JPH0383854A - 誘電体磁器およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、たとえばセラミックコンデンサとして用いら
れる誘電体磁器およびその製造方法に関する。

従来の技術 近年、セラミックコンデンサは小型化、大容量化の市場
ニーズに応じて積層タイプの要望が著しくなっている。

この積層セラミックコンデンサの製造方法としては、誘
電体グリーンシート上に電極を印刷し、これを積み重ね
て焼成する方法が最も一般的である。また、誘電体材料
としては、チタン酸バリウム（Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏａ）
を主成分とする材料が用いられるため、電極材料として
は大気中での高温焼成に耐え得るパラジウム（Ｐｄ）が
適している。しかし、パラジウムは高価であるため、積
層セラミックコンデンサの大容量化を図るために高積層
化を進めるにともなって、電極としてのパラジウムの使
用量が増え製造コストが増加することになる。

そこで、パラジウムに代えて、より安価な銀（Ａｇ）、
ニッケル（Ｎｉ）、鋼（Ｃｕ）などを電極材料に用いる
ことにより、材料コストを削減することが試みられてい
る。ところで、これらの電極材料は、融点がパラジウム
に比べて低く、またニッケルや銅は空気中で酸化される
ため、従来のチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材
料と同時に焼成することはできない。このため、低温焼
結が可能な、あるいはニッケルや銅を電極材料とする場
合には耐還元性にも優れた、誘電体材料の開発が盛んに
進められている。たとえば、銀あるいは銀−パラジウム
合金の電極に対応した電極材料として、Ｐ　ｂ　（Ｆ　
ｅ＠ｔａＷｚｙｓ’）　０３−　Ｐ　１）（Ｆ　ｅ、ｚ
、Ｎ　ｂｉｚ＊）　０３−　Ｐ　ｂ　（Ｚ　ｎ、、、Ｎ
ｂａｒｓ＞ＯＳ（米沢正智他：粉体および粉末冶金、３
１（７）２２３　（１９８４）　）　、Ｐ　ｂ　（Ｆ　
ｅ１ｚ＊Ｎ　ｂｔ、ａ）　ＯｓＢ　ａ　（ＣｕｌｚｌＷ
ｉｚａ）　Ｏｓ　（原田光雄他：信学技報ＣＰＭ８４−
６５　（１９８４））　、　Ｐ　ｂ　（Ｍ　ｇｌ、３Ｎ
　ｂ２，３）Ｏｓ　　Ｐ　ｂ　Ｔ　ｉＯｓ　（特開昭５
５−６００６９号公報〕、ニッケル電極用誘電体材料と
して、（Ｂａ、ｃａ）（Ｔｉ、Ｚｒ）０３（Ｙ、５ａｋ
ａｂｅ　　ａｔａｊＬｐ　Ｊ、ＡｐｐｊＬ、Ｐｈｙｓ、
２０（Ｓｕｐｐｊ２．。

（２０−４）　１４７　（１９８１）　）　、Ｌ　ｘａ
ｏ　　Ｓ　ｘ　Ｏ□（Ｂａｏ、Ｃａｂ、Ｓ　ｒｏ）系ガ
ラスを添加した（Ｂａ、Ｃａ、５ｒ）（Ｔｉｅ　Ｚｒ）
Ｏａ　（特開昭５９−１３８００３号公報）、銅電極用
誘電体材料として、（Ｐ　ｂ　ｅ　Ｃａ）　−（Ｍｇｚ
／ａＮ　ｂａｚａ）　　Ｔ　１−（Ｎｉ□／２Ｗ１７２
）−〇系〔加藤純−他：第６回強誘電体応用会議予稿１
０６　（１９８７）　）などが開発されている。これら
の材料については、誘電率は大きいものの、その温度依
存性が大きいために応用範囲が限られてしまうという問
題点がある。

上述の材料に対して、誘電率の温度依存性や各種信頼性
の点で優位性のある現行のチタン酸バリウムを主成分と
する誘電体材料を低温焼結化する試みもなされている。

たとえば、チタン酸バリウムに０゜２５〜１．００重量
％の弗化リチウムを添加することにより、チタン酸バリ
ウムを７５０〜１２５０℃で焼結することが可能となる
ため、これを利用して電極にＡｇ−Ｐｄ合金を用いた積
層セラミックコンデンサが米国特許第４０８２９０６号
明細書に開示されている。また、チタン酸バリウムに弗
化リチウムを添加して低温焼結化を図ることは、上記米
国特許より以前に学会誌に発表されている（Ｅ。

Ｂａ５ｉｊＬ　　ｅｔ　　ａＪＩＬ、：Ｃｅｒａｍ、Ｂ
ｕＡＡ。

５５　（３）　２７４　（１９７６）　）。その後、チ
タン酸バリウムの組成比（Ｔｉ／Ｂａ）が１より小さい
、すなわちバリウム過剰のチタン酸バリウムを用い、こ
れに１．５〜１０．０重量％の弗化リチウムを添加する
ことにより低温焼結化が促進されることが見出され、こ
れを用いた積層セラミックコンデンサも提案されている
〔特開昭５７−１６０９６３号報〕、また、最近でもチ
タン酸バリウムに弗化リチウムを添加した誘電体、材料
については論文が発表され、焼結機構や電気特性などが
報告されている（Ｊ、Ｍ。

Ｈａｕｓｓｏｎｎｅ、ａｔ　　ａｕ、：Ｊ、Ａｍ。

Ｃｅ　ｒ　ａｍ、　Ｓ　ｏ　ｃ、　６６　（１１）　８
０１　（１９８３）　）。

さらに、弗化リチウムに代えてＢ　ａ　Ｌ　ｉ　Ｆ３を
添加する方がより効果的であることも報告されている（
Ｇ、Ｄｓｓｇａｒｄｉｎ　　ａｔ　　ａ、Ｑ、、：Ａｍ
、Ｃｅ　ｒａｍ、Ｓｏｃ、ＢｕｊＬＡ、６４　（４）５
６４　（１９８５））　。

発明が解決しようとする課題 上述のチタン酸バリウムに弗化リチウムを添加した誘電
体材料は、いずれも次のような実用上の問題点を有して
いる。すなわち、第Ｉに、添加した弗化リチウムが焼成
中に飛散し、これによって焼成用のさや（厘鉢）、炉壁
、発熱体などが侵される点である。第２に、コンデンサ
として用いた場合に、信頼性、特に式中負荷寿命が著し
く低下する点である。第３に、同じくコンデンサとして
用いた場合、静電容量温度変化率がＪＩＳ規格＋３０〜
−８０％を満足し得ないものであった。

本発明は、上記のような問題点に鑑み、チタン酸バリウ
ムに弗化リチウムを添加した低温焼結誘電体磁器に関し
て、製造上の安定性とコンデンサとしての信頼性に優れ
、しかも静電容量温度変化率がＪＩＳ規格を満足する誘
電体磁器およびその製造方法を提供しようとするもので
ある。

課題を解決するための手段 上記のような問題点を解決するために本発明は、チタン
（Ｔｉ）とバリウム（Ｂａ）の比が０．９５０≦Ｔ　ｉ
　／　Ｂａ≦０．９９９となるように過剰のバリウムを
含有し、さらにリチウム（Ｌｉ）と弗素（Ｆ）を合計で
０．０３〜０．４０重皿％、錫酸マグネシウム（Ｍ　ｇ
　Ｓ　ｎ　Ｏ３）および二酸化セリウム（Ｃｅ　Ｏ３）
の少なくとも１種をそれぞれ０．１〜５．０重量％、ケ
イ素（Ｓｉ）を二酸化ケイ素（Ｓ　ｉ　Ｏ２）に換算し
た値で０．５重量％以下（ただし、Ｏは含まず）、マン
ガン（Ｍｎ）を二酸化マンガン（ＭｎＯ２）に換算した
値で１．０重量％以下（ただし、Ｏは含まず）含有した
チタン酸バリウム（ＢａＴｉ○、）を主成分とする磁器
であって、この磁器に含有される水溶性成分が０．０５
重量％以下（ただし、０は含まず）を満足する誘電体磁
器を提案するものである。

また、本発明は、平均粒径が００５μｍ以下のチタン酸
バリウム粉末を原料として、０．９５０≦Ｔｉ／　Ｂ　
ａ≦０．９９９となるようにバリウム化合物を添加し、
さらに０．０５〜０．４８重量％の弗化リチウム（Ｌｉ
Ｆ）を添加し、さらに、錫酸マグネシウム（Ｍ　ｇ　、
Ｓ　ｎ　Ｏ３）および二酸化セリウム（ＣｅＯ２）のう
ち、少なくとも１種をそれぞれ０．１〜５．０重量％、
ケイ素（Ｓｉ）を二酸化ケイ素（Ｓｉｏｗ）に換算した
値で０．５重量％以下（ただし、Ｏは含まず）、マンガ
ン（Ｍｎ）を二酸化マンガン（ＭｎＯ２）に換算した値
で１．０重量％以下添加して、９００〜１２００℃の温
度範囲で焼成し、磁器に含まれる水溶性成分が０．０５
重量％以下（ただし、Ｏは含まず）とする誘電体磁器の
製造方法を提案するものである。

上記の誘電体磁器およびその製造方法を提案するに至っ
た理由は、下記の通りである。すなわち、上記問題点の
中で、焼成工程での弗化リチウムの飛散に関する問題点
を解決するには、弗化リチウムの添加量を低減する必要
がある。また、コンデンサとしての信頼性の低下につい
て、その原因を調べた結果、磁器中のバリウム、リチウ
ムおよび弗素を含む水溶性成分の含有量と信頼性との間
には明確な相関関係があり、信頼性向上のためにはこの
水溶性成分を低減することが重要であることを見出した
。したがって、コンデンサとしての信頼性の問題を解決
するためには、上述の焼成工程での問題と同様に、弗化
リチウムの添加量の低減を図る必要がある。しかしなが
ら、チタン酸バリウムに対する弗化リチウムの添加量は
焼結温度と密接に関係しており、低温焼結化のためには
、ある程度以上の弗化リチウムを添加しなければならな
い、実際に、上述した各従来技術では、いずれも１重量
％以上の弗化リチウムが添加されている。

しかし、この場合には、焼結中にリチウムや弗素を含む
水溶性成分が含有され、上述したように信頼性上の問題
が発生することとなる。本発明者などは、研究の結果、
チタン酸バリウムの原料粒径を微細化して０．５μｍ以
下の原料を用いることにより、弗化リチウムの添加量を
低減しても低温焼結が可能であることを見い出した。さ
らに研究の結果、静電容量温度変化率がＪＩＳ規格の＋
３０％〜−８０％を満足するために、錫酸マグネシウム
、二酸化セリウム、ケイ素、マンガンを添加することが
最適であることを見い出した。本発明は、かかる発見に
基づいてなされたものである。

作用 上記の構成によると、弗化リチウムの添加量が微量であ
ることから、従来問題となっていた焼成中の弗化リチウ
ムの飛散による焼成用さや、炉壁、発熱体の侵食を抑制
でき、焼結後の素体中に含まれる水溶性成分が低減され
たことによって、コンデンサとしての信頼性が改善され
ることとなる。

さらに、錫酸マグネシウム、二酸化セリウムをシフター
として用いたことにより、その複合効果により静電容量
温度変化率がＪＩＳ規格を満足し、かつ誘電率を高くす
ることができる。さらに、ケイ素を添加することにより
、焼結性が向上して焼結体が緻密になり、またマンガン
を添加することにより、絶縁抵抗およびｔａｎδが改善
される１以上により、信頼性が高（、かつ静電容量温度
変化率がＪＩＳ規格を満足する優れたコンデンサが得ら
れる。

実施例 以下、本発明の詳細な説明する。

第１実施例 まず、ｌ［微量による平均粒径が０．４μｍのチタン酸
バリウム（Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３）にＢａＣ０，とＬｉ
Ｆとを所定量、ＭｇＯとＳｎＯ，とをＭｇ５ｎＯ，の形
で所定量、ＣａＯ２，、ＳｉＯ，およびＭｎＯ，を所定
量添加して、乳鉢で混合する。

次に、この混合粉に５％ＰＶＡ　（ポリビニールアルコ
ール）を５重量％添加して造粒し、金型を用いて１５■
（φ）×１−（τ）の円板状に成形した。

次に、この成形体を１１００℃で２時間焼成して焼結体
を作製し、収縮率を測定した。さらに、この焼結体を乳
鉢で粉砕した後、純水中で１０分間煮沸し、水溶液中に
溶出したＬｉ、Ｆ、Ｂａを定量分析した。これらの測定
結果を第１表に示す。

く以下余白〉 次に、上記組成の混合粉を用いて、バインダ、可塑剤お
よび溶剤を加えてボールミルで混合し、得られたスラリ
ーをリバースロール法により４０μｍ厚みのシート状に
成形した。この誘電体シー１−上にパラジウム（Ｐｄ）
電極ペーストを印刷し、既報の文献（「積層セラミック
コンデンサ」内海和明：セラミックス１８　（１０）。

８４６　（１９８３）　）に記載された周知の技術によ
り、誘電体厚み２８μｍ、積層数５層の積層セラミック
コンデンサを作製した。そして、このコンデンサを８５
℃８５％ＲＨの高温高温中に保持し、５０ｖの直流電圧
を５００時間印加して室温での容量値の経時変化を調べ
た。この結果を第１表に併せて示す。

第１表より、ＬｉＦ添加量が０．０５重量％でも大きな
収縮を示し、焼結が進行することがわかる。

この第１表より、焼結体中の水溶性成分はＬｉＦの添加
量とともに増加しているのがわかる。また、コンデンサ
としての混生に負荷寿命は水溶性成分が多くなるにした
がって低下している。

ところで、ＬｉＦを０．４８重量％より多く添加した場
合、焼結体中に含まれる水溶性成分が多くなり、コンデ
ンサ材料として混生負荷寿命の点で問題が発生する。こ
こで、第１表の結果から、実用材料としては少なくとも
上記水溶性成分を０．０５重量％以下に抑制する必要が
あり、このためにはＬｉＦの添加量は０．４８重量％以
下にしなければならない。一方、焼結性促進のためには
、上述したようにＬｉＦ添加量を０．０５重量％以上に
する必要がある。したがって、Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ３に
対するＬｉＦの添加量としては０．０５〜０．４８重量
％、焼結体中に残存するＬｉとＦの合計量としては０．
０３〜０゜４重量％の範囲にあることが必要条件であり
、さらに焼結性と信頼性の両面から考えて、ＬｉＦの添
加量としては、０．１０〜０．２５重量％、焼結体中に
残存するＬｉとＦの合計量としては、０．０６〜０．２
０重量％の範囲が好ましいことがわかる。

なお、１．０重量％以上のＬｉＦを添加した場合は、い
ずれもＬｉＦによる焼成用さやの侵食が観察されたが、
ＬｉＦの添加量が０．０５〜０．４８重量％の範囲では
、侵食の形跡は全く見られなかった。

次に、Ｂ　ａ　Ｔ　ｉＯａに対するＢａＣ０，添加量、
言い変えればＴｉ／Ｂａについては、Ｔ　ｉ　／　Ｂ　
ａが１．００より少しでも小さくなると焼結性が向上す
る。しかし、Ｔｉ／Ｂａが小さくなるにつれて焼結体中
の水溶性成分中にＢａが含まれるようになり、Ｔ　ｉ　
／　Ｂ　ａの減少とともにＢａ含有水溶性成分が増加し
、混生負荷寿命が低下する。したがって、実用材料とし
て使用可能なＴ　ｉ　／　Ｂ　ａの範囲は、０．９５０
≦Ｔ　ｉ　／　Ｂ　ａ≦０．９９９である。

第２実施例 まず、顕微鏡による平均粒径が０．４μｍのＢ　ａ　Ｔ
　ｉ　Ｏ，に、Ｔｉ／Ｂａが０．９９０となるようにＢ
ａＣ０ａを加え、さらに所定量のＬｉＦを、ＭｇＯとＳ
ｎＯ２とをＭｇ５ｎＯ，の形で１．６４重量％、Ｃｅ　
Ｏ，を１．１１重量％、Ｓｉｎ、を０．０６重量％。

ＭｎＯｓを０．１重量添加して、第１実施例と同様の方
法で混合、造粒、成形を行った。

次に、この成形体を８００〜１３００℃の温度で焼成し
、第１実施例と同様に収縮率および水溶性成分を測定し
た。第１図は、ＬｉＦ添加量と収縮率との関係を焼成温
度ごとにまとめたものである。この第１図により、Ｌｉ
Ｆ添加量が０．０５重量％以上、焼成温度が９００℃以
上で収縮が急速に進行することがわかる。また、　１３
００℃の焼成では、ＬｉＦを添加しなくても焼結は進行
しており、焼結促進のためにＬｉＦを添加する必要性は
なくなってしまう。第２表は、水溶性成分の測定結果を
まとめたものである。

く以下余白〉 第 表 この第２表により、水溶性成分が焼成温度の低下および
ＬｉＦの添加量とともに増加していることがわかる。こ
こで、コンデンサとして実用に供するためには、上記第
１実施例の結果より、素体中の水溶性成分は０．０５重
量％以下に抑える必要があり、したがってＬｉＦの添加
量としては０．４８重量％以下に抑えなければならない
。

また、ＬｉＦによる焼成用さやとの反応については、２
重量％以下のＬｉＦを添加して１０００℃以上の温度で
焼成した場合に、さやの侵食が認められたが、ＬｉＦ添
加量が０．４８重量％以下では侵食の形跡は全く認めら
れなかった。

第３実施例 まず、顕微鏡による平均粒径が異なる数種のＢ　ａ　Ｔ
　ｉ　０３ＪＪＦ［料を用いて、これにＴ　ｉ　／　Ｂ
　ａ　＝０．９９０となるようにＢａＣ０，を添加し、
さらにＬｉＦをＯ６°３重量％、ＭｇＯとＳｎＯ，とを
Ｍｇ５ｎＯｓの形で１．６４重量％、ＣｅＯ，を１．１
１重量％、Ｓ　ｉ　Ｏ，を０．５０重量％、ＭｎＯ，を
０．１重量％添加して、上記第１実施例と同様の方法で
混合、造粒、成形を行い、８００〜１３００℃で焼成し
、収縮率を測定した。この測定結果を第２図に示す。第
２図より、平均粒径が１μｍ以上のＢａＴｉ○。

原料を用いた場合は、ＬｉＦの添加量を増やしても１２
００℃より高温で焼成しないと十分に焼結しないのに対
して、平均粒径が０．５μｍ以下になると急速に焼結が
進み、９００℃の低温でも十分に焼結することがわかる
。しかも、８００℃以下では微細原料を用いても焼結は
進まない。したがって、ＢａＴｉ０．の緻密な焼結体を
得るには、Ｂ　ａ　Ｔ　ｘ　０５１Ｍ料として平均粒径
が０．５μｍ以下の微細原料を用いて９００℃以上で焼
成することが必要である。

なお、上記第３実施例では８００℃〜１２００℃の温度
範囲の焼成を酸化性雰囲気で行ったが、非酸化性雰囲気
たとえば酸素分圧が１０″１〜１０−！＠気圧で行って
も同様の効果が得られる。

第４実施例 まず、顕微鏡による平均粒径が０．４μｍのＢａ　Ｔ　
ｉ　Ｏ，に、０．３重量％のＬｉＦを添加し、さらに所
定量のＢａＣＯ３，所定量のＭｇＯとＳｎＯ，とをＭｇ
ＳｎＯ３の形で、所定量のＣｅＯ２およびＭｎＯ，を添
加して、第１実施例と同様の方法で混合、造粒、成形を
行い、１１５０℃、酸素分圧１０°Ｓ〜１０４０気圧で
２時間焼成した。この結果を第３表に示す。

く以下余白〉 この第３表によると、試料＆１〜８から、ＭｇＯが０．
１７重量％より小さく、ＳｎＯ，が０．６５重量％より
小さいときは、比誘電率温度変化率がＪＩＳ規格規格＋
３御 ＭｇＯの範囲は０．３５重量％以上で０．８７重量％以
下が、またＳｎＯ，の範囲は１．２９重量％以上で３．
２３重量％以下が望ましいのがわかる。同様に、試料Ｎ
ａ９　〜１３から、Ｔ　ｉ　／　Ｂ　ａの範囲は０．９
５０以上で０、９８０以下が望ましいのがわかる．試料
＆１４〜２４からＣｅＯ□の範囲は、０。１重量％以上
で１．４８重量％以下が望ましいのがわかる．試料Ｎ１
１Ｌ２５〜３４から、Ｓ　ｉ　Ｏ，の範囲は０．５重量
％以下が望ましいのがわかる．試料Ｎ１１２６，　２７
および恥３５〜４１から、ＭｎＯ，の範囲は０．５０重
量％以下（ただし、Ｏは含まず）が望ましいのがわかる
。試料＆１〜５および４２〜４６から、焼成雰囲気が非
酸化性、酸化性にかかわらず、はぼ同じ結果が得られる
ことがわかる。

なお、上記各実施例では、Ｂａ過剰の Ｂ　ａ　Ｔ　ｉ　Ｏ，を作製するにあたって、ＢａＣ０
□を用いたが、酸化物や水酸化物などのＢａを含むその
他の化合物を用いても、またＭｎＯ，の代りにＭｎＣ０
，などのＭｎを含む他の化合物を用いても同様の効果が
得られることは言うまでもない。

また、コンデンサとしての特性を向上させるための化合
物として，ニッケル（Ｎｉ）、カルシウム（Ｃａ）など
の化合物を微量添加した場合でも同様の効果が得られる
。

発明の効果 以上のように本発明の構成によれば、バリウム過剰のチ
タン酸バリウムに添加する弗化リチウムの添加量を０．
０５〜０．４８重量％の範囲に抑え、また誘電体磁器内
部に含まれる水溶性成分を０．０５重量％以下にするこ
とにより、焼成中の弗化リチウムの飛散による焼成用さ
やの侵食を防止することができ、コンデンサとしての信
頼性の向上を図ることができる．また、上記誘電体磁器
の作製にあたって、チタン酸バリウム原料に関して、平
均粒径が０．５μｍ以下の原料粉末とすることにより、
９００〜１２００℃の低温焼成で緻密な焼結体を作製す
ることができる．さらに、錫酸マグネシウム、二酸化セ
リウムをシフターとして用いたので，静電容量変化率が
ＪＩＳ規格の＋３０％〜−８０％を満足するコンデンサ
を得ることができる。

すなわち、本発明は、パラジウムより融点の低いＮｉ，
Ｃｕ．Ａｇなどの金属を電極材料に用いた安価で信頼性
に優れた積層セラミックコンデンサを安定して作製する
ことを可能ならしめるものであり、実用上の利用価値は
極めて高いものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第２実施例におけるＬｉＦ添加量と収
縮率との関係を示す特性図、第２図は本発明の第３実施
例におけるＢａＴｉ０，原料の顕微鏡による平均粒径と
収縮率との関係を示す特性図である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. １．チタン（Ｔｉ）とバリウム（Ｂａ）の比が０．９５
   ０≦Ｔｉ／Ｂａ≦０．９９９となるように過剰のバリウ
   ムを含有し、さらにリチウム（Ｌｉ）と弗素（Ｆ）とを
   合計で０．０３〜０．４０重量％、錫酸マグネシウム（
   ＭｇＳｎＯ＿３）および二酸化セリウム（ＣｅＯ＿２）
   のうち少なくとも１種をそれぞれ０．１〜５．０重量％
   、ケイ素（Ｓｉ）を二酸化ケイ素（ＳｉＯ＿２）に換算
   した値で０．５重量％以下（ただし、０は含まず）、マ
   ンガン（Ｍｎ）を二酸化マンガン （ＭｎＯ＿２）に換算した値で１．０重量％以下（ただ
   し、０は含まず）の範囲内で含有するチタン酸バリウム
   （ＢａＴｉＯ＿３）を主成分とする磁器であって、この
   磁器に含有される水溶性成分が０．０５重量％以下（た
   だし、０は含まず）である誘電体磁器。
2. ２．平均粒径が０．５μｍ以下のチタン酸バリウム粉末
   を原料として、０．９５０≦Ｔｉ／Ｂａ≦０．９９９と
   なるようにバリウム化合物を添加し、さらに０．０５〜
   ０．４８重量％の弗化リチウム（ＬｉＦ）を添加し、さ
   らに錫酸マグネシウム（ＭｇＳｎＯ＿３）および二酸化
   セリウム（ＣｅＯ＿２）のうち少なくとも１種をそれぞ
   れ０．１〜５．０重量％、ケイ素（Ｓｉ）を二酸化ケイ
   素（ＳｉＯ＿２）に換算した値で０．５重量％以下（た
   だし、０は含まず）、マンガン （Ｍｎ）を二酸化マンガン（ＭｎＯ＿２）に換算した値
   で１．０重量％以下（ただし、０は含まず）の範囲で添
   加して、９００〜１２００℃の温度範囲で焼成し、磁器
   に含まれる水溶性成分が０．０５重量％以下（ただし、
   ０は含まず）となるようにする誘電体磁器の製造方法。