JPH0382012A - レジストパターン線幅制御方法 - Google Patents
レジストパターン線幅制御方法Info
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- JPH0382012A JPH0382012A JP1218978A JP21897889A JPH0382012A JP H0382012 A JPH0382012 A JP H0382012A JP 1218978 A JP1218978 A JP 1218978A JP 21897889 A JP21897889 A JP 21897889A JP H0382012 A JPH0382012 A JP H0382012A
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- Japan
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- exposure
- infrared
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板上のフォトレジスト膜の赤外線吸収
変化をモニターすることによって、レジストパターン線
幅を制御するレジストパターン線幅制御方法に関する。
変化をモニターすることによって、レジストパターン線
幅を制御するレジストパターン線幅制御方法に関する。
従来、この種のレジストパターン線幅制御方法は、半導
体基板上にレジストパターンを転写し、現像後にレジス
トパターン線幅の寸法を測定し、その測定データを転写
時の露光時間にフィードバックし、露光時間を決定する
こεによって制御していた。
体基板上にレジストパターンを転写し、現像後にレジス
トパターン線幅の寸法を測定し、その測定データを転写
時の露光時間にフィードバックし、露光時間を決定する
こεによって制御していた。
上述した従来のレジストパターン線幅制御方法は、レジ
ストパターン転写後に現像工程を経て線幅の寸法測定を
行うため、リアルタイムの線幅制御が不可能であるとい
う欠点があった。
ストパターン転写後に現像工程を経て線幅の寸法測定を
行うため、リアルタイムの線幅制御が不可能であるとい
う欠点があった。
本発明は、半導体基板上のフォトレジスト膜にレジスト
パターンを転写する際、露光と同時にフォトレジスト膜
のパターン線幅測定部に赤外線をスキャンニング照射し
、その反射光により得られるモニター信号にてパターン
線幅を算出し、算出した信号を露光時間にフィードバッ
クするレジストパターン線幅制御方法である。
パターンを転写する際、露光と同時にフォトレジスト膜
のパターン線幅測定部に赤外線をスキャンニング照射し
、その反射光により得られるモニター信号にてパターン
線幅を算出し、算出した信号を露光時間にフィードバッ
クするレジストパターン線幅制御方法である。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する概略構成図で
ある。フォトマスク１を介して露光光αによりフォトレ
ジスト膜を露光する。この時、フォトレジスト膜の露光
部２では、露光時間に応じて任意の波長の赤外線に対し
赤外線反射強度が変化する。しかし、フォトレジスト膜
の未露光部３の赤外線反射強度は変化しない。
ある。フォトマスク１を介して露光光αによりフォトレ
ジスト膜を露光する。この時、フォトレジスト膜の露光
部２では、露光時間に応じて任意の波長の赤外線に対し
赤外線反射強度が変化する。しかし、フォトレジスト膜
の未露光部３の赤外線反射強度は変化しない。
この７オトレジスト膜の露光部２の赤外線反射強度の変
化に対し、露光と同時に半導体基板４の下方向から、赤
外線照射装置５により赤外線照射光βの照射を行う、こ
の赤外線照射光βによりレジストパターンの線幅測定部
をスキャンニングする。その赤外線反射光γを赤外線セ
ンサー６でモニターする。
化に対し、露光と同時に半導体基板４の下方向から、赤
外線照射装置５により赤外線照射光βの照射を行う、こ
の赤外線照射光βによりレジストパターンの線幅測定部
をスキャンニングする。その赤外線反射光γを赤外線セ
ンサー６でモニターする。
赤外線照射光βを任意波長にすることで、露光時間に応
じた赤外線モニター信号が得られる。この赤外線モニタ
ー信号によりレジストパターン線幅を算出し、露光装置
にフィードバックをかけることによって露光時間に応じ
た任意のレジストパターン線幅になるよう制御を行う。
じた赤外線モニター信号が得られる。この赤外線モニタ
ー信号によりレジストパターン線幅を算出し、露光装置
にフィードバックをかけることによって露光時間に応じ
た任意のレジストパターン線幅になるよう制御を行う。
第２図（り、（ｂ）、（Ｃ）は本発明に関する赤外線モ
ニター信号の特徴を示すグラフで、縦軸に赤外線反射強
度を、横軸にスキャン距離をとっである。
ニター信号の特徴を示すグラフで、縦軸に赤外線反射強
度を、横軸にスキャン距離をとっである。
同図０）は未露光状態のモニター信号を示す図である。
同図（ｂ）は露光時間１００■Ｓｅｅの時のモニター信
号を示す図である。ＡからＢにかけてはレジストパター
ンのエツジ部に相当する。ＣからＤにかけても同様にレ
ジストパターンのエツジ部に相当する。レジストパター
ンの線幅は、ＡＤ間あるいはＢＣ間の距離を算出するこ
とで得られる。
号を示す図である。ＡからＢにかけてはレジストパター
ンのエツジ部に相当する。ＣからＤにかけても同様にレ
ジストパターンのエツジ部に相当する。レジストパター
ンの線幅は、ＡＤ間あるいはＢＣ間の距離を算出するこ
とで得られる。
同図（ｅ）は露光時間２００＋５ｓｅｃの時のモニター
信号を示す図である。ＥからＦにかけてはレジストパタ
ーンのエツジ部に相当する。ＧからＨにかけても同様に
レジストパターンのエツジ部に相当する。レジストパタ
ーンの線幅は、ＥＨ間あるいはＦＧ間の距離を算出する
ことで得られる。
信号を示す図である。ＥからＦにかけてはレジストパタ
ーンのエツジ部に相当する。ＧからＨにかけても同様に
レジストパターンのエツジ部に相当する。レジストパタ
ーンの線幅は、ＥＨ間あるいはＦＧ間の距離を算出する
ことで得られる。
このように、赤外線モニター信号により露光時間に応じ
た線幅が算出できる。
た線幅が算出できる。
第３図は本発明の第２の実施例を説明する概略構成図で
ある。この実施例ではフォトレジスト上方向より赤外線
を照射するため、半導体基板４にＡｆ配線等の赤外線の
不透明層が存在しても、赤外線反射光γのモニタ、−が
可能であるという利点がある。その他の構成は第１の実
施例と同じである。
ある。この実施例ではフォトレジスト上方向より赤外線
を照射するため、半導体基板４にＡｆ配線等の赤外線の
不透明層が存在しても、赤外線反射光γのモニタ、−が
可能であるという利点がある。その他の構成は第１の実
施例と同じである。
以上説明したように本発明は、レジストパターン転写時
にフォトレジスト膜の赤外線吸収をモニターし、その赤
外線吸収信号変化により任意のレジストパターン線幅に
制御するため、レジストパターン転写中にリアルタイム
な制御ができるという効果がある。
にフォトレジスト膜の赤外線吸収をモニターし、その赤
外線吸収信号変化により任意のレジストパターン線幅に
制御するため、レジストパターン転写中にリアルタイム
な制御ができるという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する概略構成図、
第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明による
赤外線モニター信号の特徴を示すグラフ、第３図は本発
明の第２の実施例を説明する概略構成図である。 １・・・フォトマスク、２・・・フォトレジスト膜の露
光部、３・・・フォトレジスト膜の未露光部、４・・・
半導体基板、５・・・赤外線照射装置、６・・・赤外線
センサー、α・・・露光光、β・・・赤外線照射光、γ
・・・赤外線反射光。
第２図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ本発明による
赤外線モニター信号の特徴を示すグラフ、第３図は本発
明の第２の実施例を説明する概略構成図である。 １・・・フォトマスク、２・・・フォトレジスト膜の露
光部、３・・・フォトレジスト膜の未露光部、４・・・
半導体基板、５・・・赤外線照射装置、６・・・赤外線
センサー、α・・・露光光、β・・・赤外線照射光、γ
・・・赤外線反射光。
Claims (1)
- 半導体基板上のフォトレジスト膜にレジストパターンを
転写する際、露光と同時にフォトレジスト膜のパターン
線幅測定部に赤外線をスキャンニング照射し、その反射
光により得られるモニター信号にてパターン線幅を算出
し、算出した信号を露光時間にフィードバックすること
を特徴とするレジストパターン線幅制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218978A JPH0382012A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | レジストパターン線幅制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1218978A JPH0382012A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | レジストパターン線幅制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382012A true JPH0382012A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16728349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1218978A Pending JPH0382012A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | レジストパターン線幅制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382012A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5643700A (en) * | 1991-10-31 | 1997-07-01 | Sony Corporation | Photoresist composition and method of exposing photoresist |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP1218978A patent/JPH0382012A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5643700A (en) * | 1991-10-31 | 1997-07-01 | Sony Corporation | Photoresist composition and method of exposing photoresist |
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