JPH0394058A - イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
イオンビームスパッタ装置Info
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- JPH0394058A JPH0394058A JP22860389A JP22860389A JPH0394058A JP H0394058 A JPH0394058 A JP H0394058A JP 22860389 A JP22860389 A JP 22860389A JP 22860389 A JP22860389 A JP 22860389A JP H0394058 A JPH0394058 A JP H0394058A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンビームスパッタ製置に係り、特に、多
数の基板に同時に均一な成膜を行うに適したイオンビー
ムスパッタ装置に関する。
数の基板に同時に均一な成膜を行うに適したイオンビー
ムスパッタ装置に関する。
従来、知られているイオンビームスパッタ装置としては
、ニュークリア・インス１−ルメンッ・アンド・メソッ
ド・イン・フィジックス・リサーチ・Ｂ ３７／ ３８
， １ ９ ８ ９ （Ｎｕｃｌｅａｒ
Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄｓ
．ｉｎ Ｐｈｙｓｊｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｒｌ）の
８３８頁〜３ー ８ ４． １頁に記載されたものがある。この装置では
、スパッタ用イオン源から引出されたイオンビームが、
その表面に斜めに入射されるようにターゲットが配置さ
れ、該ターゲット表面からスパッタされた粒子が飛翔す
る方向に基板が配置されて、該基板上にスパッタされた
粒子により或膜が行われる。前記文献に示された装置は
実験装置であるが、この構成が最も一般的であり、量産
装置として発表されたものも、基本的に、上記装置と同
じである。
、ニュークリア・インス１−ルメンッ・アンド・メソッ
ド・イン・フィジックス・リサーチ・Ｂ ３７／ ３８
， １ ９ ８ ９ （Ｎｕｃｌｅａｒ
Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ ａｎｄＭｅｔｈｏｄｓ
．ｉｎ Ｐｈｙｓｊｃｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｒｌ）の
８３８頁〜３ー ８ ４． １頁に記載されたものがある。この装置では
、スパッタ用イオン源から引出されたイオンビームが、
その表面に斜めに入射されるようにターゲットが配置さ
れ、該ターゲット表面からスパッタされた粒子が飛翔す
る方向に基板が配置されて、該基板上にスパッタされた
粒子により或膜が行われる。前記文献に示された装置は
実験装置であるが、この構成が最も一般的であり、量産
装置として発表されたものも、基本的に、上記装置と同
じである。
上記従来技術では、例えば、光ディスク、磁気ディスク
などの基板を、多数枚同時に、かつ、高速で或膜処理す
る場合の配慮がなされておらず、大面積に亘って均一或
膜をするには、ターゲットと基板の距離を大きくする必
要があった。この距離を大きくすれば、距離の自乗に反
比例して成膜速度が低下するので全体としての基板成膜
能率が上らない。
などの基板を、多数枚同時に、かつ、高速で或膜処理す
る場合の配慮がなされておらず、大面積に亘って均一或
膜をするには、ターゲットと基板の距離を大きくする必
要があった。この距離を大きくすれば、距離の自乗に反
比例して成膜速度が低下するので全体としての基板成膜
能率が上らない。
本発明の課題は、多数の基板を同時に、イオン４−
ビームスパッタにより高速或膜するにある。
上記の課題は、高電圧で加速されたイオンビムを放出す
るイオン源と、前記イオンビームを照射されて表面から
粒子をスパンシされるターゲットと、該粒子を表面に付
着させる基板を保持する基板ホルダと、前記イオン源と
前記ターゲットと前記基板ホルダとを内装する真空容器
と、を備えたイオンビームスパッタ装置において、前記
基板ホルダを前記イオン源と前記ターゲットを結ぶ線上
に配置し、該基板ホルダのほぼ中央部分にイオンビーム
が通過する開孔を設けることにより達威される。
るイオン源と、前記イオンビームを照射されて表面から
粒子をスパンシされるターゲットと、該粒子を表面に付
着させる基板を保持する基板ホルダと、前記イオン源と
前記ターゲットと前記基板ホルダとを内装する真空容器
と、を備えたイオンビームスパッタ装置において、前記
基板ホルダを前記イオン源と前記ターゲットを結ぶ線上
に配置し、該基板ホルダのほぼ中央部分にイオンビーム
が通過する開孔を設けることにより達威される。
上記の課題は、また、高電圧で加速されたイオンビーム
を放出するイオン源と、前記イオンビームを照射されて
表面から粒子をスパッタされるターゲットと、該粒子を
表面に付着させる基板を保持する基板ホルダと、前記イ
オン源と前記ターゲットと前記基板ホルダとを内装する
真空容器と、を備えたイオンビームスパッタ装置におい
て、前記基板ホルダを、前記イオン源と前記ターゲット
を結ぶ線を中心としてほぼ同心円状に配置された複数個
の基板ホルダから構或し、該複数個の基板ホルダ群のほ
ぼ中央部分にイオンビームが通過する空隙を設けること
により達＋ａされる。
を放出するイオン源と、前記イオンビームを照射されて
表面から粒子をスパッタされるターゲットと、該粒子を
表面に付着させる基板を保持する基板ホルダと、前記イ
オン源と前記ターゲットと前記基板ホルダとを内装する
真空容器と、を備えたイオンビームスパッタ装置におい
て、前記基板ホルダを、前記イオン源と前記ターゲット
を結ぶ線を中心としてほぼ同心円状に配置された複数個
の基板ホルダから構或し、該複数個の基板ホルダ群のほ
ぼ中央部分にイオンビームが通過する空隙を設けること
により達＋ａされる。
上記の課題は、また、基板ホルダが、該基板ホルダに装
着された基板の戊膜面がイオン源とタゲットを結ぶ線に
対してほぼ垂直になるように配置されており、かつ開孔
の周囲に前記線を中心としてほぼ同心状に前記基板を装
着するように形成されている請求項１に記載のイオンビ
ームスパッタ装置によっても達成される。
着された基板の戊膜面がイオン源とタゲットを結ぶ線に
対してほぼ垂直になるように配置されており、かつ開孔
の周囲に前記線を中心としてほぼ同心状に前記基板を装
着するように形成されている請求項１に記載のイオンビ
ームスパッタ装置によっても達成される。
上記の課題は、また、個々の基板を装着する取付台が基
板の戊膜面のほぼ中心をとおる法線を中心軸として回転
可能に形成されていることと、該取付台を前記基板の成
膜面のほぼ中心をとおる法線を中心軸として回転させる
岨動手段を備えている請求項２に記載のイオンビームス
パッタ装置によっても達威される。
板の戊膜面のほぼ中心をとおる法線を中心軸として回転
可能に形成されていることと、該取付台を前記基板の成
膜面のほぼ中心をとおる法線を中心軸として回転させる
岨動手段を備えている請求項２に記載のイオンビームス
パッタ装置によっても達威される。
上記の課題は、また，ターゲットは頂点をイオン源に対
向させ、中心線をイオン源とターゲッ１へを結ぶ線にほ
ぼ一致させた円錐形状である請求項工乃至４のいずれか
に記載のイオンビームスパツタ装置によっても、基板ホ
ルダがイオン源とタゲッ１・を結ぶ線を中心軸として同
転可能に形成されており、該基板ホルダを前記イオン源
とターケッＩ・を結ぶ線を中心輔として同転させる疎動
手段を備えている請求ｔｆｔ １乃至５のいずれかに記
載のイオンビームスパッタ装置によっても達或される。
向させ、中心線をイオン源とターゲッ１へを結ぶ線にほ
ぼ一致させた円錐形状である請求項工乃至４のいずれか
に記載のイオンビームスパツタ装置によっても、基板ホ
ルダがイオン源とタゲッ１・を結ぶ線を中心軸として同
転可能に形成されており、該基板ホルダを前記イオン源
とターケッＩ・を結ぶ線を中心輔として同転させる疎動
手段を備えている請求ｔｆｔ １乃至５のいずれかに記
載のイオンビームスパッタ装置によっても達或される。
上記の課題は、さらに、高電圧で加速されたイオンビー
ムを放出するイオン源と、前記イオンビームを照射され
て表面から粒子をスパッタされる夕一ゲットと、該粒子
を表面に付着させる基板を保持する基板ホルダと、前記
イオン源と前記タゲッ１〜と前記基板ホルダとを内装す
る真空容器と、を備えた複数のイオンビームスパッタ装
埴と、該複数のイオンビームスパッタ装置の真空容器を
相互に接続する気密の開閉手段と、前記基板ホルダを前
記開閉手段を通して真空容器間を移動させる搬送手段と
、を備え、前記複数のイオンビームス７ バッタ装置のうちのすくなくとも一つは請求項１乃至６
のいずれかに記載のイオンビームスパッタ装置であるイ
ンラインイオンビームスパッタ装置によっても達威され
る。
ムを放出するイオン源と、前記イオンビームを照射され
て表面から粒子をスパッタされる夕一ゲットと、該粒子
を表面に付着させる基板を保持する基板ホルダと、前記
イオン源と前記タゲッ１〜と前記基板ホルダとを内装す
る真空容器と、を備えた複数のイオンビームスパッタ装
埴と、該複数のイオンビームスパッタ装置の真空容器を
相互に接続する気密の開閉手段と、前記基板ホルダを前
記開閉手段を通して真空容器間を移動させる搬送手段と
、を備え、前記複数のイオンビームス７ バッタ装置のうちのすくなくとも一つは請求項１乃至６
のいずれかに記載のイオンビームスパッタ装置であるイ
ンラインイオンビームスパッタ装置によっても達威され
る。
基板ホルダが、イオン源とターゲットとを結ぶ線を中心
とする同心円状に配置されているので、基板の成膜面と
ターゲットとの珪離を増大させることなく、同時に或膜
する基板の個数を増加することができる。また、基板は
イオン源とターゲットとを結ぶ線を中心とする同心円状
に配置されているので、各基板の成膜面とターゲットの
釦離がほぼ同一の値に保たれ、均一な戊膜が行われる。
とする同心円状に配置されているので、基板の成膜面と
ターゲットとの珪離を増大させることなく、同時に或膜
する基板の個数を増加することができる。また、基板は
イオン源とターゲットとを結ぶ線を中心とする同心円状
に配置されているので、各基板の成膜面とターゲットの
釦離がほぼ同一の値に保たれ、均一な戊膜が行われる。
基板の取付台を、当該取付台に装着される基板の成膜面
の中心を通る法線を軸として回転させたり、イオン源と
ターゲットとを結ぶ線を回転軸として基板ホルダを回転
させることにより、基板の成膜はさらに均一化される。
の中心を通る法線を軸として回転させたり、イオン源と
ターゲットとを結ぶ線を回転軸として基板ホルダを回転
させることにより、基板の成膜はさらに均一化される。
複数のイオンビームスパッタ装置の真空容器を気密の開
閉手段を介して接続し、基板ホルダを、８ 前記開閉手段を通して移動させる搬送手段を設けること
により、異なる材質のターゲットを用いた或嘆を基板を
真空容器外に出すことなく連続して行うことができる。
閉手段を介して接続し、基板ホルダを、８ 前記開閉手段を通して移動させる搬送手段を設けること
により、異なる材質のターゲットを用いた或嘆を基板を
真空容器外に出すことなく連続して行うことができる。
以下、本発明の第１の実施例を、第↓図、第２図を参照
して説明する。真空容器６内の該容器６の一端に近接し
た＜ｅｌ置に保持機構１０を介して円盤状の基板ホルダ
１が装着され、該基板ホルダ１の中央部には円形の開孔
７が設けられている。市記真空容器６内の他端には、前
記開孔７に対向するイ０置にターゲット５が配置され、
さらに真空容器６の基板ホルダ上が装着された側の端部
には、前記開孔７を通して前記ターゲット５と対向する
位置にイオン源３が設けられている。前記ｊｋ板ホルダ
１のターゲット５に対向する側には、複数個の基板２が
、或ＩＩ＠面をターゲッｌ− ５側に向けて前記円形の
開孔７と同心円状に配置されている。基板ホルダ１は、
前記保持機構１０の周囲に円筒面状に形成された摺動面
に沿ってイオン源３とターゲット５を結ぶ線を中心市由
として回転可能に形戊され、該基板ホルダ１の円周面に
は歯車が形成されて睡動手段９により前記中心軸のまわ
りに回転翻動される。個々のＪｔ板２は、基板ホルダ］
に設けられた取付台１１に装着され、該取付台１１は、
基板２の成膜面のほぼ中心の法線を回転軸として回転可
能としてある。前記取付台１１の保持機構１０側の端部
は、突出して該保持機構１０の内周面に形成された歯車
と係合する遊星歯車ｌ３となっている。
して説明する。真空容器６内の該容器６の一端に近接し
た＜ｅｌ置に保持機構１０を介して円盤状の基板ホルダ
１が装着され、該基板ホルダ１の中央部には円形の開孔
７が設けられている。市記真空容器６内の他端には、前
記開孔７に対向するイ０置にターゲット５が配置され、
さらに真空容器６の基板ホルダ上が装着された側の端部
には、前記開孔７を通して前記ターゲット５と対向する
位置にイオン源３が設けられている。前記ｊｋ板ホルダ
１のターゲット５に対向する側には、複数個の基板２が
、或ＩＩ＠面をターゲッｌ− ５側に向けて前記円形の
開孔７と同心円状に配置されている。基板ホルダ１は、
前記保持機構１０の周囲に円筒面状に形成された摺動面
に沿ってイオン源３とターゲット５を結ぶ線を中心市由
として回転可能に形戊され、該基板ホルダ１の円周面に
は歯車が形成されて睡動手段９により前記中心軸のまわ
りに回転翻動される。個々のＪｔ板２は、基板ホルダ］
に設けられた取付台１１に装着され、該取付台１１は、
基板２の成膜面のほぼ中心の法線を回転軸として回転可
能としてある。前記取付台１１の保持機構１０側の端部
は、突出して該保持機構１０の内周面に形成された歯車
と係合する遊星歯車ｌ３となっている。
上記構成のイオンビームスパッタ装置の動作を゛以下に
説明する。基板ホルダ上に基板２が装着され、真空容器
６内が所定の真空度になるまで排気されると、イオン源
６から高電圧で加速されたイオンビーム４が放出され、
該イオンビーム４は開孔７を通してターゲット５に照射
される。イオンビーム４によって照射されたターゲット
５の表面からは、ターゲット５を形成する物質の粒子が
スパッタされ、真空中をとんで基板２の表面に付着し，
薄膜を形戊する。
説明する。基板ホルダ上に基板２が装着され、真空容器
６内が所定の真空度になるまで排気されると、イオン源
６から高電圧で加速されたイオンビーム４が放出され、
該イオンビーム４は開孔７を通してターゲット５に照射
される。イオンビーム４によって照射されたターゲット
５の表面からは、ターゲット５を形成する物質の粒子が
スパッタされ、真空中をとんで基板２の表面に付着し，
薄膜を形戊する。
この時、形戊される薄膜の膜厚分布Ｆを、基板ホルダ１
の中心を原点とし、縦軸に基板ホルダ１の中心Ａからの
半径方向の距離Ｄ．横中１１１に膜厚Ｃをとって、第６
図に示す。ノ，（板２がイオン源３とターゲット５を結
ぶ線を中心軸とするドーナツ状に配置されているので、
基板２の存在領域Ｂは、横軸に対して対称な位置となり
、基板の設置位置による膜厚分布のばらつきは、小さい
。本実施例においては、基板ホルダ１は、開動手段９に
よって回転されて公転運動を行い、それぞれの基板２は
、この公転運動にイ゛Ｉ″．なう取付台１１の遊星歯ｘ
ｌＬ１３による回転によって自転運動を行うので、基板
ごとの膜厚分布はさらに均一な値となる。なお、この自
転運動の中心は必ずしも基板２の中心である必要はなく
、自転時に隣接する基板が接触することがなければ偏心
してもよい。
の中心を原点とし、縦軸に基板ホルダ１の中心Ａからの
半径方向の距離Ｄ．横中１１１に膜厚Ｃをとって、第６
図に示す。ノ，（板２がイオン源３とターゲット５を結
ぶ線を中心軸とするドーナツ状に配置されているので、
基板２の存在領域Ｂは、横軸に対して対称な位置となり
、基板の設置位置による膜厚分布のばらつきは、小さい
。本実施例においては、基板ホルダ１は、開動手段９に
よって回転されて公転運動を行い、それぞれの基板２は
、この公転運動にイ゛Ｉ″．なう取付台１１の遊星歯ｘ
ｌＬ１３による回転によって自転運動を行うので、基板
ごとの膜厚分布はさらに均一な値となる。なお、この自
転運動の中心は必ずしも基板２の中心である必要はなく
、自転時に隣接する基板が接触することがなければ偏心
してもよい。
上記実施例では、基板ホルダエが１個の円盤状に形成さ
れ、この基板ホルダに複数個の自転する取付台１１が設
けられているが、取イ寸台１１を基板１個を装着する基
板ホルダとし、この基板ホル１１− ダを複数個同心円状に連結し、それぞれが自転すると共
に、全体として公転するように構成してもよい。
れ、この基板ホルダに複数個の自転する取付台１１が設
けられているが、取イ寸台１１を基板１個を装着する基
板ホルダとし、この基板ホル１１− ダを複数個同心円状に連結し、それぞれが自転すると共
に、全体として公転するように構成してもよい。
本発明の第２の実施例の要部を第３図に示す。
この実施例においては、ターゲット５Ａが、頂点をイオ
ン源に対向させ、中心線をイオン源とターゲットを結ぶ
線にほぼ一致させた円錐形状に形成されている。他の部
分は前記第１の実施例と同じなので説明を省略する。本
実施例によれば、夕一ゲット５Ａのイオンビーム被照射
面が円錐形状をなしているので、スパッタされる粒子の
とんでいく方向分布が基板ホルダ１の中心部分よりも基
板２が配置されているドーナツ状部分に多くなり，第５
図に示されるように、各基板ごとの分布も均一化される
。基板ホルダ１の開孔７方向にとんで無駄になる粒子が
少くなるので、ターゲット５Ａの利用効率は、前記第１
の実施例の平面ターゲットの場合よりも向上する。
ン源に対向させ、中心線をイオン源とターゲットを結ぶ
線にほぼ一致させた円錐形状に形成されている。他の部
分は前記第１の実施例と同じなので説明を省略する。本
実施例によれば、夕一ゲット５Ａのイオンビーム被照射
面が円錐形状をなしているので、スパッタされる粒子の
とんでいく方向分布が基板ホルダ１の中心部分よりも基
板２が配置されているドーナツ状部分に多くなり，第５
図に示されるように、各基板ごとの分布も均一化される
。基板ホルダ１の開孔７方向にとんで無駄になる粒子が
少くなるので、ターゲット５Ａの利用効率は、前記第１
の実施例の平面ターゲットの場合よりも向上する。
第４図に示す第３の実施例では、前記第２の実施例の構
成に加えて、防着装置１２が，イオン源−１２ ３とターゲット５Ａの間に配置され、スパッタ粒子によ
るイオン源３の汚損が防止されている。
成に加えて、防着装置１２が，イオン源−１２ ３とターゲット５Ａの間に配置され、スパッタ粒子によ
るイオン源３の汚損が防止されている。
本発明をインライン式イオンビームスパッタ装置に適用
した第４の実施例を第７Ａ図、第７Ｂ図に示す。図にお
いて、イオン源３、基板ホルダｌ、ターゲット５および
それらを内装する真空容器６からなる複数個のイオンビ
ームスパッタ装置の真空容器は、気密の開閉手段である
ゲート弁８を介して相互に連通・結合されており、基板
ホルダ１は図示されていない搬送手段により、ゲーＩ・
弁８を通って、隣接する真空容器に順次、移動可能とな
っている。本実施例における個々のイオンビームスパッ
タ装置は、前記、第１、第２第３の実施例のいずれかが
用いられている。本実施例によれば、異なる材料のター
ゲットを用いた或膜を連続して行うことができ、ターゲ
ット材質変更の都度、真空度を上げる必要がないので、
大量かつ多層成膜作業が高能率化される。
した第４の実施例を第７Ａ図、第７Ｂ図に示す。図にお
いて、イオン源３、基板ホルダｌ、ターゲット５および
それらを内装する真空容器６からなる複数個のイオンビ
ームスパッタ装置の真空容器は、気密の開閉手段である
ゲート弁８を介して相互に連通・結合されており、基板
ホルダ１は図示されていない搬送手段により、ゲーＩ・
弁８を通って、隣接する真空容器に順次、移動可能とな
っている。本実施例における個々のイオンビームスパッ
タ装置は、前記、第１、第２第３の実施例のいずれかが
用いられている。本実施例によれば、異なる材料のター
ゲットを用いた或膜を連続して行うことができ、ターゲ
ット材質変更の都度、真空度を上げる必要がないので、
大量かつ多層成膜作業が高能率化される。
本発明によれば、基板が、イオン源とターゲットを結ぶ
線を中心としてドーナツ状に配置されるので、ターゲッ
１〜と基板の距離を小さくしても、多数の基板に同時に
均一な戊膜を行うことができるので、或膜特性のすぐれ
た基板の量産を可能とする効果がある。
線を中心としてドーナツ状に配置されるので、ターゲッ
１〜と基板の距離を小さくしても、多数の基板に同時に
均一な戊膜を行うことができるので、或膜特性のすぐれ
た基板の量産を可能とする効果がある。
第」−図は本発明の第１の実施例の主要構或を示す縦断
面図、第２図は第上図の部分の正面図、第３図は本発明
の第２の実施例の主要な部分の断面図、第４図は本発明
の第３の実施例の主要な部分の断面図、第５図は第２の
実施例の場合の膜厚分布を示す概念図、第６図は第↓の
実施例の場合の膜厚分布を示す概念図、第７Ａ図は本発
明の第４の実施例を示す正面図で、第７Ｂ図は第７Ａ図
の■Ｂ − Ｖｌｌ Ｂ線矢視平面図である。 １・・基板ホルダ、２ ・基板、３・・・イオン源、４
・・・イオンビーム、５・・・ターゲット、６・真空容
器、７・・・開孔、 ８・・・開閉手段（ゲート弁）、９・・・酩動手段、工
上・・取付台、 １．３・取付台を回転させる旺動手段
面図、第２図は第上図の部分の正面図、第３図は本発明
の第２の実施例の主要な部分の断面図、第４図は本発明
の第３の実施例の主要な部分の断面図、第５図は第２の
実施例の場合の膜厚分布を示す概念図、第６図は第↓の
実施例の場合の膜厚分布を示す概念図、第７Ａ図は本発
明の第４の実施例を示す正面図で、第７Ｂ図は第７Ａ図
の■Ｂ − Ｖｌｌ Ｂ線矢視平面図である。 １・・基板ホルダ、２ ・基板、３・・・イオン源、４
・・・イオンビーム、５・・・ターゲット、６・真空容
器、７・・・開孔、 ８・・・開閉手段（ゲート弁）、９・・・酩動手段、工
上・・取付台、 １．３・取付台を回転させる旺動手段
Claims (7)
- １． 高電圧で加速されたイオンビームを放出するイオ
ン源と、前記イオンビームを照射されて表面から粒子を
スパッタされるターゲットと、該粒子を表面に付着させ
る基板を保持する基板ホルダと、前記イオン源と前記タ
ーゲットと前記基板ホルダとを内装する真空容器と、を
備えたイオンビームスパッタ装置において、前記基板ホ
ルダは前記イオン源と前記ターゲットを結ぶ線上に配置
されていることと、該基板ホルダのほぼ中央部分にイオ
ンビームが通過する開孔が設けられていることと、を特
徴とするイオンビームスパッタ装置。 - ２． 高電圧で加速されたイオンビームを放出するイオ
ン源と、前記イオンビームを照射されて表面から粒子を
スパッタされるターゲットと、該粒子を表面に付着させ
る基板を保持する基板ホルダと、前記イオン源と前記タ
ーゲットと前記基板ホルダとを内装する真空容器と、を
備えたイオンビームスパッタ装置において、前記基板ホ
ルダは、前記イオン源と前記ターゲットを結ぶ線を中心
としてほぼ同心円状に配置された複数個の基板ホルダか
らなり、該複数個の基板ホルダ群のほぼ中央部分にイオ
ンビームが通過する空隙が設けられていることと、を特
徴とするイオンビームスパッタ装置。 - ３． 基板ホルダが、該基板ホルダに装着された基板の
成膜面がイオン源とターゲットを結ぶ線に対してほぼ垂
直になるように配置されており、かつ開孔の周囲に前記
線を中心としてほぼ同心状に前記基板を装着するように
形成されていることを特徴とする請求項１に記載のイオ
ンビームスパッタ装置。 - ４． 個々の基板を装着する取付台が基板の成膜面のほ
ぼ中心をとおる法線を中心軸として回転可能に形成され
ていることと、該取付台を前記基板の成膜面のほぼ中心
をとおる法線を中心軸として回転させる駆動手段を備え
ていることと、を特徴とする請求項２に記載のイオンビ
ームスパッタ装置。 - ５． ターゲットは頂点をイオン源に対向させ、中心線
をイオン源とターゲットを結ぶ線にほぼ一致させた円錐
形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか
に記載のイオンビームスパッタ装置。 - ６． 基板ホルダがイオン源とターゲットを結ぶ線を中
心軸として回転可能に形成されていることと、該基板ホ
ルダを前記イオン源とターゲットを結ぶ線を中心軸とし
て回転させる駆動手段を備えていることを特徴とする請
求項１乃至５のいずれかに記載のイオンビームスパッタ
装置。 - ７． 高電圧で加速されたイオンビームを放出するイオ
ン源と、前記イオンビームを照射されて表面から粒子を
スパッタされるターゲットと、該粒子を表面に付着させ
る基板を保持する基板ホルダと、前記イオン源と前記タ
ーゲットと前記基板ホルダとを内装する真空容器と、を
備えた複数のイオンビームスパッタ装置と、該複数のイ
オンビームスパッタ装置の真空容器を相互に接続する気
密の開閉手段と、前記基板ホルダを前記開閉手段を通し
て真空容器間を移動させる搬送手段と、を備え、前記複
数のイオンビームスパッタ装置のうちのすくなくとも一
つは請求項１乃至６のいずれかに記載のイオンビームス
パッタ装置であるインラインイオンビームスパッタ装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22860389A JPH0394058A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22860389A JPH0394058A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | イオンビームスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394058A true JPH0394058A (ja) | 1991-04-18 |
Family
ID=16878940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22860389A Pending JPH0394058A (ja) | 1989-09-04 | 1989-09-04 | イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0394058A (ja) |
-
1989
- 1989-09-04 JP JP22860389A patent/JPH0394058A/ja active Pending
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