JPH038147A - Optical disk - Google Patents

Optical disk

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Publication number
JPH038147A
JPH038147A JP1141037A JP14103789A JPH038147A JP H038147 A JPH038147 A JP H038147A JP 1141037 A JP1141037 A JP 1141037A JP 14103789 A JP14103789 A JP 14103789A JP H038147 A JPH038147 A JP H038147A
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JP
Japan
Prior art keywords
film
substrate
optical disc
material layer
information recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP1141037A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumiyoshi Kirino
文良 桐野
Norio Ota
憲雄 太田
Tetsuya Nishida
哲也 西田
Norihito Tamura
礼仁 田村
Masahiko Takahashi
正彦 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPH038147A publication Critical patent/JPH038147A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the optical disk with which the control of a thermal conductivity and refractive index is easy and which has high reliability by forming an underlying film formed of an Sn-Se material between a plastic resin substrate and a recording film provided thereon. CONSTITUTION:The underlying film 2 is formed of the Sn-Se material by a vacuum vapor deposition method on the substrate 1 made of the plastic resin. The information recording film 3 and a protective film 4 are provided on the film 2 to form the optical disk. the film 2 is formed by setting Sn and Se in two vapor deposition boats and controlling the current to be passed to the boat, by which the desired compsn. value is obtd. The thermal conductivity is controlled by controlling the Sn/Se ratio thereof, by which the temp. distribu tion of the film 3 is controlled to desired characteristics. The film 2 has a low pinhole density and further, the coefft. of thermal expansion exists between the coeffts. of thermal expansion of the metal and the substrate material and, therefore, internal stresses are relieved. the optical disk having the high reliabil ity is obtd. in this way.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はレーザ光を用いて記録、再生成いは消去を行う
光記録に係り、特に保護効果及び光学的特性に優れかつ
情報記録特性に優れた保護膜或いは下地膜を有する光デ
ィスクに関する。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to optical recording in which recording, reproduction, or erasing is performed using laser light. The present invention relates to an optical disc having an excellent protective film or base film.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

高密度・大容量のファイルメモリーとして光記録が注目
されている。現在、1度だけ記録ができる追記型の光デ
ィスクの実用化に次いで、記録/消去の繰返しが何回で
もできる書換え可能型の光ディスクも実用化の直前にあ
る。ところで、書換え可能な可逆光ディスクに用いる情
報記録材料の中には、大気中の水や酸素に対して活性な
元素を含む材料が多く、そのため腐食を生じディスクの
信頼性が確保できないという問題があり、実用化を進め
る上での1つの難点となっていた。これを解決するため
の手法として、(1)情報記録材料自身の耐食性を向上
させる。(2)情報記録材料を有効な保護膜で覆うある
いは上記雨音を併用するなどの対策がはかられてきた。
Optical recording is attracting attention as a high-density, large-capacity file memory. Currently, in addition to the practical use of write-once type optical discs that can be recorded only once, rewritable type optical discs that can be repeatedly recorded and erased any number of times are also on the verge of being put into practical use. By the way, many of the information recording materials used in rewritable reversible optical discs contain elements that are active against water and oxygen in the atmosphere, which causes corrosion and makes it impossible to ensure the reliability of the disc. This has been one of the difficulties in promoting practical application. To solve this problem, (1) improve the corrosion resistance of the information recording material itself; (2) Countermeasures have been taken, such as covering the information recording material with an effective protective film or using the above-mentioned rain sound.

特に、上記保護膜で覆う手法を採用する場合、■ピンホ
ール等の膜欠陥密度が低いこと、■情報記録材料と反応
しないこと■屈折率等の光学定数が適当であること、■
熱伝導率が適当であること。
In particular, when adopting the above-mentioned method of covering with a protective film, ■ the density of film defects such as pinholes is low; ■ it does not react with the information recording material; ■ the optical constants such as refractive index are appropriate;
Appropriate thermal conductivity.

等の条件を同時にすべて満たさなければならない。All of the following conditions must be met at the same time.

この条件を満足する材料探索が各所で盛んに行なわれて
おり、その例として特開昭62−195743、をあげ
ることができる。
Searches for materials that satisfy this condition are being actively conducted in various places, and an example of this is Japanese Patent Application Laid-open No. 195743/1983.

〔発明が解決しようとするa!M〕[The invention aims to solve a! M]

上記従来技術では、低欠陥密度、記録材料と反応しない
、屈折率の制御、熱伝導率の制御等の条件を同時に満た
すのは困難で、ディスク特性や信頼性の低下を克服でき
る光デイスク用保護膜は見出されていなかった。
With the above-mentioned conventional technology, it is difficult to simultaneously satisfy conditions such as low defect density, non-reaction with recording materials, control of refractive index, and control of thermal conductivity, and protection for optical disks that can overcome the deterioration of disk characteristics and reliability. No membrane was found.

本発明の目的は、低ピンホール密度で情報記録材料との
反応性を抑制し、熱伝導率及び屈折率が制御できる材料
を提供することにより、亮信頼性を有し、かつ高性能の
光ディスクを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a material that has low pinhole density, suppresses reactivity with information recording materials, and can control thermal conductivity and refractive index, thereby producing highly reliable and high-performance optical discs. Our goal is to provide the following.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

上記目的は保′ft膜材料に5n−8e系材料を用いる
ことにより達成之れる。この組成の系は。
The above object can be achieved by using a 5n-8e type material as the FT film material. What is the system of this composition?

S n / S a比を制御することにより、保護膜材
として要求される前記の特性を容易に制御できる。
By controlling the S n /S a ratio, the above-mentioned characteristics required for a protective film material can be easily controlled.

さらに詳述すると、最も問題となるのは光の吸収で、そ
れはSeを55%以上95%以下含むことで光吸収が小
さく (〜0))tB折率も2以上となり、光学的性質
が要求される下地膜としても安定性が要求される保1膜
材としても好適な性質を与えることができる。ここで、
下地膜は、光の干渉効果を考えると基板材と0.4 以
上の屈折率差が必要である。この他、基板と下地膜との
接着力を向上させるには基板加熱をしてから成膜するの
が効果的である。
To explain in more detail, the most important problem is light absorption, which is caused by containing 55% to 95% Se, which results in low light absorption (~0)) and a tB refractive index of 2 or more, which requires optical properties. It can provide suitable properties both as a base film and as a protective film material that requires stability. here,
The base film needs to have a refractive index difference of 0.4 or more from the substrate material in consideration of light interference effects. In addition, in order to improve the adhesion between the substrate and the underlying film, it is effective to heat the substrate before forming the film.

〔作用〕[Effect]

S n / S s比の制御によりレーザ光照射時の記
結膜上の温度分布をコントロールすることができる。S
nを多くすると熱伝導率が大きくなり、逆にSeを多く
すると熱伝導率が小さくなる。すなわち光の吸収率が小
さくなる組成範囲に保ち、かつ5n−3e膜の組成比を
制御することにより5n−5e膜の熱伝導率をを制御し
、情報記録膜の温度分布を所望の特性に制御できる。
By controlling the S n /S s ratio, the temperature distribution on the conjunctiva during laser beam irradiation can be controlled. S
Increasing n increases the thermal conductivity, and conversely, increasing Se decreases the thermal conductivity. In other words, by keeping the composition within a range where the light absorption rate is small and controlling the composition ratio of the 5n-3e film, the thermal conductivity of the 5n-5e film can be controlled, and the temperature distribution of the information recording film can be adjusted to desired characteristics. Can be controlled.

その結果(1)ディスクの記録−消去特性を任、6:に
選択する、(2)記録/消去繰返しによる再生出力の変
動を抑制する。(3)記録磁区形状を制御する1等の効
果が得られる6 さらに、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリオレ
フィン、ポリメチルメタアクリレート、アクリル系樹脂
や光硬化型樹脂に代表されるプラスチック樹脂製の基板
上に、この5n−3e系膜を形成すると、材料中の原子
と基板材中の原子との間に弱い化学結合もしくは化学吸
着が生じるので接着力が著しく向上するという効果があ
る3その際、基板材が変質しない程度に加熱した状態で
成膜すると、先の効果がより強力となる。また。
As a result, (1) the recording/erasing characteristics of the disk are selected as desired, and (2) fluctuations in the reproduction output due to repeated recording/erasing are suppressed. (3) The first effect of controlling the shape of the recording magnetic domain can be obtained.6 Furthermore, on a substrate made of plastic resin such as polycarbonate, polysulfone, polyolefin, polymethyl methacrylate, acrylic resin, and photocurable resin, When this 5n-3e film is formed, weak chemical bonds or chemical adsorption occur between atoms in the material and atoms in the substrate material, resulting in a significant improvement in adhesive strength3. If the film is formed while being heated to an extent that does not change its quality, the above effect will be even stronger. Also.

SnとSeの比を前述の範囲内とすると、膜内部及び各
層界面におけるストレスが低いのではなく離等が生じに
くい。
When the ratio of Sn and Se is within the above-mentioned range, the stress inside the film and at the interfaces of each layer is low, and separation etc. are less likely to occur.

以上述べてきたように、光ディスクの保護膜或いは下地
膜用の材料として5n−3e系を用いると、低ピンホー
ル密度で、化学安定性に優れており、高保護効果を有し
ている。また、光ディスクの下地膜は多重干渉を生じる
ようなA’+l折率と膜ノ4を制御する必要があるが、
それも容易に制御できる。さらに、金属とカルコゲナイ
ドの比を制御すると熱伝導率を大きくも小さくもできる
。それにより、情報記録膜の温度分布を制御でき、ディ
スクの記録−消去の感度を任意に設定でき、ディスクド
ライブとの整合性が自由にとれる。さらにこの膜を設け
ることにより、基板と平行方向に熱を逃がすことができ
るようになり、情報記録膜をさめやすくすることができ
るので、記録膜の最高到達温度は、熱伝導率が大きくな
るにつれて低くなり、記録/消去を繰返したときの再生
出力の減少もない。
As described above, when a 5n-3e material is used as a material for a protective film or underlayer of an optical disc, it has a low pinhole density, excellent chemical stability, and a high protective effect. In addition, it is necessary to control the A'+l refractive index and film thickness of the optical disc base film, which may cause multiple interference.
It can also be easily controlled. Furthermore, by controlling the ratio of metal to chalcogenide, the thermal conductivity can be increased or decreased. Thereby, the temperature distribution of the information recording film can be controlled, the recording/erasing sensitivity of the disc can be arbitrarily set, and compatibility with the disc drive can be freely achieved. Furthermore, by providing this film, it becomes possible to dissipate heat in the direction parallel to the substrate, making it easier to cool down the information recording film, so the maximum temperature of the recording film increases as the thermal conductivity increases. There is no decrease in playback output when recording/erasing is repeated.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の詳細を実施例1〜3を用いて説明する。 The details of the present invention will be explained below using Examples 1 to 3.

[実施例1コ 本実施例で作製した光ディスクの断面構造を示す膜弐図
を第1図に示す。1はディスク基板である。基板として
は、案内溝を有するプラスチックもしくはフォトポリマ
ー法(2P法)で表面に案内溝を形成したガラス基板、
あるいはガラス基板にダイレクトに案内溝を形成した基
板等が用いられる。
[Example 1] FIG. 1 is a film diagram showing the cross-sectional structure of the optical disc manufactured in this example. 1 is a disk substrate. The substrate may be a plastic substrate with guide grooves or a glass substrate with guide grooves formed on the surface using the photopolymer method (2P method).
Alternatively, a glass substrate with guide grooves formed directly thereon may be used.

この基板1上に下地膜2として本発明の5n−8e膜を
、真空蒸着法により形成した。まず2つの蒸着ボートに
SnとSeをそれぞれセットし、それぞれのボートに流
すtt流を制御して所望の組成値の膜を得た。この際、
基板を80℃程度に加熱するとここでSnとSeの組成
として本実施例においては、Se含有率を66at%と
じた。この時の屈折率は2.3.l/J厚は750人で
ある。
A 5n-8e film of the present invention was formed as a base film 2 on this substrate 1 by vacuum evaporation. First, Sn and Se were set in two deposition boats, and the tt flow flowing through each boat was controlled to obtain a film having a desired composition value. On this occasion,
When the substrate was heated to about 80° C., the composition of Sn and Se was set to 66 at % in this example. The refractive index at this time is 2.3. The l/J thickness is 750 people.

情報記録膜3としては800人の厚さの”l’bzaF
 eelc o txN b a非晶質合金膜をスパッ
タリング法により形成した。
The information recording film 3 is "l'bzaF" with a thickness of 800 people.
An eelcotxNba amorphous alloy film was formed by sputtering.

上記組成を有する合金ターゲットを用い、放電ガスにA
rを使用して、放電ガス圧力は5X10−8Torr投
入RF車力密度は4.2  W/cofとした。この記
録膜3の磁気及び磁気光学特性は、カー回転角θ、が0
.34°、保磁力Haがl OK Oe、補償温度Tc
ompが70℃、キュリーit度゛rcが200℃であ
る。そして再び真空蒸着法により5n−Se系の合金膜
を用いた保護膜4を形成した。ここでこの保護膜組成は
、Seの含有率を55at%〜95at%の間で変化さ
せ、任意の感度のものを作製した。また、比較例として
、下地膜及び保護膜材料として広く知られている5iO
zを用いたディスクを作製した。
Using an alloy target having the above composition, A
The discharge gas pressure was set to 5×10 −8 Torr, and the input RF vehicle power density was set to 4.2 W/cof. The magnetic and magneto-optical properties of this recording film 3 are such that the Kerr rotation angle θ is 0.
.. 34°, coercive force Ha is l OK Oe, compensation temperature Tc
omp is 70°C, and Curie degree rc is 200°C. Then, a protective film 4 using a 5n-Se alloy film was formed again by vacuum evaporation. Here, this protective film composition was prepared with arbitrary sensitivity by changing the Se content between 55 at% and 95 at%. In addition, as a comparative example, 5iO, which is widely known as a base film and protective film material, was used.
A disk using z was manufactured.

まず、5n−8e系膜のSe含有量と波長830nmの
レーザ光の光吸収率の関係は第2図に示すとおりで、S
e含有量が62at%以上では光吸収率がほぼゼロにな
っている。このことは、情報読出しのため入射させるレ
ーザ光の減衰が小さく、4f1号強度の低−ドが少ない
ことを、り一味する。従がってレーザ光入射側の下地膜
もしくは保護膜として5n−3e膜を用いるときは上記
組成範囲の膜を用いることが好ましい。
First, the relationship between the Se content of the 5n-8e film and the light absorption rate of laser light with a wavelength of 830 nm is shown in Figure 2.
When the e content is 62 at% or more, the light absorption rate is almost zero. This means that the attenuation of the laser light incident for information reading is small, and that there are few low codes of the 4f1 intensity. Therefore, when using a 5n-3e film as the base film or protective film on the laser beam incident side, it is preferable to use a film having the above composition range.

5n−8e系(S n S e2膜)を下地1換に用い
、保護膜組成を種々変化させたときの記録・再生特性を
第3図に示す。保護膜4としてSnとSeの原子比を5
/95.27/75、そして45155と変化させたも
のを作製した。第3図によればSeの含有率が増大する
に従い、最小記録パワーが低くなっている、すなわち、
記録感度が晶くなっていることがわかる。これに対し比
較例では、記録感度が低くかつ保護膜厚を変更する以外
に記録感度を制御できなかった。C/Nは、1800r
pm、3011foφ位置に同期1.5T にて記録し
たところ1本実施例の場合49dB得られたのに対し、
比較例では46dBと、3dBの向上がみられた。
FIG. 3 shows the recording/reproducing characteristics when a 5n-8e system (S n S e2 film) was used as the underlayer and the protective film composition was varied. As the protective film 4, the atomic ratio of Sn and Se is 5.
/95.27/75 and 45155 were produced. According to FIG. 3, as the Se content increases, the minimum recording power decreases, that is,
It can be seen that the recording sensitivity has become crystalline. On the other hand, in the comparative example, the recording sensitivity was low, and the recording sensitivity could not be controlled other than by changing the protective film thickness. C/N is 1800r
When recording at 1.5T synchronization at pm, 3011foφ position, 49dB was obtained in the case of one example, whereas
In the comparative example, it was 46 dB, an improvement of 3 dB.

また、このディスクに一20℃〜60℃のヒー、トサイ
クルテストを50回の繰返したところ、プラスチック基
板上に5iOz下地膜および保護膜を形成した比較例で
は剥離が生じたのに対し、5n−8e系を用いたディス
クでは剥離、クラック等は生じなかった。これは、S 
n −S e系膜が情報記録膜の熱膨張率が中間にあり
、膜中に生じる内部応力を緩和しているためである。
Furthermore, when this disk was subjected to a heat cycle test of -20°C to 60°C 50 times, peeling occurred in a comparative example in which a 5iOz base film and a protective film were formed on a plastic substrate, whereas 5n No peeling, cracking, etc. occurred in the disk using the -8e system. This is S
This is because the n-Se film has a coefficient of thermal expansion in the middle range of information recording films and relieves internal stress generated in the film.

次にこのディスクの信頼性試験を行なった結果を第4図
に示す。すなわち、作製した光ディスクを80℃−85
%RH中に放+i”t したときの欠陥レートの経時変
化を測定したものである。まず1本実施例におけるSn
とSeとの比が5/95゜45155のいずれの保護膜
もディスク作製初期の欠陥レートは5X10−8(件/
bit)であった。
Next, FIG. 4 shows the results of a reliability test of this disk. That is, the produced optical disc was heated to 80°C-85°C.
%RH, the change in defect rate over time was measured. First, in this example, Sn
For any protective film with a ratio of 5/95°45155 to
bit).

これら両者は、上記環境中に2000時間放置後でも欠
陥レートは7X10”−6(件/bit)と。
Both of these had a defect rate of 7X10"-6 (cases/bit) even after being left in the above environment for 2000 hours.

その増大はわずかであった。しかし、比較例では5X1
0−’(件/bit ) ト欠陥レートは約10倍に増
大した。
The increase was small. However, in the comparative example, 5X1
0-'(cases/bit) The defect rate increased approximately 10 times.

本実施例では、5n−8e系層の形成に真空蒸着法によ
り形成した例を示したが、スパッタ法やイオンプレーテ
ィング法で形成したS n −S c 膜であっても組
成と膜厚さえ制御されていれば、作製法による性能上の
差違いはみられなかった。
In this example, an example was shown in which the 5n-8e layer was formed by vacuum evaporation, but even if the S n -S c film is formed by sputtering or ion plating, the composition and film thickness may vary. As long as it was controlled, no difference in performance was observed depending on the manufacturing method.

[実施例2] 本実施例は、下地膜形成に際して反応カスにArに02
を加えた混合ガスにより5n−8eをスパッタして形成
した。作製したディスクの断面構造は実施例1と同様で
第1図に示すとおりである。
[Example 2] In this example, Ar was added to the reaction residue when forming the base film.
5n-8e was sputtered using a mixed gas containing . The cross-sectional structure of the manufactured disk was the same as that of Example 1, as shown in FIG.

ディスクは以下に示す手順にて作製した。まず、表向に
案内溝を有するプラスチック或いはガラス円板上に紫外
線硬化性樹脂で案内溝を形成した基板1上に5n−3s
系下地膜2をスパッタ法により形成した。ターゲットに
はS n S ez焼結体ターゲットを用い、放電ガス
にA r / 02  (= 90/10)混合カスを
使用し、放電ガス圧力を1×10’−2(Torr) 
、投入RFJ力を0.7 (W/Cl11)とし、屈折
率2.0、吸収係数O1膜厚850人の膜を形成した。
The disk was produced according to the procedure shown below. First, 5n-3s was placed on a substrate 1, which was made of a plastic or glass disk having guide grooves on its surface and guide grooves made of ultraviolet curable resin.
A base film 2 was formed by sputtering. A SnSez sintered target was used as the target, Ar/02 (=90/10) mixed scum was used as the discharge gas, and the discharge gas pressure was set to 1 x 10'-2 (Torr).
The input RFJ force was set to 0.7 (W/Cl11), and a film with a refractive index of 2.0 and an absorption coefficient of O1 and a film thickness of 850 mm was formed.

この上に情報記録膜3および保護膜4を実施例1と同様
の方法と条件で形成した。
An information recording film 3 and a protective film 4 were formed thereon using the same method and conditions as in Example 1.

このディスクの内径30n+n+φ位ll¥にて回転数
:240Orpmパルス幅70nsec周期1.5 T
にて記録したときの再生出力のレーザーパワー依存性を
第5図に示した。比較例は5iaN4を保護膜及び下地
膜に用いた場合である。本実施例の5n−3e系材料を
用いるとSi3N+より熱伝導率が小さいので感度が高
くなる。C/Nも実施例1と同一の条件で8IQ定して
C/N=49 d Bであった。
The inner diameter of this disk is 30n+n+φ, rotation speed: 240Orpm, pulse width 70nsec, period 1.5T
FIG. 5 shows the dependence of the reproduction output on the laser power when recording was performed. A comparative example is a case where 5iaN4 is used for the protective film and the base film. When the 5n-3e material of this embodiment is used, the sensitivity is increased because the thermal conductivity is lower than that of Si3N+. The C/N was also determined at 8IQ under the same conditions as in Example 1, and was C/N = 49 dB.

これに対し、比較例ではC/N=46 d Bと低かっ
た。このディスクに一20〜60℃のヒートサイクルテ
ストを施した。その結果、本発明の材料を用いたディス
クでは、800回以上繰返しても剥離やクラックは生じ
なかったが比較例では100回程No繰返しですでには
削離が生じた。ちなみに酸素を含まないArのみでS 
n S e2をスパッタして作製した膜では、500回
程N0ヒートサイクルで剥離を生じた。
On the other hand, in the comparative example, the C/N was as low as 46 dB. This disk was subjected to a heat cycle test at -20 to 60°C. As a result, in the disk using the material of the present invention, no peeling or cracking occurred even after 800 repetitions or more, but in the comparative example, abrasion already occurred after about 100 repetitions. By the way, S with only Ar without oxygen
In the film prepared by sputtering nSe2, peeling occurred after about 500 N0 heat cycles.

本実施例の如く、Ig!素のような反応性ガスを含む1
メ囲気でスパッタすることによって、基鈑表面が清澄化
され、」ル板表面原子と下地膜材との間に結合が生じ、
情報記録層と基板との熱膨張差によって生ずる剥離が抑
制されるという緩衝層的効果に加え、接着力を増すこと
ができる。
As in this example, Ig! 1 containing reactive gases such as
By sputtering in a medium atmosphere, the surface of the substrate is clarified, and bonds are formed between the atoms on the surface of the substrate and the underlying film material.
In addition to the buffer layer effect of suppressing peeling caused by the difference in thermal expansion between the information recording layer and the substrate, the adhesive force can be increased.

第6図は本実施例において作製したディスクを80℃−
85℃RH中に放置したときの欠陥レートの経時変化を
示す。比較例は、保護膜及び下地膜に5iaN+を用い
た場合である。その結果によると1本実施例の場合ディ
スク作製初期で5×1O−6(件/bit)であったも
のが、このIS1境中に2000時間放置しても7X1
0−1′!(件/bit)とわずかに増大しただけであ
った。一方、比較例では、6X10−B(件/bit)
と1桁以上の欠陥レートの増大が観測された。このよう
に、Ar102ガスでスパッタした本実施例の5n−8
e系保護膜および下地膜は著しく高い保護性能を有する
Figure 6 shows the disk produced in this example at 80°C.
It shows the change in defect rate over time when left in 85°C RH. A comparative example is a case where 5iaN+ is used for the protective film and the base film. According to the results, in the case of this example, what was 5 x 1 O-6 (bits/bit) at the initial stage of disk production was 7
0-1′! There was only a slight increase (items/bit). On the other hand, in the comparative example, 6X10-B (items/bit)
An increase in the defect rate of more than one order of magnitude was observed. In this way, the 5n-8 of this example sputtered with Ar102 gas
The e-type protective film and base film have extremely high protective performance.

[実施例3] 本実施例で作製した光ディスクの断面構造は第1図に示
す模式図と同様である。基板1として表面に凹凸の案内
溝を有するプラスチック基板もしくは22法で表面に凹
凸の案内溝を形成した基板を用いた。この基板1上にま
ず下地膜2を真空蒸着法により形成した。2つの蒸着ボ
ートにSnとSeをセットし、ボートに流す電流を制御
して膜組成を所望の値とした。蒸着中は基板を自公転さ
せた。作製したSnとSeのモル比はO/100゜20
/80.33/67、および55/45の4種類で膜ノ
4は750人である。
[Example 3] The cross-sectional structure of the optical disc manufactured in this example is similar to the schematic diagram shown in FIG. As the substrate 1, a plastic substrate having uneven guide grooves on the surface or a substrate having uneven guide grooves formed on the surface by the 22 method was used. First, a base film 2 was formed on this substrate 1 by a vacuum evaporation method. Sn and Se were set in two deposition boats, and the film composition was adjusted to a desired value by controlling the current flowing through the boats. The substrate was rotated around its axis during the deposition. The molar ratio of Sn and Se produced was O/100°20
/80, 33/67, and 55/45, and Membrane No. 4 has 750 people.

上記下地膜2の上に情報記録膜3として、TbxsFe
RsCox7Nb2Pt、s膜を実施例1と同様に形成
した。ターゲットに最後に膜)41500人のSiOを
スパッタ法により保護膜4として形成した。Si○2膜
形成条件は、放電ガスにAr、ターゲットにSi○焼結
体を用い投入RF軍方力密度4.2W/cd、放電ガス
圧カニI X 10−2Torrとした。
TbxsFe is formed on the base film 2 as an information recording film 3.
An RsCox7Nb2Pt,s film was formed in the same manner as in Example 1. Finally, a protective film 4 of 41,500 SiO was formed on the target by sputtering. The conditions for forming the Si*2 film were as follows: Ar was used as the discharge gas, a Si* sintered body was used as the target, the input RF power density was 4.2 W/cd, and the discharge gas pressure was 1×10 −2 Torr.

本実施例のディスク、を用い1回転数2400rβmで
ディスク最内周(30■φ)位置に同期1.5T。
Using the disk of this example, the rotation speed was 2400 rβm and the disk was synchronized at the innermost circumference (30 mm) position for 1.5 T.

パルス幅70ns−にて信号記録し、その再生出力の記
録レーザパワー依存性を調べ、キャリア対ノイズ比(C
/N)を求めた。この結果、下地膜組成がS n / 
S e = O/ 100及び55/45であるディス
クでは43dBであったのに対し、20/80及び33
/67のものでは48dBと最も高いC/Nを有してい
た。
The signal was recorded with a pulse width of 70 ns, and the dependence of the reproduction output on the recording laser power was investigated, and the carrier-to-noise ratio (C
/N) was calculated. As a result, the base film composition becomes S n /
20/80 and 33 dB compared to 43 dB for discs with S e = O/100 and 55/45.
/67 had the highest C/N of 48 dB.

また、これら4種類のディスクを80℃−85%RH中
に放置したときの欠陥レートの変化を調べたところ、デ
ィスク作製初期で5X10−’(件/bit)であった
のに対し、2000時間放置後で、Sn/5e=33/
67.55/45の組成の下地膜を用いたディスクでは
7 X I Q”−’(件/bit)とその増大は著し
く小さいが、Sn/5e=O/100.20/80では
5 X 10−’(件/bit)と大きく増大した。こ
のように。
In addition, when we investigated the change in defect rate when these four types of disks were left at 80°C and 85% RH, it was 5X10-' (cases/bit) at the initial stage of disk production, but after 2000 hours After leaving it, Sn/5e=33/
In the case of a disk using a base film with a composition of 67.55/45, the increase is extremely small at 7 X I Q"-' (items/bit), but when Sn/5e=O/100.20/80, it is 5 X 10 -'(items/bit) and increased significantly.Like this.

5n−3s系下地膜を用いると、組成により保護性能と
ディスク性能に違いが生じる。Sn/Se比を33/6
7とした下地膜を用いた場合、上記両性能を同時に満足
し結合的に最も優れていた。
When a 5n-3s base film is used, the protection performance and disk performance differ depending on the composition. Sn/Se ratio 33/6
When a base film having a rating of 7 was used, both of the above performances were satisfied at the same time and the bonding was the best.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、下地膜の熱伝導率や光学定数の制御が
自由に行なえるので所望のディスク特性が容易に得られ
る。また、本材料はピンホール密度も低いのでディスク
の信頼性も高められる。さらに、この材料の熱膨張率は
金属と基板材料の中間にあり、熱膨張率差により生じる
内部応力の緩和に有用である。
According to the present invention, desired disk characteristics can be easily obtained because the thermal conductivity and optical constants of the base film can be freely controlled. This material also has a low pinhole density, which increases the reliability of the disk. Furthermore, the coefficient of thermal expansion of this material is intermediate between that of the metal and the substrate material, making it useful for alleviating internal stresses caused by the difference in coefficient of thermal expansion.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の実施例の光ディスクの構造を示す模式
的断面図、第2図は5n−8e系におけるSea度と光
吸収率の関係曲線図、第3図、第5図は本発明の実施例
のディスクの再生出力のレーザー出力依存特性図、第4
図、第6図は本発明の実施例の光ディスクの耐食性能を
示す欠陥レートの経時変化の?111定図である。 1・・・基板、2・・・下地膜、3・・・情報記録膜、
4・・・保護膜。 箒 関 茅 閃 第 図 L−ず−tカ(職W) 第 4 l 蚊 置 時間(11卜)
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of an optical disk according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a relationship curve between Sea degree and light absorption rate in the 5n-8e system, and FIGS. 3 and 5 are according to the present invention. Figure 4 shows the laser output dependence characteristic diagram of the playback output of the disc according to the embodiment of the invention.
Figure 6 shows the change in defect rate over time showing the corrosion resistance performance of the optical disk according to the embodiment of the present invention. 111 constant diagram. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Substrate, 2... Base film, 3... Information recording film,
4...Protective film. Houki Kankyo Sendai Diagram L-zu-tka (Job W) Chapter 4 l Mosquito placement time (11 books)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、レーザ光を用いて記録、再生あるいは消去を行う光
ディスクにおいて、情報を記録する層のいずれか一方あ
るいは両方の界面に接するように、SnとSeからなる
材料で形成される層を設けたことを特徴とする光ディス
ク。 2、上記SnとSeからなる材料の組成は、Seを55
at%以上95at%以下含んだ材料であることを特徴
とする請求項第1項記載の光ディスク。 3、上記SnとSeからなる材料を基板と情報記録層と
の間もしくは記録、再生あるいは消去のためのレーザ光
入射側に設けるのに、その材料の屈折率が基板材もしく
は情報記録層と接するように設けたSnとSeからなる
材料層のもう一方の界面で接する層の材料との屈折率の
差が0.4以上であるように形成したことを特徴とする
請求項第1項もしくは第2項記載の光ディスク。 4、上記SnとSeからなる材料層の形成を、スパッタ
リング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法あるい
は化学気相成長法等の薄膜形成技術で形成したことを特
徴とする請求項第1項乃至第3項のいずれかに記載の光
ディスク。 5、上記SnとSeからなる材料層の形成において、そ
の膜厚もしくは組成を選択し、これにより情報記録膜の
温度分布を制御したことを特徴とする請求項第1項乃至
第3項のいずれかに記載の光ディスク。 6、上記SnとSeからなる材料層を、樹脂基板あるい
は最表面が樹脂層である基板上に形成したことを特徴と
する請求項第1項乃至第3項のいずれかに記載の光ディ
スク。 7、上記基板を形成する樹脂材料として、ポリカーボネ
ート、ポリスルフォン、ポリオレフィン、ポリメチルメ
タアクリレート、アクリル系樹脂あるいは、光硬化型樹
脂の群から選ばれる少なくとも1種類を用いたことを特
徴とする請求項第6記載の光ディスク。 8、上記SnとSeからなる材料層を、上記基板を形成
する樹脂材料との間に、それぞれの構成原子間に、化学
結合もしくは化学的あるいは物理的吸着などの原子間結
合が形成されてなることを特徴とする請求項第6項記載
の光ディスク。 9、上記SnとSeからなる材料層の形成において、そ
の膜厚もしくは組成を選択し、これにより、基板とSn
とSeからなる材料層、あるいはSnとSeからなる材
料層と情報記録膜、あるいはSnとSeからなる材料層
を介して情報記録膜と基板との間に生ずる内部応力を緩
和せしめたことを特徴とする請求項第1項乃至第3項の
いずれかに記載の光ディスク。 10、上記SnとSeからなる材料層は、光の吸収が無
視しうる程度に充分小さいことを特徴とする請求項第1
項乃至第3項のいずれかに記載の光ディスク。 11、上記SnとSeからなる材料層の形成は、基板温
度を室温よりも高温の状態で行つたことを特徴とする請
求項第1項乃至第3項のいずれかに記載の光ディスク。
[Claims] 1. In an optical disk that records, reproduces, or erases information using a laser beam, a layer formed of a material consisting of Sn and Se so as to be in contact with the interface of one or both of the information recording layers. What is claimed is: 1. An optical disc characterized in that a layer is provided. 2. The composition of the material consisting of Sn and Se is 55% Se.
2. The optical disc according to claim 1, wherein the optical disc is made of a material containing at least 95 at%. 3. When the material consisting of Sn and Se is provided between the substrate and the information recording layer or on the laser beam incident side for recording, reproduction, or erasing, the refractive index of the material is in contact with the substrate material or the information recording layer. Claim 1 or Claim 1, characterized in that the material layer made of Sn and Se is formed so that the difference in refractive index between the material layer and the material of the layer in contact at the other interface is 0.4 or more. The optical disc described in item 2. 4. The material layer made of Sn and Se is formed by a thin film forming technique such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, or a chemical vapor deposition method. The optical disc according to any of paragraph 3. 5. In forming the material layer made of Sn and Se, the film thickness or composition is selected, thereby controlling the temperature distribution of the information recording film. An optical disc described in Crab. 6. The optical disc according to claim 1, wherein the material layer made of Sn and Se is formed on a resin substrate or a substrate whose outermost surface is a resin layer. 7. A claim characterized in that the resin material forming the substrate is at least one selected from the group consisting of polycarbonate, polysulfone, polyolefin, polymethyl methacrylate, acrylic resin, and photocurable resin. The optical disc according to No. 6. 8. Chemical bonds or interatomic bonds such as chemical or physical adsorption are formed between the constituent atoms of the material layer consisting of Sn and Se and the resin material forming the substrate. 7. The optical disc according to claim 6, characterized in that: 9. In forming the material layer made of Sn and Se, select the film thickness or composition, and thereby make the substrate and Sn
and Se, or a material layer consisting of Sn and Se and an information recording film, or a material layer consisting of Sn and Se, to alleviate internal stress generated between the information recording film and the substrate. An optical disc according to any one of claims 1 to 3. 10. Claim 1, wherein the material layer made of Sn and Se has a sufficiently small absorption of light that can be ignored.
The optical disc according to any one of items 1 to 3. 11. The optical disk according to claim 1, wherein the material layer made of Sn and Se is formed at a substrate temperature higher than room temperature.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006305040A (en) * 2005-04-28 2006-11-09 Mizuno Corp Upper structure of football shoes

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