JPH0384941A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0384941A JPH0384941A JP1222156A JP22215689A JPH0384941A JP H0384941 A JPH0384941 A JP H0384941A JP 1222156 A JP1222156 A JP 1222156A JP 22215689 A JP22215689 A JP 22215689A JP H0384941 A JPH0384941 A JP H0384941A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- lead
- lead frame
- wire
- tip
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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- H10W72/07178—Means for aligning
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/07521—Aligning
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体チップを装着したリードフレームへのワイヤボン
ディング方法に関し、 ボンディングワイヤのリードプレームへの圧着接合を信
頼性よく行うことを目的とし、リードフレームの中央に
設けてあるステージ（２）に半導体チップ（１）を接着
した後、ワイヤボンダを用いて、前記リードフレームの
リード（４）の先端と半導体チップ（１）のパッドとを
それぞれワイヤボンディング接続を行うに当たり、前記
ワイヤボンダのリードフレームクランパ（５）が当接す
る位置のボンディング用加工台（３）の表面に、傾斜土
手部（８）、溝部（９）または針状突起部００）を設け
て圧着接合することを特徴として半導体装置の製造方法
を構成する。
ディング方法に関し、 ボンディングワイヤのリードプレームへの圧着接合を信
頼性よく行うことを目的とし、リードフレームの中央に
設けてあるステージ（２）に半導体チップ（１）を接着
した後、ワイヤボンダを用いて、前記リードフレームの
リード（４）の先端と半導体チップ（１）のパッドとを
それぞれワイヤボンディング接続を行うに当たり、前記
ワイヤボンダのリードフレームクランパ（５）が当接す
る位置のボンディング用加工台（３）の表面に、傾斜土
手部（８）、溝部（９）または針状突起部００）を設け
て圧着接合することを特徴として半導体装置の製造方法
を構成する。
本発明はワイヤボンディング法を改良した半導体装置の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
ＬＳＩやＶＬＳＴなどの半導体装置は、素子形成が終わ
った半導体チップを鉄・ニッケル合金或いは銅合金から
なる薄板を打ち抜き加工して作られるリードフレームの
中央部にあるステージに接着し、リードフレームのリー
ドの先端と半導体チップの周辺部に設けてあるパッドと
をそれぞれワイヤボンディング接続した後、樹脂モール
ドなどの外装手段を施すことによって形成されている。
った半導体チップを鉄・ニッケル合金或いは銅合金から
なる薄板を打ち抜き加工して作られるリードフレームの
中央部にあるステージに接着し、リードフレームのリー
ドの先端と半導体チップの周辺部に設けてあるパッドと
をそれぞれワイヤボンディング接続した後、樹脂モール
ドなどの外装手段を施すことによって形成されている。
こ＼で、半導体チップはこれを構成する素子数の増加に
比例して、半導体チップの周辺にパターン形成されてい
るポンディングパッドの数が増しており、従ってリード
フレームに設けられているリードの数も多くなっている
。
比例して、半導体チップの周辺にパターン形成されてい
るポンディングパッドの数が増しており、従ってリード
フレームに設けられているリードの数も多くなっている
。
このことは素子数が増大するに従ってリードフレームを
構成するリードの幅が狭くなってゆくことを示しており
、現在は低コスト化の要求もあって、リードフレームの
厚みは１５０μｍ程度と薄く、またリード幅は１００〜
２００μｍと狭くなってきている。
構成するリードの幅が狭くなってゆくことを示しており
、現在は低コスト化の要求もあって、リードフレームの
厚みは１５０μｍ程度と薄く、またリード幅は１００〜
２００μｍと狭くなってきている。
そして、ワイヤボンダを用いて半導体チップの周辺に設
けてあるパッドとリードの先端をワイヤボンディングす
ることにより電気的接続が行われているが、先に記した
ようにリードフレームの厚さは薄く、またリードの幅が
狭いために、ワイヤの圧着接合は困難になってきている
。
けてあるパッドとリードの先端をワイヤボンディングす
ることにより電気的接続が行われているが、先に記した
ようにリードフレームの厚さは薄く、またリードの幅が
狭いために、ワイヤの圧着接合は困難になってきている
。
第２図は従来のワイヤボンディング方法を示す断面図で
あって、半導体チップ１をリードフレームのステージ２
に共晶半田などを用いて接着した後、このリードフレー
ムをワイヤボンダのボンディング加工用台３に位置決め
してワイヤボンディングを行う状態を示す部分断面図で
ある。
あって、半導体チップ１をリードフレームのステージ２
に共晶半田などを用いて接着した後、このリードフレー
ムをワイヤボンダのボンディング加工用台３に位置決め
してワイヤボンディングを行う状態を示す部分断面図で
ある。
そして、ボンディングはリードフレームのり一ド４をリ
ードフレームクランパ５で押圧した状態でボンディング
ツール６によりワイヤボンディングが行われていた。
ードフレームクランパ５で押圧した状態でボンディング
ツール６によりワイヤボンディングが行われていた。
なお、ワイヤボンディングは超音波振動を用いて行われ
ているが、金（Ａｕ）線を使用する場合には２００〜３
００℃の加熱を併用して行われている。
ているが、金（Ａｕ）線を使用する場合には２００〜３
００℃の加熱を併用して行われている。
こ＼で、リード４をリードクランパ５で固定するには２
〜４ Ｋｇ／ Ｃｍ”の加圧が必要であるが、先に記し
たように大容量化によるリード数の増大（多ピン化）に
より、リード４の浮きや“ズレ”が生じ易く、そのため
にボンディングワイヤ（以下略してワイヤ）７がリード
４に接合できなかったり、ワイヤ７が変形したり、断線
したりするような障害が発生し易く、この解決が求めら
れていた。
〜４ Ｋｇ／ Ｃｍ”の加圧が必要であるが、先に記し
たように大容量化によるリード数の増大（多ピン化）に
より、リード４の浮きや“ズレ”が生じ易く、そのため
にボンディングワイヤ（以下略してワイヤ）７がリード
４に接合できなかったり、ワイヤ７が変形したり、断線
したりするような障害が発生し易く、この解決が求めら
れていた。
ワイヤボンダのボンディングツール６を用いてアルミニ
ウム（Ａ／り練成いはＡｕ線からなるワイヤ７を半導体
チップｌのパッドとり−ド４の先端トラワイヤボンディ
ング接続する場合、ボンディング加工用台３とリード４
との間に浮きが生じ易く、そのためリードフレームクラ
ンパ５による加圧が不充分となって圧着接合ができなか
ったり、ボンディングツール６からの振動によりリード
４やワイヤ７も振動してしまい、そのためワイヤ７の特
性が劣化して変形や断線が生じると云う問題がある。
ウム（Ａ／り練成いはＡｕ線からなるワイヤ７を半導体
チップｌのパッドとり−ド４の先端トラワイヤボンディ
ング接続する場合、ボンディング加工用台３とリード４
との間に浮きが生じ易く、そのためリードフレームクラ
ンパ５による加圧が不充分となって圧着接合ができなか
ったり、ボンディングツール６からの振動によりリード
４やワイヤ７も振動してしまい、そのためワイヤ７の特
性が劣化して変形や断線が生じると云う問題がある。
そこで、リード４を充分に押圧し、安定したボンディン
グを行うことが課題である。
グを行うことが課題である。
上記の課題はリードフレームの中央に設けてあるステー
ジに半導体チップを接着した後、ワイヤボンダを用いて
、前記リードフレームのリードの先端と半導体チップの
パッドとをそれぞれワイヤボンディング接続を行うに当
たり、前記ワイヤボンダのリードフレームクランパが当
接する位置のボンディング用加工台の表面に、傾斜土手
部、溝部または針状突起部を設けて圧着接合することを
特徴として半導体装置の製造方法を構成することにより
解決することができる。
ジに半導体チップを接着した後、ワイヤボンダを用いて
、前記リードフレームのリードの先端と半導体チップの
パッドとをそれぞれワイヤボンディング接続を行うに当
たり、前記ワイヤボンダのリードフレームクランパが当
接する位置のボンディング用加工台の表面に、傾斜土手
部、溝部または針状突起部を設けて圧着接合することを
特徴として半導体装置の製造方法を構成することにより
解決することができる。
今まで、ボンディングツール６を用いて行う超音波によ
る圧着接合が充分に行われない理由は、半導体素子の大
容量化によりチップの面積が大きくなると共に、リード
フレームを構成するり−ド４の数が増大しており、また
リードフレームの厚さも０．１５ｒＩｎ程度と薄いため
に完全に平坦な状態のリードフレームが得られにくいか
らである。
る圧着接合が充分に行われない理由は、半導体素子の大
容量化によりチップの面積が大きくなると共に、リード
フレームを構成するり−ド４の数が増大しており、また
リードフレームの厚さも０．１５ｒＩｎ程度と薄いため
に完全に平坦な状態のリードフレームが得られにくいか
らである。
そこで、本発明はリードフレームが薄く、変形し易いの
を利用し、従来は平坦なボンディング加工用台に傾斜土
手部、溝部または針状突起部を設けるもので、リードフ
レームクランパ５でリード４が変形する程に加圧する方
法をとることによって、今までワイヤボンディング時に
存在していたボンディング加工用台３からのり一ド４の
浮きを無くするものである。
を利用し、従来は平坦なボンディング加工用台に傾斜土
手部、溝部または針状突起部を設けるもので、リードフ
レームクランパ５でリード４が変形する程に加圧する方
法をとることによって、今までワイヤボンディング時に
存在していたボンディング加工用台３からのり一ド４の
浮きを無くするものである。
実施例１： （傾斜土手部を設けた場合）第１図（Ａ）
はボンディングツール６による圧着接合が行われるボン
ディング加工用台３に傾斜土手部８を設けるもので、こ
の傾斜土手部８はワイヤボンディングが行われるリード
４の先端底部に沿って方形に設けてある。
はボンディングツール６による圧着接合が行われるボン
ディング加工用台３に傾斜土手部８を設けるもので、こ
の傾斜土手部８はワイヤボンディングが行われるリード
４の先端底部に沿って方形に設けてある。
この実施例においては傾斜土手部８の幅は１ｆｆＩＩｎ
とし、また傾斜角は８°としな。
とし、また傾斜角は８°としな。
なお、実験によれば、傾斜土手部８の幅は０．５〜１閣
、また１頃斜角は４〜８°が適当である。
、また１頃斜角は４〜８°が適当である。
そして、従来のようにリードフレームクランパ５により
２〜４Ｋｇ／ｃｍ”の圧力でリード４を加圧すると、リ
ード４の先端は強制的に曲げられて固定するため、均一
な条件でワイヤボンディングを行うことができる。
２〜４Ｋｇ／ｃｍ”の圧力でリード４を加圧すると、リ
ード４の先端は強制的に曲げられて固定するため、均一
な条件でワイヤボンディングを行うことができる。
実施例２：（溝部を設けた場合）
第１図（Ｂ）はボンディングツールによる圧着接合が行
われるボンディング加工用台３に溝部９を設けるもので
、この溝部９はワイヤボンディングが行われるリード４
の先端底部に沿って方形に設けてある。
われるボンディング加工用台３に溝部９を設けるもので
、この溝部９はワイヤボンディングが行われるリード４
の先端底部に沿って方形に設けてある。
この実施例においては溝部９の幅はｌｌＴｌ１ｍとし、
また深さは０：５ ｍとし、ボンディング加工用台３を
切削して形成した。
また深さは０：５ ｍとし、ボンディング加工用台３を
切削して形成した。
そして、従来のようにリードフレームクランパ５により
２〜４ Ｋｇ／ ｃｍ”の圧力でリード４を加圧すると
、リード４の先端は強制的に凹形に曲げられて固定する
ため、その先端のり−ド４に均一な条件でワイヤボンデ
ィングを行うことができる。
２〜４ Ｋｇ／ ｃｍ”の圧力でリード４を加圧すると
、リード４の先端は強制的に凹形に曲げられて固定する
ため、その先端のり−ド４に均一な条件でワイヤボンデ
ィングを行うことができる。
実施例３： （針状突起部を設けた場合）第１図（Ｃ）
はボンディングツールによる圧着接合が行われるボンデ
ィング加工用台３に複数の針状突起部ＩＯを設けるもの
で、この針状突起部１０はワイヤボンディングが行われ
るリード４の先端底部に沿って方形に設けてある。
はボンディングツールによる圧着接合が行われるボンデ
ィング加工用台３に複数の針状突起部ＩＯを設けるもの
で、この針状突起部１０はワイヤボンディングが行われ
るリード４の先端底部に沿って方形に設けてある。
そして、従来のようにリードフレームクランパ５により
２〜４Ｋｇ／ｃ＋＋＋”の圧力でリード４を加圧すると
、リード４の先端は針状突起ＩＯに食い込まれて固定す
るため、その先端のり一ド４に均一な条件でワイヤボン
ディングを行うことができる。
２〜４Ｋｇ／ｃ＋＋＋”の圧力でリード４を加圧すると
、リード４の先端は針状突起ＩＯに食い込まれて固定す
るため、その先端のり一ド４に均一な条件でワイヤボン
ディングを行うことができる。
〔発明の効果］
以上記したようにワイヤボンダのリードフレームクラン
パが当接する位置のボンディング用加工台に、傾斜土手
部、溝部または針状突起部を設けて圧着接合を行えば、
リードは完全に固定されているので、従来見られたよう
なワイヤの不着や劣化が生ずることがなく、そのためワ
イヤボンディングの信頼性を向上することができる。
パが当接する位置のボンディング用加工台に、傾斜土手
部、溝部または針状突起部を設けて圧着接合を行えば、
リードは完全に固定されているので、従来見られたよう
なワイヤの不着や劣化が生ずることがなく、そのためワ
イヤボンディングの信頼性を向上することができる。
第１図は本発明に係るワイヤボンディング方法を示す断
面図、 第２図は従来のワイヤボンディング方法を示す断面図、 である。 図において、 ｌは半導体チップ、 ２はステージ、３はボン
ディング加工用台、４はリード、５はリードフレームク
ランパ、 ６はボンディングツール、 ７はワイヤ、８は傾斜土
手部、 ９は溝部、１０は針状突起部、 である。
面図、 第２図は従来のワイヤボンディング方法を示す断面図、 である。 図において、 ｌは半導体チップ、 ２はステージ、３はボン
ディング加工用台、４はリード、５はリードフレームク
ランパ、 ６はボンディングツール、 ７はワイヤ、８は傾斜土
手部、 ９は溝部、１０は針状突起部、 である。
Claims (1)
- リードフレームの中央に設けてあるステージ（２）に半
導体チップ（１）を接着した後、ワイヤボンダを用いて
、前記リードフレームのリード（４）の先端と半導体チ
ップ（１）のパッドとをそれぞれワイヤボンディング接
続を行うに当たり、前記ワイヤボンダのリードフレーム
クランパ（５）が当接する位置のボンディング用加工台
（３）の表面に、傾斜土手部（８）、溝部（９）または
針状突起部（１０）を設けて圧着接合することを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222156A JPH0384941A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222156A JPH0384941A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384941A true JPH0384941A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16778061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222156A Pending JPH0384941A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384941A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385782B2 (en) | 2004-11-04 | 2008-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cassette housing assembly having an x-lever with a locking member connected thereto and a magnetic recording and reproducing apparatus having the same |
| US8796826B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-08-05 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Window clamp top plate for integrated circuit packaging |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1222156A patent/JPH0384941A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7385782B2 (en) | 2004-11-04 | 2008-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cassette housing assembly having an x-lever with a locking member connected thereto and a magnetic recording and reproducing apparatus having the same |
| US8796826B2 (en) | 2011-12-22 | 2014-08-05 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Window clamp top plate for integrated circuit packaging |
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