JPH0382013A - Control method of positioning of stage - Google Patents

Control method of positioning of stage

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JPH0382013A
JPH0382013A JP1220056A JP22005689A JPH0382013A JP H0382013 A JPH0382013 A JP H0382013A JP 1220056 A JP1220056 A JP 1220056A JP 22005689 A JP22005689 A JP 22005689A JP H0382013 A JPH0382013 A JP H0382013A
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JP
Japan
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stage
attitude
positioning
laser interferometer
mirror
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JP1220056A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroyuki Otsuka
博之 大塚
Kotaro Hosaka
光太郎 保坂
Makoto Higomura
肥後村 誠
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce cost and the burden of a delivery data in the manufacturing process of a stage, and to enable positioning with high accuracy without the constraint of severe environmental conditions by measuring an attitude before and after the positioning of the stage and correcting and controlling an Abbe error generated by the tilt-displacement of the stage on the basis of the variation section of the attitude during that time. CONSTITUTION:The attitude of a mirror 5 for a laser interferometer placed on direct- acting stages 6, 8 through a tilt stage 7 is measured, and a first measured value is acquired. The positioning of the direct-acting stages 6, 8 is controlled by using laser beams applied to the mirror 5 for the laser interferometer at a preceding time, the attitude of the mirror 5 for the laser interferometer is measured again, and a second measured value is obtained. The quantity of the variation of the attitude of the mirror 5 for the laser interferometer is computed on the basis of the first and second measured values at the preceding time, and the tilt stage 7 is controlled on the basis of the quantity of the variation of the attitude at the preceding time in order to correct an Abbe error. When the quantity of the variation of the attitude at the preceding time is kept outside a specified tolerance, the tilt stage 7 is controlled on the basis of the quantity of the variation of the attitude.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はステージ位置決め制御方法、特Cはマスクまた
はレチクルに形成されているパターンを半導体ウェハ上
の各ショットCステップアンドリピートで順は焼付ける
所謂ステッパ茫適用され、半導体ウェハをX、Yの各方
向に移動するXYステージの位置決め制御方法に関する
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to a stage positioning control method, and in particular, a method for controlling stage positioning, in which a pattern formed on a mask or a reticle is printed on a semiconductor wafer in order by step-and-repeat for each shot. The present invention relates to a positioning control method for an XY stage that is applied to a so-called stepper and moves a semiconductor wafer in each of the X and Y directions.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来より、ステッパにおいて半導体ウェハをX、Yの各
方向に移動するXYステージでは、その位置の計測をレ
ーザ光波干渉式測長計(以下、レーザ干渉計)を用いて
行なうのが普通である。
Conventionally, in an XY stage that moves a semiconductor wafer in each of the X and Y directions in a stepper, its position is usually measured using a laser light wave interferometer (hereinafter referred to as a laser interferometer).

レーザ干渉計による測長は、XYステージ上にウェハチ
ャックと一体的にレーザ干渉計用よラーを配置し、この
ミラーでレーザ光を反射させることにより行なわれ、ス
テージ制御装置はレーザ干渉計の測長値に基づいてステ
ージの位置決めを行なってい、る。
Length measurement using a laser interferometer is performed by placing a mirror for the laser interferometer integrally with the wafer chuck on the XY stage and reflecting the laser beam with this mirror.The stage control device controls the measurement of the laser interferometer. The stage is positioned based on the long value.

ところで、このような装置では、レーザ干渉計用ミラー
にレーザ光が当る位置(計測位置)とウェハがウェハチ
ャックに保持されている位置(制御対象位置)の2方向
に関するアツベ長とXYステージのピッチングまたはロ
ーリングの両者が原因となって発生するアツベ誤差のた
めに、XYステージの位置決め精度が低下することがあ
る。従来では、このような精度低下は無視できるような
ものであったり、ステージ構造においてアツベ長をなる
べく小さくして対処していた。
By the way, in such a device, the Atsube length and the pitching of the XY stage are determined in two directions: the position where the laser beam hits the laser interferometer mirror (measurement position) and the position where the wafer is held on the wafer chuck (control target position). Alternatively, the positioning accuracy of the XY stage may deteriorate due to Atsube errors caused by both rolling. Conventionally, such a decrease in accuracy has been negligible, or has been dealt with by reducing the length of the stage structure as much as possible.

(発明が解決しようとしている問題点)しかしながら、
近年のようにステージに極めて高精度な位置決めが要求
されるようになると、従来の方法では充分ではなくなっ
てくる。また、ウェハチャックを多軸ヤ例えばX、Y、
Zの各軸方向並びにx、y、z軸それぞれの軸回り方向
の6方向に移動させるような場合には、アツベ長を短か
くする、X、Y、Zの各ステージの直進精度を向上させ
るというような装置構造側の対処だけでは、以下のよう
な問題が生じる。
(The problem that the invention is trying to solve) However,
In recent years, when stages are required to be positioned with extremely high precision, conventional methods are no longer sufficient. In addition, the wafer chuck can be used with multiple axes, such as X, Y,
When moving in six directions, including the Z-axis direction and the directions around each of the x, y, and z axes, shorten the length and improve the linear accuracy of each stage in the X, Y, and Z axes. If such measures are taken only on the device structure side, the following problems will occur.

(1)高い位置決め精度を得るためには、ステージの直
進精度を向上させるために、各ステージ機構の精度を極
めて高いものにする必要があり、製造工程におけるコス
トおよび納期が増加する。
(1) In order to obtain high positioning accuracy, it is necessary to make each stage mechanism extremely accurate in order to improve the linear movement accuracy of the stage, which increases the cost and delivery time in the manufacturing process.

(2)ステージ周囲の環境条件の制約が極めて厳しくな
る。
(2) Restrictions on the environmental conditions around the stage become extremely strict.

本発明はこのような事情に鑑みなされたものであり、そ
の目的は、極めて高精度なステージ位置決め制御方法及
び装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of these circumstances, and its purpose is to provide an extremely highly accurate stage positioning control method and apparatus.

本発明の他の目的は、ステージ製造工程におけるコスト
及び納期の負担を軽減し、厳しい環境条件の制約なしに
高精度な位置決めを可能とするステージ位置決め制御方
法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a stage positioning control method that reduces costs and delivery times in the stage manufacturing process and enables highly accurate positioning without the constraints of severe environmental conditions.

(問題点を解決するための手段及び作用)上記の目的を
達成するため、本発明に係るステージ位置決め補正制御
方法は、ステージの位置決め前の姿勢と位置決め後の姿
勢とを計測し、この間の姿勢の変動分に基づいてステー
ジのティルト変位によって発生するアツベ誤差を補正制
御することを特徴とする。
(Means and operations for solving the problem) In order to achieve the above object, the stage positioning correction control method according to the present invention measures the posture of the stage before positioning and the posture after positioning, and The present invention is characterized in that the Atsube error caused by the tilt displacement of the stage is corrected and controlled based on the variation of the stage.

また、本発明に係るステージ位置決め補正制御装置は、
ステージ位置決めのための例えばレーザ干渉針等の位置
計測手段と、その計測位置と制御位置の姿勢変位を計測
する例えばポジションセンサ、コリメータ、またはレー
ザ干渉針を用いるティルトセンサ等の姿勢変位計測手段
と、位置決めの前後におけるステージの姿勢の変動分に
基づいてステージのティルト変移によて発生するアツベ
誤差を補正制御する手段とを具備するごとを特徴とする
Further, the stage positioning correction control device according to the present invention includes:
A position measuring means, such as a laser interference needle, for positioning the stage, and an attitude displacement measuring means, such as a position sensor, a collimator, or a tilt sensor using a laser interference needle, for measuring the attitude displacement between the measurement position and the control position. The present invention is characterized by comprising means for correcting and controlling an Atsube error caused by a tilt shift of the stage based on a change in the attitude of the stage before and after positioning.

かかる構成により、ステージ位置計測点におけるピッチ
ング量を知ることができ、そして、位置決め時に発生し
たピッチング変移量を知り、予め定められている制御シ
ーケンスに基づき姿勢を再現させることができる。これ
により、ステージの直進精度の範囲でしか保証されなか
ったアツベ長に起因する位置決め精度を向上させること
ができる。
With this configuration, it is possible to know the amount of pitching at the stage position measurement point, and also the amount of pitching displacement that occurs during positioning, and it is possible to reproduce the posture based on a predetermined control sequence. Thereby, it is possible to improve the positioning accuracy due to the long length, which was guaranteed only within the range of the linear movement accuracy of the stage.

(実施例) 以下、本発明を、マスクもしくはレチクル、に形成され
ているパターンを半導体クエへの各ショットCステップ
アンドリピートで類C焼付ける所謂ステッパにおいて、
半導体クエへをX、Yの各方向に移動するステージに適
用する場合を例に取って説明する。
(Example) The present invention will be described below in a so-called stepper that prints a pattern formed on a mask or reticle by step-and-repeat for each shot on a semiconductor pattern.
An example will be explained in which the semiconductor query is applied to a stage that moves in each of the X and Y directions.

第1〜3図において、lはX軸測長用レーザ干渉計、2
はX軸ピッチング成分(Y軸回りの回転成分)測長用レ
ーザ干渉計、3はY軸測長用のレーザ干渉計、4はY軸
ピッチング成分(X軸回りの回転成分)測長用レーザ干
渉計である。各レーザ干渉計からのレーザ光はレーザ干
渉民主ラー5で反射される。よラー5はレーザ干渉計1
.2からのレーザ光を反射するためのYZ面に実質的に
平行な反射面5ah、レーザ干渉計3゜4からのレーザ
光を反射するためのxZ面に実質的C平行な反射面5b
を有している。干渉計2゜4は第2図に示す如く、X軸
方向に離れた2木のレーザ光をミラー5に照射し、その
各反射光によって得られる計測値から、反射面5aのY
軸回りの回転方向における姿勢と、反射面5bのX軸回
りの回転方向における姿勢を検出する。
In Figures 1 to 3, l is a laser interferometer for X-axis length measurement, and 2
3 is a laser interferometer for length measurement of the X-axis pitching component (rotation component around the Y-axis), 3 is a laser interferometer for Y-axis length measurement, and 4 is a laser for Y-axis pitching component (rotation component around the X-axis) length measurement. It is an interferometer. Laser light from each laser interferometer is reflected by a laser interference mirror 5. Yolar 5 is laser interferometer 1
.. a reflective surface 5ah substantially parallel to the YZ plane for reflecting the laser beam from 2; a reflective surface 5b substantially parallel to the xZ plane for reflecting the laser beam from the laser interferometer 3°4;
have. As shown in FIG. 2, the interferometer 2.4 irradiates the mirror 5 with two laser beams spaced apart in the
The posture in the rotational direction around the axis and the posture of the reflective surface 5b in the rotational direction around the X-axis are detected.

6はXステージ、7はティルトステージ、8はYステー
ジ、18は半導体ウェハ19な保持するウェハチャック
である。Yステージ8はYステージドライブ手段16に
よって不図示のベースに対して、Y軸方向に移動し、X
ステージ6はXステージドライブ手段15によってYス
テージ8に対してX軸方向じ移動する。ティルトステー
ジ7はウェハチャック18をXステージ6に対してX軸
方向に移動する3本のピエゾスタック7a。
6 is an X stage, 7 is a tilt stage, 8 is a Y stage, and 18 is a wafer chuck for holding the semiconductor wafer 19. The Y stage 8 is moved in the Y-axis direction with respect to a base (not shown) by a Y-stage drive means 16, and
The stage 6 is moved in the X-axis direction relative to the Y stage 8 by the X stage drive means 15. The tilt stage 7 includes three piezo stacks 7a that move the wafer chuck 18 in the X-axis direction relative to the X stage 6.

7b、7cから構成されており、各ピエゾスタック78
〜7cは、XY面内でウェハチャック18を中心とした
円周上に等間隔で配置され、その駆動量を異ならせるこ
ヒにより、ウェハチャック18のウェハ保持面をXY面
に対して傾けることを可能にしている。また、ウェハチ
ャック18をX軸方向じ移動する。
7b and 7c, each piezo stack 78
- 7c are arranged at equal intervals on the circumference around the wafer chuck 18 in the XY plane, and the wafer holding surface of the wafer chuck 18 is tilted with respect to the XY plane by means of screws that are driven by different amounts. is possible. Further, the wafer chuck 18 is moved in the X-axis direction.

レーザ干渉用ミラー5はウェハチャック18と一体的に
構成きれており、ティルトステージ7&:よってウェハ
チャツク18ヒ一体的にXステージ6に対して傾(よう
になっている。ティルトステージ7はティルトステージ
ドライブ手段17によって駆動される。各ドライブ手段
15.16゜17はコントローラ30からの指令に基づ
いた制御を行なう、また、コントローラ30は各レーザ
干渉計1.2,3.4の計測値を処理するヒ共に、この
ステージ装置全体を制御する。
The laser interference mirror 5 is integrally constructed with the wafer chuck 18, and the wafer chuck 18 is integrally tilted with respect to the X stage 6.The tilt stage 7 is configured as a tilt stage drive. Each drive means 15, 16, 17 performs control based on commands from a controller 30, and the controller 30 processes the measured values of each laser interferometer 1.2, 3.4. Together, they control this entire stage device.

第3図はおいて、14はX軸方向に関してウェハチャッ
ク18に保持されている半導体ウェハ19の上面ε実質
的に同じ位置であり、実際の制御の対象となる制御対象
点、この制御対象点14ヒレーザ干渉計1からのレーザ
光がミラー5の反射面5aに当っている点の間のX軸方
向の距離がアツベ長9である。12はステージ6.8の
移動開始前のミラー5の姿勢、13はステージ6.8の
位置決め後、ステージ6のピッチング並びにステージ8
のローリングによって発生したティルト変位により変化
したミラー5の姿勢を示している。10はティルト変位
によって発生したX軸方向のアツベ誤差、11はステー
ジ6.8の移動開始前のよラー姿勢12ヒスチーシロ、
8の位置決め後のミラー姿勢13の間のX軸方向の変動
分を示すティルト角である。なお、Y軸方向も同様なの
で、ここでは説明を繰り返さない。
In FIG. 3, reference numeral 14 indicates the upper surface ε of the semiconductor wafer 19 held by the wafer chuck 18 in the X-axis direction, which is substantially the same position, and is the control target point 14 which is the target of actual control. The distance in the X-axis direction between the points where the laser beam from the Hilaser interferometer 1 hits the reflective surface 5a of the mirror 5 is the Atsube length 9. 12 is the posture of the mirror 5 before the stage 6.8 starts moving, and 13 is the pitching of the stage 6 and the stage 8 after positioning the stage 6.8.
It shows the attitude of the mirror 5 that has changed due to the tilt displacement caused by the rolling of the mirror 5. 10 is the Atsube error in the X-axis direction caused by the tilt displacement, 11 is the tilter posture 12 Hischishiro before the start of the movement of stage 6.8,
This is a tilt angle indicating the variation in the X-axis direction between mirror postures 13 after positioning of 8. Note that the same applies to the Y-axis direction, so the explanation will not be repeated here.

ステージ6.8がX、Y方向へ位置決めされる際には、
Xステージ6のピッチングおよびYステージ8のローリ
ング成分(どちらもY@回りの回転成分)により、X軸
方向にアツベ誤差1−0が発生する。また、Y@方向に
関しては、Yステージ8のピッチングおよびXステージ
6のローリング成分(どちらもX軸回りの回転成分)&
:より、同様のアツベ誤差が発生する。このアツベ誤差
10の誤差量は、アツベ長9が既知であるため、X軸方
向の場合はピッチング成分測長用レーザ干渉計2はより
計測される反射面5aのティルト角11ヒアツベ長9と
を乗じることにより求めるこεができる。Y軸方向はつ
いても同様の算定式より得られる。
When stage 6.8 is positioned in the X and Y directions,
Due to the pitching of the X stage 6 and the rolling component of the Y stage 8 (both rotational components around Y@), an Abbe error of 1-0 occurs in the X-axis direction. Regarding the Y@ direction, the pitching component of the Y stage 8 and the rolling component of the X stage 6 (both rotational components around the X axis) &
:A similar Atsube error occurs. Since the Atsube length 9 is known, the error amount of this Atsube error 10 is determined by the pitching component length measurement laser interferometer 2 in the X-axis direction. By multiplying, we can find ε. The same calculation formula can be used for the Y-axis direction.

本実施例においては、第4図のフローチャートに示すよ
うな手順で位置決めの補正制御を行なう。
In this embodiment, positioning correction control is performed in accordance with the procedure shown in the flowchart of FIG.

先ず、ステップS1で、干渉計2(4)によりミラー5
の反射面5a (5b)、即ちウェハチャック18の姿
勢12を計測し、この計測値をステップS2でコントロ
ーラ30内のメモリに記憶する。この後コントローラ3
0は、ステップS3で、X、Yステージドライブ手段1
5.16にX、Yステージ6.8の移動を指令し、X、
 Yステージ6.8の移動を開始させる。ステップS4
では、ウェハチャック18のX、Y位置計測用のレーザ
干渉計1.3の計測値に基づいてX。
First, in step S1, the mirror 5 is detected by the interferometer 2 (4).
The reflecting surface 5a (5b), that is, the posture 12 of the wafer chuck 18 is measured, and this measured value is stored in the memory in the controller 30 in step S2. After this controller 3
0 is the X, Y stage drive means 1 in step S3.
5.16, command the movement of X and Y stages 6.8,
Start the movement of Y stage 6.8. Step S4
Now, X is determined based on the measured values of the laser interferometer 1.3 for measuring the X and Y positions of the wafer chuck 18.

Yステージドライブ手段16.18を制御し、X、Yス
テージ6.8をレーザ干渉計1,3の計測値が指令位置
に対応するように位置決めする。
The Y stage drive means 16.18 is controlled to position the X and Y stages 6.8 so that the measured values of the laser interferometers 1 and 3 correspond to the commanded position.

この後、ステップS5で、ミラー5の反射面5a (5
b)の姿勢13をレーザ干渉計2(4)により再度計測
し、ステップS6で、この姿勢13の計測値とステップ
S2で記憶された姿勢12の計測値から、ステージ6.
8の移動前後の反射面5a (5b)の姿勢変動分であ
るティルト角11を算出する。ステップS7では、この
姿勢変動分(ティルト角)11が所定のトレランス内か
どうか判定し、トレランス内で、干渉計1(3)からの
レーザ光が反射面5a (5b)に当る計測対象点と制
御対象点14の間で発生するティルト誤差が無視できる
種牛さい時は、X、 Yステージ6.8による位置決め
を終了させる。
After this, in step S5, the reflective surface 5a (5
The posture 13 of b) is measured again by the laser interferometer 2 (4), and in step S6, the stage 6.
A tilt angle 11, which is the attitude change of the reflecting surface 5a (5b) before and after the movement of 8, is calculated. In step S7, it is determined whether or not this attitude variation (tilt angle) 11 is within a predetermined tolerance. When the tilt error occurring between the control target points 14 is negligible, positioning by the X and Y stages 6.8 is completed.

一方、姿勢変動分11がトレランス外の場合には、ステ
ップS8に進み、コントローラ30はティルトステージ
ドライブ手段17にティルトステージ7を姿勢変動分1
1−を補正する量だけ駆動するような指令を与える。こ
れにより、ティルトステージドライブ手段17はティル
トステージ7によってウェハチャック18とミラー5を
一体的にテイルテイングさせ、ミラー5を姿勢13から
姿勢12に戻す、このテイルテイングにより、レーザ干
渉計1(3)の計測値が変化することが考えられるので
、この後、コントローラ30は、ステップS9で、干渉
計1(3)の計測値の指令位置に対する変化分(ズレ)
を算出し、このズした分だけX、Yステージ6.8の位
置を再調整するためにステップ1に戻る。この後、前述
と同様な動作を繰り返して、ステップS7の判定がYE
Sとなったところで、X、Yステージ6.8の位置決め
を終了する。
On the other hand, if the attitude variation 11 is outside the tolerance, the process proceeds to step S8, and the controller 30 causes the tilt stage drive means 17 to move the tilt stage 7 by the attitude variation 1.
A command is given to drive by an amount that corrects 1-. As a result, the tilt stage drive means 17 causes the tilt stage 7 to taile the wafer chuck 18 and the mirror 5 integrally, returning the mirror 5 from the posture 13 to the posture 12. By this tailing, the laser interferometer 1 (3) Since the measured value of the interferometer 1 (3) may change, the controller 30 then calculates the change (deviation) in the measured value of the interferometer 1 (3) with respect to the command position in step S9.
is calculated, and the process returns to step 1 to readjust the position of the X and Y stages 6.8 by this amount. After that, the same operation as described above is repeated, and the determination in step S7 is YES.
When the position reaches S, the positioning of the X and Y stages 6.8 is completed.

なお、上述の実施例では、ミラー5の姿勢変動なレーザ
干渉計2.4により計測しているが、これは例えばミラ
ー5と一体的に変位する位置にポジションセンサを設け
、これにより入射するレーザ光の位置の変化を検出して
姿勢の変動を検出しても良いし、周知のコリメータを用
いて検出するようにしても良い。
In the above-mentioned embodiment, the attitude of the mirror 5 is measured by the laser interferometer 2.4, but this is achieved by, for example, providing a position sensor at a position that is integrally displaced with the mirror 5, thereby detecting the incident laser beam. Changes in posture may be detected by detecting changes in the position of the light, or may be detected using a known collimator.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明によれば、位置決め前後の
ステージの姿勢変動分に基づいてアツベ長からくるアツ
ベ誤差を補正しているので、求められているステージの
精度の仕様を満足する位置決め装置を製造する製造工程
におけるコストおよび納期等の負担を軽減し、厳しい環
境条件の制約なしに高精度の位置決めを実現することが
できる。
(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, since the Atsube error caused by the Atsube length is corrected based on the attitude fluctuation of the stage before and after positioning, the required stage accuracy specifications It is possible to reduce burdens such as costs and delivery times in the manufacturing process of manufacturing a positioning device that satisfies the above requirements, and to realize highly accurate positioning without the constraints of severe environmental conditions.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の一実施例に係るステージ位置決め装
置であってピッチング成分測長用レーザ干渉針を用いた
ものの概略構成を示す平面図、第2図は、第1図装置の
側面図であってピッチング成分測長用レーザ干渉計の配
置を中心に表わした側面図、 iE3図は、本発明の特徴を最もよく表わす原理図であ
って、ステージ位置決めにおいてアツベ誤差の発生した
レーザ測長用ミラ一部のみを表わした図、 第4図は、本実施例の装置の制御シーケンスを示すフロ
ーチャートである。 1−X軸測長用レーザ干渉計、2−X軸ピッチング成分
測長用レーザ干渉計、3・・・Y軸測長用レーザ干渉計
、4・・・Y軸ピッチング成分測長用レーザ干渉、計、
5・・・くラー 6・・・Xステージ、7・◆・ティル
トステージ、8・・・Yステージ、15・・・Xステー
ジドライブ手段、16・・・Yステージドライブ手段、
18・・・ウェハチャック、19・・・ウニ八、30・
・・コントローラ % 1 図 第 図 第 図
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a stage positioning device according to an embodiment of the present invention using a laser interference needle for pitching component length measurement, and FIG. 2 is a side view of the device shown in FIG. 1. Figure iE3 is a side view mainly showing the arrangement of the laser interferometer for pitching component length measurement. FIG. 4 is a flowchart showing the control sequence of the apparatus of this embodiment. 1-Laser interferometer for X-axis length measurement, 2-Laser interferometer for X-axis pitching component length measurement, 3...Laser interferometer for Y-axis length measurement, 4...Laser interferometer for Y-axis pitching component length measurement , total,
5... Cler 6... X stage, 7... Tilt stage, 8... Y stage, 15... X stage drive means, 16... Y stage drive means,
18... Wafer chuck, 19... Sea urchin eight, 30.
... Controller% 1 Figure Figure Figure

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)直動ステージ上にテールインクステージを介して
載置されているレーザ干渉計用ミラーの姿勢を計測し第
1計測値を得るステップと、上記レーザ干渉計用ミラー
に照射されたレーザ光を用いて上記直動ステージの位置
決め制御を行なうステップと、上記直動ステージの位置
決め後、上記レーザー干渉計用ミラーの姿勢を再度計測
し第2計測値を得るステップと、上記第1及び第2計測
値に基づいてレーザ干渉計用ミラーの姿勢変動量を算出
するステップと、アツベ誤差を補正するために上記姿勢
変動量に基づいて上記テイルイングステージを制御する
ステップを有することを特徴とするステージ位置決め制
御方法。
(1) A step of measuring the attitude of a laser interferometer mirror placed on a linear motion stage via a tail ink stage to obtain a first measurement value, and a laser beam irradiated to the laser interferometer mirror. controlling the positioning of the linear motion stage using the linear motion stage; after positioning the linear motion stage, measuring the attitude of the laser interferometer mirror again to obtain a second measurement value; A stage characterized by comprising the steps of: calculating an amount of attitude variation of a mirror for a laser interferometer based on a measured value; and controlling the tailing stage based on the amount of attitude variation in order to correct an Atsube error. Positioning control method.
(2)上記姿勢変動量が所定のトレランス外の時、上記
姿勢変動量に基づいて上記テイルイングステージを制御
する請求項1に記載のステージ位置決め制御方法。
(2) The stage positioning control method according to claim 1, wherein when the amount of attitude variation is outside a predetermined tolerance, the tailing stage is controlled based on the amount of attitude variation.
(3)上記姿勢変動量に基づいて上記テイルイングステ
ージを制御した際には、上記レーザ干渉計用ミラーに照
射されたレーザ光を用いた上記直動ステージの位置決め
制御を再度行なう請求項2に記載のステージ位置決め制
御方法。
(3) When the tailing stage is controlled based on the amount of attitude variation, positioning control of the linear motion stage is performed again using a laser beam irradiated to the laser interferometer mirror. The stage positioning control method described.
JP1220056A 1989-08-24 1989-08-24 Control method of positioning of stage Pending JPH0382013A (en)

Priority Applications (1)

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