JPH0385718A - 位置合わせ機構 - Google Patents
位置合わせ機構Info
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- JPH0385718A JPH0385718A JP1221540A JP22154089A JPH0385718A JP H0385718 A JPH0385718 A JP H0385718A JP 1221540 A JP1221540 A JP 1221540A JP 22154089 A JP22154089 A JP 22154089A JP H0385718 A JPH0385718 A JP H0385718A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- pick
- pickup
- mask
- contact
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
- H10P72/53—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/50—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for positioning, orientation or alignment
- H10P72/57—Mask-wafer alignment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は露光装置内においてマスク等の原版とウェハ基
板の位置検出および位置合わせな行なう位置合わせ機構
に関するものである。
板の位置検出および位置合わせな行なう位置合わせ機構
に関するものである。
［従来の技術］
従来の露光装置におけるアライメントでは、マスクとウ
ェハのアライメントマーク上をレーザビーム等で走査（
スキャン）し、これらの散乱光を光電変換して電気的パ
ルスに変え、このパルス位置をカウンタ等で計測して位
置合わせする事が広く行われている。
ェハのアライメントマーク上をレーザビーム等で走査（
スキャン）し、これらの散乱光を光電変換して電気的パ
ルスに変え、このパルス位置をカウンタ等で計測して位
置合わせする事が広く行われている。
例えば、第３図（ａ）に示すようなアライメントマーク
Ｍｌ、Ｍ２をマスクに描き、また、同図（ｂ）に示すよ
うなアライメントマークＷ１Ｗ２をクエへに描き、第２
図に示すような構成の装置により、マスクとウェハのア
ライメントマークＭｌ、Ｍ２とＷｌ、Ｗ２上をレーザビ
ームで走査してマスクとウェハとの相対位置すなわち、
ずれ値を検出し、このずれ量に応じてマスク及びウェハ
の少なくとも一方を駆動させて第３図（Ｃ）に示すよう
にアライメントマークＭ１．Ｍ２とＷｌ、Ｗ２とを合わ
せることにより、マスクとウェハの相対的位置合わせが
行われる。ここで、アライメントマークＭ１とＭ２はそ
れぞれマスクの左と右、すなわちマスクの回路パターン
の外側に各々１個ずつ形成され、アライメントマークＷ
ｌ、Ｗ２はウェハ上の対応した各ショット毎に両側に形
成される。
Ｍｌ、Ｍ２をマスクに描き、また、同図（ｂ）に示すよ
うなアライメントマークＷ１Ｗ２をクエへに描き、第２
図に示すような構成の装置により、マスクとウェハのア
ライメントマークＭｌ、Ｍ２とＷｌ、Ｗ２上をレーザビ
ームで走査してマスクとウェハとの相対位置すなわち、
ずれ値を検出し、このずれ量に応じてマスク及びウェハ
の少なくとも一方を駆動させて第３図（Ｃ）に示すよう
にアライメントマークＭ１．Ｍ２とＷｌ、Ｗ２とを合わ
せることにより、マスクとウェハの相対的位置合わせが
行われる。ここで、アライメントマークＭ１とＭ２はそ
れぞれマスクの左と右、すなわちマスクの回路パターン
の外側に各々１個ずつ形成され、アライメントマークＷ
ｌ、Ｗ２はウェハ上の対応した各ショット毎に両側に形
成される。
第２図は従来の縮小投影型のステッパと呼ばれる露光装
置の概略図である。同図において、２０１は回路パター
ンの描かれたマスク、２０２は被露光体であるウェハ、
２０３はウェハステージである。２０４は位置合わせ用
のレーザー光を発生するレーザーチューブ、２０５はポ
リゴンミラー、２０６はモータ、２０７はプリズム、２
０８はビームスプリッタ、２０９は対物レンズ、２１０
はミラー、２１１は投影レンズ、２１２は光電検出器、
２１３は制御回路、２１４は２値化回路、２１５は計測
回路、２１６はステージ駆動回路、２１７はモータ、２
１８は入出力ターくナル、２１９はターミナル２１８の
デイスプレィである。デイスプレィ２１９にはウェハ２
０２のショトレイアウト２２０がグラフィック表示され
る。２２１はウェハ２０２の各露光（ショット）領域を
示す表示であり、各ステップの露光終了毎にある特定の
色（例えば緑）に塗り潰されていく。
置の概略図である。同図において、２０１は回路パター
ンの描かれたマスク、２０２は被露光体であるウェハ、
２０３はウェハステージである。２０４は位置合わせ用
のレーザー光を発生するレーザーチューブ、２０５はポ
リゴンミラー、２０６はモータ、２０７はプリズム、２
０８はビームスプリッタ、２０９は対物レンズ、２１０
はミラー、２１１は投影レンズ、２１２は光電検出器、
２１３は制御回路、２１４は２値化回路、２１５は計測
回路、２１６はステージ駆動回路、２１７はモータ、２
１８は入出力ターくナル、２１９はターミナル２１８の
デイスプレィである。デイスプレィ２１９にはウェハ２
０２のショトレイアウト２２０がグラフィック表示され
る。２２１はウェハ２０２の各露光（ショット）領域を
示す表示であり、各ステップの露光終了毎にある特定の
色（例えば緑）に塗り潰されていく。
上述のように、マスク２０１にはアライメントマークＭ
１とＭ２が配置され、ウェハ２０２には各露光領域毎に
アライメントマークＷ１とＷ２（第３図）が配置されて
いる。
１とＭ２が配置され、ウェハ２０２には各露光領域毎に
アライメントマークＷ１とＷ２（第３図）が配置されて
いる。
この構成において、レーザチューブ２０４から出たレー
ザ光は、モータ２０６によって回転されるポリゴンミラ
ー２０５を経て、プリズム２０７によってマーク対Ｍ１
とＷｌ側及びマーク対Ｍ２とＷ２側に分割される。分割
されたレーザ光はビームスプリッタ２０８、対物レンズ
２０９、主う−２１０を経てそれぞれマスク２０１上の
アライメントマークＭ１．Ｍ２およびウェハ上のアライ
メントマークＷｌ、Ｗ２上をスキャンする。各マークか
らの散乱光はミラー２１０１対物レンズ２０９、ビーム
スプリッタ２０Ｂを通り光電検出器２１２に入る。光電
検出器２１２は、この入射光を光電変換し、電気信号と
して出力する。この出力は、制御回路２１３内の２値化
回路２１４により２値化される。さらに、計測回路２１
５によりこの２値化出力からマークの相対位置（マーク
Ｍ１とＷｌ及びＭ２とＷ２のＸ、Ｙ方向ずれ量）を算出
する。制御回路２１３は、このずれ量に基づいてステー
ジ２０３の移動量を計算し、マスク２０１及びウェハ２
０２とを正しい位置関係に配置すべくステージ駆動回路
２１６にステージ２０３の移動を指示する。この位置合
わせが終了すると、露光を行ないデイズブレイ２１９に
表示されたウェハ２０２のショットレイアウト２２０の
うち露光を施した部分を塗り潰し、そして次の露光ショ
ットのシーケンスに入る。
ザ光は、モータ２０６によって回転されるポリゴンミラ
ー２０５を経て、プリズム２０７によってマーク対Ｍ１
とＷｌ側及びマーク対Ｍ２とＷ２側に分割される。分割
されたレーザ光はビームスプリッタ２０８、対物レンズ
２０９、主う−２１０を経てそれぞれマスク２０１上の
アライメントマークＭ１．Ｍ２およびウェハ上のアライ
メントマークＷｌ、Ｗ２上をスキャンする。各マークか
らの散乱光はミラー２１０１対物レンズ２０９、ビーム
スプリッタ２０Ｂを通り光電検出器２１２に入る。光電
検出器２１２は、この入射光を光電変換し、電気信号と
して出力する。この出力は、制御回路２１３内の２値化
回路２１４により２値化される。さらに、計測回路２１
５によりこの２値化出力からマークの相対位置（マーク
Ｍ１とＷｌ及びＭ２とＷ２のＸ、Ｙ方向ずれ量）を算出
する。制御回路２１３は、このずれ量に基づいてステー
ジ２０３の移動量を計算し、マスク２０１及びウェハ２
０２とを正しい位置関係に配置すべくステージ駆動回路
２１６にステージ２０３の移動を指示する。この位置合
わせが終了すると、露光を行ないデイズブレイ２１９に
表示されたウェハ２０２のショットレイアウト２２０の
うち露光を施した部分を塗り潰し、そして次の露光ショ
ットのシーケンスに入る。
この様な従来例において、よラー２１０はＸ。
Ｙ方向に移動可能であり、マスク２０１上のアライメン
トマークＭｌ、Ｍ２に計測ビームが照射される様に駆動
制御される。又、第３図に示したアライメントマークで
は１つの組合わせ（マークＭ１とｗｉ）でＸ方向とＹ方
向の相対位置が計測可能であり、１露光シヨツトにおい
てはこの様な組合わせ２組でその画角におけるＸ、Ｙお
よびθ方向のマスクとウェハ間の相対位置が計算できる
様になっている。
トマークＭｌ、Ｍ２に計測ビームが照射される様に駆動
制御される。又、第３図に示したアライメントマークで
は１つの組合わせ（マークＭ１とｗｉ）でＸ方向とＹ方
向の相対位置が計測可能であり、１露光シヨツトにおい
てはこの様な組合わせ２組でその画角におけるＸ、Ｙお
よびθ方向のマスクとウェハ間の相対位置が計算できる
様になっている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、最近の露光装置における位置合わせにお
いては、半導体素子の高集積度化の為に、サブミクロン
以下の位置合わせ精度が要求されている。すなわち、従
来例におけるアライメント計測系の計測精度はおおよそ
２σ＝０．１５μｍ程度とされているのに対し、ライン
アントスペース０．５μｍのパターン焼付けを実現しよ
うとずれは、３ＣＩ＝０．０６μｍ程度のアライメント
計測精度が要求されることが見積られている。
いては、半導体素子の高集積度化の為に、サブミクロン
以下の位置合わせ精度が要求されている。すなわち、従
来例におけるアライメント計測系の計測精度はおおよそ
２σ＝０．１５μｍ程度とされているのに対し、ライン
アントスペース０．５μｍのパターン焼付けを実現しよ
うとずれは、３ＣＩ＝０．０６μｍ程度のアライメント
計測精度が要求されることが見積られている。
この精度を実現する方法の１つとして、第４図に示すよ
うな回折格子を応用したアライメント計測方式が考えら
れている。しかしこういった一連のアライメント計測方
式においては、従来は１つのアライメントパターンから
ｘ、ｙ両方向の相対位置を検出し得たのに対し、１つの
アライメントパターンからは１つの方向に関する相対位
置しか検出することができない。従って１画角における
ｘ、ｙ、θ方向の相対位置を計測するには、最低３個の
アライメントパターンが必要となり、通常、画角の対称
性を考慮して１画角において４個のアライメントパター
ンを置くようになった。これに対応して、アライメント
計測を行なうための計測光学系ユニット（以下ピックア
ップと呼ぶ）も従来２個であったものが４個必要となっ
た。このような４個のピックアップが独自にマスクにお
ける画角内外を動き回った場合それぞれのピックアップ
が物理的に占有する空間が重複してしまう事が生ずる。
うな回折格子を応用したアライメント計測方式が考えら
れている。しかしこういった一連のアライメント計測方
式においては、従来は１つのアライメントパターンから
ｘ、ｙ両方向の相対位置を検出し得たのに対し、１つの
アライメントパターンからは１つの方向に関する相対位
置しか検出することができない。従って１画角における
ｘ、ｙ、θ方向の相対位置を計測するには、最低３個の
アライメントパターンが必要となり、通常、画角の対称
性を考慮して１画角において４個のアライメントパター
ンを置くようになった。これに対応して、アライメント
計測を行なうための計測光学系ユニット（以下ピックア
ップと呼ぶ）も従来２個であったものが４個必要となっ
た。このような４個のピックアップが独自にマスクにお
ける画角内外を動き回った場合それぞれのピックアップ
が物理的に占有する空間が重複してしまう事が生ずる。
すなわちピックアップ同士が衝突する事が考えられる。
この「衝突」はピックアップ相互の位置関係に起因する
もので、ピックアップを駆動する各軸にエンドリミット
のような保護スイッチを取りつけただけでは根本的な解
決手段とはならない。
もので、ピックアップを駆動する各軸にエンドリミット
のような保護スイッチを取りつけただけでは根本的な解
決手段とはならない。
一方、特開昭６３−１８６２３号においては、ピックア
ップの衝突を防止するための一手法として、ピックアッ
プの動きに対応した運動部材を別途設け、その運動部材
に接近を検出するｋめのマイクロスイッチ等を装着する
様なやり方が考えられている。しかしながら、ピックア
ップの基数が増えると上記従来例の様な構成では機構が
複雑となり、−基当たりの占有する空間が広くならざる
を得ないため、上述の様に４基のピックアップが１シヨ
ツト内の画角を覗くような構成をとった場合に明らかな
様に、スペースファクタが非常に厳しくなるという問題
があった。
ップの衝突を防止するための一手法として、ピックアッ
プの動きに対応した運動部材を別途設け、その運動部材
に接近を検出するｋめのマイクロスイッチ等を装着する
様なやり方が考えられている。しかしながら、ピックア
ップの基数が増えると上記従来例の様な構成では機構が
複雑となり、−基当たりの占有する空間が広くならざる
を得ないため、上述の様に４基のピックアップが１シヨ
ツト内の画角を覗くような構成をとった場合に明らかな
様に、スペースファクタが非常に厳しくなるという問題
があった。
本発明の目的は、このような従技術の問題点に鑑み、位
置合わせ機構において、簡単でコンパクトな構成により
ピックアップ同志の接近を検出てきるようにすることに
ある。
置合わせ機構において、簡単でコンパクトな構成により
ピックアップ同志の接近を検出てきるようにすることに
ある。
［課題を解決するための手段］
上記目的を達成するため本発明では、ウェハ基板および
原版のアライメントマークの位置合わせ状態を計測する
複数の光学的アライメント装置、及びこれらの装置を所
定の各駆動軸に沿って移動させる駆動機構を備えた位置
合わせ機構において、光学的アライメント装置相互の異
常接近を検出する接触子を有するセンサ手段を具備する
ようにしている。
原版のアライメントマークの位置合わせ状態を計測する
複数の光学的アライメント装置、及びこれらの装置を所
定の各駆動軸に沿って移動させる駆動機構を備えた位置
合わせ機構において、光学的アライメント装置相互の異
常接近を検出する接触子を有するセンサ手段を具備する
ようにしている。
前記接触子は、通常、各光学的アライメント装置の先端
部分に装着した電極であり、センサ手段はその接触によ
って光学的アライメント装置相互の異常接近を検出する
。
部分に装着した電極であり、センサ手段はその接触によ
って光学的アライメント装置相互の異常接近を検出する
。
また、光学的アライメント装置相互の異常接近が検出さ
れた場合には、光学的アライメント装置を相互に離れる
方向にのみ駆動可能とする手段を備えるようにするのが
好ましい。
れた場合には、光学的アライメント装置を相互に離れる
方向にのみ駆動可能とする手段を備えるようにするのが
好ましい。
［作用］
この構成において、アライメントマークの位置合わせ状
態を検出するに際しては、例えば４個のピックアップが
独自にマスクにおける画角内外を動き回ってピックアッ
プ同士が衝突するおそれがあるが、接触子を例えば各ピ
ックアップの先端に装着し、この接触子を介してピック
アップ相互の異常接近を検出し、さらにその場合にはピ
ックアップ相互が離れる方向にのみピックアップを駆動
可能にするような処理を持たせるようにしたため、誤操
作や誤作動によるあらゆる方向からのピックアップ相互
の衝突が防止される。しかも、接触を電気的に検出する
電極等の接触子を介してピックアップ相互の異常接近を
検出するようにしているため、センサ手段は単純かつコ
ンパクトに構成され、スペースが節約される。
態を検出するに際しては、例えば４個のピックアップが
独自にマスクにおける画角内外を動き回ってピックアッ
プ同士が衝突するおそれがあるが、接触子を例えば各ピ
ックアップの先端に装着し、この接触子を介してピック
アップ相互の異常接近を検出し、さらにその場合にはピ
ックアップ相互が離れる方向にのみピックアップを駆動
可能にするような処理を持たせるようにしたため、誤操
作や誤作動によるあらゆる方向からのピックアップ相互
の衝突が防止される。しかも、接触を電気的に検出する
電極等の接触子を介してピックアップ相互の異常接近を
検出するようにしているため、センサ手段は単純かつコ
ンパクトに構成され、スペースが節約される。
［実施例］
第１図は本発明を適用したピックアップ１１１及びピッ
クアップステージ１１４の１基分の外観図である。図中
、１０５はα軸クロスローラガイド１０３によって案内
されるα軸ステージ、１０６はβ軸クロスローラーガイ
ド１０４によって案内されるβ軸ステージである。この
２つのステージ１０５，１０６はそれぞれエンコーダ付
きのアクチュエータ（ユニット）１０１及び１０２によ
って位置決め制御される。１０８はピックアップヘッド
クランプ用のブツシュロッドである。
クアップステージ１１４の１基分の外観図である。図中
、１０５はα軸クロスローラガイド１０３によって案内
されるα軸ステージ、１０６はβ軸クロスローラーガイ
ド１０４によって案内されるβ軸ステージである。この
２つのステージ１０５，１０６はそれぞれエンコーダ付
きのアクチュエータ（ユニット）１０１及び１０２によ
って位置決め制御される。１０８はピックアップヘッド
クランプ用のブツシュロッドである。
ブツシュロッド１０８が突き出た状態になると不図示の
天井をブツシュロッド１０８が押す反作用で、ファイン
ＡＡ、ＡＦ光学系を内部に持った鏡筒１０９を固定した
ピックアップヘッド１０７が超平面（不図示）に押し付
けられる。１１０は、ピックアップ同士の異常接近を検
出するために設けられた検出器としての接触子である。
天井をブツシュロッド１０８が押す反作用で、ファイン
ＡＡ、ＡＦ光学系を内部に持った鏡筒１０９を固定した
ピックアップヘッド１０７が超平面（不図示）に押し付
けられる。１１０は、ピックアップ同士の異常接近を検
出するために設けられた検出器としての接触子である。
この接触子１１０が他のピックアップ１１１の接触子と
接触した際にこれらをコントロールする後述の本体コン
トロールユニット４２３（第４図）が２つのピックアッ
プの異常接近として認識する。
接触した際にこれらをコントロールする後述の本体コン
トロールユニット４２３（第４図）が２つのピックアッ
プの異常接近として認識する。
第４図は、第１図で説明したピックアップによるアライ
メント計測に関わる構成を示す。同図中、４２２は上位
に位置するＣＰＵを持つ本体コントロールユニット４２
３と通信する通信線、４２１は通信線４２２から送られ
る命令を受けてアライメント情報やギャップ情報を送る
通信Ｉ／Ｆ、４０１は通信１／Ｆから命令を受はアライ
メント計測やギャップ計測を行う信号を作り、そしてア
ライメント情報やギャップ情報を通信Ｉ／Ｆ４２１に送
るファインＡＡ、ＡＦインターフェイス部、４０５はフ
ァインＡＡ、ＡＦインターフェイス部４０１が決定する
光出力で半導体レーザ４０６を駆動するファインＡＡ、
ＡＦレーザダイオード駆動部、４０６は発光素子である
半導体レーザ、４１１は半導体レーザ４０６から出力さ
れる光束を平行光にするコリメータレンズ、４１３は半
導体レーザ４０６から出力される投光ビーム、４１４は
マスク２上に金等で半導体回路パタ１ −ンと共に書かれているＡＦ（オートフォーカス）マー
ク、４１６はマスク２上に金等で半導体回路パターンと
共に書かれているマスク上ＡＡ（オートアライメント）
マーク、４１５はウェハ３上に前露光ショットで半導体
回路パターンと共に半導体プロセスで焼かれているウェ
ハ上のＡＡマーク、４１２はマスク上ＡＡマーク４１６
とウェハ上ＡＡマーク４１５そしてＡＦマーク４１４と
ウェハ３により構成される光学系によって、アライメン
ト情報及びギャップの情報をもった受光ビーム、４０７
はマスク上ＡＡマーク４１６とウェハ上ＡＡマーク４１
５により構成される光学系によって得られるアライメン
ト情報を持った光束であるＡＡスポット、４１０はマス
ク上ＡＦマーク４１４とウェハ３により構成される光学
系によって得られるギャップ情報を持った光束であるＡ
Ｆスポット、４０８はＡＡスポット４０７を受光し電気
信号に変換する例えばＣＯＤ等のラインセンサであるＡ
Ａセンサ、４０９はＡＦスポット４１０を受光し電気信
号に変換する例えばＣＣＤ ２ 等のラインセンサであるＡＦセンサ、４０３はＡＡセン
サ４０８の出力を増幅するプリアンプ、４０４はＡＦ全
センサ０９の出力を増幅するプリアンプ、４０２はプリ
アンプ４０３の出力を処理しアライメント情報を計算し
、そしてさらにプリアンプ４０４の出力を処理しギャッ
プ情報を計算するファインＡＡ、ＡＦ信号処理部である
。
メント計測に関わる構成を示す。同図中、４２２は上位
に位置するＣＰＵを持つ本体コントロールユニット４２
３と通信する通信線、４２１は通信線４２２から送られ
る命令を受けてアライメント情報やギャップ情報を送る
通信Ｉ／Ｆ、４０１は通信１／Ｆから命令を受はアライ
メント計測やギャップ計測を行う信号を作り、そしてア
ライメント情報やギャップ情報を通信Ｉ／Ｆ４２１に送
るファインＡＡ、ＡＦインターフェイス部、４０５はフ
ァインＡＡ、ＡＦインターフェイス部４０１が決定する
光出力で半導体レーザ４０６を駆動するファインＡＡ、
ＡＦレーザダイオード駆動部、４０６は発光素子である
半導体レーザ、４１１は半導体レーザ４０６から出力さ
れる光束を平行光にするコリメータレンズ、４１３は半
導体レーザ４０６から出力される投光ビーム、４１４は
マスク２上に金等で半導体回路パタ１ −ンと共に書かれているＡＦ（オートフォーカス）マー
ク、４１６はマスク２上に金等で半導体回路パターンと
共に書かれているマスク上ＡＡ（オートアライメント）
マーク、４１５はウェハ３上に前露光ショットで半導体
回路パターンと共に半導体プロセスで焼かれているウェ
ハ上のＡＡマーク、４１２はマスク上ＡＡマーク４１６
とウェハ上ＡＡマーク４１５そしてＡＦマーク４１４と
ウェハ３により構成される光学系によって、アライメン
ト情報及びギャップの情報をもった受光ビーム、４０７
はマスク上ＡＡマーク４１６とウェハ上ＡＡマーク４１
５により構成される光学系によって得られるアライメン
ト情報を持った光束であるＡＡスポット、４１０はマス
ク上ＡＦマーク４１４とウェハ３により構成される光学
系によって得られるギャップ情報を持った光束であるＡ
Ｆスポット、４０８はＡＡスポット４０７を受光し電気
信号に変換する例えばＣＯＤ等のラインセンサであるＡ
Ａセンサ、４０９はＡＦスポット４１０を受光し電気信
号に変換する例えばＣＣＤ ２ 等のラインセンサであるＡＦセンサ、４０３はＡＡセン
サ４０８の出力を増幅するプリアンプ、４０４はＡＦ全
センサ０９の出力を増幅するプリアンプ、４０２はプリ
アンプ４０３の出力を処理しアライメント情報を計算し
、そしてさらにプリアンプ４０４の出力を処理しギャッ
プ情報を計算するファインＡＡ、ＡＦ信号処理部である
。
この構成において、アライメント情報（マスクとウェハ
ずれ）は以下のように求めることができる。すなわち、
ファインＡＡ、ＡＦレーザダイオード駆動部４０５は、
ファインＡＡ、ＡＦインターフェイス部４０１により設
定される光出力で半導体レーザ４０ＢをＡＡセンサ４０
８が飽和しない範囲の十分大きな光出力で駆動する。そ
して、半導体レーザ４０６を出射した光束は、コリメー
タレンズ４１１を透過した後、投光ビーム４１３となり
、マスク上ＡＡマーク４１６を透過しウェハ上ＡＡマー
ク４１５で反射され受光ビーム４１２となりＡＡスポッ
ト４０７としてＡＡセンサ４０８に入射する。このとき
、ダブルグレーティング物理光学素子となるマスクＡＡ
マーク４１６とウェハＡＡマーク４１５はマスク２とウ
ェハ３の間のずれを、例えば１００倍に拡大してＡＡス
ポット４０７のずれ（位置）とする事ができる。ＡＡス
ポット４０７を受光したＡＡセンサ４０８の出力は、プ
リアンプ４０３で増幅されファインＡＡ、ＡＦ信号処理
部４０２に入力される。ファインＡＡ、ＡＦ信号処理部
４０２は、ＡＡセンサ４０８に入射したＡＡスポット４
０７の位置をその重心を利用して求める。そして、ＡＡ
スポットの重心のずれ（位置）を例えば１／１００倍す
ることによりマスクＡＡマーク４１６とウェハＡＡマー
ク４１５すなわちマスク２とウェハ３とのずれを求める
。
ずれ）は以下のように求めることができる。すなわち、
ファインＡＡ、ＡＦレーザダイオード駆動部４０５は、
ファインＡＡ、ＡＦインターフェイス部４０１により設
定される光出力で半導体レーザ４０ＢをＡＡセンサ４０
８が飽和しない範囲の十分大きな光出力で駆動する。そ
して、半導体レーザ４０６を出射した光束は、コリメー
タレンズ４１１を透過した後、投光ビーム４１３となり
、マスク上ＡＡマーク４１６を透過しウェハ上ＡＡマー
ク４１５で反射され受光ビーム４１２となりＡＡスポッ
ト４０７としてＡＡセンサ４０８に入射する。このとき
、ダブルグレーティング物理光学素子となるマスクＡＡ
マーク４１６とウェハＡＡマーク４１５はマスク２とウ
ェハ３の間のずれを、例えば１００倍に拡大してＡＡス
ポット４０７のずれ（位置）とする事ができる。ＡＡス
ポット４０７を受光したＡＡセンサ４０８の出力は、プ
リアンプ４０３で増幅されファインＡＡ、ＡＦ信号処理
部４０２に入力される。ファインＡＡ、ＡＦ信号処理部
４０２は、ＡＡセンサ４０８に入射したＡＡスポット４
０７の位置をその重心を利用して求める。そして、ＡＡ
スポットの重心のずれ（位置）を例えば１／１００倍す
ることによりマスクＡＡマーク４１６とウェハＡＡマー
ク４１５すなわちマスク２とウェハ３とのずれを求める
。
他方、ギャップ情報は、以下のようにして求めることが
できる。すなわち、ファインＡＡ、ＡＦレーザダイオー
ド駆動部４０５は、ファインＡＡＡＦインターフェイス
部４０１により設定される光出力で半導体レーザ４０６
をＡＦ全センサ０９が飽和しない範囲の十分大きな光出
力で駆動する。そして半導体レーザ４０６を出射した光
束は、コリメータレンズ４１１を透過した後、投光ビー
ム４１３となりＡＦマーク４１４を透過しウェハ３で反
射され受光ビーム４１２となりＡＦスポット４１０とし
てＡＦ全センサ０９に入射する。このとき、マスク２上
に２種類のグレーティングレンズとして構成されたマス
クＡＦマーク４１４は、マスク２とウェハ３との面間隔
を、例えば１５倍に拡大してＡＦスポット４１０のずれ
（位置）とする。ＡＦ全センサ０９の出力はプリアンプ
４０４で増幅されファインＡＡ、ＡＦ信号処理部４０２
に入力される。ファインＡＡ、ＡＦ信号処理部４０２は
、ＡＦ全センサ０９に入射したＡＦスポット４１０の位
置をその重心を利用して求める。そして、ＡＦスポット
４１０の重心の位置を例えば１／１５倍することにより
マスクＡＦマーク４１４とウェハ３すなわちマスク２と
ウェハ３の面間隔を求める。
できる。すなわち、ファインＡＡ、ＡＦレーザダイオー
ド駆動部４０５は、ファインＡＡＡＦインターフェイス
部４０１により設定される光出力で半導体レーザ４０６
をＡＦ全センサ０９が飽和しない範囲の十分大きな光出
力で駆動する。そして半導体レーザ４０６を出射した光
束は、コリメータレンズ４１１を透過した後、投光ビー
ム４１３となりＡＦマーク４１４を透過しウェハ３で反
射され受光ビーム４１２となりＡＦスポット４１０とし
てＡＦ全センサ０９に入射する。このとき、マスク２上
に２種類のグレーティングレンズとして構成されたマス
クＡＦマーク４１４は、マスク２とウェハ３との面間隔
を、例えば１５倍に拡大してＡＦスポット４１０のずれ
（位置）とする。ＡＦ全センサ０９の出力はプリアンプ
４０４で増幅されファインＡＡ、ＡＦ信号処理部４０２
に入力される。ファインＡＡ、ＡＦ信号処理部４０２は
、ＡＦ全センサ０９に入射したＡＦスポット４１０の位
置をその重心を利用して求める。そして、ＡＦスポット
４１０の重心の位置を例えば１／１５倍することにより
マスクＡＦマーク４１４とウェハ３すなわちマスク２と
ウェハ３の面間隔を求める。
ファインＡＡ、ＡＰ信号処理部４０２は、アナログ回路
で実現しても良いし、プリアンプ４０３と４０４の出力
をアナログディジタル変換器（図示せず）でディジタル
化した後でマイクロコンピュータ等でディジタル処理し
ても構わない。また、ファインＡＡ、ＡＦインターフェ
イス部４０１は、本体コントロールユニット４２３の指
示により、上述のようにしてアライメント情報やギャッ
プ情報を求め、必要に応して通信Ｉ／Ｆ４２１と通信線
４２２を通じて本体コントロールユニット４２３に送信
する事ができる。
で実現しても良いし、プリアンプ４０３と４０４の出力
をアナログディジタル変換器（図示せず）でディジタル
化した後でマイクロコンピュータ等でディジタル処理し
ても構わない。また、ファインＡＡ、ＡＦインターフェ
イス部４０１は、本体コントロールユニット４２３の指
示により、上述のようにしてアライメント情報やギャッ
プ情報を求め、必要に応して通信Ｉ／Ｆ４２１と通信線
４２２を通じて本体コントロールユニット４２３に送信
する事ができる。
第５図は、第１図のピックアップステージ１１４のα方
向アクチュエータユニット１０１及びβ方向アクチュエ
ータユニット１０２をコントロールする電気ブロックと
、ピックアップ１１１のメカクランプ（ブツシュロッド
１０８）を制御する電気ブロックを示している。
向アクチュエータユニット１０１及びβ方向アクチュエ
ータユニット１０２をコントロールする電気ブロックと
、ピックアップ１１１のメカクランプ（ブツシュロッド
１０８）を制御する電気ブロックを示している。
第５図に示すように、ピックアップステージ制御部５１
２は、ピックアップステージコントロールユニット！５
０１〜５０４（４基分）と、ピックアップヘッドクラン
プ制御部５０５より成っている。ピックアップステージ
コントロールユニット５０１〜５０４は、α方向および
β方向アクチュエータユニット１０１，１０２のドライ
バであるα軸駆動部５０７ａ〜５０７ｄ、及びβ軸駆動
部５０８ａ〜５０８ｄに対して、駆動距離は相当するパ
ルス数を出力する機能、及び同パルスの払い出しのタイ
ミングを本体コントロールユニット４２３から転送され
た目標位置からピックアップ１１１に衝撃を与えないよ
うな金型駆動パターンとして作成する機能を有している
。
２は、ピックアップステージコントロールユニット！５
０１〜５０４（４基分）と、ピックアップヘッドクラン
プ制御部５０５より成っている。ピックアップステージ
コントロールユニット５０１〜５０４は、α方向および
β方向アクチュエータユニット１０１，１０２のドライ
バであるα軸駆動部５０７ａ〜５０７ｄ、及びβ軸駆動
部５０８ａ〜５０８ｄに対して、駆動距離は相当するパ
ルス数を出力する機能、及び同パルスの払い出しのタイ
ミングを本体コントロールユニット４２３から転送され
た目標位置からピックアップ１１１に衝撃を与えないよ
うな金型駆動パターンとして作成する機能を有している
。
α軸駆動部５０７ａ〜５０７ｄ及びβ軸駆動部５０８ａ
〜５０８ｄは、ＤＣモータ用のドライバであって、本体
コントロールユニット４２３からの指令によりサーボル
ープのゲインを０にする事も可能である。ピックアップ
ヘッドクランプ制御部５０５は、ピックアップ１１１の
ピッチングとローリングによる位置制御誤差を制御する
目的で超平面であるピックアップ基準面（不図示）に押
しつける為に用いるアクチュエータの駆動部５０９、及
びこの状態の確認を行うためのセンサ部５１０により戒
っている。状態確認のためのセンサ（不図示）は、ピッ
クアップステージ１１４各基について装備されているの
で、センサ部５１０は合計４チヤンネルの入力を有して
いる。
〜５０８ｄは、ＤＣモータ用のドライバであって、本体
コントロールユニット４２３からの指令によりサーボル
ープのゲインを０にする事も可能である。ピックアップ
ヘッドクランプ制御部５０５は、ピックアップ１１１の
ピッチングとローリングによる位置制御誤差を制御する
目的で超平面であるピックアップ基準面（不図示）に押
しつける為に用いるアクチュエータの駆動部５０９、及
びこの状態の確認を行うためのセンサ部５１０により戒
っている。状態確認のためのセンサ（不図示）は、ピッ
クアップステージ１１４各基について装備されているの
で、センサ部５１０は合計４チヤンネルの入力を有して
いる。
第６図は第１図中で説明した接触子３１０（以下バンパ
と呼ぶ）の装置方法について例を挙げたものである。
と呼ぶ）の装置方法について例を挙げたものである。
同図において、１８〜１ｄはピックアップであり、同図
（１）における５ａＲ，５ａＬ〜５ｄＲ，５ｄＬ、同図
（２）における５ａ〜５ｄおよび同図（３）における５
ａＧ、５ａＳ 〜５ｄＧ、５ｄＳはそれぞれピックアッ
プ１８〜１ｄに取りつけられたバンパである。同図（１
）〜（３）に例示したバンバは金属片を加工した電極の
形をしており、それぞれ、第７図（１）〜（３）に示す
様な配線方法で配線され、制御回路７０２内にステータ
スが取り込まれる。
（１）における５ａＲ，５ａＬ〜５ｄＲ，５ｄＬ、同図
（２）における５ａ〜５ｄおよび同図（３）における５
ａＧ、５ａＳ 〜５ｄＧ、５ｄＳはそれぞれピックアッ
プ１８〜１ｄに取りつけられたバンパである。同図（１
）〜（３）に例示したバンバは金属片を加工した電極の
形をしており、それぞれ、第７図（１）〜（３）に示す
様な配線方法で配線され、制御回路７０２内にステータ
スが取り込まれる。
第６図（１）は各ピックアップにつき２片のバンパを持
つ例を示しており、隣り合うピックアップのバンパ例え
ばバンバ５ａＬと５ｂＲが接触する事によりピックアッ
プ同士の異常接近を検出する。この構成においてはすべ
てのピックアップの結線と構成を共通にできる利点があ
る。
つ例を示しており、隣り合うピックアップのバンパ例え
ばバンバ５ａＬと５ｂＲが接触する事によりピックアッ
プ同士の異常接近を検出する。この構成においてはすべ
てのピックアップの結線と構成を共通にできる利点があ
る。
第６図（２）はピックアップｌａ、１ｃ２基とピックア
ップｌｂ、１ｄ２基との間で電位が異なる１片のバンパ
を各ピックアップに装着した例である。接触する可能性
のあるバンバ同士は互いに異なる電位を持つので、この
電位の変化を検出する事で異常接近の状態を知る事がで
きる。この方法においては、ピックアップの機械的構成
を最も簡単にする事ができる反面、どのピックアップ同
士が接近したかを知る事ができない。
ップｌｂ、１ｄ２基との間で電位が異なる１片のバンパ
を各ピックアップに装着した例である。接触する可能性
のあるバンバ同士は互いに異なる電位を持つので、この
電位の変化を検出する事で異常接近の状態を知る事がで
きる。この方法においては、ピックアップの機械的構成
を最も簡単にする事ができる反面、どのピックアップ同
士が接近したかを知る事ができない。
第６図（３）は各ピックアップについて片方に外部から
の力によって電気的に接触する接触子対を構成するバン
パを設けた例である。例えばピックアップ１ａと１ｂが
接近するとピックアップ１ａに装着されたバンバ５ａＳ
がピックアップ１ｂによって押されバンパ５ａＧと接触
する。したがって、この接触状態を電気的に検出する事
により、異常接近の状態を知る事ができる。
の力によって電気的に接触する接触子対を構成するバン
パを設けた例である。例えばピックアップ１ａと１ｂが
接近するとピックアップ１ａに装着されたバンバ５ａＳ
がピックアップ１ｂによって押されバンパ５ａＧと接触
する。したがって、この接触状態を電気的に検出する事
により、異常接近の状態を知る事ができる。
第７図（１）に示すように、第６図（１）の左側のバン
パ５ａＬ〜５ｄＬはすべて電位がグランドレベル（ＯＶ
）に固定され、右側のバンパ５ａＲ〜５ｄＲはそれぞれ
１にΩの抵抗で＋５ｖにプルアップされている。したが
って、例えばバンバ５ｂＲとバンバ５ａＬが接触すると
バンパ５ａＲの電位が下がり、シュミットゲート７０１
を通してその状態信号６ａが制御回路７０２に読み込ま
れる。この構成は他の３基のピックアップ１ｂ〜１ｄに
ついても同様でそれぞれ状態信号６ｂ〜６ｄとして制御
回路７０２内に読み込まれる。
パ５ａＬ〜５ｄＬはすべて電位がグランドレベル（ＯＶ
）に固定され、右側のバンパ５ａＲ〜５ｄＲはそれぞれ
１にΩの抵抗で＋５ｖにプルアップされている。したが
って、例えばバンバ５ｂＲとバンバ５ａＬが接触すると
バンパ５ａＲの電位が下がり、シュミットゲート７０１
を通してその状態信号６ａが制御回路７０２に読み込ま
れる。この構成は他の３基のピックアップ１ｂ〜１ｄに
ついても同様でそれぞれ状態信号６ｂ〜６ｄとして制御
回路７０２内に読み込まれる。
第７図（２）に示すように、バンバ５ｂ、５ｄはグラン
ドレベル（ＯＶ）に電位が固定され、バンパ５ａ、５ｃ
は１にΩのプルアップ用抵抗７０３で電位がワイヤード
ＯＲされている。この電位はシュくットゲート７０１を
通して状態信号６として制御回路７０２に取り込まれる
。
ドレベル（ＯＶ）に電位が固定され、バンパ５ａ、５ｃ
は１にΩのプルアップ用抵抗７０３で電位がワイヤード
ＯＲされている。この電位はシュくットゲート７０１を
通して状態信号６として制御回路７０２に取り込まれる
。
第７図（３）に示すように、バンバ５ａＳとバンバ５ａ
Ｇは支持の役割ももつ絶縁体７０４によって隔てられて
おり、バンパ５ａＧはグランドレベル（Ｏｖ）に固定さ
れ、バンバ５ａＳは１にΩの抵抗によってプルアップさ
れている。他のバンバも同様であり、信号処理の過程は
第７図（１）の場合に準する。
Ｇは支持の役割ももつ絶縁体７０４によって隔てられて
おり、バンパ５ａＧはグランドレベル（Ｏｖ）に固定さ
れ、バンバ５ａＳは１にΩの抵抗によってプルアップさ
れている。他のバンバも同様であり、信号処理の過程は
第７図（１）の場合に準する。
第８図はピックアップの異常接近を検出した後のｌＡ理
フシ−ケンス２通示している。
フシ−ケンス２通示している。
第８図（１）に示すシーケンスでは、ステップ８０１で
異常接近が検出されると、ステップ８０２に移り、−担
すべてのピックアップの移動が止まり、α−の方向（第
１図参照）すなわち４基のピックアップが互いに離れる
方向にのみ移動可能となる。そして、ステップ８０３で
はピックアップが４基とも衝突の危険のない領域に退避
してからピックアップステージ１１４の原点出しを行い
、再帰する。
異常接近が検出されると、ステップ８０２に移り、−担
すべてのピックアップの移動が止まり、α−の方向（第
１図参照）すなわち４基のピックアップが互いに離れる
方向にのみ移動可能となる。そして、ステップ８０３で
はピックアップが４基とも衝突の危険のない領域に退避
してからピックアップステージ１１４の原点出しを行い
、再帰する。
第８図（２）に示すシーケンスでは、ステップ８０４で
異常接近が検出されると、ステップ８０５に移り、異常
接近を検出したピックアップをサーチする。そして、異
常接近を検出したピックアップに関してはステップ８０
６ａ〜８０６ｄに示すようなピックアップの移動上の制
限を設ける。例えばピックアップ１ａが異常接近を検出
した場合はステップ８０６ａへ進み、ピックアップ１ａ
のα軸＋方向、β軸一方向を移動禁止とし、ピックアッ
プ１ｂのα軸＋方向、β軸子方向の移動を禁止する。そ
の後、ステップ８０７において、ステップ８０６ａで設
けられた制限条項を守りながらピックアップステージ１
１４のイニシャライズ等の回復シーケンスを行い、ステ
ップ８０８へ進んで通常動作に復帰する。
異常接近が検出されると、ステップ８０５に移り、異常
接近を検出したピックアップをサーチする。そして、異
常接近を検出したピックアップに関してはステップ８０
６ａ〜８０６ｄに示すようなピックアップの移動上の制
限を設ける。例えばピックアップ１ａが異常接近を検出
した場合はステップ８０６ａへ進み、ピックアップ１ａ
のα軸＋方向、β軸一方向を移動禁止とし、ピックアッ
プ１ｂのα軸＋方向、β軸子方向の移動を禁止する。そ
の後、ステップ８０７において、ステップ８０６ａで設
けられた制限条項を守りながらピックアップステージ１
１４のイニシャライズ等の回復シーケンスを行い、ステ
ップ８０８へ進んで通常動作に復帰する。
これら２通りのシーケンスのうち第８図（１）に示した
シーケンスは第６図の構成例のすべてに適用できる。他
方、第８図（２）に示したシーケンスは第６図の構成例
のうち同図（２）の例には適用する事ができない。
シーケンスは第６図の構成例のすべてに適用できる。他
方、第８図（２）に示したシーケンスは第６図の構成例
のうち同図（２）の例には適用する事ができない。
［発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、位置合わせ機構に
おいて、光学的アライメント装置同志の異常接近を接触
子を介して検出するようにしたため、光学的アライメン
ト装置同志の干渉を未然に防止でき、誤動作に対して安
全性が高まるとともに、センサ手段を簡単かつコンパク
トに構成する事ができる。
おいて、光学的アライメント装置同志の異常接近を接触
子を介して検出するようにしたため、光学的アライメン
ト装置同志の干渉を未然に防止でき、誤動作に対して安
全性が高まるとともに、センサ手段を簡単かつコンパク
トに構成する事ができる。
第１図は、本発明の一実施例に係るピックアップおよび
ピックアップステージの斜面図、第２図は、従来例にお
ける露光装置のアライメントシステムの構成図、 第３図（ａ）は、従来例に係るマスク上アライメントパ
ターンを示す模式図、同図（ｂ）は、従来例に係るウェ
ハ上アライメントパターンを示す模式図、同図（ｅ）は
、従来例に係るマスク上アライメントパターンとウェハ
上アライメントパターンを重ねた様子を示す模式図、 第４図は、第１図の装置および回折格子を利用した高精
度アライメント計測システムの構成図、第５図は、第１
図のピックアップステージの挙動を制御する電気的ハー
ドウェアの構成図、第６図（１）〜（３）は、第１図の
ピックアップにバンパを装着した様子を示す概念図、第
７図（１）〜（３）は、第６図に示したバンパの状態を
検出するための電気的ハードウェアの概念図、そして 第８図（１）および（２）は、第１図のピックアップス
テージの異常接近時における処理シーケンスを示すフロ
ーチャートである。 １１１ １ａ〜１ｄ・ピックアップ、２：マスク、３．
ウェハ、１１４：ピックアップステージ、５ａＲ，５ａ
Ｌ〜５ｄＲ，５ｄＬ、５ａ 〜５ｄ、５ａＧ、５ａＳ
〜５ｄＧ、５ｄＳ：ピックアップに装着されたバンパ、
６：ピックアップのバンバの状態を制御回路に伝達する
信号線。
ピックアップステージの斜面図、第２図は、従来例にお
ける露光装置のアライメントシステムの構成図、 第３図（ａ）は、従来例に係るマスク上アライメントパ
ターンを示す模式図、同図（ｂ）は、従来例に係るウェ
ハ上アライメントパターンを示す模式図、同図（ｅ）は
、従来例に係るマスク上アライメントパターンとウェハ
上アライメントパターンを重ねた様子を示す模式図、 第４図は、第１図の装置および回折格子を利用した高精
度アライメント計測システムの構成図、第５図は、第１
図のピックアップステージの挙動を制御する電気的ハー
ドウェアの構成図、第６図（１）〜（３）は、第１図の
ピックアップにバンパを装着した様子を示す概念図、第
７図（１）〜（３）は、第６図に示したバンパの状態を
検出するための電気的ハードウェアの概念図、そして 第８図（１）および（２）は、第１図のピックアップス
テージの異常接近時における処理シーケンスを示すフロ
ーチャートである。 １１１ １ａ〜１ｄ・ピックアップ、２：マスク、３．
ウェハ、１１４：ピックアップステージ、５ａＲ，５ａ
Ｌ〜５ｄＲ，５ｄＬ、５ａ 〜５ｄ、５ａＧ、５ａＳ
〜５ｄＧ、５ｄＳ：ピックアップに装着されたバンパ、
６：ピックアップのバンバの状態を制御回路に伝達する
信号線。
Claims (3)
- （１）ウェハ基板および原版のアライメントマークの位
置合わせ状態を計測する複数の光学的アライメント装置
、及びこれらの装置を所定の各駆動軸に沿って移動させ
る駆動機構を備えた位置合わせ機構において、光学的ア
ライメント装置相互の異常接近を検出する接触子を有す
るセンサ手段を具備することを特徴とする位置合わせ機
構。 - （２）前記接触子は各光学的アライメント装置の先端部
分に装着した電極であり、センサ手段はその接触によっ
て光学的アライメント装置相互の異常接近を検出するも
のであることを特徴とする請求項１記載の位置合わせ機
構。 - （３）光学的アライメント装置相互の異常接近が検出さ
れた場合に光学的アライメント装置を相互に離れる方向
にのみ駆動可能とする手段を備えたことを特徴とする請
求項１記載の位置合わせ機構。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22154089A JP2777915B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 位置合わせ機構 |
| DE69032988T DE69032988T2 (de) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | Ausrichtungssystem |
| EP19900309414 EP0415724B1 (en) | 1989-08-30 | 1990-08-29 | Alignment system |
| US07/769,495 US5112133A (en) | 1989-08-30 | 1991-10-01 | Alignment system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22154089A JP2777915B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 位置合わせ機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385718A true JPH0385718A (ja) | 1991-04-10 |
| JP2777915B2 JP2777915B2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=16768322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22154089A Expired - Fee Related JP2777915B2 (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | 位置合わせ機構 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5112133A (ja) |
| EP (1) | EP0415724B1 (ja) |
| JP (1) | JP2777915B2 (ja) |
| DE (1) | DE69032988T2 (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5621813A (en) * | 1993-01-14 | 1997-04-15 | Ultratech Stepper, Inc. | Pattern recognition alignment system |
| JP3002351B2 (ja) * | 1993-02-25 | 2000-01-24 | キヤノン株式会社 | 位置合わせ方法および装置 |
| KR0139039B1 (ko) * | 1993-06-30 | 1998-06-01 | 미타라이 하지메 | 노광장치와 이것을 이용한 디바이스 제조방법 |
| JPH0737786A (ja) * | 1993-07-21 | 1995-02-07 | Canon Inc | ステージ位置決め制御方法 |
| US5593800A (en) * | 1994-01-06 | 1997-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask manufacturing method and apparatus and device manufacturing method using a mask manufactured by the method or apparatus |
| JPH07321024A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Canon Inc | 位置決め方法およびその装置ならびにこれらを用いた露光装置 |
| EP0715215B1 (en) * | 1994-11-29 | 2001-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment method and semiconductor exposure method |
| JP3261948B2 (ja) * | 1995-03-28 | 2002-03-04 | キヤノン株式会社 | Ｘ線露光用マスク及びそれを用いた半導体素子の製造方法 |
| JP3391940B2 (ja) * | 1995-06-26 | 2003-03-31 | キヤノン株式会社 | 照明装置及び露光装置 |
| JP3320262B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2002-09-03 | キヤノン株式会社 | 走査露光装置及び方法並びにそれを用いたデバイス製造方法 |
| US5751404A (en) * | 1995-07-24 | 1998-05-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method wherein alignment is carried out by comparing marks which are incident on both reticle stage and wafer stage reference plates |
| JP3894509B2 (ja) * | 1995-08-07 | 2007-03-22 | キヤノン株式会社 | 光学装置、露光装置およびデバイス製造方法 |
| JPH09129550A (ja) | 1995-08-30 | 1997-05-16 | Canon Inc | 露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
| JP3815750B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、ならびに前記ステージ装置を用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
| JP3634487B2 (ja) * | 1996-02-09 | 2005-03-30 | キヤノン株式会社 | 位置合せ方法、位置合せ装置、および露光装置 |
| US5920398A (en) * | 1996-03-01 | 1999-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface position detecting method and scanning exposure method using the same |
| US5930324A (en) * | 1996-04-03 | 1999-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
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