重合体（化学式（ＣＦ ２ ＬへＣＦ ＯＲ’ｆ −。
ｍ、ｎ：正の整数、Ｒ：アルキル基）、又は、テトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（
化学式（ＣＦ ｚ□ ＣＦ ＣＦ ３）０ｍ ｒｎ：
正の整数）、又は、テトラフルオロエチレン−エチレン
共重合体（化学式（ＣＦ２ｈ→ＣＲ２）−１１ｍ。
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（
化学式（ＣＦ ｚ□ ＣＦ ＣＦ ３）０ｍ ｒｎ：
正の整数）、又は、テトラフルオロエチレン−エチレン
共重合体（化学式（ＣＦ２ｈ→ＣＲ２）−１１ｍ。
ｎ：正の整数）、又は、ポリビニリデンフルオライド（
化学式’４ＣＦ２−ＣＨ２＋ｍ、ｍ：正の整数）等の微
粒子、又は、これらのうちの２つ以上を、純水、又は、
トルエン２メタノール等の有ｉ溶剤中に分散せしめたも
の、いわゆるディスバージョンをスピンコード法、デイ
ツプ法等により塗布し３００〜４００℃の温度で熱処理
、溶融することによって形成した膜であることを特徴と
する。
化学式’４ＣＦ２−ＣＨ２＋ｍ、ｍ：正の整数）等の微
粒子、又は、これらのうちの２つ以上を、純水、又は、
トルエン２メタノール等の有ｉ溶剤中に分散せしめたも
の、いわゆるディスバージョンをスピンコード法、デイ
ツプ法等により塗布し３００〜４００℃の温度で熱処理
、溶融することによって形成した膜であることを特徴と
する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例である表
面保護膜の形成方法を示す工程断面図である。
面保護膜の形成方法を示す工程断面図である。
第１図（ａ）に示すように、アルミニウム１１配線構造
体の最上層配線１０２．アルミニウムパッド１０３が形
成された半導体基板１０１上に、同図（ｂ）に示すよう
にスピンコード法により、本発明に基づくシリコン含有
ポリイミド膜形成塗布溶液を回転塗布し、１５０℃で３
０分間、窒素ガス雰囲気のオーブン内で熱処理し、厚さ
約０．２μｍのシリコン含有ポリイミド膜１０４を形成
する。
体の最上層配線１０２．アルミニウムパッド１０３が形
成された半導体基板１０１上に、同図（ｂ）に示すよう
にスピンコード法により、本発明に基づくシリコン含有
ポリイミド膜形成塗布溶液を回転塗布し、１５０℃で３
０分間、窒素ガス雰囲気のオーブン内で熱処理し、厚さ
約０．２μｍのシリコン含有ポリイミド膜１０４を形成
する。
続いて同図（Ｃ）に示すようにテトラフルオロエチレン
−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体から成
る直径０，１〜０．５μｍの微粒−子を純水中に分散せ
しめたディスバージョンをスピンコード法により回転塗
布し、８０℃で１０分間窒素ガス雰囲気のオーブン中で
熱処理し水分を飛散せしめる。この後、３８０℃で１０
分間、窒素雰囲気の電気炉内で熱処理・溶融し、厚さ約
２μｍの弗素樹脂膜１０５を形成する。次に形成した弗
素樹脂膜表面をＣＦ ＜ガスを用いる反応性イオンエツ
チングによりガス流、ｔ ３０ Ｓ ＣＣＭ、圧力５Ｐ
ａ、高周波電力３００Ｗなる条件で５分間エツチングす
ることによって改質した後、同図（ｄ）に示すように公
知のフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングさ
れたフォトレジスト膜ｌＯ６を形成する。この後、同図
（ｅ）に示すようにＣＦ、ガスとｏ２ガスとをその流量
をそれぞれ５ＳＣＣＭ。
−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体から成
る直径０，１〜０．５μｍの微粒−子を純水中に分散せ
しめたディスバージョンをスピンコード法により回転塗
布し、８０℃で１０分間窒素ガス雰囲気のオーブン中で
熱処理し水分を飛散せしめる。この後、３８０℃で１０
分間、窒素雰囲気の電気炉内で熱処理・溶融し、厚さ約
２μｍの弗素樹脂膜１０５を形成する。次に形成した弗
素樹脂膜表面をＣＦ ＜ガスを用いる反応性イオンエツ
チングによりガス流、ｔ ３０ Ｓ ＣＣＭ、圧力５Ｐ
ａ、高周波電力３００Ｗなる条件で５分間エツチングす
ることによって改質した後、同図（ｄ）に示すように公
知のフォトリソグラフィー技術を用いてパターニングさ
れたフォトレジスト膜ｌＯ６を形成する。この後、同図
（ｅ）に示すようにＣＦ、ガスとｏ２ガスとをその流量
をそれぞれ５ＳＣＣＭ。
３０ＳＣＣＭとしてこれらを混合し、圧力１０Ｐａ、高
周波電力３００Ｗなる条件の反応性イオンエツチングに
よりアルミニウムパッド上の弗素樹脂膜及びシリコン含
有ポリイミド膜を除去する。
周波電力３００Ｗなる条件の反応性イオンエツチングに
よりアルミニウムパッド上の弗素樹脂膜及びシリコン含
有ポリイミド膜を除去する。
最後に、フォトレジスト膜を除去することによって同図
（「）に示すように、表面保護膜の形成は終了する。
（「）に示すように、表面保護膜の形成は終了する。
以上の工程で形成した弗素樹脂保護膜を有するアルミニ
ウム配線構造体を１２５℃、２気圧の飽和水蒸気中で１
０００時間の高温・高湿試験を行ったところ、プラズマ
化学気相成長シリコン窒化膜を表面保護膜として用いた
場合と同様、アルミニウム配線の腐食は全く認められな
かった。
ウム配線構造体を１２５℃、２気圧の飽和水蒸気中で１
０００時間の高温・高湿試験を行ったところ、プラズマ
化学気相成長シリコン窒化膜を表面保護膜として用いた
場合と同様、アルミニウム配線の腐食は全く認められな
かった。
次に本発明をＭＯ８型半導体装置に適用した例を示す。
第２図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２の実施例のＭＯ
３型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
３型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
第２図（ａ）に示すように、素子分離領域２０２゜２０
２’、ゲート酸化膜２０３、ポリシリコンゲート２０４
、ソース領域２０５、ドレイン領域２０６からなるＭＯ
８型トランジスタが形成された半導体基板２０１上に同
図（ｂ）に示すように厚さ約０．８μｍの層間綿Ｒ膜２
０７を形成し、公知のフォトエツチング技術を用いて第
１の開孔２０８゜２０８′を形成する。続いて同図（ｃ
）に示すようにバリ７メタルとして厚さ約０．１μｍの
チタン含有タングステン膜２０９、厚さ約０．６μｍの
珪素含有アルミニウム膜２１０を連続してチタン法によ
り形成し、同図（ｄ）に示すように公知のフォトエツチ
ング技術を用いてアルミニウム配線２１１を形成し、同
時にアルミニウムパッド２１２を形成する。この後、第
１の実施例と同様な工程により同図（ｅ）に示すように
シリコン含有ポリイミド膜２１３．弗素樹脂膜２１４を
順次形成し、表面改質、フォトリソグラフィー、反応性
イオンエツチングにより同図（ｆ）に示すようにアルミ
ニウムパッド２１２上に第２の開孔２１５を形成し、フ
ォトレジスト膜を除去する。
２’、ゲート酸化膜２０３、ポリシリコンゲート２０４
、ソース領域２０５、ドレイン領域２０６からなるＭＯ
８型トランジスタが形成された半導体基板２０１上に同
図（ｂ）に示すように厚さ約０．８μｍの層間綿Ｒ膜２
０７を形成し、公知のフォトエツチング技術を用いて第
１の開孔２０８゜２０８′を形成する。続いて同図（ｃ
）に示すようにバリ７メタルとして厚さ約０．１μｍの
チタン含有タングステン膜２０９、厚さ約０．６μｍの
珪素含有アルミニウム膜２１０を連続してチタン法によ
り形成し、同図（ｄ）に示すように公知のフォトエツチ
ング技術を用いてアルミニウム配線２１１を形成し、同
時にアルミニウムパッド２１２を形成する。この後、第
１の実施例と同様な工程により同図（ｅ）に示すように
シリコン含有ポリイミド膜２１３．弗素樹脂膜２１４を
順次形成し、表面改質、フォトリソグラフィー、反応性
イオンエツチングにより同図（ｆ）に示すようにアルミ
ニウムパッド２１２上に第２の開孔２１５を形成し、フ
ォトレジスト膜を除去する。
以上の工程によって形成したＭＯ８型半導体装置におい
て、ＭＯ８型トランジスタの特性を調べたところ、プラ
ズマ化学気相成長法によって形成したシリコン窒化膜を
表面保護膜として用いた場合と同等な特性であった。
て、ＭＯ８型トランジスタの特性を調べたところ、プラ
ズマ化学気相成長法によって形成したシリコン窒化膜を
表面保護膜として用いた場合と同等な特性であった。
さらに、上記のＭＯ８型半導体装置を樹脂封止型のパッ
ケージに組立て、長期信頼性評価を行ったところ、実用
上問題がないものであった。
ケージに組立て、長期信頼性評価を行ったところ、実用
上問題がないものであった。
以上述べた２つの実施例では、ディスバージョンとして
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体の微粒子を純水中に分散させたものを
用いたが、この微粒子として、ポリテトラフルオロエチ
レン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合体等、又はこれらのうちの２つ以上の混合物を用いる
ことができる。また、純水の替わりにトルエン、メタノ
ール等の有機溶剤を用いることができる。
テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体の微粒子を純水中に分散させたものを
用いたが、この微粒子として、ポリテトラフルオロエチ
レン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体、テトラフルオロエチレン−エチレン共重
合体等、又はこれらのうちの２つ以上の混合物を用いる
ことができる。また、純水の替わりにトルエン、メタノ
ール等の有機溶剤を用いることができる。
さらに、シリコン含有ポリイミド膜と弗素樹脂膜の膜厚
、及び熱処理条件、エツチング条件等は状況に応じて変
えることができる。
、及び熱処理条件、エツチング条件等は状況に応じて変
えることができる。
以上説明したように本発明は、スピンコード法により塗
布し、熱処理・溶融して形成した弗素樹脂膜を表面保護
膜として用いることから、平坦な表面が得られること、
弗素樹脂膜表面の摩擦係数が小さいこと等の性質を有す
るようになる。したがって、樹脂封止型のパッケージに
組込んだときには、外部から熱応力が加わっても保護膜
又は層間絶縁膜に亀裂が発生することがなく、また、ア
ルミニウム配線の変形を防ぐことが可能となる。
布し、熱処理・溶融して形成した弗素樹脂膜を表面保護
膜として用いることから、平坦な表面が得られること、
弗素樹脂膜表面の摩擦係数が小さいこと等の性質を有す
るようになる。したがって、樹脂封止型のパッケージに
組込んだときには、外部から熱応力が加わっても保護膜
又は層間絶縁膜に亀裂が発生することがなく、また、ア
ルミニウム配線の変形を防ぐことが可能となる。
さらに、下地多層配線構造体と弗素樹脂膜との間にこれ
らとの接着性に優れたシリコン含有ポリイミド膜を介在
させることにより弗素樹脂膜が多層配線構造体から剥離
することを防ぐ効果を有している。
らとの接着性に優れたシリコン含有ポリイミド膜を介在
させることにより弗素樹脂膜が多層配線構造体から剥離
することを防ぐ効果を有している。
以上のことから本発明は、特に半導体装置の耐湿信頼性
の向上に多大な効果をもたらす。
の向上に多大な効果をもたらす。
第１図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施例である
表面保護膜の形成方法を示す工程断面図である。 同図において、１０１．・・・・・・半導体基板、１０
２・・・・・・最上層配線、１０３・・・・・・アルミ
ニウムパッド、１０４・・・・・・シリコン含有ポリイ
ミド膜、１０５・・・・・・弗素樹脂膜、１０６・・・
・・・フォトレジストである。 第２図（ａ）〜（「）は、本発明の第２の実施例である
ＭＯ８型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である
。 同図において、２０１・・・・・・半導体基板、２０２
゜２０２′・・・・・・素子分離領域、２０３・・・・
・・ゲート酸化膜、２０４・・・・・・ポリシリコンゲ
ート、２０５・・・・・・ソース領域、２０６・・・・
・・ドレイン領域、２０７・・・・・・層間絶縁膜、２
０８，２０８’・・・・・・第１の開孔、２０９・・・
・・・チタン含有タングステン膜、２１０・・・・・・
珪素含有アルミニウム膜、２１１・・・・・・アルミニ
ウム配Ｌ２１２・・・・・・アルミニウムパラ）’、２
１３・・・・・・シリコン含有ポリイミド膜、２１４・
・・・・・弗素樹脂膜、２１５・・・・・・第２の開孔
である。 第３図はプラズマ化学気相成長法で形成した表面保護膜
を用いた従来の半導体装置の構造を示す断面図である。 同図において、３０１・・・・・・基板、３０２・・・
・・・最終配線層、３０３・・・・・・表面保護膜であ
る。
表面保護膜の形成方法を示す工程断面図である。 同図において、１０１．・・・・・・半導体基板、１０
２・・・・・・最上層配線、１０３・・・・・・アルミ
ニウムパッド、１０４・・・・・・シリコン含有ポリイ
ミド膜、１０５・・・・・・弗素樹脂膜、１０６・・・
・・・フォトレジストである。 第２図（ａ）〜（「）は、本発明の第２の実施例である
ＭＯ８型半導体装置の製造方法を示す工程断面図である
。 同図において、２０１・・・・・・半導体基板、２０２
゜２０２′・・・・・・素子分離領域、２０３・・・・
・・ゲート酸化膜、２０４・・・・・・ポリシリコンゲ
ート、２０５・・・・・・ソース領域、２０６・・・・
・・ドレイン領域、２０７・・・・・・層間絶縁膜、２
０８，２０８’・・・・・・第１の開孔、２０９・・・
・・・チタン含有タングステン膜、２１０・・・・・・
珪素含有アルミニウム膜、２１１・・・・・・アルミニ
ウム配Ｌ２１２・・・・・・アルミニウムパラ）’、２
１３・・・・・・シリコン含有ポリイミド膜、２１４・
・・・・・弗素樹脂膜、２１５・・・・・・第２の開孔
である。 第３図はプラズマ化学気相成長法で形成した表面保護膜
を用いた従来の半導体装置の構造を示す断面図である。 同図において、３０１・・・・・・基板、３０２・・・
・・・最終配線層、３０３・・・・・・表面保護膜であ
る。
Claims (4)
- （１）半導体基板上にシリコン化合物を含有するポリイ
ミド膜を形成する工程と、続いて、弗素樹脂膜を形成す
る工程と、該弗素樹脂膜表面を改質せしめる工程と、続
いてフォトレジスト膜を形成する工程と、該フォトレジ
スト膜をパターニングせしめる工程と、前記フォトレジ
スト膜をマスクとして前記シリコン化合物を含有するポ
リイミド膜及び前記弗素樹脂膜を選択的に除去せしめる
工程とを含むことを特徴とする半導体装置の表面保護膜
の形成方法 - （２）多層配線構造体が形成された半導体基板上に、シ
リコン化合物を含有するポリイミド膜を形成する工程と
、続いて弗素樹脂膜を形成する工程と、ＣＦ＿４等の弗
素系ガス、又はＯ＿２ガスを用いる反応性イオンエッチ
ングにより該弗素樹脂膜表面を改質せしめる工程と、続
いて、フォトレジスト膜を形成する工程と、フォトリソ
グラフィー技術により、パターニングせしめる工程と、
ドライエッチング技術により、ボンディングパッド上部
の前記シリコン化合物を含有するポリイミド膜及び弗素
樹脂膜を選択的にエッチング除去せしめる工程とを含む
ことを特徴とする半導体装置の表面保護膜の形成方法 - （３）前記シリコン化合物を含有するポリイミド膜は、
下記の式（１）で表わされる芳香族テトラカルボン酸二
無水物と、式（２）で表わされるジアミンと、式（３）
で表わされるアミノシリコン化合物とを混合反応せしめ
ることによって形成されるポリアミック酸シリコン型中
間体を含有してなる溶液を塗布・熱処理せしめることに
よって形成されることを特徴とする請求項２に記載の半
導体装置の表面保護膜の形成方法 ▲数式、化学式、表等があります▼（１） ＮＨ＿２−Ｒ＾２−ＮＨ＿２（２） ▲数式、化学式、表等があります▼（３） （式（１）〜（３）において、Ｒ＾１は４価の炭素環式
芳香族基を表わし、Ｒ＾２は炭素数６〜３０個の芳香族
基、又は炭素数６〜３０個の炭素環式芳香族基、Ｒ＾３
及びＲ＾４は独立に炭素数１〜６のアルキル基、又はフ
ェニル基であり、Ｋは、１≦Ｋ≦３の整数である。） - （４）前記弗素樹脂膜はポリテトラフルオロエチレン（
化学式▲数式、化学式、表等があります▼、ｍ：正の整
数）又は、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアル
キルビニルエーテル共重合体（化学式▲数式、化学式、
表等があります▼、ｍ、ｎ： 正の整数、Ｒ：アルキル基）、又は、テトラフルオロエ
チレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（化学式▲
数式、化学式、表等があります▼、ｍ、ｎ： 正の整数）、又は、テトラフルオロエチレン−エチレン
共重合体（化学式▲数式、化学式、表等があります▼、
ｍ、ｎ： 正の整数）、又は、ポリビニリデンフルオライド（化学
式▲数式、化学式、表等があります▼、ｍ：正の整 数）等の微粒子、又は、これらのうちの２つ以上を、純
水、又は、トルエン、メタノール等の有機溶剤中に分散
せしめたもの、いわゆるディスパージョンをスピンコー
ト法、ディップ法等により塗布し３００〜４００℃の温
度で熱処理、溶融することによって形成した膜であるこ
とを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の表面保護
膜の形成方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21793189A JPH0380541A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 半導体装置の表面保護膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21793189A JPH0380541A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 半導体装置の表面保護膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0380541A true JPH0380541A (ja) | 1991-04-05 |
Family
ID=16711962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21793189A Pending JPH0380541A (ja) | 1989-08-23 | 1989-08-23 | 半導体装置の表面保護膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0380541A (ja) |
-
1989
- 1989-08-23 JP JP21793189A patent/JPH0380541A/ja active Pending
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