JPH0385514A - 円偏光発生装置 - Google Patents

円偏光発生装置

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JPH0385514A
JPH0385514A JP22167589A JP22167589A JPH0385514A JP H0385514 A JPH0385514 A JP H0385514A JP 22167589 A JP22167589 A JP 22167589A JP 22167589 A JP22167589 A JP 22167589A JP H0385514 A JPH0385514 A JP H0385514A
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JP
Japan
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light beam
polarization
polarized light
light
component light
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JP22167589A
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English (en)
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Hideyori Sasaoka
英資 笹岡
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、入射光の偏光状態が変化しても円偏光の光ビ
ームを常に一定出力で変換できる円偏光発生装置に関し
、特に光ファイバ等の光部品の評価を行う際の光源に使
用して好適なものである。
〈従来の技術〉 円偏光或いは無偏光の光ビームを偏光子によって直va
傷光の光ビームに変換する場合、円偏光或いは無偏光の
光ビームに対して偏光子の主軸方位が如何なる方向にあ
っても、常に一定出力となった直線偏光の光ビームを得
ることができる。このため、円偏光や無偏光の光ビーム
を単一偏波光ファイバの一端から入射させ、この単一偏
波光ファイバの他端から射出する光ビームの偏光状態を
調べることにより、単一偏波光ファイバの評価を行うこ
とが可能となる。
このように、円偏光や無偏光の光ビームは光ファイバ等
の光部品を評価する際の基準光源として有用である。こ
の場合、無偏光の自然光を光部品の評価用基準光源とし
て採用することは種々の点で制約があるため、一般には
円偏光の光ビームを基準光源として使用することが多い
従来、任意の偏光状態の光ビームを円偏光に変換する装
置としては、例えば第5図及び第6図に示すようなもの
が知られている。
第5図にその概念を示した円偏光発生装置は、任意の偏
光状態にある入射光1から偏光子2等により直線偏光の
光ビーム3を取り出し、この光ビーム3の偏光方向に対
して主軸方位が45度ずれた四分の一波長板4により、
当該光ビーム3を円偏光の光ビーム5に変換するように
したものである。
又、第6図にその概念を示した円偏光発生装置は、任意
の偏光状態にある入射光6を位相補償素子7により円偏
光の光ビーム8に変換するようにしたものである。この
位相補償素子7は、コントローラ9により電気的にその
主軸方位及び位相遅れを制御可能な複屈折媒質である。
〈発明が解決しようとする課題〉 第5図に示した従来の円偏光発生装置では、偏光子2に
入射する入射光1の偏光状態が変化すると、偏光子2を
透過する直線偏光の光ビーム3が光量が変化する結果、
最終的に得られる円偏光の光ビーム5の出力が変動して
しまい、このままでは光部品の評価を行う際の基準光源
として信頼性に乏しい。従って、この円偏光発生装置を
使用する場合には、入射光1の偏光状態を一定に保つ何
らかの工夫が必要である。
一方、第6図に示した従来の円偏光発生装置では、入射
光6の偏光状態の変化に応じて位相補償素子7の主軸方
位及び位相遅れをコントローラ9により常に制御しなけ
ればならず、これに伴う操作が非常にめんどうである。
しかも、コントローラ9に対する位相補償素子7の応答
遅れ等によっては、円偏光の光ビーム8を安定して得る
ことができなくなる虞もあった。
〈課題を解決するための手段〉 第一番目の本発明による円偏光発生装置は、光源からの
光ビームをP偏光成分光ビームとS偏光成分光ビームと
に分波させる偏光分波素子と、前記P偏光成分光ビーム
と前記Sli!光成分光ビームとを再び合波させる偏光
合波素子と、この偏光合波素子と前記偏光分波素子との
間に介装されて前記光ビームの可干渉距離よりも長い光
路差を当該偏光合波素子と前記偏光分波素子との間の前
記PIIa光成分光ビームと前記S偏光成分光ビームと
に与える光路差付与手段と、前記P偏光成分光ビーム及
び前記S偏光成分光ビームの偏光方向に対して主軸方位
が45度ずらして配置され且つ前記偏光合波素子にて合
波された光ビームを円偏光に変換する四分の一波長板と
を具えたものである。
又、第二番目の本発明による円偏光発生装置は、光源か
らの光ビームをPIl光成分光ビームとS偏光成分光ビ
ームとに分波させる偏光分波素子と、前記P偏光成分光
ビームと前記S偏光成分光ビームとを再び合波させる偏
光合波素子と、この偏光合波素子と前記偏光分波素子と
の間に介装されて前記光ビームの可干渉距離よりも長い
光路差を当該偏光合波素子と前記偏光分波素子との間の
前記pH光成分光ビームと前記Sll光成分光ビームと
に与えろ光路差付与手段と、この光路差付与手段の一部
を構成する反射光学系と前記偏光合波素子との間に介装
されて前記反射光学系による偏光状態の変化を元の状態
に戻して前記偏光合波素子に導く偏光制御素子と、前記
P偏光成分光ビーム及び前記Sll光成分光ビームの偏
光方向に対して主軸方位が45度ずらして配置され且つ
前記偏光合波素子にて合波された光ビームを円偏光に変
換する四分の一波長板とを具えたものである。
く作 用〉 光源からの光ビームは、偏光分波素子によりpH光成分
光ビームとSll光成分光ビームとに分波され、再び偏
光合波素子によりこれらP偏光成分光ビームとS偏光成
分光ビームとが合波される。光源からの光ビームの偏光
状態が変化した場合、pH光成分光ビームとS偏光成分
光ビームとの光量の割合がこれに対応して変化するだけ
であり、これらの光量の和は常に一定である。又、偏光
分波素子と偏光合波素子との間のpH光成分光ビームと
Sll光成分光ビームとの光路差を、光源からの光ビー
ムの可干渉距離より長く設定しているため、合波後の光
ビームは楕円偏光となることなく、直線偏光の状態を保
つ。従って、四分の一波長板を透過する光ビームは、常
に一定出力の円偏光となる。
一方、光路差付与手段の一部を構成する反射光学系によ
って、P偏光成分光ビーム或いはSll光成分光ビーム
が反射すると、これらの偏光状態が変わってしまう場合
がある。そこで、偏光制御素子によりこれを元の偏光状
態に戻し、四分の一波長板の主軸方位に対して偏光合波
素子にて合波されるP[光成分光ビーム及びSll光成
分光ビームの偏光方向が常に45度ずれているようにす
る。
〈実 施 例〉 本発明による円偏光発生装置の一実施例の概略構造を表
す第1図に示すように、単色光の光源11とその四分の
一波長板12との間には、光源11から四分の一波長板
12へ向けて照射される単色光13をPIi光成分光ビ
ーム14とS偏光成分光ビーム15とに分波する偏光分
波素子である偏光ビームスプリッタ16と、これらPj
Ia光成分光ビーム14とS偏光成分光ビーム15とを
合波する偏光合波素子である偏光ビームスプリッタ17
とが一直線状に配置されている。本実施例による偏光ビ
ームスプリッタ16.17は、P偏光成分光ビーム14
をそのまま透過させると共にこれと偏光方向が直交する
S偏光成分光ビーム15を反射するようにしたものであ
るが、逆にP偏光成分光ビーム14を反射すると共にS
偏光成分光ビーム15をそのまま透過させるようにした
ものを採用することも当然可能である。
前記偏光ビームスプリッタ16によって反射されたS偏
光成分光ビーム15は、光路差付与手段を構成する二枚
の反射鏡18,19により偏光ビームスプリッタ17側
へ導かれ、この偏光ビームスプリッタ17にて反射して
ここを透過して来るPIi光成分光ビーム14に合波さ
れる。この場合、偏光ビームスプリッタ16から反射鏡
18.19を介して偏光ビームスプリッタ17に至るS
偏光成分光ビーム15の光路長が、偏光ビームスプリッ
タ16.17間のP偏光成分光ビーム14の光路長に対
し、単色光13の可干渉距離に相当する分よりも長くな
るように、反射鏡18゜19の位置を設定している。こ
れによって、四分の一波長板12に入射する合波後の光
ビーム20は、楕円偏光となることなく直線偏光状態が
保存される。
なお、反射鏡18.19によりsm光成分光ビーム15
の主軸方位が変わらないように、反射鏡18.19の反
射面に対してS偏光成分光ビーム15の主軸方位を平行
に設定すると良い。但し、このような構成を採用できな
い場合には、偏光ビームスプリッタ17の直前(偏光ビ
ームスプリッタ17と反射[1119との間)に偏光制
御素子を介在させ、S偏光成分光ビーム15の主軸方位
を分波直後の元の状態に戻すと良い。
前記四分の一波長板12の主軸方位は、これらp偏光成
分光ビーム14及びS偏光成分光ビーム15のそれぞれ
偏光方向に対して45度ずらして配置されており、従っ
てこの四分の一波長板12に入射する光ビーム20は円
偏光の光ビーム21に変換される。
次に、本発明装置によって得られろ円偏光の光ビームが
完全な円偏光となっているかどうかを確認するため、第
2図に示す光パワーメータ22を用い、四分の一波長板
23を透過して来た円偏光の光ビーム24の光量の絶対
レベルを検出した。
具体的には、光源25として波長が0.78μmの多モ
ードレーザー光を発振するレーザーダイオードを用い、
これをコリメートレンズ26により平行光束27として
偏光ビームスプリッタ28に入射させ、Pj偏光成分光
ビーム29をそのまま透過させて偏光ビームスプリッタ
30に入射させる一方、S偏光成分光ビーム31を二枚
の反射光32.33を介して偏光ビームスプリッタ30
に入射させろようにした。
これら偏光ビームスプリッタ28.30間のp偏光成分
光ビーム29とS偏光成分光ビーム31との光路差を3
0cmに設定し、光源25からの多モードレーザー光の
可干渉距離である約20cmよりも10cm程度長めに
した。
なお、P偏光成分光ビーム29及びS偏光成分光ビーム
31に対する偏光ビームスプリッタ28.30の消光比
は、共にそれぞれ35dB以上であった。
又、反射鏡32.33として反射による主軸方位の変化
はあるものの、楕円偏光への偏光状態の変化がないもの
を使用し、P偏光成分光ビーム29と5I偏光成分光ビ
ーム31とを合波させる偏光ビームスプリッタ30と反
射鏡33との間に、反射鏡32,33によろS偏光成分
光ビーム31の反射に伴う主軸方位の変化を矯正するた
め、偏光制御素子として全針の一波長板34を介装した
一方、四分の一波長板23を透過する円偏光の光ビーム
24を光パワーメータ22へ導くため、これらの間に集
光レンズ35を介装し、更にこの集光レンズ35と四分
の一波長板23との間に偏光子36を配置し、偏光子3
6を回転しながら光パワーメータ22に入射する光ビー
ムの受光量の絶対レベルを測定した。
この結果を第3図に示す。これによると、偏光子36の
回転に関係なく受光量の絶対レベルは常に一定であり、
その変動量は使用した光パワーメータ22の測定分解能
である0、01dB以下であり、四分の一波長板23を
透過した光ビーム24が完全な円偏光となっていること
を確認できた。
次に、光パワーメータ22に入射する光ビームの受光量
の絶対レベルが、光源25からの多モードレーザー光の
偏光状態の変化に伴って変動しないことを確認するため
、偏光子36を固定した状態で光源25を回転しながら
光パワーメータ22に入射する光ビームの受光量の絶対
レベルを測定した。
この結果を第4図に示す。これによると、光源25の回
転の如何にかかわらず、光ビームの光量の絶対レベルは
第3図の場合と全く同一であり、偏光ビームスプリッタ
28に入射する平行光束27の偏光状態が変化しても、
四分の一波長板23を透過する円偏光の光ビーム24の
光量の絶対レベルは変化しないことを確認できた。なお
、この場合の光源25からの多モードレーザー光の消光
比は20dB以上であった。
〈発明の効果〉 本発明の円偏光発生装置によると、光源からの光ビーム
の偏光状態が変化しても、常に一定出力の完全な円偏光
の光ビームを何らのmuを行うことなく得られるため、
これを光部品の評価を行う際の光源として用いた場合に
は、光部品に対して信頼性の高い評価を与えろことがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による円偏光発生装置の一実施例の概念
図、第2図は本発明による円偏光発生装置の他の一実施
例の概念図、第3図は偏光子を回転した場合の光パワー
メータの受光量の絶対レベルを表すグラフ、第4図は光
源を回転した場合の光パワーメータの受光量の絶対レベ
ルを表すグラフ、第5図及び第6図はそれぞれ従来の円
偏光発生装置の一例を表す概念図である。 又、図中の符号で11.25は光源、12゜23は四分
の一波長板、14,29はP偏光成分光ビーム、15,
31はS偏光成分光ビーム、16.17,28,30は
偏光ビームスプリッタ、18,19,32,33は反射
鏡、21゜24は円偏光の光ビーム、34は全針の一波
長板である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光源からの光ビームをP偏光成分光ビームとS偏
    光成分光ビームとに分波させる偏光分波素子と、前記P
    偏光成分光ビームと前記S偏光成分光ビームとを再び合
    波させる偏光合波素子と、この偏光合波素子と前記偏光
    分波素子との間に介装されて前記光ビームの可干渉距離
    よりも長い光路差を当該偏光合波素子と前記偏光分波素
    子との間の前記P偏光成分光ビームと前記S偏光成分光
    ビームとに与える光路差付与手段と、前記P偏光成分光
    ビーム及び前記S偏光成分光ビームの偏光方向に対して
    主軸方位が45度ずらして配置され且つ前記偏光合波素
    子にて合波された光ビームを円偏光に変換する四分の一
    波長板とを具えた円偏光発生装置。
  2. (2)光源からの光ビームをP偏光成分光ビームとS偏
    光成分光ビームとに分波させる偏光分波素子と、前記P
    偏光成分光ビームと前記S偏光成分光ビームとを再び合
    波させる偏光合波素子と、この偏光合波素子と前記偏光
    分波素子との間に介装されて前記光ビームの可干渉距離
    よりも長い光路差を当該偏光合波素子と前記偏光分波素
    子との間の前記P偏光成分光ビームと前記S偏光成分光
    ビームとに与える光路差付与手段と、この光路差付与手
    段の一部を構成する反射光学系と前記偏光合波素子との
    間に介装されて前記反射光学系による偏光状態の変化を
    元の状態に戻して前記偏光合波素子に導く偏光制御素子
    と、前記P偏光成分光ビーム及び前記S偏光成分光ビー
    ムの偏光方向に対して主軸方位が45度ずらして配置さ
    れ且つ前記偏光合波素子にて合波された光ビームを円偏
    光に変換する四分の一波長板とを具えた円偏光発生装置
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002359424A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Mitsutoyo Corp 半導体レーザの高周波重畳動作検査装置
US7397553B1 (en) 2005-10-24 2008-07-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface scanning
US7532318B2 (en) 2005-05-06 2009-05-12 Kla-Tencor Corporation Wafer edge inspection
US7554654B2 (en) 2007-01-26 2009-06-30 Kla-Tencor Corporation Surface characteristic analysis
US7630086B2 (en) 1997-09-22 2009-12-08 Kla-Tencor Corporation Surface finish roughness measurement
US7688435B2 (en) 1997-09-22 2010-03-30 Kla-Tencor Corporation Detecting and classifying surface features or defects by controlling the angle of the illumination plane of incidence with respect to the feature or defect
US7714995B2 (en) 1997-09-22 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Material independent profiler
JP2011059310A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Yokogawa Electric Corp 偏光調整器
WO2019026912A1 (ja) * 2017-08-03 2019-02-07 浜松ホトニクス株式会社 光源装置及びレーザ光照射装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7630086B2 (en) 1997-09-22 2009-12-08 Kla-Tencor Corporation Surface finish roughness measurement
US7688435B2 (en) 1997-09-22 2010-03-30 Kla-Tencor Corporation Detecting and classifying surface features or defects by controlling the angle of the illumination plane of incidence with respect to the feature or defect
US7714995B2 (en) 1997-09-22 2010-05-11 Kla-Tencor Corporation Material independent profiler
JP2002359424A (ja) * 2001-05-31 2002-12-13 Mitsutoyo Corp 半導体レーザの高周波重畳動作検査装置
US7532318B2 (en) 2005-05-06 2009-05-12 Kla-Tencor Corporation Wafer edge inspection
US7397553B1 (en) 2005-10-24 2008-07-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface scanning
US7554654B2 (en) 2007-01-26 2009-06-30 Kla-Tencor Corporation Surface characteristic analysis
JP2011059310A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Yokogawa Electric Corp 偏光調整器
WO2019026912A1 (ja) * 2017-08-03 2019-02-07 浜松ホトニクス株式会社 光源装置及びレーザ光照射装置
JP2019029625A (ja) * 2017-08-03 2019-02-21 浜松ホトニクス株式会社 光源装置及びレーザ光照射装置

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