JPH0395165A - 新規なシクロブタン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］ 本発明は、例えば抗ウィルス薬あるいは制癌剤等の医薬
として期待されるシクロブタン誘導体及びその有用製造
中間体及びそれらの製造法に関する。

［従来の技術］ 核酸関連物質には抗ウィルス作用あるいは制癌作用を持
つものが数多く知られており、そのうちいくつかのもの
は有用な医薬品として臨床に供されている。例えば抗ウ
ィルス剤としてはビダラビン（Ｍ．Ｐｒｉｖａｔ　ｄｅ
　Ｇａｒｉｌｈｅ　ａｎｄ　Ｊ．ｄｅ　Ｒｕｂｂｅｒ，
　Ｃ．ＲＡｃａｄ．Ｓｏｃ．Ｄ（Ｐａｒｉｓ）２５９．
　２７２５（１９６４））、アシクロビル（Ｇ．Ｂ．Ｅ
１ｉｏｎ　ｅｔ　ａｌ．，　Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃ
ａｄ．　Ｓｃｉ．ｔｌＳＡ７４．　５７１６　（２９７
？））、アジドチミジン（Ｈ．Ｍｉｔｓｕｙａ　ｅｔ　
ａｌ．，　Ｐｒｏｃ．Ｎａｔｌ．Ａｃａｄ．　Ｓｃｉ．
ＵＳＡ，　８２．７０９６（１９８５））等が知られて
いる。また、制癌剤としては５一フル才ロウラシル、シ
トシンアラビノシド等が知られている。

［発明が解決しようとする諜Ｈ］ しかしながら、上記抗ウイルス薬は適用範囲が狭く、ま
た溶解度、経口吸収性、代謝等の影響により投与方法が
限られる、また、骨髄毒等の副作用のため長期投与が困
難である等問題点を多く残している。また、後天性免疫
不全症候群（Ａ　Ｉ　ＤＳ）、成人Ｔ細胞白血病（ＡＴ
Ｌ）等悪性なウイルス病が増加の傾向にあることから、
新たな抗ウイルス薬の開発が望まれている。

また玉　上記制癌剤についても適用範囲、副作用などに
問題を多く残している。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、一般式（ＩＶ） ［式中日は核酸塩基であり、Ｒ４は水素原子または保護
基であるコ で表されるシクロブタン誘導体に関する。

一般式（１■）において、Ｂの核酸塩基としては、ビリ
ミジン塩基やプリン塩基が挙げられる。ピリミジン塩基
としては、例えば式 が、プリン塩基としては、例えば式 が挙げられる。

（ここでＹ１は、水素原子、または低級アルキル基を示
し、Ｙ２は、水素原子、ハロゲン原子、またはアミノ基
を示し、Ｙ３は、水素原子またはアミノ基を示し、Ｙ４
は、水素原子またはアミノ基を示す）また、一般式（１
■）に於ける各置換基の立体配置は、置換基８とそれに
隣接するヒドロキシメチル基とがトランス位であり、置
換基Ｂに隣接するヒドロキシメチル基と他のヒドＯキシ
メチル基とがトランス位である化合物か好ましく、さら
に好ましくは、　（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）である化合物が
がよい。

一般式（１■）で示される化合物の具体例を次に示す。

なお本明細書に於では化合物の相対立体配置を、シクＯ
ブタン環を平面として考えた時、平面の下方（一方）に
位置する置換基をα、平面の上方（他方）に位置する置
換基を６で表している。

１．（±）　−９−［（＋ａ，　　２ａ，　　３β）−
２，３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−
イル〕−アデニン ２．９−　［（ＩＳ．２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒ
ドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル］一アデニン ３．９−　［（＋Ｒ，２Ｓ，３Ｒ）−２，．３−ビス（
ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル］一アデニ
ン ４．（±）　−９　−　［　（＋　ａ．　　２ａ，　　
３１３）　−２３−ビス（ヒドＯキシメチル）シクロブ
タンー１−イル］一グアニン ９−　［（ＩＳ，２Ｒ，３Ｓ）　−２．３−ビス（ヒド
ロキシメチル）シクＯブタン−１−イル］一グアニン ６．９−　［（＋Ｒ，２Ｓ，３Ｒ）−２．３−ビス（ヒ
ドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］一グアニン （±）−９−　［　（１β，　　２ａ，　　３ｆｉ）　
−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクＯブタン−１
−イル］一アデニン ９−　［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロ
キシメチル）シクＯブタン−１−イル］一アデニン ９．９−［（Ｉｓ．２Ｓ，３Ｒ）−２．３−ビス（ヒド
ロキシメチル）シクロブタン−１一イルコーアデニン １０．（±）　−９　−　［　（１　１３，　　２ａ，
　　３Ｂ）　−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シク
Ｏブタン−１−イル］一グアニン ９−［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビ８ ７ ５ １１ ス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］一グ
アニン １２．９−　［（ＩＳ，２Ｓ，３Ｒ）　−２．３−ビス
（ヒドロキシメチル）シクＯブタン−１ーイル］一グア
ニン １３．（±）−２−アミノー９−［（１６．　　２ａ，
１）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン
−１−イルコープリン １４．２−アミノー９−［（ｉＲ．２Ｒ，３Ｓ）−２．
３−ビス（ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル
］一プリン １５．２−アミノー９−［（Ｉｓ，２Ｓ，３Ｒ）−２．
３−ビス（ヒドロキシメチル）シクＯブタン−１−イル
］一プリン １６．（±）−２−アミノー９−［（＋良，２ｑ，３β
）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−
１−イルコー６一クロロプリン １７．２−アミノー９−　［（ＩＲ，，２Ｒ，３Ｓ）−
２，３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−
イル］一６−ク００ブリン１８．２−アミノー９−［（
Ｉ８．２Ｓ，３Ｒ）一２，３−ビス（ヒドロキシメチル
）シク０ブタン−１−イル］一６−クＯロブリン１９．
（±）−２．６−ジアミノ−９−　［　（１β，２ａ，
３１３）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクＯブ
タン−１−イル］一ブリン ２０．　　２．　　６−ジアミノー９−　［　（Ｉ　Ｒ
．　　２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル
）シクＯブタン−１−イル］一プリン ２１．　　２．　　６−ジアミノ−９−　［　（Ｉ　Ｓ
．　　２Ｓ，３日）−２．３−ビス（ヒドロキシメチノ
レ）シクロブタン−１−イル］一プリン ２２６　（±）　−９　−　［（＋　＠，　　２ａ，　
　３１３）　−２．３−ビス（ヒドＯキシメチル）シク
Ｏブタン−１−イル］一ヒボキサンチン ２３．９−［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒ
ドロキシメチル）シクＯブタン−１一イル〕−ヒボキサ
ンチン ２４．９−　（（１ｓ，２Ｓ，３Ｒ）−２．３−ビス（
ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル］一ヒボキ
サンチン ２５．（±）−１−［　（１　１３．　　２ａ．　　３
１３）　−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブ
タン−１−イル］　−２．　　４　（ＩＨ，　　３Ｈ）
　−ビリミジンジオン ２８．１−　［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（
ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル］　−２．
　　４　（＋Ｈ，　　３Ｈ）一ビリミジンジオン ２７．１−［（ＩＳ，２Ｓ，３Ｒ）−２．３−ビス（ヒ
ドＯキシメチル）シクロブタン−１一イル］−２．４（
１｝｛，３｝−１）一ビリミジンジオン ２８．（±）−１−［Ｃ１β，２ａ，３β）−２３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］一５
−メチル−２．４（１目，３Ｈ）一ビリミジンジオン ２９．１−　［（＋Ｒ．２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビ３０
． ３　１． ３　２． ３　３． ３　４． ス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］一５
−メチル−２．　　４　（１Ｈ，　　３Ｈ）一ピリミジ
ンジオン １−［（１５，２Ｓ，３Ｒ）−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）シクロブタン−１−イル］一５−メチル−２
．　　４　（１｝−１．　　３Ｈ）一ビリミジンジオン （±）−４−アミノー１−　［（＋β，２ｑ，３１３）
−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１
−イル］　−２　（ＩＨ）−ビリミジノン ４−アミノー１−［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３＝ビ
ス（ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル］　−
２　（１日）一ビリミジノン ４−アミノー１−［（１ｓ，　　２Ｓ，３Ｒ）−２．３
−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］
−２（ＩＨ）一ピリミジノン （±）−２−アミノー９−［（１１３，　　２ａ．？■
）−２．３−ビス（アセトキシメチル）シクロブタン−
１−イル］一ブリン ３５．２−アミノー９−［（１Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）一２，
３−ビス（アセトキシメチル）シクロブタン−１−イル
コープリン ３６．２−アミノー９−［（Ｉｓ，２Ｓ，３Ｒ）−２，
３−ビス（アセトキシメチル）シクＯブタン−１−イル
］一プリン 本発明化合物のうち一般式（１■）で表される化合物は
一般式（Ｖ） ［式中白４は水素または保護基を示し、×は脱離基を示
す］ で表わされる化合物と核酸塩基とを反応することにより
得られる一般式（ｖ１） しｔｌ２ＬＪＫ− ［式中、Ｒ４は水素または保護基を示し、Ｂ１は核酸塩
基を示す］ で表される化合物を得、この化合物に保護基が存在する
場合は、所望によりその保護基を適当な脱保護試剤で除
去することにより製造される。

一般式（Ｖ）〜（　ｖ＋　）に於ける保護基（Ｒ４）と
しては、一般に保護基として使用されるものなら特に制
限なく、エステル型保護基例えば、アセチル基、ベンゾ
イル基等のアシル基、ジメチルカノレバモイル基、ジフ
エニル力ルパモイル基等のカノレバモイル基または、エ
ーテル型保護基例えば、ｔ一ブチルジメチルシリル基、
ｔ−プチルジフエニルシリル基等のシリル基または、メ
トキシメチル基等の’（　Ｃ　Ｉ−’　Ｃ　ａ）アルコ
キシー（Ｃ＋−Ｃａ）アルキル基、テトラヒド口ピラニ
ル基、ベンジル基、４−メトキシベンジル基、トリチル
基等の１つ以上のフェニル基で置換されたメチル基があ
げられる。　一般式（Ｖ）に於ける脱離基（×）として
は、例えば、メタンスルホニルオキシ基、ｐ一トルエン
スルホニルオキシ基、トリフルオ口メタンスルホニルオ
キシ基等のスルホニルオキシ基、塩素、臭素、ヨウ素等
のハロゲンが挙げられる。

核酸塩基としては、例えばウラシル、ヂミン、シトシン
等のピリミジン塩基、アデニン、ヒボキサンチン、グア
ニン、２−アミノー６−クＯロプリン、２−アミノブリ
ン、２，６−ジアミノプリン等プリン塩基が挙げられる
。これらの化合物は保護基を有していても良い。例えば
一般式（Ｘｌ＋）〜（　Ｘ　Ｖｌｌ　） （Ｘｎ）　　　　　　　（ＸＩ［ｌ）　　　　　　　　
（Ｘｌ’ｌ／）［式中、Ｒ４は前記と同じ、８５はベン
ジル基、ブチル基等ｃ１−ｃｓの低級アルキル基、メト
キシエチル基等の（ｃ，−ｃ５アルコキシ）ＣＩ−Ｃ５
アルキル基、あるいはＲ４を示し、Ｒ６は水素原子、ハ
Ｏゲン原子、またはＮＨＲ’を示し、Ｒ７は水素原子ま
たはＮＨＲ’を示し、ＹＩは、水素原子またはｃｌ−ｃ
ｓの低級アルキル基を示す］ に示されるような化合物を挙げることができる。

一般式（Ｖ）で表される化合物と、核酸塩基、例えば一
般式（　Ｘ　＋＋　）〜（　Ｘ　Ｖｌ１　）の化合物と
の反応に於で、一般式（Ｖ）の化合物と例えば一般式（
Ｘｌ＋）〜（　Ｘ　Ｖｌ１　）の化合物の使用割合は、
前者１当量に対し後者約０．５−１０倍当量、好ましく
は約１−５当量程度が良い。又、両者の反応は、塩基触
媒存在下にあるいは無触媒で行なわれる。

塩基触媒としては、炭酸カリウム、水素化リチウム、水
素化ナトリウム等を用い、Ｎ，　　Ｎ−ジメチルホルム
アミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
、１，３−ジメチル−２−イミダゾリノン、ヘキサメチ
ルフォスフォリック　トリアミド（口ＭＰＡ）等の溶媒
中、０℃から溶媒の還流温度、好ましくは、室温付近か
ら１７０℃程度で行なわれる。塩基触媒の使用量は、例
えば一般式（Ｘｌ＋）〜（　Ｘ　Ｖｌｌ　）の化合物に
対してＯ当量から２倍当量、好ましくは、０．５から１
．５倍当量程度、さらに好ましくは、０．　　８から１
．２倍当量程度がよい。

また、一般式（■１）で示される化合物の保護基（アル
キル基を含む）の除去は、その保護基の違いにより適当
な脱保護試剤、或いは、脱保護方法を用いることで達成
される。例えば、水酸化ナトリウム、ナトリウムメチラ
ート、アンモニア等のアルカリ、塩酸、硫酸等の酸、フ
ッ化テトラブチルアンモニウム等のフッ素試剤、水素化
分解等が挙げられる。

また、本発明化合物の一般式（ＩＶ）で表わされる化合
物のうちＢが２，６−ジアミノプリン、２一アミノブリ
ンまたは、２−アミノー６−ハロブリンである化合物は
、一般式（　ＩＶ　ａ　）で表わされる化合物から製造
することもできる。

例えば、反応式（１） 反応式（１） ［式中８４は前記と同じ、Ｘは脱離基を示し、Ｙ２は水
素原子、ハロゲン原子、またはアミノ基を示す］ に示すように、例えば一般式（ｌＶａ）で表わされるグ
アニン誘導体の水酸基を保護し、一般式（Ｘ×）で表わ
される化合物へ誘導した後、オキシ塩化リン等のハロゲ
ン化剤あるいは、１，　　３．　　５−トリメチルベン
ゼンスルホニルクＯライド等のスルホニル化剤と反応さ
せ、一般式（ＸＸＩ）で表わされる化合物を合成する。

この一般式（ＸＸＩ）で表わされる化合物を、例えば封
管中、アンモニアーメタノールで加熱することにより一
般式（ＩＶｂ）に於てＹ２がアミノ基である化合物が得
られ、例えばパラジウムー炭素を用いて接触還元した後
、脱葆謹することにより一般式（ｌＶｂ）に於てＹ２が
水素原子である化合物が得られ、また、例えば、Ｘがハ
ロゲン原子である一般式（ＸＸＩ）で表わされる化合物
を、脱保護することにより一般式（ＩＶ　ｂ　）に於て
Ｙ２がハロゲン原子である化合物が得られる。

また、本発明化合物の一般式（ＩＶ）で表わされる化合
物のうちＢがヒボキサンチンである化合物は、一般式（
ＩＶｃ）で表わされる化合物から製造することもできる
。

例えば、反応式（２） 反応式（２） に示すように、例えば一般式（　ＩＶ　ｃ　）で表わさ
れるアデニン誘導体を、亜硝酸で処理する等ジアゾ化後
加水分解するか、またはアデノシンデアミネース等の加
水分解酵素で処理する事により、一般式（　ＩＶ　ｄ　
）で表わされる化合物を得ることができる。

また、本発明化合物の一般式（！Ｖ）で表わされる化合
物は、反応式（３） （Ｖ） （ＸＸ川） （χＸＩＩ　）　　　　　　　　　　　　　　（Ｆ／）
反応式（３） ［式中、８４は水素または保護基を示し、Ｘは脱離基を
示し、Ｂは核酸塩基を示し、Ｂ２は一工程あるいは多工
程でＢに導ける置換基を示す］に示すように、例えば一
般式（Ｖ）で表わされる化合物をナトリウムアジド等の
７ジドイオンと処理した後還元する等の通常の手法で一
般式（ＸＸＩ）で表わされるアミン誘導体を合成し、こ
の一般式（ＸＸＩ１）で表わされる化合物を既知の方法
（Ｒ．Ｉ／ｉｎｃｅ　ｅｔ　ａｌ．，Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈ
ｅｍ．，２７．１３５８（１９８４），ＲＪｉｎｃｅ　
ｅｔ　ａｌ．，Ｊ．Ｍｅｄ．Ｃｈｅｍ．，３０．２０２
６（１９８７），　Ｙ．Ｆ．Ｓｈｅａｌｙ　ａｎｄ　Ｃ
．Ａ．Ｏ　Ｄｅｌｌ，Ｊ．Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｉｃ　
Ｃｈｅｍ．，　１３．　１０１５（１９７６），　Ｙ．
　Ｆ．　Ｓｈｅａｌｙ　ｅｔ　ａｌ．　．　Ｊ．　Ｈｅ
ｔｅｒｏｃｙｃｔｉｃ　Ｃｈｅｍ．，１８，３８３（１
９８１）等）に従い一般式（ＸＸＩＩ１）で表わされる
中間体を経由して、一般式（１■）で表わされる化合物
を得ることができる。

また、一般式（Ｖ）の化合物、更には一般式（＋Ｖ）で
表される本発明化合物を製造するに当り、一般式（　Ｉ
Ｉ＋　’）で表される化合物が非常に有用であることを
見いだした。また、一般式（　Ｉｌ１　）で表される化
合物は、光学活性にも製造できることから一般式（ＩＶ
）で表される化合物も光学活性に製造できる。

即ち、反応式（４） 反応式（４） ［式中８１は炭素数１から５のアルキル基、アラルキル
基または二つの８１が結合して炭素数２から３の環状ア
ルキレン基を示し、Ｒ２は水素、炭素数１から５のアル
キル基、保護されたヒドロキシアルキル基または保護さ
れたカルボキシル基を示し、８３は水素、Ｃ，−ＣＳの
低級アルキル基、Ｃｔ−０５の低級アルコキシ基、また
はアラキルオキシ基を示す。Ａは炭素数２から５の直鎖
状または分枝状のアルキレン基を、Ｙは酸素またはイオ
ウ原子を、２は置換または無置換メチレン基または酸素
またはイオウ原子を示す］“ に示すように、一般式（１）で表される化合物と一般式
（！１）で表される化合物を縮合触媒を用いて反応する
と、触媒の種類によりラセミ体のあるいは光学活性な一
般式（　ＩＩ＋　）で表されるシクＯブタン化合物が高
収率で得られる。この反応に於｛ブる縮合触媒としては
、例えばルイス酸あるいはルイス酸と当量または過剰量
のリガンドを組合わせたものが挙げられる。ルイス酸と
しては、例えば四塩化チタン、ジクロロジイソブロボキ
シチタンなどのチタン化合物、二塩化スズ、四塩化スズ
、二価スズトリフラート等のスズ化合物、塩化ジメチル
アルミニウム、塩化ジエチルアルミニウム等のアルミニ
ウム化合物等が挙げられる。リガンドとしては立体的に
込み合ったジオール類が好ましく、例えば（２Ｓ，３Ｓ
）−２．３−０−　（＋−フェニルエチリデン）−１，
＋．４．４−テトラフエニル−１．　　２，　　３．　
　４−ブタンテトラオール（化合物Ａ）、　（２Ｒ，３
Ｒ）−２．３−０−　（１−フェニルエチリデン）−Ｌ
　　１，　　４．　　４−テトラフェニル−１．　　２
，　　３．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ｂ）、
　（２Ｓ，３Ｓ）−２．３−０一ペンジリデン−１．　
　Ｌ　　４，　　４−テトラフエニル−１．　　２，　
　３．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ｃ）、（２
Ｒ，３Ｒ）−２．３一〇−ペンジリデンー１，　　ｉ，
　　４．　　４−テトラフェニル−１．２，３，４−ブ
タンテトラオール（化合物Ｄ）、　（２Ｓ，３Ｓ）−２
．３−０−　（１−フェニルエチリデン）−１，　　Ｌ
　　４，　　４−テトラキス（４−メトキシフエニル）
　−１．　　２，　　３．　　４−ブタンテトラオール
（化合物Ｅ）、　（２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ｏ一（１−
フェニルエチリデン）−１，　　＋．　　４．４−テト
ラキス（４−メトキシフェニル）−１．２，　　３．　
　４−ブタンテトラオール（化合物Ｆ）或はこれらの化
合物のラセミ体等の分子内に５員環以上の環、好ましく
は５−８員環を有し、その環をはさんで両側に水酸基の
結合した基を有するもの等が挙げられる。一般式（＋）
で示される化合物と一般式（　Ｉ＋　）で示される化合
物の使用割合は前者１当量に対し後者０．　　１から６
当量好ましくは、０．５から２当量である。縮合触媒の
使用量は一般式（１）の化合物１当量に対し０．００＋
から２当量好ましくは０．０１当量から１．２当量であ
る。この反応に於で、反応系中にモレキュラーシーブス
４Ａなどの脱水剤を加えることにより反応がより効率よ
く進行することがある。反応の溶媒としては、例えばベ
ンタン、ヘキサン、ヘブタン、石油エーテル、ベンゼン
、　トルエン、エチルベンセン、トリメチルベンゼン、
トリイソブロビルベンゼン等の炭化水素系溶媒、フロン
等のハロゲン化炭素系溶媒、エーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル等の溶媒及び
これらの混合溶媒が挙げられ、反応温度は、反応溶媒の
凝固点から沸点程度がよく、好ましくは、−５０℃から
３０℃位がよい。例えば、日２がメトキシカノレボニノ
レ基、Ａ力てＣ口２Ｃ口２、Ｙが酸素、２が酸素である
・一般式（１）の化合物（１当量）及び、Ｒ１がメチル
基、Ｒ３が水素である一般式（１１）の化合物（１．２
５当量）を、縮合触媒としてジク００ジイソプＯボキシ
チタン（０．０５当量）及び（２Ｓ．３Ｓ）−２．３−
０−　（１−フェニルエチリデン）−Ｌ　　ｉ，　　４
．　　４−テトラフェニル−１．　　２．　　３．　　
４−ブタンテトラオール（化合物Ａ）（０．０５５当量
）を組み合わせた物を用い、モレキュラーシーブス４Ａ
を加え、ヘキサンートルエン混合溶媒中、０℃で反応さ
せることにより（２Ｓ，３Ｓ）−３−メトキシ力ルボニ
ル−１，１−ビス（メチルチオ’）−２−　（オキサゾ
リジン−２−オン−３−イル）カルボニルシク口ブタン
が高化学収率、高光学収率で得られ、この反応を、触媒
としてジクロ口ジイソブＯボキシチタン及び（２Ｒ，３
Ｒ）−２．３−０−（１一フェニルエチリデン）−１，
　　Ｌ　　４，　　４−テトラフェニルー＋，　　２，
　　３．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ｓ）を組
み合わせた物を用いると、　（２Ｒ，３Ｒ）−３−メト
キシ力ルボニル−１，１一ビス（メヂルチオ）−２−　
（オキサゾリジン−２−オン−３−イル）カルボニルシ
ク口ブタンが得られる。また、この反応をラセミ体の２
，３一〇−（１−フェニルエチリデン）−１．　　１，
　　４．４−テトラフェニル−１．　　２，　　３．　
　４−ブタンテトラオールを用いて行なうことにより、
　（±）−（２ａ，３β）−３−メトキシ力ルボニル−
１，１−ビス（メチルチオ’）−２−　（オキサゾリジ
ンー２一オン−３−イル）カルボニルシク口ブタンが得
られる。

本発明化合物に於てＲ１、Ｒ２、Ｒ３によって示される
炭素数１から５のアルキル基としては、例えばメチル基
、エチル基、ブチル基等のアルキル基が挙げられ、アラ
ルキル基としては、例えばベンジル基、４−メトキシベ
ンジル基等の芳香族環で置換されたアルキル基が挙げら
れる。また、保護されたヒドロキシアルキル基としては
、例えばペンジルオキシメチル基、アセチルオキシメチ
ル基、ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル基等が
挙げられる。保護されたカルボキシル基としては、例え
ばメトキシ力ルボニル基、エトキシ力ルボニル基等のよ
うなアルコキシ力ルボニル基や、ペンジルオキシ力ルボ
ニル基のアラルキルオキシ力ルボニル基等が挙げられる
。炭素数１から５の７ルコキシ基としては、例えばメト
キシ基、アリルオキシ基等が挙げられ、アラルキルオキ
シ基としては、例えばペンジルオキシ基、４−メトキシ
ベンジルオキシ基、ｔ−プチルジフェニルシリルオキシ
基等が挙げられる。

本発明の一般式（　ＩＩ＋　）で表される化合物として
は、例えば一般式（　Ｉｌ＋　）に於でＲＩ　　　Ｒ２
Ｒ３Ａ　　　　Ｙ　　　Ｚであるような化合物が挙げら
れる。７ 但し、一般式（川）で表される化合物の二つのｊｕｌｌ
は同じであっても異なっていてもよい。

一般式（Ｖ）で表される化合物は、例えば反応式（５） （ＸＩ） 反応式（５） （Ｖ） ［式中、Ｒｌは一般式（　Ｉｌ１　）と同じであり、Ｒ
ｌｌｌＲｌｌは水素または、炭素数１から５のアルキル
基またはアラルキル基を示し、Ｒ４は水素または保護基
を示し、Ｘは脱離基を表すコ に示すような工程で、一般式（＋＋＋）（ここではＲ２
が保護されたカルボキシル基であり、Ｒ３が水素である
）で表される化合物より製造することができる。

まず、例えば一般式（川）（ここではＲ２が保護された
カルボキシル基でありＲ３が水素である）で表される化
合物′をメタノール、エタノール等のアルコール性溶媒
中、マグネシウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等
の相当する金属アルコキシドで−７８℃から溶媒の沸点
付近で好ましくは、室温以下の温度で反応させるか、或
は、メタノール、エタノール等のアルコール性溶媒中、
塩酸、ｐ一トルエンスルホン酸等の酸または、トリエチ
ルアミン、水酸化ナトリウム等の塩基存在下、加溶媒分
解することにより、一般式（■１）に於で、Ｒｉｌ！及
びＲ＋１が水素以外の基である、対応するエステルが、
また、塩酸、ｐ一トルエンスルホン酸等の酸または、水
酸化ナトリウム、炭酸カリウム等の塩基存在下、加水分
解することにより一般式（■１）に於でＲＩＧ及びＲｌ
＋が水素であるカルボン酸が得られる。ここに得られる
一般式（■１）で表わされる化合物を、例えば水素化リ
チウムアルミニウム、水素化ジ（イソブチル）アルミニ
ウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウム
、ジボラン等の金属水素化物を用いて還元し、一般式（
■）で表されるアルコールを得る。さらに、一般式（■
）で表される化合物の水酸基を保護して得られる一般式
（１ｘ）で表される化合物のジチオケタール部分を、例
えば含水溶媒中、ヨウ素、Ｎ−プロモコハク酸イミド、
Ｎ−クＯロコハク酸イミド、スルフリルクロリド等のハ
ロゲン化剤または、硝酸銀、酸化銀、過塩素酸銀、塩化
水銀、塩化銅、酸化銅等の重金属化合物または、これら
の化合物を組み合わせた物を用いて、加水分解し一般式
（Ｘ）で表されるケトンヘ導く。

一般式（Ｘ）であらわされる化合物を、還元剤として例
えば水素化リチウムアルミニウム、水素化リチウムトリ
（ｔ−ブトキシ）アルミニウム、水素化ホウ素ナトリウ
ム、水素化リチウムトリ（Ｓ−ブチル）ホウ素、水素化
ホウ素リチウム等の金属水素錯化合物または、水素化ジ
イソブチルアルミニウム、ジボラン等の金属水素化物を
用い、溶媒として、例えばベンタン、ヘキサン、ヘプタ
ン、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、エチルベンセ
ン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロロホルム等
のハロゲン化炭素系溶媒、エーテル、テトラヒド口フラ
ン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール等のア
ルコール系溶媒、水及びこれらの混合溶媒を用い、反応
温度としては、１００℃から５０℃、好ましくは、−８
０℃から３０℃位で還元し、一般式（×１）で表される
化合物を得る。この還元反応の際、用いる還元剤の種類
、反応条件を選ぶことにより、立体異性体の一方を優先
的に得ることができる。例えば、反応式（６） （Ｘａ） （Ｘｌｆｌ） （Ｘｌｂ） 反応式（６） ［式中、Ｒ４は水素または保護基を示す］に示すような
一般式（×ａ）で表わされる２，３−トランスであるシ
クＯブタノンを、例えば比較的立体的に込み入っていな
い還元試薬で還元すると、１．２−トランスである一般
式（Ｘ　ｌ　ｂ）で表わされるアルコールが選択的に得
られ、例えば立体障害の大きな還元剤で処理することに
より、１，２−シスである一般式（Ｘ　Ｉ　ａ）で表わ
されるアルコールが優先的に得られる。即ち、　（２Ｓ
３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフエニルシリルオ
キシメチル）−１−シクＯブタノンを、立体障害の少な
０水素化リチウムトリ（ｔ−ブトキシ）アルミニウムま
たは、水素化ホウ素ナトリウムで還元すると、　（ｌ　
Ｒ，　　２Ｓ，　　３Ｓ）　−２．　　３ービス（ｔ−
プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブタノー
ルが選択的に（単離収率それぞれ８８％，８０％）得ら
れ、立体障害の大きい水素化リチウムトリ（Ｓ−ブチル
）または、ホウ素水素化ジ（インブチル）アルミニウム
で還元すると、　（ＩＳ．２Ｓ，　　３Ｓ）−２．　　
３−ビス（ｔ一プチルジフェニルシリルオキシメチル）
シクロブタノールが優先的（単離収率それぞれ７５％８
２％）に得られる。結果を次表に示す。

ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｓ　　　　　　　　　ｙｉｅｌｄ（
％）ｒｅａｇｅｎｔ　　　　　　ｓｏｌｖｅｎｔ　　　
ｔｅｍｐ．　　　Ｘｌａ　　ＸｌｂＲ”ｔ−ＢｕＰｈ２
Ｓｉ　　（Ｘｌａ，　　Ｘｌｂ）また、ここで得られる
立体異性体即ち、一般式（Ｘ　ｌ　ａ）で表わされる化
合物及び一般式（×１ｂ）で表わされる化合物は単離後
、相互に容易に他の異性体へ変換することができる。例
えば、一般式（Ｘ　ｌ　ａ）で表わされる化合物または
一般式（ｘ　＋　ｂ）で表わされる化合物を、クＯム酸
／酢酸、クロム酸／ビリジン等の金属酸化剤、ジメチル
スルホキシド（Ｃ）ＭＳＯ）一無水酢酸／酢酸、ＤＭＳ
Ｏ−オキザリルク口リドートリエチルアミン／塩化メチ
レン等のＤＭＳＯ酸化等、通常の酸化試薬または酸化方
法で一般式（Ｘａ）で表わされるケトンヘ再度酸化して
、更に選択的還元に付す方法、あるいは、一般式（Ｘｌ
ａ）で表わされる化合物及び一般式（Ｘ　ｌ　ｂ）で表
わされる化合物の水酸基の存在する１位炭素の立体配置
を、例えば光延反応（Ｍｉｔｓｕｍｏｂｕ　Ｒｅａｃｔ
ｉｏｎ）を利用して反転させる方法が挙げられる。例え
ば、一般式（Ｘ　Ｉ　ａ）で表わされる化合物または、
一般式（Ｘ＋ｂ）で表わされる化合物をトリフェニルフ
ォスフィン、亜リン酸トリメチル、亜リン酸トリエチル
等の３価リン化合物、酢酸、安息香酸等のカルボン酸、
及びジエチルアゾジ力ルポキシレート等の７ゾジカルポ
ン酸エステルを、溶媒として、例えばベンタン、ヘキサ
ン、ヘブタン、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、エ
チルベンセン等の炭化水素系溶媒、塩化メチレン、クロ
ロホルム等のハロゲン化炭素系溶媒、エーテル、テトラ
ヒド口フラン等のエーテル系溶媒及びこれらの混合溶媒
を用い、反応温度としては、−１００℃から５０℃、好
ましくは、−５０℃から３０℃位で反応し、生成するエ
ステルを、例えば、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、
ナトリウムメチラート、アンモニア等のアルカリ、塩酸
、硫酸等の酸による加水分解または、水素化リチウムア
ルミニウム、水素化リチウムトリ（Ｓ−ブチル）ホウ素
、水素化ホウ素リチウム等の金属水素錯化合物または、
水素化ジイソブチルアルミニウム、ジボラン等の金属水
素化物を用い還元し、一般式（Ｘ　ｌ　ｂ）で表わされ
る化合物または、一般式（Ｘ　ｌ　ａ）で表わされる化
合物を得ることができる。例えば、　（１Ｂ，２Ｓ，３
８）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキ
シメチル）シクＯブタノールを、ベンゼン中、トリフェ
ニルフォスフィン●安患香酸・ジエチルアゾジカルポキ
シレートと反応し、（Ｉｓ．２Ｓ．３Ｓ）−１−ペンゾ
イルー２．３一ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキ
シメチル）シクＯブタンへ導いた後、トルエン中、水素
化ジイソブチルアルミニウムで還元しベンゾイル基を除
去することにより、　（ＩＳ，２Ｓ，３Ｓ）−２．３−
ビス（ｔ−プチルジフエニルシリルオキシメチル）シク
ロブタノールが得られる。このようにして得られる一般
式（×１）で表される化合物の二級水酸基を脱離基へ導
くことにより一般式（Ｖ）で表される化合物が製造され
る。

［作用］ 本発明化合物は次の実験例から、幅広く強い抗ウイルス
作用及び制癌作用を発揮することがわかる。

実験例１ ＤＮＡウイルスである単純ヘルペス１型ウイルス（１−
１ｓ−１）、単純ヘルペス２型ウイルス（Ｈ　Ｓ　Ｖ　
−　Ｉ＋　）に対する抗ウイルス作用を下記の方法で試
験した。

（方法１） Ｖｅｒｏ細胞（アフリカミドリザル腎細胞由来）の単層
を有する６穴のマルチプレートにウイルス１　０　０　
−　１　５　０　Ｐ　Ｆ　ｔＪ　（Ｐｌａｑｕｅ　Ｆｏ
ｒｍｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）を感染させ、３７℃で１時間吸
溜後、各濃度の試料を含む寒天培地（１．５％寒天を含
むイーグルＭＥＭ培地）を重層し、３７℃、５％（　Ｖ
／Ｖ）の炭酸ガスフ卵器中で４８時間培養した後プラー
ク（Ｐｌａｑｕｅ）の形成を測定し、５０％抑制値（　
ＩＣｓｆ！）を求めた。

実験例２． ＤＮＡウイルスであるヒトサイトメガロウイルス（ＨＣ
ＭＶ）に対する作用を下記の方法で試験した。

（方法２） 抗サイトメガロウイルス活性は人胎児繊維芽細胞の単層
を有する３５ｎｍディシュ（ｄｉｓｈ）にサイトメガロ
ウイルス（Ａ０１６９株）ＩＯＯＰＦＵ（Ｐｌａｑｕｅ
　Ｆｏｒｍｉｎｇ　ｔｌｎｉｔ）を感染させ、１時間吸
着後、各濃度の本化合物を含む培地〔０．５％アガ〇一
ス（　３ｇａｒｏｓｅ）、２％牛胎児血清（　ｆｅｔａ
ｌ　ｃａｌｆｓｅｒｕｍ）　］で重層し、３７℃、５％
（　ｖ／ｖ）の炭酸ガスフ卵器中にて１０日間培養した
後プラーク（Ｐ　ｌａｑ　ｕｅ）形成を測定し、５０％
抑制値（　ｒｃｓｓ）を求めた。゜ 実験例３． ＤＮＡウイルスであるＢ型肝炎ウイルス（Ｈａ■）に対
する作用を下記の方法で試験した。

（方法３） 活性Ｂ型肝炎ウィルスを産生放出する培養肝細胞株Ｈ　
Ｂ　６　１　１　　（Ｐｒｏｃ．　Ｎａｔｌ．　Ａｃａ
ｄ．　Ｓｃｉ．　ＵＳＡ．８４，　４４４　（１９８７
））をＤｕｌｂｅｃｃｏに従いｍｏｄｉｆｉｅｄＥａｇ
ｌｅ培地（ＧＩＢＣＯ）中にて１０％子牛胎児血清、２
００μｇ／ｍｌ０４１８、ペニシリンおよびストレプト
マイシン（各＋ＯＯｕ／ｍｌ）存在下に３７℃、５％Ｃ
Ｏ２を用いて培養する。６穴プレートに５　ｘ　１０’
　ｃｅｔｌ／穴（３５ｍｍ）となるよう接種し、１〜２
日後５０％コンフルエントとなったところで本化合物の
一定量を加えて培養、以降３日毎に同じ濃度に薬剤を含
む培地と交換しつつ１５日間培養を続けた後、培地を除
去。細胞を０．５　　のリシスバッハ（Ｌｙｓｉｓ　ｂ
ｕｆｆｅｒ）　　（１０ｍＭ　ＴｒｉｓＨＣ１　ｐＨ７
．８／５ｍＭ　Ｎａ２ＥＤＴＡ，　　１％ＳＤＳ７０．
１ｍｇ／ｍｌ　Ｐｒｏｎａｓｅ　Ｋ）に″ｔ３７℃Ｉｈ
ｒ処理して溶解し、得られたＤＮＡをＲＮａｓｅ処理、
フェノール・クロロホルム処理エタノール沈澱法により
純化した。

次いで５　１．１　（；ｌ　ＤＮＡをＨ　ｉ　ｎ　ｄ　
Ｉｆ！処理し、サザン法によって３２ｐ−標式Ｂ型肝炎
ウイルスＤＮＡをブローブとして［）ＮＡのパターンを
分析した。

実験例４ ＲＮＡウイルスであるＨ　Ｉ　Ｖ　（ｔ｛ｕｍａｎ　Ｉ
ｍｍｕｎｏｄｅｆｉｃｉｅｎｃｙ　Ｖｉｒｕｓ）に対す
る作用を下記の方法で試験した。

（方法４） ２４穴トレーにＭＴ−４細胞約５万個／ｍｌ入れ、さら
に本発明化合物の一定量を含む溶液１００μ９を加え、
３７℃、５％（Ｖ／Ｖ）炭酸ガスフ卵器中にて２時間培
養した後、｝−１１ＶＩＯ３〜ｉｏ’感染単位を加え、
４日間培養後、培養液の一部をスライドグラスに塗抹し
、アセトン固定をした後、螢光抗体法にてウイルス抗原
の発現をみた。

なお、螢光抗体法の一次抗体にはエイズ患者の血清、二
次抗体にはＦ　Ｉ　ＴＣをラベルした抗ヒト９Ｇを用い
た。

実験例５． ヒト子宮頚癌｝｛ｅＬａ　　Ｓ３、マウス白血病Ｌ１２
１０及びＰ３８８細胞に対する制癌作用を次に示す方法
により試験した。

（方法５） ＨｅＬａ　　Ｓ３細胞を　７．５Ｘ＋０３ｃｅｓ　／　
ｍ　Ｉに調製し，９８ｗｅｌｌ平底ｐｌａｔｅに０．　
　２ｍ　ｌ／ｗｅ　ｌ　ｌずつ播いた。３７℃、５％Ｃ
Ｏ２インキュベーター内で２４時間培養したのち、薬剤
を１０μＩ添加し７２時間培養した。培養後、各ｗｅｌ
ｌの培養液を抜き取り、メタノールで固定した後０．０
５％メチレンブルー／１０ｍＭ−Ｔ　ｒ　ｉ　ｓ−ＨＣ
　Ｉ　（ｐＨ８．　　５）溶液を０．＋ｍｌ／ｗｅｌｌ
ずつ加え、３０分間室温にて染色した。各ｗｅ　ｌ　Ｉ
の染色液をアスビレーターを用いて抜き取った後、純水
で３回洗浄した。３％ＨＣＩを０．　　２ｍ　ｌ　／ｗ
ｅ　ｌ　Ｉの割合で添加後、シールで密封して約２４時
間室温放置し、細胞から色素を抽出した。各ｗｅｌｌの
６６０ｎｍでの吸光度をダイナテックマイクロプレート
リーダーで測定し、下に示す式により各濃度の増殖阻害
率（％）を算出し、対数確率紙にプロットして５０％阻
害濃度（　Ｉ．Ｃｓｉ＋値、１．１９／ｒｒｌｌ）を求
めた。

（方法６） Ｐ３８８及びＬｌ２１０の細胞を２４ｗｅｐｌａｔｅに
播種し、薬剤を添加して、３７℃、５％ＣＯ２で４８時
間培養した。培養終了後の細胞数を、コールターカウン
ターで算定した。処理群の対照群に対する増殖阻害率を
下の式から計算し、Ｌｉｔｃｈｆｉｅｌｄ法により５０
％阻害濃度（ＩＣｓｓ値、ｕａ／ｍｌ）を求めた。

以上の実験例１−５の結果を次表に示す。

実験例６． 単純ヘルペス２型ウイルス（　｝−Ｉ　Ｓ　Ｖ　−　Ｉ
＋　）に対するｉｎ　ｖｉｖｏ抗ウイルス作用を下記の
方法で試験した。

（方法７） Ｂ　Ａ　Ｌ　Ｂ　／　ｃ　？ウス（雄、６週令）ｆ．：
ＨＳＶ−Ｉ　（ｓｔｒａｉｎ　１８６，　４．８　ｘ　
１０５ＰＦＵ／０．２ｒａｌ／ｍｏｕｓｅ）を腹腔内移
植し、６時間後より生理食塩水に溶解した薬剤を１日１
＠１０日間連日ｖｌＩＩｌ！内または経口投与した。死
亡率を感染後２０日間観察した。化合物の抗ウイルス効
果は、延命したマウスの匹数と平均生存日数より判定し
た。

また、市販の抗ウイルス薬アシクＯビル（ＡＣ■）を対
照薬として用い、抗ウイルス効果を比較した。

（結果） 次表に示すように、化合物１１は、非常に強く口Ｓ−１
１感染マウスの死亡率を抑制した。コントロール群では
、平均生存日数が７．７日であるのに対し、化合物１１
役与群では、広い用量範囲で（１．　２５−２５ｍｇ／
ｋｇ／ｄａｙ）多数のマウスが観察した２０日間生存し
た。アシクロビル投与群でも生存は観察されたが、有効
幅は狭かった。

表． ｉｎｖｉｖｏ抗ＨＳ　Ｖ　−　Ｉ＋作用ａ ｂ：生仔匹数／総数 ［効果］ 本発明の一般式（１■）で表される化合物は強い抗ウイ
ルス作用を持つことから、口唇、性器ヘルペス、帯状痙
疹、免疫抑制時の単純ヘルペスウイルス−１型、２型（
ＨＳＶ−１，Ｉ１）、ｌ＜　ＩＪ　ｔ　５ゾスターウイ
ルス（Ｖ　Ｚ　Ｖ）、サイトメガロウイルス（Ｃ　Ｍ　
Ｖ）、エブスタインーバールウイルス（ＥＢＶ）感染症
、ウィルス性肝炎、ウィルス性呼吸器疾患、ウイルス性
消化器疾患、ＡＩＤＳ、ＡＴＬ等の多くのウイルス性疾
患に有効であることが期待される。また、制癌作用を持
つことから制癌剤としても期待される。

以上のようにして得られた本発明化合物を抗ウイルス剤
或は制癌剤として使用する場合、経口投与、静脈内投与
、経皮投与することができる。投与量は投与する患者の
症状、年齢、投与方法によっても異なるが、通常０．　
　１−５００ｍｇ／ｋｇ７日である。本発明化合物は、
適当な製剤用担体と混合して調整した製剤の形で投与さ
れる。製剤の形としては、錠剤◆顆粒剤・細粒剤・散剤
・カブセル剤・注射剤・クリーム・坐剤等が用いられる
。

［実施例］ 次に、実施例を挙げて本発明化合物の製造について具体
的に説明する。

実施例１． （−）　一（２５．３８）−３−メトキシ力ルボニル−
１，１−ビス（メチルチオ）−２−　（オキサゾリジン
−２−オン−３−イル）カルポニルシク口ブタンの製造 実施例１−１． アルゴン雰囲気中、ジクロ口ジイソブロボキシチタン（
９０５ｍｇ，３．８ｍｍｏ　ｌ）及び（２Ｓ，３Ｓ）−
２．３−０−　（＋−フエニルエチリデン）−１．　　
１，　　４．　　４−テトラフェニル−１，２．　　３
．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ａ）（２．２２
ｇ，４．２ｍｍｏｌ）に＋，　　３．　　６−トリメチ
ルベンゼン（ＴＭＢ）（８０ｍｌ）を加え、室温で３０
分間攪拌する。この溶液に、粉末モレキュラーシーブス
４Ａ（３．２ｇ）を加えしばらく攪拌した後に、３−　
［　（Ｅ）−３−（メトキシカルボニル）プロベノイル
］一オキサゾリジンー２一オン（３．９８ｇ，２０ｍｍ
ｏ　ｌ）を加え一１５℃に冷却する。この懸濁液に１，
１−ビス（メチルチオ）エチレン（３．６１ｇ，３０ｍ
ｍｏ）のＴＭＢ溶液（２０ｍｌ）を徐々に加えた後、攪
拌下同温から３時間かけてＯ℃に昇温する。反応液に飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え、無機物をセライト
を用いて濾去した後、有機物を酢酸エチルで抽出する。

抽出液は飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した後、減圧下溶媒を溜去する。残渣は、シリカゲル
力ラムクロマトグラフィ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１
：２，ｖ　／　ｖ　）で精製し（−）−　（２Ｓ，３Ｓ
）　−３−メトキシ力ルボニル−１，１−ビス（メチル
チオ）−２−（オキサゾリジン−２−オン−３−イル）
カルボニルシク口ブタン（３．９４９．６２％）を得る
。本化合物の光学純度は８６％ｅｅ（実施例８参照）。

ＮＭＲ（５００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣ１３）δ：２．　
Ｏｆ　（３Ｈ，　ｓ）， ２．　１０　（３Ｂ，　ｓ） ２．　５４　（１Ｂ，　ｄｄ．　Ｊ＝９．　９，　１２
．　３Ｈｚ＞，２．７０（ＬＨ，ｄｄ．　Ｊ−７．９，
　１２、３Ｈｚ）　，３．　８６　（ＩＨ，　ｄｔ，　
Ｊｄ＝９．　９ＨＺ，　Ｊｔ冨７．　９Ｈｚ）　，３．
　７１　（３８．　ｓ）． ４．．０２（ｌ｝Ｉ．ｄｄｄ．　Ｊ＝６．４，８．９，
　１１．０｝１２）．４．　１２（１｝１，ｄｄｄ，　
Ｊ＝７．　５，　９．　３，　１１．０Ｈｚ），４．　
３９−４．　４７　（２Ｈ，　ｍ）．５．０１（ＬＨ，
ｄ，　Ｊリ．　９｝１ｚ）．ＩＲ（ｎｅａｔ）　ｃａｂ
−’：１７８０．１？３０，１６９０．実施例１−２． 実施例１−１とほぼ同様に、３−　［　（Ｅ）−３一（
メトキシカルボニル）プロベノイル］−オキサゾリジン
−２−オン（３．９８ｇ．２０ｍｍｏ）、１．１−ビス
（メチルチオ）エチレン（３．８１ｇ，３０ｍｍｏｌ）
、ジクロ口ジイソプロ′ボキシチタン（４７４ｍｇ，２
．０ｍｍｏ　ｌ）、　（２Ｓ．　　３Ｓ）　−２．　　
３−０　−　（１　−フｘニルエチリデン）　−１，　
　Ｉ，　　４．　　４−テトラフェニル−１，２．　　
３．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ａ）（１．　
　１　６ｇ，　　２．　　２ｍｍｏ　ｌ）、粉末モレキ
ュラーシーブス４Ａ　（４９）を用い、てトルエン（１
６０ｍｌ）及びヘキサン（１２０ｍｌ）混合溶媒中Ｏ℃
で４０分間反応させることにより、　（一）−（２Ｓ，
３Ｓ・）−３−メトキシ力ルボニル−１，１−ビス（メ
チルヂオ）−２−　（オキサゾリジンー２一オン−３−
イル）カルボニルシク口ブタン（６．１３ｇ，９６％）
　　（　ｒａｌ　ｏ＝−１　０．　　４”（ｃ　　Ｌ　
　３４，　　ＣＨ２Ｃ　１２）　）を得る。このものを
、塩化メチレンーイソブ口ビルエーテルで再結晶，する
と、　ｓ．　　３ｏｇ（ｓ３％）（ｒａｌｏ＝−１１．
１°　（ｃ　　Ｌ　　１５，　　Ｃ口２Ｃ　＋　２）　
）の化合物が得られる。本化合物の光学純度は９８％ｅ
ｅ以上（実施例８に示した方法により決定）。

実施例１−３． 実施例１−１とほぼ同様に、３−［（Ｅ）−３一（メト
キシカルボニル）プロベノイル］一オキサゾリジン−２
−オン（１９，９ｇ，ＩＯＯｍｍｏｆ）、１．１−ビス
（メヂルチオ）エチレン（１５．０３ｇ，　　１２５ｍ
ｍｏｌ）、ジクロ口ジイソプロボキシチタン（１．１８
ｇ，５．０ｍｍｏ）、（２Ｓ，　　３Ｓ）　−２．　　
３−０　−　（１　−フｘニルエチリデン）−１，　　
＋，　　４．　　４−テトラフェニル−１．　　２．　
　３．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ａ）（２．
９１ｇ，５．５ｍｍｏ　ｌ）、粉末モレキュラーシーブ
ス４Ａ（２０ｇ）を用い、てトルエン（８００ｍｌ）及
びヘキサン（６００ｍ）混合溶媒中０℃で５時間反応さ
せることにより、　（−）　−（２Ｓ，３Ｓ）−３−メ
トキシ力ルボニル−１．１−ビス（メチルチオ）−２−
　（オキサゾリジン−２−オン−３−イル）カルボニル
シク口ブタン（　２　８．　　６　９　９．　　８　４
％）（［Ｑ］ｏ＝−ｔｏ．５＠　（ｃ　　１．００，Ｃ
Ｈ２Ｃｌ２））を得る。

実施例２． （＋）−　（２Ｒ，３Ｒ）−３−メトキシ力ルポ二ル−
１．１−ビス（メチルチオ）−２−　（オキサゾリジン
−２−オン−３−イル）カルポニルシク口ブタンの製造 アルゴン雰囲気中、ジクＯ口ジイソブロポキシチタン（
＋　２５ｍｇ，０．５３ｍｍｏ　ｌ）及び（２Ｒ，　　
３Ｒ）　−２．　　３−０　−　（１　−フｘニルＸチ
リデン）−Ｌ　　Ｌ　　４．　　４−テトラフェニル−
１２．　　３．　　４−ブタンテトラオール（化合物Ｂ
）（３０５ｍｇ，０．５８ｍｍｏｌ）にトルエン（５ｍ
ｌ）を加え．室温で１時間攪拌する。この溶液の一部（
０．５ｍｌ，０．０５３ｍｍｏｌ）を取り、粉末モレキ
ュラーシーブス４Ａ（１００ｍｇ）へ加え更にトルエン
（Ｌ　　５ｍｌ）を加える。この懸濁液に３−　［（Ｅ
）　−３−　（メトキシカルボニル）プロベノイルコー
オキサゾリジン−２−オン（＋０７ｍ９．０．５３４ｒ
ｒｒｍｏ　ｌ）及び石油エーテル（沸点〜８０℃）（Ｐ
Ｅ）（２ｍｌ）を加えＯ℃に冷却する。この懸濁液に１
，１−ビス（メチルチオ）エチレン（＋Ｉ５ｍｇ，０．
９６６ｍｍｏｌ）一〇ＰＥ溶液（１．５ｍｌ）を徐々に
加え、０℃で３時間攪拌する。反応液に０．２Ｍ−リン
酸緩衝液（ｐＨ７）を加え、無機物をセライトを用いて
濾去した後、有機物を酢酸エチルで抽出する。抽出液は
飽和食塩水で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後
、減圧下溶媒を溜去する。残渣は、分取用シリカゲル薄
層クロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン＝１＝　
１，ｖ／ｖ）で精製し（＋）−　（２Ｒ，３Ｒ）−３−
メトキシ力ルボニル−１．１−ビス（メチルチオ）−２
一（オキサゾリジン−２−オン−３−イル）カルポニル
シク口ブタン（１６２ｍｇ，９５％）を得る。

本化合物の光学純度は９８％ｅｅ（実施例９参照）本化
合物のＮＭＲ及びＩＲは実施例１の化合物と同じである
。

実施例３ （＋）−　（２Ｒ，３Ｒ）−３−メトキシ力ルポニル−
１．１−ビス（メチルチオ）−２−　（オキサゾリジン
−２−オン−３−イル）カルボニルシクＯブタンの製造 以下の表に゛本化合物の製造法の条件について検討した
ものを示す（実施例２を含む）。記載以外の条件、処理
方法は実施例１または実施例２と同じである。

？。額　國（。９）繭（５）櫨（８）慾■（Ｓｅｅ）’
４Ｔ−ＰＥ　　　Ｏ．１　　　　　３　　　　　　９５
　　　　　９？．７５　　ＥｔａΩ　　　１．０　　　
　１８　　　　　４５　　　　　　　−実施例４ （＋）−１，＋−ビス（メチルチオ）−２−　（オキサ
ゾリジン−２−オン−３−イル）カルボニルシク口ブタ
ンの製造 ３−　［　（Ｅ）−３−　（メトキシカルボニル）プロ
ベノイル］一オキサゾリジン−２−オンの代わりに３−
ブＯベノイルーオキサゾリジン−２−オンを用いる以外
は実施例２と同様に反応を行い（＋）−１．１−ビス（
メチルチオ”）−２−　（オキサゾリジン−２−オン−
３−イル）カルボニルシク口ブタン（８２％）を得た。

本化合物の光学純度は８８％ｅｅ（実施例１０参照）。

ＮＭＲ（６００ＭＨＺＦＴ，ＣＤＣｌ３）　５　：２．
　００　（３８，　ｓ）， ２．　１２　（３Ｈ，　ｓ）， ２．　２６−２．　３３　（ＩＨ，　ｍ）．２．　３４
−２．　３８　（ｆＨ，　ｌＩ）．２．　３９−２．　
４８　（ＩＨ，　ｍ），２．　５２−２．　６１　（１
｝１，　ｍ），４．００−４．　１３（２Ｈ，ｍ）， ４．４１（２Ｈ，　ｔ，　Ｊ＝８．　０Ｈｚ），４．６
３（１Ｂ，ｍ）， 実施例５， （−）　一（２Ｓ，３８）−２．　　３−ビス（メトキ
シカルボニル）−１．１−ビス（メチルチオ）シクロブ
タンの製造 実施例５−１． アルゴン雰囲気中、実施例１−１で製造した（−’）−
　（２Ｓ．３Ｓ）−３−メトキシ力ルポニルー１，１−
ビス（メチルチオ）　−２−　（オキサゾリジン−２−
オン−３−イル）カルボニルシク口ブタン（３．９４Ｇ
，１２．３ｍｍｏｌ）のメタノール溶液（２　５ｍ　ｌ
　）にＩＭ−ジメトキシマグネシウム／メタノール（２
　５ｍ　ｌ，　　２　５ｍｍｏ　ｌ）を加え室温で１時
間攪拌する。反応液は減圧下濃縮した後、飽和塩化アン
モニウム水溶液を加え、エーテルで抽出する。エーテル
抽出液は飽和食塩水で洗浄した後、減圧下溶媒を溜去す
る。残渣はシリカゲル力ラムクロマトグラフィ−（酢酸
エチル：ヘキサン＝１：　９，ｖ／ｖ）で精製し（−）
−　（２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス（メトキシカルボニ
ル）−１．１−ビス（メチルチオ）シクＯブタン（２．
１７９．６７％）を得る。本化合物の光学純度は８６％
ｅｅ（実施例８参照）．ＮＭＲ（５００ＭＨｚＦＴ，　
ＣＤＣｌａ）ろ：２．０１（３｝！，ｓ）， ２．　１２（３Ｈ，　ｓ）， ２、４７　（１｝１．ｄｄ，　Ｊ＝９．　０，　１２．
　２｝１ｚ）．２．５０（ｌＨ．ｄｄ，Ｊ＝９．４．　
１２．２Ｈｚ）３．　６３−３．　７５　（２｝ｆ，　
ｍ）．３．　６９　（３Ｌ　ｓ）， ３．　７２　（３Ｈ，　ｓ）． ＩＲ（ｎｅａｔ）　ｃｉ’：１７３０．実施例５−２ アルゴン雰囲気中、１Ｍ−ジメトキシマグネシウム／メ
タノール（４００ｍｌ，　　４００ｍｍｏ　ｌ）にＯ℃
で、　（−）−　（２３，３Ｓ）−３−メトキシ力ルボ
ニル−１，１−ビス（メチルチオ）−２一（オキサゾリ
ジン−２−オン−３−イル）カルボニルシク口ブタン（
２６．０ｇ，８１．４ｍｍ０１）を加え、同温で１５分
間攪拌する。反応液に、飽和塩化アンモニウム水溶液を
加え、二一テルで抽出する。エーテル抽出液は飽和食塩
水で洗浄した後、減圧下溶媒を溜去する。残渣はシリカ
ゲル力ラムクロマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン
＝１；　９．ｖ／ｖ）で精製し（−）　−　（２Ｓ，３
Ｓ）−２．３−ビス（メトキシ力ルボニル）−１．１−
ビス（メチルチオ）シクロブタン（２０．７３９．９６
％）を得る。

実施例６． （＋）−　（２Ｒ，３日）−２．３−ビス（メトキシカ
ルポニル）−１．１−ビス（メチルチオ）シクロブタン
の製造 出発原料に実施例２で製造した（＋）　−　（２　Ｒ，
３Ｒ）−３−メトキシ力ルポニル−１，１−ビス（メチ
ルチオ’）−２−　（オキサゾリジン−２−オン−３−
イル）カルボニルシク口ブタンを用いる以外は実施例５
−２と同様に処理し（＋）　一（２Ｒ，３Ｒ）−２．３
−ビス（メトキシカルボニル）−１．１−ビス（メチル
チオ）シクＯブタン（９５％）を得る。本化合物の光学
純度は９８％ｅｅ（実施例９参照）。

本化合物のＮＭＲ及びＩＲは実施例５の化合物と同じで
ある。

実施例７． （＋）−２−メトキシ力ルポニル−１．１−ビス（メチ
ルチオ）シクロブタンの製造 出発原料に実施例４で製造した（＋）−Ｌ　　＋−ビス
（メチルチオ）−１−（オキサゾリジン−２−オン−３
−イル）カルボニルシク口ブタンを用いる以外は実施例
６と同じ操作を行い（＋）−２−メトキシ力ルボニル−
１，１−ビス（メチルチオ）シクロブタン（８３％）を
得る。本化合物の光学純度は８８％ｅｅ（実施例１０参
照）。

ＮＭＲ（５００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣ１３）ろ：１．　
９７　（３８，　ｓ） ２．０７（３８，ｓ）． ２．　１８−２．　３０　（３Ｈ，　ｍ）．２．　４９
　（ＩＨ，　ｍ）， ３．　３７　（ＬＨ，　ｍ）． ３．　６７　（３Ｈ，　ｓ）， 実施例８、 （−）−　（２３．３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキシ
メチル）−１．＋−ビス（メチルチオ）シクロブタンの
製造 アルゴン雰囲気中、水素化アルミニウムリチウム（５６
２ｍｇ，　　１４．８ｍｍｏ　ｌ）のエーテル懸濁液に
、Ｏ℃で実施例５−１で製造した（−）−（２Ｓ，３Ｓ
）−２．３−ビス（メトキシ力ルボニル）−１，＋−ビ
ス（メチルチオ）シクロブタン（＋．９６ｑ．７．４ｍ
ｍｏ　ｌ）のエーテル溶液（＋　Ｏｍ　ｌ　）を徐々に
加えＱ℃で２時間攪拌する。反応液に飽和硫酸ナトリウ
ム水溶液を加え過剰の還元剤を分解した後、無水硫酸ナ
トリウムを加えしばらく攪拌する。無機物を濾去し、更
に熱イソプロビルアルコールで洗浄した後、濾液及び洗
液を合わせて減圧下溶媒を溜去する。残渣は、シリカゲ
ル力ラムクＯマトグラフィー（酢酸エチル：ヘキサン：
メタノール＝１５：　２０：　　１，ｖ／Ｖ／Ｖ）で精
製し（−）−　（２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロ
キシメチル）−１，１−ビス（メチルチオ）シクロブタ
ン（１．４８９．９６％）を得る。

ＮＭＲ（２７０Ｍｌ｛ｚＦＴ，ＣＤＣ１ｇ）　５　：２
．０２（ＩＨ，ｄｄ，　Ｊ＝９．　１，　１２、ＩＨｚ
），２．　０５　（３Ｈ，　ｓ）． ２．　０６　（３Ｈ，　ｓ）， ２．　２８　（ＬＨ，　ｄｄ，　Ｊ＝８．　１，　１２
．　ＩＨＺ）　，２．　４７−２．　６８　（２Ｈ，　
ｍ），３．　２６　（２Ｈ，　ｂｒｓ）　， ３．５４（ＩＨ，ｄｄ．Ｊ＝８．８，　１０．３Ｈｚ）
．３．　６７−３。７７　（２Ｈ．　ｍ）．３．８３（
ＬＨ．ｄｄ，Ｊ＝５．０，　１０．４Ｈｚ）．ＩＲ（ｎ
ｅａｔ）　ｃ１１：３３５０．本化合物の一部を取り常
法（　（Ｒ）−Ｑ−メトキシーａ−｝−リフルオ口メチ
ルーフエニルアセチルクロリド（．（Ｒ）−ＭＴ　ＰＡ
Ｃ　ｌ　）．　　ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）
／ピリジン（ｐｙｒ））に従いビス（Ｒ）−ＭＴＰＡエ
ステルに導いた。

５　００ＭＨｚ　ＮＭＲにおいて、ラセミ休由来のこの
化合物のメチル基のシグナルは１．８５２，１．８５６
，１．．９１２，Ｉ．９７０ｐｐｍの計４本観察される
が、本物質のメチル基のシグナルは１．８５２及び１、
９１２ｐｐｍのシグナルが他のものより大きく、光学純
度を求めたところ８６％ｅｅであった。

また、表題化合物（−）−　（２Ｓ，３Ｓ）−２．３−
ビス（ヒドロキシメチル）−１．１−ビス（メチルチオ
）シクロブタンは、酢酸エチルーヘキサンより再結晶す
ることにより、光学純度１００％の結晶を得ることがで
きる（　［ａｌ　ｏ＝−３２．０’　　（Ｃ　　Ｌ　　
０３，　　ＣＨ２Ｃ　Ｉ２）　）。

実施例９． （＋）　一（２Ｒ．３Ｆｌ）−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）−＋，＋−ビス（メチルチオ）シクロブタン
の製造 実施例６で製造した（＋）−　（２Ｒ．３Ｒ）−２．３
−ビス（メトキシカルボニル）−１．１−ビス（メチル
チオ）シクロブタンを用いる以外は、実施例８と同じ操
作を行い、　（＋）　−　（２Ｒ，　　３Ｒ）−２．３
−ビス（ヒドＯキシメチル）−１，１−ビス（メチルチ
オ）シクロブタン（７０％）を得る。

本化合物のＮＭＲ及びＩＲは実施例８の化合物と同じで
ある。

本化合物の一部を取り常法（　（Ｒ）−ＭＴＰＡＣｌ，
ＤＭＡＰ／ｐｙｒ）に従いビス（Ｒ）　−ＭＴＰＡエス
テルに導いた。

実施例８に従いＮＭＲを検討したところ、１．８５６及
びＬ　　９７０ｐｐｍのシグナルが大きく光学純度は９
８％ｅＯであった。

また別途に、表題化合物の一部を取り、酢酸エチルーヘ
キサンで再結晶し無色結晶を得た。このものの単結晶Ｘ
線解析より絶対立体配置が表題のように（２Ｒ，３Ｒ）
であることが明らかになった。

実施例１　０． （＋）−２−ヒドＯキシメチル−１，１−ビス（メチル
チオ）シクロブタンの製造 実施例７で製造した（＋）−２−メトキシ力ルボニル−
１，１−ビス（メチルチオ）シクＯブタンを用いる以外
は、実施例８と同じ操作を行い、（＋）−２−ヒドロキ
シメチル−１．１−ビス（メチルチオ）シクロブタン（
５４％）を得る。

ＮＭＲ（５００ＭＨＺＦＴ，ＣＤＣ１３）　５　：１．
　９２　（ＩＨ，　ｍ）， ２．　０５　（３Ｈ，　ｓ）， ２．　０７　（３Ｈ，　ｍ）， ２．　１２−２．　３２　（４Ｈ，　＋ｎ），２．　６
８　（ＩＨ，　ｉｔ）， ３．７３（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝４．８，　１１．８Ｈｚ）
，３．　８４　（ＩＨ，　ｄｄ，　Ｊ＝７．　５，　１
１．　８Ｈｚ），本化合物の一部を取り常法（　（Ｒ）
−ＭＴＰＡＣｌ，ＤＭＡＰ／ｐｙｒ）に従い（Ｒ）−Ｍ
ＴＰＡエステルに導いた。

５００ＭＨｚＮＭＲにおいて、ラセミ体由来のこの化合
物のメチル基のシグナルは１．６９６Ｌ　　９２７，１
．９３０，Ｌ　　９５５ｐｐｍの計４本観察されるが、
本物質のメチル基のシグナルはＬ９２７及びＬ　　９５
５ｐｐｍのシグナルが他のものより大きく、光学純度を
求めたところ８８％ｅｅであった。

実施例１１． （＋）−　（２Ｓ，３Ｓ）−２．　　３−ビス（ｔブチ
ルジフェニルシリルオキシメチル）−１．１−ビス（メ
チルチオ）シクロブタンの製造（−）−　（２Ｓ，３Ｓ
）　−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）−１．１−ビ
ス（メチルチオ）シクロブタン（Ｌ　　３７ｇ．６．５
８ｍｍｏ　ｌ）、トリエチルアミン（２．８ｍｌ，２０
ｍｍｏ　ｌ）、４−ジメチルアミノメチルビリジン（触
媒量）及びＤＭＦ（１ｍｌ）を塩化メチレン（２５ｍｌ
）に溶解した溶液に、ｔ−プチルジフエニルシリルクＯ
リド（４．５２ｇ，２５ｍｍｏｌ）を加え室温で一晩攪
拌する。反応液は、減圧化濃縮した後エーテルに溶解し
、水洗後、飽和食塩水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾
燥する。エーテル溶液は、減圧下溶媒を溜去した後シリ
カゲル力ラムクロマトグラフィー（エーテル：ヘキサン
＝１：２０，ｖ／ｖ）で精製し（＋）−　（２Ｓ，３Ｓ
）　−２．３−ビス（ｔ−プチルジフエニルシリルオキ
シメチル）−１．１−ビス（メチルチオ）シクロブタン
（４．５０（；Ｉ．１００％）を得る。

ＮＭＲ（２００Ｍ｝ＩＺＦＴ，　ＣＤＣ１３）　　ろ二
０．　９９　（９１｛，　ｓ）， １．　０２　（９Ｈ，　ｓ）． ２．０６（６Ｈ，ｓ）， ２．　０９−２．　２５　（２Ｈ，　ｍ），２．　８５
　（ＩＨ，　ｍ）， ３．　５２−３．　７３　（３Ｈ，　ｍ），３．　９０
　（１８，　ｄｄ，　Ｊ　ｌ＋９．　０，　１０．　８
Ｈｚ），７．２６−７．４１（１２Ｈ，　ｍ）　，７．
　５５−７．　７４　（８Ｈ，　ｍ）．実施例１２． （一）−　（２Ｒ．３Ｒ）−２．　　３−ビス（１−プ
チルジフェニルシリルオキシメチル）−１．１一ビス（
メチルチオ）シクＯブタンの製造（＋）　−（２Ｒ，３
Ｒ）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）−１．１−ビ
ス（メチルチオ）シクロブタン（８２ｍｇ，０．３９ｍ
ｍｏ　ｌ）、イミダゾール（＋０６ｍｇ，１．５５ｍｍ
ｏｌ）及び４−ジメチルアミノメチルビリジン（触媒量
）をＯＭＦ　（４ｍ　ｌ）に溶解した溶液に、ｔ−プチ
ルジフェニルシリルクロリド（２９２ｍｇ，　　＋０８
ｍｏｌ）を加え室温で一晩攪拌する。反応液に０．２Ｍ
−リン酸緩衝液（ｐＨ７．０）を加えた後、酢酸エチル
で抽出する。抽出液は水洗後、飽和食塩水で洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶媒を溜去する。残
渣は、分取用シリカゲルＴＬＣ　（酢酸エチル：ヘキサ
ン＝１：　　１０ｖ　／　ｖ　）で精製し（−）−　（
２Ｒ，３Ｒ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシ
リルオキシメチル）−Ｌｌ−ビス（メチルチオ）シクロ
ブタン（２６６ｍｇ，　　１００％）を得る。

本化合物のＮＭＲ及びＩＲは実施例１１の化合物と同じ
である。

実施例１３． （＋）　−（２Ｓ，３Ｓ）−２．　　３−ビス（１一プ
チルジフェニルシリルオキシメチル）−１−シクロブタ
ノンの製造 Ｎ−クＯルコハク酸イミド（Ｌ　　６０（；ｌ，１２ｍ
ｍｏｌ）及び硝酸銀（２．　　２９９，　　１３．　　
５ｍｍｏｌ）を８０％アセトニトリル水溶液（４５ｍｌ
）に溶解し、２５℃で（＋）　−（２Ｓ，３Ｓ）一２，
３−ビス（ｔ−プチルジフエニルシリルオキシメチル）
−Ｌ　　１−ビス（メチルチオ）シクロブタン（２．０
６ｇ，３ｍｍｏｌ）をアセトニトリル（６ｍｌ）及び塩
化メチレン（Ｉｍｌ）に溶解した溶液を素早く加え、１
０分間攪拌する。

反応液に飽和亜硫酸ナトリウム水溶液（３ｍｌ）を加え
１分間攪拌した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液（３
ｍｌ）を加え１分間攪拌し、更に飽和食塩水（３ｍｌ）
を加え１分間攪拌する。この溶液に塩化メチレンーヘキ
サン混合液（１；１ｖ／ｖ）（６０ｍｌ）を加えた後、
不溶物をノ＼イフロを用いて濾去する。濾液は無水硫酸
ナトリウムで乾燥した後減圧下溶媒を溜去し、残渣をシ
リカゲル力ラムクロマトグラフイ−（エーテル：ヘキサ
ン＝１：　　１０，ｖ／ｖ）で精製し（＋）　−　（２
Ｓ．３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフエニルシリ
ルオキシメチル）−１−シクロブタノン（Ｌ　　４９ｇ
，　　８２％冫　を得る。

ＮＭＲ（２７０ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣｌ３）ろ：１．　
０２　（９Ｈ，　ｓ）． １．　０４　（９Ｌ　ｓ）， ２．　７４−３．　０５　（２Ｈ，　ｍ＞．３．２９（
ＩＨ，ｍ）． ３．６（１（ｉｔ（，ｄｄ，Ｊ＝３．７，　ＬＱ．６Ｈ
ｚ），３．　８２　（ｌ｝！，　ｄｄ，　Ｊ　＝４．　
８，　１０．　３Ｈｚ），３．８８（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝
４．８，１０．３ＨＺ）．３．９７（ＩＨ．ｄｄ，Ｊ＝
４．０．１０、６｝１ｚ），７．　３２−７．　４４（
１２Ｈ，　ｍ＞，７．６２−７；　６８　（８Ｈ，ｍ）
．ＩＲ（ｎｅａｔ）　　ｃｍ”：１７８５．実施例１４
． （−）−　（２Ｒ．３Ｒ）−２．３−ビス（１−プチル
ジフェニルシリルオキシメチル）−１−シクＯブタノン
の製造 （−）−　（２Ｒ，３Ｒ）−２．　　３−ビス（１−プ
チルジフェニルシリルオキシメチル）−１．１一ビス（
メチルチオ）シクロブタンを用いる以外は、実施例１３
と同じ操作を行い、　（−）　−　（２Ｒ，３Ｒ）　−
２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチ
ル）−１−シクロブタノン（９９％）を得る。

本化合物のＮＭＲ及びＩＲは実施例１３の化合物と同じ
である。

実施例１５． ２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチ
ル）シクロブタノールの製造 実施例１５−１ アルゴン雰囲気下、水素化リチウムトリ（１　−ブトキ
シ）アルミニウム（１．　　２７ｇ．　　５．　　０ｍ
ｍｏ　ｌ）をテトラヒド口フラン（ＴＨＦ）（１．０ｍ
ｌ）に加え、−７８℃に冷却する。この懸濁液に、　（
＋）−　（２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジ
フェニルシリルオキシメチル）−１シクロブタノン（１
．２＋ｇ，２．Ｏｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液を加え、攪拌
下数時間かけてゆっくり室温まで昇温する。反応液に０
．２Ｍ−リン酸緩衝液を加え過剰の還元剤を分解した後
、塩化メチレンを加え無機物を濾去する。濾液は、塩化
メチレンで抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
溶媒を溜去する。残渣はシリカゲル力ラムクＯマトグラ
フィー（酢酸エチル：ヘキサンに１：９−１：４，ｖ／
ｖ）で分離精製し、　（＋）　−　（＋Ｓ，２８，３Ｓ
）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシ
メチル）シクＯブタノール（０．　１ｏ４ｇ，９％） ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤＣｌ３）　５　：１．
　００　（９｝１，　ｓ）， １．　０７　（９Ｈ，　ｓ）， １．　９７−２．　２５　（２１｛．　ｍ）．２．　３
２　（ＩＨ，　ｍ） ２．　４８　（ＩＨ，　ｍ）， ３．　１７　（ＩＨ，　ｄ，　Ｊ＝７．　３Ｈｚ）３．
　５６　（２｝１，　ｄ，　Ｊ＝５．　８Ｈｚ＞．３．
　８８　（ＩＨ，ｄｄ，　Ｊ＝５．　６，　１１．　４
Ｈｚ），３．　９８　（ＩＨ．　ｄｄ，　Ｊ＝４．　０
，　１１．　４！ｌｚ）．４．　４６　（ＩＨ，　ｍ）
， ７．　２６−７．　４８　（１２Ｈ，　ｎ＋）７．５４
−７．７２（８Ｈ，ｍ）． 及び（＋）　−　（Ｉ　Ｒ，　　２Ｓ，　　３Ｓ）　−
２．　　３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシ
メチル）シクロブタノール（　１．　　０　６　８　９
．　　８　８％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣ１３）ろ：１．０
３（９｝１，ｓ）， １．　０４　（９Ｈ，　ｓ）， １．　６０−１．　７３　（２Ｆ！，誼），１．　９２
　（１８，　ｍ）， ２．　１０−２．　３７　（２Ｈ，　ｍ），３．５２−
３．７０（３Ｈ，ｍ）， ３．７７（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝４．５，ｉｏ．４ＨＺ），
４．　０３　（ＩＨ，　ｍ）， ７．２７−７．　４６（１２Ｈ，　ｍ），７．　５６−
７．　６９　（８Ｂ．　ｍ）実施例＋５−２． アルゴン雰囲気下、　（＋）−　（２３．３Ｓ）−２，
３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）
−１−シクロブタノン（４．１２９，６．８ｍｍｏｌ）
のトルエン（７０ｍｌ）溶液に、−７８℃で１Ｍ−水素
化ジイソブチルアルミニウム／トルエン（８．２ｍ　＋
．ａ．２ｍｍｏ　Ｉ）を徐々に加え、同温で１０分間攪
拌する。反応液に０．２Ｍ−リン酸緩衝液（ｐＨ７）を
加え、しばらく攪拌した後、過剰の塩化メチレンを加え
無機物を濾去する。濾液は、塩化メチレンで抽出後、無
水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜去する。残渣
はシリカゲルカラムクＯマトグラフィー（酢酸エチル：
ヘキサン＝Ｉ：　９−１：　４，ｖ／■）で分離精製し
、　（＋）　−（＋　Ｓ，２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス
（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブ
タノール（３．　　３８９．　　８２％）及び（＋）−
（＋Ｒ，　　２Ｓ，　　３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プ
チルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブタノール
（０．６９９．　　１７％）を得る。

実施例＋５−３． （＋）−（＋Ｒ．２３．３８）−２．３−ビス（ｔ−ブ
ヂルジフエニルシリルオキシメチル）シクロブタノール
から（＋）−（ＩＳ，２Ｓ．３Ｓ）−２，３−ビス（ｔ
−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクＯブタノ
ールへの変換工程１， アルゴン気流中、　（＋）　−　（Ｉ　Ｒ，　　２Ｓ，
　　３Ｓ）−２，３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリ
ルオキシメチル）シクロブタノール（７００ｍｇ，　　
１１５ｍｍｏｌ）、安息香酸（＋６７ｍｇ，　　Ｌ　　
３７ｍｍｏｌ）及びトリフェニルフォスフィン（３６２
ｍｇ，１．３８ｍｍｏ　Ｉ）のベンゼン（１０ｍｌ）溶
液に、ジエチルアゾジ力ルポキシレート（２１７μ１，
１、３８ｍｍｏｌ）を加え、室温で終夜攪拌する。反応
液は、減圧下揮発性物質を溜去した後、シリカゲル力ラ
ムクロマトグラフィ−（エーテル：ヘキサン＝ｌ　　４
０，ｖ／ｖ）で精製し、　（＋）−（ＩＳ．２Ｓ，３Ｓ
）−１−ペンゾイルー２，３−ビス（ｔ−プチルジフェ
ニルシリルオキシメチル）シクロブタン（７９１ｍｇ９
７％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣ１３）ろ．０．　
９７　（９Ｈ，　ｓ）， １．　０６　（９Ｂ，　ｓ）． ２．２３−２．　４０（２Ｈ，ｍ）， ２．４５（ＩＨ，ｍ）． ２．８５（１Ｂ．習）， ３．　７１　（２Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝５．　４Ｈｚ＞．３
．　８３　（１｝１，ｄｄ，　Ｊ雪６．　１．　１０．
５Ｈｚ）．３．９９（１８，ｄｄ．Ｊ＝７．３，１０．
５Ｈｚ）．５．４８（ＩＨ，ａｐｐｅｒｅｎｔ　　ｑ，
Ｊ＝６．５Ｈｚ），７．　２１−７．　４５　（１４ｉ
｛，　ｍ）７．４９−７．７２（９Ｈ，ｍ）． ？．　９８　（２８，ｄ，　Ｊ−７．　１｝１２）．工
程２． アルゴン気流中、工程１で得られた（＋）　−　（ＩＳ
，２Ｓ，３Ｓ）−１−ペンゾイル−２，３−ビス（ｔ−
プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブタン（
７９０ｍｇ，Ｌ　　ｌｍｍｏｌ）のトルエン（１０ｍｌ
）溶液に、−７８℃で＋Ｍ−水素化ジイソブチルアルミ
ニウム／トルエン（２．６ｍ　ｌ．２．６ｍｍｏ　ｌ）
を徐々に加え、同温で３０分間攪拌する。反応液に０．
２Ｍ−リン酸緩衝液（ｐＨ７）を加え、しばらく攪拌し
た後、過剰の塩化メチレンを加え無機物を濾去する。濾
液は、塩化メチレンで抽出後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した後、溶媒を溜去する。残渣はシリカゲルカラムク
口マトグラフィー（エーテル：ヘキサン＝１：　ｓ．ｖ
／ｖ）で分離精製し、　（＋）　−　（ＩＳ，２Ｓ，３
Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキ
シメチル）シクＯブタノール（６４４ｍｇ，９５％）を
得る。

実施例１６ （＋）−　（＋　Ｒ．２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ
−プチルジフェニルシリルオキシメチル）−１−メタン
スルホニルオキシシク口ブタンの製造（＋）−（ＩＲ，
２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシ
リルオキシメチル）シクロブタノール（９ｔ　Ｉｍｇ，
Ｌ　　５ｍｍｏ　ｌ）及びトリエチルアミン（０．　　
６ｍｌ，　　４．　　３ｍｍｏｆ）の塩化メチレン溶液
に、０℃でメタンスルホニルクロリド（０．　　１　７
ｍ　ｌ．　　２．　　２ｍｍｏ　ｌ）を加え、０℃で１
５分間攪拌する。反応液に０２Ｍ−リン酸Ｎ衡液を加え
、エーテルで抽出する。

エーテル抽出液は、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
溶媒を溜去する。残渣はシリカゲル力ラムクロマトグラ
フィ−（酢酸エチル：ヘキサン＝１：６，ｖ／ｖ）で精
製し（＋）　−　（Ｉ　Ｒ，　　２Ｓ．３Ｓ）−２．３
−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）−
１−メタンスルホニルオキシシク口ブタン（Ｌ　　ｏ３
４ｇ，＋ｏｏ％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣｌ３）　　δ：１
．０４（９Ｈ，ｍ）， １．　０５　（９Ｈ，　ｍ）， ２．　０７−２．　２３　（２｝１，　ｍ），２．　４
３　（１８，　ｍ）， ２．　６４　（２Ｈ，　ｍ）， ２．　９１　（３Ｈ．　ｍ）， ３．　５２−３．　６５　（３８．　ｍ）．３．７６（
ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝４．０，　１１．０｝１ｚ），４．　
９７　（ＬＨ，　ｍ）， ７．　２４−７．　４８　（１２８．　ｍ）　，７．　
５５−７．　７０　（８Ｈ，　ｍ）．実施例１７ （一）−９−［（１　ｓ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）−２．
　　３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１一
イル］一アデニン（化合物２）の製造 工程１． （＋）　−９−　［　（＋　Ｓ，　　２Ｒ．　　３Ｓ）
　−２．　　３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオ
キシメチル）シクロブタン−１−イル〕−アデニンの製
造アデニン（１　７７ｍｇ，１．３ｍｍｏ　ｌ）のＤＭ
Ｆ（６．５ｍｌ）懸濁液に６０％水素化ナトリウム（５
２ｒｒ’ｉｇ，　　１．３ｍｍｏ　Ｉ）を加え、１時間
攪拌する。反応液に（＋）−（ＩＲ，　　２Ｓ．　　３
Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキ
シメチル）−１−メタンスルホニルオキシシク口ブタン
（４５０ｍｇ，０．　　６５ｍｍｏ　ｌ）のＤＭＦ（１
．５ｍｌ）溶液を加え、１４５℃で６時間攪拌する。冷
却後０．２Ｍ−リン酸緩衝液を加え酢酸エチルで抽出す
る。抽出液は、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒
を溜去する。残渣は、シリカゲル力ラムクロマトグラフ
ィ−（塩化メチレン：メタ／−Ｊｖ−５０：　　１−３
０：　　ｉ，ｖ　／　ｖ　）で分離精製し、未反応の（
＋）−（＋Ｒ，２Ｓ．３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチ
ルジフエニルシリルオキシメチル）−１−メタンスルホ
ニルオキシシク口ブタン（１００ｍｇ．２２％回収）及
び（＋）−９−［（＋ｓ，２Ｒ．３Ｓ）−２．３−ビス
（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブ
タン−１−イルコーアデニン（２０３ｍｇ，４３％）を
得る。

ＮＭＲ　（４００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤ３０Ｄ）ろ：０．
　７５　（９８，　ｓ）， １．０３（９Ｈ，　ｓ＞， ２．４２−２．　５４（２Ｈ，ｍ）， ２．　９２−３．　０８　＜２Ｈ，　ｍ），３．５３（
ＩＨ，ｄｄ．Ｊ＝４．０，１１．ＯＨＺ），３．６８（
ＩＩ，ｄｄ，Ｊ＝８．８，　１１．０ＨＺ），３．　７
３−３．　８５　（２１｛，　ｍ）．５．　２３　（Ｉ
Ｈ，　ｍ）， ７．　２０−７．　４６　（１５Ｈ．　ｍ）７．　６０
−７．　７２　（４Ｂ，　ｍ），８．　１８　（ＬＨ．
　ｓ）， 工程２． Ｃ−’）−９−　　［（＋　　Ｓ，　　２Ｒ，　　３Ｓ
）−２．　　３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタ
ン−１イルコーアデニン（化合物２）の製造 工程１で製造した（＋）　−９−　Ｃ　（ｌ　Ｓ，　　
２　Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニル
シリルオキシメチル）シクロブタン−１−イル］一アデ
ニン（２０３ｍｇ，０．２８ｍｍｏ　Ｉ）のメタノール
溶液（１ｍｌ）に４Ｎ一塩酸／ジオキサン（０．　　１
　５ｍ　ｌ，　　０．　　６ｍｍｏ　ｌ）を加え室温で
一晩攪拌する。反応液は、減圧下溶媒を溜去した後、水
を加えエーテル可溶部を除いた後、Ｏ、１Ｎ水酸化ナト
リウム溶液で中和し溶媒を溜去する。粗生成物はセファ
デックスＬ口−２０カラムクロマトグラフィー（メタノ
ール：水＝１：＋，ｖ　／　ｖ　）で分離精製した後、
アセトンで洗浄し（−’）−９−　［（Ｉｓ，２Ｓ，３
Ｓ）−２．３−ビス（ヒドＯキシメチル）シクＯブタン
−１−イル］一アデニン（化合物２）（２６ｍ９．３７
％）を得る。

ＮＭＲ（４００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　　５　二２
．　４３−２．　５７　（２Ｈ，ロ）２．７８（ｌＨ．
ｍ）， ３．　０３　（ＬＨ，　ｍ）， ３．４１（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝６．２．１１．４Ｈｚ），
３．　４６　（１１｛，　ｄｄ，　Ｊコ１．　３，　１
１．　４Ｈｚ）　，３．７４（２＋１，ｄ，　Ｊ−６、
２Ｈｚ），５．２５＜ＩＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　　ｑ．
Ｊ＝８．１｝１ｚ）．８．　２０　（ＩＨ，　ｓ＞ ａ，　３７　（ｆｉｌ，　ｓ） ＵＶ　　入ｍａｘ（Ｈ２ｄ）　ｎｍ： ｐＨ１．２５８；ｐＨ７，２６０；ｐＨ１３，２６０．
実施例１８ （’−）−９−　［（ｉｓ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］一グ
アニン（化合物５）の製造 工程１． （−）−２−アミノー９−［（ＩＳ．　　２Ｒ，　　３
Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキ
シメチル）シクＯブタン−１−イルコー６一（２−メト
キシエトキシ）一ブリンの製造２−アミノー６−（２−
メトキシエトキシ）プリン（２７４ｍｇ，１．３ｍｍｏ
ｌ）のＤＭＦ（６．５ｍｌ）懸濁液に水素化リチウム（
１　０ｍｇ１．３ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌する。

反応液に（＋）−（ＩＲ，２Ｓ，３Ｓ）−２．３−ビス
（ｔ−プチルジフエニルシリルオキシメチル）一１−メ
タンスルホニルオキシシク口ブタン（４５０ｍｇ，０．
６５ｍｍｏ　Ｉ）のＤＭＦ（１．５ｍｌ）溶液を加え、
１４５℃で６時間攪拌する。

冷却後０．２Ｍ−リン酸緩衝液及び酢酸エチルを加え不
溶物を濾去した後、酢酸エチルで抽出する。

抽出液は、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜
去する。残渣は、シリカゲル力ラムクロマトグラフィー
（酢酸エチル：ヘキサン＝５：＋−３：　　１，ｖ／ｖ
）で分離精製し、未反応の（＋）−（ＩＲ．２８．３Ｓ
）　−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキ
シメチル）−１−メタンスルホニルオキシシク口ブタン
（１５７ｍｇ，３５％回収）及び（−）−２−アミノー
９−［（ｉｓ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチ
ルジフェニルシリルオキシメチル）シクＯブタンー１−
イル］−６−（２−メトキシエトキシ）一ブリン（＋６
０ｍｇ，３１％）を得る。

ＮＭＲ（４００Ｍ｝［ＺＦＴ，　ＣＤ３０Ｄ）ろ：０．
　７９　（９Ｈ，　ｓ）． １．０３（９Ｈ，ｓ）， ２．　３８−２．　４０　（２Ｈ，　Ｔｌ１），２．９
２＜１｝１，ｍ） ２．　９８　（１｝１，　ｉ）． ３．５４（ＩＨ，ｄｄ，Ｊ＝４．０，ｌ１．ＯＨＺ）．
３．６８（ＩＨ，ｄｄ，　Ｊ＝８．８，　１１．０１｛
ｚ），３．　７２−３．　８５　（４８，記）．４．　
５６−４．　６７　（２Ｈ，　ｍ），５．１８（ＩＨ，
ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑｊ＝８．０Ｈｚ）．７．２３−７
．４７（１６Ｈ．ｍ）， ７．　５０−７．　６０　（４Ｈ，　ｍ）．８．　０７
　（ＩＨ，　ｓ）． 工程２ （一）−９−［（ＩＳ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）−２．　
　３一ビス（ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１イル
］一グアニン（化合物５）の製造 工程１で製造した（−）−２−アミノー９−［（Ｉｓ，
２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシ
リルオキシメチル）シクロブタン−１−イル］　−６−
　（２−メトキシェトキシ）一プリン（１　４０ｍｇ，
　　Ｏ．　　＋　７ｍｍｏ　ｌ）に、　２Ｎ一塩酸水溶
液（１ｍｌ）を加え、１時間加熱還流する。反応液は、
減圧下溶媒を溜去した後、水を加えエーテル可溶部を除
いた後、０．ＩＮ水酸化ナトリウム溶液で中和し溶媒を
溜去する。残渣はＨＰ−２０カラムクロマトグラフィ−
（水：メタノール冨１：　Ｏ−１：　３，ｖ／ｖ）で精
製した後、アセトンで洗浄し（−）−９−［（＋Ｓ．　
　２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シ
クロブタン−１−イル］一グアニン（化合物５）（＋５
ｒｒｚ；＋．３２％）を得る。

ＮＭＲ（４００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　　５　：２
Ｊ６−２．５５（２Ｈ，ｍ）， ２．７２（ＩＨ，ｍ） ２．　９０　（ＩＨ，　ｍ） ３．４５（２｝１，ｄ，　Ｊ＝７．　０Ｈｚ），３．’
ＩＯ（２１｛，ｄ，　Ｊ＝６．　２１｛ｚ）５．０５（
ＩＨ．ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ．Ｊ＝８．１｝１ｚ）７．
　９４　（ＩＨ，　ｓ）． ＵＶ　　入ｍａｘ（Ｈ２０）　ｎｍ： ｐ｝１１．　２５３，　２７９（ｓｈ）　；ｐ８７，　
２５２，　２７２　（ｓｈ）　；ｐＨ１３，　２５７　
（ｓｈ）２６７ 実施例１９ （＋）−　（ＩＳ，２Ｓ，３Ｓ）−２．　　３−ビス（
ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）−１−メタ
ンスルホニルオキシシク口ブタンの製造（＋）　−　（
Ｉ　Ｓ．　　２Ｓ，　　３Ｓ）　−２．　　３−ビス（
ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブタ
ノールを用いる以外は、実施例１６と同様に処理し、　
（＋）−　（Ｉｓ．２Ｓ，３Ｓ）−２，３−ビス（ｔ−
プチルジフエニルシリルオキシメチル）−１−メタンス
ルホニルオキシシク口ブタン（定量的）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤＣＩ３）　　　５　　
：１．　０４　（９Ｈ，　ｓ）， １．　０６　（９Ｆｌ，　ｓ） ２．　２５−２．　５３　（３Ｈ，　ｍ），２．７８（
１１｛，ｔｏ）． ２．　８７　（３８，　ｓ）、 ３．　６５　（２１，　ｄ，　Ｊ＝４．　０Ｈｚ＞，３
．　１３５　（ＩＨ．　ｄｄ，　Ｊ＝６．　３，　１０
．　５Ｈｚ）．３．　９３　（ＩＨ，　ｄｄ，　Ｊ＝６
．　５，　１０．　５ｔｌｚ），５．２５　＜ｌＨ，ｍ
）， ７．　３２−７．　５０（１２１．　ｍ），７．　６０
−７．　７５　（８Ｈ，　ｍ）．本化合物を、エーテル
ーヘキサンより再結晶することにより、結晶（［ａ］ｏ
＝＋１２．０”　　（ｃＬ　　Ｏｆ，ＣＨ２Ｃｌ２））
（光学純度１００％）を得ることができる。

実施例２０． （−）−９−［　（＋　Ｒ，　　２Ｒ，　　３９）　−
２．　　３−ビス（ヒドＯキシメチル）シクロブタン−
１一イル］一アデニン（化合物８）の製造 工程１ （＋）−９−［（ＩＲ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）−２．　
　３−ビス（ｔ−プチルジフエニルシリルオキシメチル
）シクロブタン−１−イル］一アデニンの製造アデニン
（＋ＯＯｍｇ，０．７４ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（４ｍｌ）
懸濁液に６０％水素化ナトリウム（３０ｍｇ，０．７５
ｍｍｏｌ）を加え、１時間攪拌する。反応液に（＋）−
（ＩＳ，　　２Ｓ，　　３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プ
チルジフェニルシリルオキシメチル）−１−メタンスル
ホニルオキシシク口ブタン（２５４ｍｇ，Ｏ、３７ｍｍ
ｏｌ）のＤＭＦ（１　　５ｍｌ）溶液を加え、１４５℃
で６時間攪拌する。冷却後０，２Ｍ−リン酸緩衝液を加
え酢酸エチルで抽出する。抽出液は、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した後、溶媒を溜去する。残渣は、シリカゲル
力ラムクロマトグラフィ−（塩化メチレン：メタノール
＝　３　０　：　　＋　，　　Ｖ　／　Ｖ　）で精製し
、　（＋）−９−　［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−
ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シク
ロブタン−１−イル］一アデニン（１２６ｍｇ，４７％
）を得る。

ＮＭＲ（２００Ｍｔ｛ｚＦＴ．　ＣＤＣｌ３）ろ・０．
９８　（９Ｈ，　Ｓ）， １．０６（９Ｈ，ｓ）， ２．　３０−２．　６５　（３｝１，　ｍ），３．　０
７　（１８，　ｍ）， ３．　６２−３．　８４　（４Ｈ，　ｍ），４．　８１
　（ＩＨ，　ｍ）， ５．６１（２■，　ｂｒｓ） ７．　２０−７．　５２　（１２Ｈ，　ｍ）　．７．　
５２−７．　７５　（８Ｈ，　ｍ）７．　８５　（ｉｌ
ｌ，　ｓ）、 ８．３３　（ＩＨ，ｓ）． 工程２ （−）−９−　　［　　（Ｉ　　Ｒ，　　２Ｒ．　　３
Ｓ）−２．　　３一ビス（ヒドロキシメチル）シクロブ
タン−１−イル］一アデニン（化合物８）の製造 工程１で製造した（＋）　−９−　［　（＋　Ｒ，　　
２　Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニル
シリルオキシメチル）シクロブタン−１−イル〕一アデ
ニン（＋　１８ｍｇ，０．１　６ｍｍｏ　ｌ）のメタノ
ール溶液（２ｍｌ）に４Ｎ−塩酸／ジオキサン（０．＋
　７ｍ　ｌ，０．６５ｍｍｏ　ｌ）を加え室温で一晩攪
拌する。反応液は、減圧下溶媒を溜去した後、水を加え
エーテル可溶部を除いた後、０．１Ｎ水酸化ナトリウム
溶液で中和し溶媒を溜去する。粗生成物はセファデック
ス口Ｐ−２０カラムクロマトグラフィー（水；メタノー
ル＝ｌ　Ｏ−１：　　Ｌ　　ｖ／ｖ）、シリカゲル力ラ
ムクロマトグラフィー（塩化メチレン：エタノール＝５
：　　１，Ｖ／Ｖ）、更にセファデックスＬＨ−２０カ
ラムクＯマトグラフィー（メタノール）で分離精製し、
（−）−９−［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（
ヒドＯキシメチル）シクロブタン−１−イル］一アデニ
ン（化合物８）（３７ｍｇを得る。

ＮＭＲ　（２００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤ３０Ｄ＞ろ；２．
　２４　（ＬＨ，　ｍ）， ２．　３７（ＩＨ，　ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ，　Ｊ＝９
．　５Ｈｚ＞，２．　６２（ＩＨ，ｍ）． ２．　８８　（ＩＨ，　ｍ）． ３．　６５−３．　７４　（４８，　ｍ），４．７１（
ＩＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ，Ｊ＝８．５｝１ｚ），８
．２０　（１Ｂ，　ｓ） ８．　２６　（１１｛，　Ｓ）． ＵＶλｍａｘ（Ｈ２０）　ｎｍ ｐ旧，　２５９：ｐＨ１．　２５９．ｐ｝１１３，　２
５９ＨＲＭＳ（ＦＡＢ） Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　［ＣＩＩＨＩＳＮＳＯ２＋Ｈ］”
；　２５０．１３０４Ｆｏｕｎｄ　・２５０．１３０５ ９　１　％） 本化合物を、エーテルーメタノールより再結晶すること
により、結晶（　［ａｌ　ｏ＝−４４．　　７゜　（ｃ
ｏ．９８．　　ピリジン））（光学純度〉９８％）を得
ることができる。

本実施例と同様にして、対応する塩基を用いて、Ｎｏ、
２６、２９、３５の化合物を得る。

化合物２６． ＋−［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）シクロブタン−１−イル］一２．４（１口，
３Ｈ）一ビリミジンジオン ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　　ろ：２．
　３０−２．　４６　（２Ｂ，　ｍ＞，２．　３８　（
ＩＨ，　ｍ）， ２．　５７　（ＩＨ，　ｍ）， ３．　５１−３．　７１　（４Ｈ，　ｍ），４．　５４
　（ＩＨ，　ｍ）， ５．６９（ＩＨ，ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．８０（Ｉ
Ｈ．ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）．υＶ　λｍａｘ（Ｈ２０）
ｎｍ： ｐＨ１．２６８；ｐＨ７，２６８；ｐＨ１３．２６７．
化合物３５． ４−アミ／−１−　［（１Ｒ，２Ｒ．３３）　−２３−
ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イルコー
２（１Ｈ）一ビリミジノン ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ＞　５　：１．
　７８−２．　１４　（２Ｈ，　ｍ），２．　２０−２
．　５４　（２｝１，　ｍ），３．　５０−３．　７６
　（４８，　ｒｃ），４．　５０　（ＩＨ，　ｍ）， ５．　９１　（ＩＨ，　ｄ，　Ｊ＝７．　４ＨＺ）．７
．　７８　（１８，　ｄ，　Ｊ＝７．　４Ｈｚ）．ＵＶ
　λｗａｘ（Ｈ２０）　ｎｍ： ｐ旧，２８４．ｐＨ７，　２７３．ｐＨ１３，２７４実
施例２１． （＋）　−９−　［（Ｉ　Ｒ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）　
−２　　３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−
１イル］一グアニン（化合物１１）の製造工程１ （＋）−２−アミノー９−［（ｉＲ，　　２Ｒ，　　３
Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオ−
キシメチル）シクロブタン−１−イル］−６−（２−メ
トキシエトキシ）一プリンの製造２−アミノー６−（２
−メトキシエトキシ）プリン（１５５ｍｇ，０．７４ｍ
ｍｏｌ）のＤＭＦ（４ｍｌ）懸濁液に水素化リチウム（
　６　ｍ　ｇ，　　０．７５ｍｍｏｌ）を加え、１時間
攪拌する。反応液に（＋）−（ＩＳ，２Ｓ，３Ｓ）−２
．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル
）一１−メタンスルホニルオキシシク口ブタン（４５０
ｍｇ，０．６５ｍｍｏｌ）のＤＭＦ　（１．　　５ｍ）
溶液を加え、１４５℃で６時間攪拌する。冷却後０．２
Ｍ−リン酸緩衝液及び酢酸エチルを加え不溶物を４去し
た後、酢酸エチルで抽出する。

抽出液は、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を溜
去する。残渣は、シリカゲル力ラムクロマトグラフィー
（塩化メチレン：酢酸エチル＝１０：　１，ｖ／ｖ）で
精製し、　（＋）−２−アミノー９−［（＋Ｒ，２Ｒ，
３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ一ブチルジフェニルシリルオ
キシメチル）シクロブタン−１−イル］　−８−　（２
−メトキシエトキシ）一プリン（８８ｍｇ，３０％）を
得る。

ＮＭＲ（２００Ｍ｝ｌｚＦＴ，　ＣＤＣ１３）ろ：１．
　Ｏｆ　（９８，　ｓ）， １．　０５　（９Ｈ，　ｓ）， ２．　２５−２．　６０　（３Ｈ，　ｍ）．２．　９２
　（１８，　ｉ）， ３．　４４　（３Ｈ，　ｓ）． ３．　６０−３．　９４　（６Ｈ，　ｍ），４．　５０
−４．　９０　（５Ｈ，　ｍ），７、１５−７．　５５
（１２Ｈ，　ｍ），７．　５５−７．　８０　（８Ｈ．
　ｍ），７．　６７　（１１，　ｓ）． 本反応の溶媒として、ＤＭＳＯ及びＨＭＰＡを用いると
、反応はそれぞれ７５℃及び１００℃で進行し、ＤＭＦ
を用いた場合と同様の結果が得られる。

工程２． （＋）　　−９−［（＋Ｒ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）　−
２．　　３一ビス（ヒドロキンメチル）シクロブタン−
１−イル〕−グアニン（化合物１１）の製造工程１で製
造した（＋）−２−アミノー９−［（＋Ｒ．２Ｒ，３Ｓ
）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシ
メチル）シク０ブタン＝１−イル］　−６−　（２−メ
トキシエトキシ）一プリン（７９ｍｇ．０．１　０ｍｍ
ｏ　Ｉ）のメタノール溶液（２ｍ　ｌ）に４Ｎ−塩酸／
ジオキサン（０．＋ｍｌ，０．４ｍｍｏｌ）を加え室温
で一晩攪拌する。反応液は減圧下溶媒を溜去した後、水
を加えエーテル可溶部を除き、溶媒を溜去し、２Ｎ−塩
酸水溶液（２ｍｌ）を加え、１時間加熱還流する。反応
液は１Ｍ−水酸化ナトリウム溶液で中和した後、セファ
デックスＨＰ−２０カラムクロマトグラフィー（水：メ
タノール＝１：Ｏ−１４，ｖ／ｖ）で精製し、　（＋）
　−９−　［（＋　Ｒ２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒ
ド０キシメチル）シクロブタン−１−イル］一グアニン
（化合物１＋）（２３ｍｇ，８８％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　　５　：２
．　１８　（ＩＨ，　ｍ）， ２Ｊ２（ＩＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　　ｑｙＪ＝１０．０
Ｈｚ），２．　５０　（ＩＨ，　ｍ）． ２．７９（ＩＨ，ｍ）， ３．　６２−３．　７４　（４１ｆ，　ｍ＞，４．５４
（ＩＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ．Ｊ＝８．８Ｈｚ）７．
　８９　（ＩＨ，　ｓ） ＵＶ　　入ｗａｘ（Ｈ２０）　　ｎｍ＋ｐ旧，　２５３
，　２７７（ｓｈ）；ｐＨ７，　２５３，　２６８　（
ｓｈ）　；ｐＨ１３，　２５６（ｓｈ），２６７． １１ＲＭｓ（ＦＡＢ） Ｃａｌｃｄ　ｆｏｒ　　［Ｃ＋＋Ｈ＋ｓＮｓｏ３＋Ｈ］
”；　　２６６．１２５３Ｆｏｕｎｄ　　：　　２６６
、１２５１．本化合物を、水より再結晶することにより
、結晶（　［ａ］　ｏ＝＋２　６．　５°（ｃ　　０．
　９９，　０，ＩＮ−ＮａＯＨ）　）　　（光学純度〉
９８％）を得るコトができる。

本実施例と同様にして、対応する塩基を用いて、Ｎｏ．
１４、１７、２０、２３の化合物を得る。

実施例２２． （＋Ｒ．２Ｒ，３Ｓ）−１−アミノー２，３ービス（ｔ
−プチルジフエニルシリルオキシメチル）シクロブタン
の製造 工程１． （＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１−アジドー２，３一ビス（ｔ
−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブタン
の製造 アルゴン雰囲気下、　（＋）−（Ｉｓ，　　２Ｓ，　　
３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオ
キシメチル）−１−メタンスルホニルオキシシク口ブタ
ン（ｔ．０３ｇ，１．５ｍｍｏ　ｌ）のＤＭＦ（６ｍｌ
）溶液に、ナトリウムアジド（９７５ｍｇ，Ｉ　５ｍｍ
ｏ　Ｉ）を加え１２０℃で２時間攪拌する。冷却後反応
液に水を加え、エーテルで抽出し、エーテル抽出液を水
洗（Ｘ２）Ｌた後、飽和食塩水で洗浄する。このエーテ
ル溶液を、無′゛水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧
下溶媒を溜去し、残渣をシリカゲル力ラムクロマトグラ
フィー（塩化メチレン：ヘキサン＝！：　　４，ｖ／ｖ
）で精製し、　（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−１−アジドー２
，３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル
）シクロブタン（９９２ｍｇ，ｑｕａｎ１．　　）を得
る。

ＩＲ　（ｎｅａｔ）ｃｍ−’　：　　２１００．ＮＭＲ
（２００ＭＨｚＦＴ，ＣＤＣ１３）　５　：１．０３（
９Ｈ，　ｓ）， １．０５（９Ｈ，ｓ）， １．　９１　（ＩＨ，　ｍ）， ２．　０２−２．　２９　（２Ｂ，　ｍ），２．　４４
　（ＩＨ，　ｍ）． ３．　５１−３．　６５　（４Ｍ，　ｍ）．３．　７１
（１８，ｄｄ．　Ｊｌｌ４．０Ｈｚ，　１０．　８Ｈｚ
），７．３１−７．４４（１２Ｈ，ｍ）． ７．　５７−７．　６７　（８Ｈ，　ｍ）．工程２． （＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１−アミノー２．３一ビス（ｔ
−プチルジフエニルシリルオキシメチル）シクロブタン
の製造 工程１で製造した（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−１−アジドー
２．３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチ
ル）シクロブタン（９９２ｍ９）を酢酸エチル（２ｍ　
ｌ　）に溶解し、１０％パラジウムー炭素（１　００ｍ
ｇ）を加え、水素雰囲気下室温で一晩攪拌する。反応液
は触媒を濾去した後、減圧下溶媒を溜去すし、残渣をシ
リカゲルカラムクＯマトグラフィ−（ヘキサン；酢酸エ
チル：　トリエチルアミン＝２０：　　１０：　　ｊ，
−ｖ／ｖ／ｖ）で精製し、　（ｉＲ，２日，３Ｓ）−１
−アミノー２，３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリル
オキシメチル）シクロブタン（６４２ｍｇ．６７％）を
得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤＣ１３）　５　：１．
　０３　｛９｝１，　ｓ）． １．　０５　（９Ｈ，　ｓ）， １．４２（ＩＨ，ｍ） １．５４（２Ｈ，ｂｒｓ，ｅｘｃｈａｎｇｅａｂｌｅ　
ｗｉｔｈ　　Ｄ２０），１．８６−２．０５（２Ｈ，ｍ
）， ２．　２４　（１｝１，珀）， ３．１３（ＩＨ，ｍ）． ３．５４−３．６５（３Ｈ，ｍ）． ３．　７５　（ＩＨ，　ｄｄ，　Ｊ＝４．　１，　１０
．　６Ｈｚ）７．２７−７．４６（１２Ｈ，ｍ）， ７．５８−７．６９（８８，ｍ） 実施例２３、 ＋−　［（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロ
キシメチル）シクロブタン−１−イル］一５−メチル−
２，４（ｌ｝ｌ，３Ｈ）一ビリミジンジオン（化合物２
９）の製造 工程１． Ｎ−［［（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ｔ−プ
チルジフェニルシリルオキシメチル）シクロプチル］ア
ミノ力ルポニルコ−３−メトキシ−２−メチルアクリル
アミドの製造 アルゴン雰囲気中、３−メトキシー２−メチルアクリル
酸クロリド（６７３ｍｇ，５ｍｍｏｌ）及びシアン酸銀
（１．５０ｇ．　　１０ｍｍｏ　ｌ）の無水ベンゼン（
１０ｍｌ）ＦＭ濁液を１時間加熱還流した後、室温で静
置する。この混合物の上澄（２．６ｍｌ）を取り、Ｏ℃
で（ＩＲ．２Ｒ，３Ｓ）−１−アミノー２，３−ビス（
ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロブタ
ン（６０３ｍｇ，０．９９ｍｍｏｌ）の無水ベンゼン（
４ｍ１）溶液に加え、そのまま終夜攪拌する。反応液は
減圧下溶媒を溜去し、残渣をシリカゲル力ラムクロマト
グラフィ−（ヘキサン：エーテル＝１：＋，ｖ／ｖ）で
精製し、粗Ｎ−［［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビ
ス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメチル）シクロ
プチル］アミノ力ルポニル］−３−メトキシ−２−メチ
ルアクリルアミド　（５９２ｍ９）　　を得る。

工程２． １−（（Ｉ日，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）シクロブタン−１−イル］一５−メチル−２
．４（１ト｛，３Ｈ）一ピリミジンジオン（化合物２９
）の製造 工程１で製造したＮ−　［　［（Ｉ　Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）
−２，３−ビス（ｔ−プチルジフェニルシリルオキシメ
チル）シクロプチル］アミノ力ルポニル］一３−メトキ
シ−２−メチルアクリルアミド（５９０ｍｇ）をメタノ
ール（８ｒｒ＋　１　）に溶解した溶液に、１Ｍ−テト
ラブチルアンモニウムフルオリド／ＴＨＦ　（２．４ｍ
　ｌ，２．４ｍｍｏ　ｌ）を加え室温で終夜攪拌する。

反応液は、減圧下溶媒を溜去した後、水及びエーテルを
加え、水で抽出（ｘ６）する。水抽出液は減圧下濃縮し
た後、ＩＭ−硫酸水溶液（ｊｏｍｌ）を加え３０分間加
熱還流する。反応液は水酸化ナトリウム溶液で中和し、
セフテデックスＨＰ２０　（水−３０％メタノール水溶
液）で精製した後、Ｄｏｗｅ　ｘ　５　０ｗ−Ｘ８（Ｈ
型，水）で精製し、流出液を水酸化ナトリウム溶液で中
和した後、再度セファデックスＨＰ２０（水−３０％メ
タノール水溶液）で精製し１一［（＋Ｒ．２Ｒ，３Ｓ）
−２．３−ビス（ヒド０キシメチル）シクロブタン−１
−イルコー５−メチル−２．４（＋｝−１．３Ｈ）一ピ
リミジンジオン（化合物２９）（＋２７ｍｇ，６７％）
を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨｚＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　５　：１．
９０（３Ｈ，ｄ，　Ｊ＝１．　ＩＨＺ），１．　９７−
２．　１８　（２Ｈ，　ｍ），２．　３６　（ＩＨ，　
ｍ）， ２．　５８　＜ＩＨ，　ｍ）， ３．　５７−３．　Ｔｏ　（４Ｈ，　ｍ），４．　５５
　（Ｈｌ，　ｍ）、 ７．６３＜ＩＨ，ｄ．Ｊ＝１．　１｝１ｚ）．ＵＶ　　
入ｍａｘ（Ｈ２ｄ）　ｎｍ： ｐｉｌ１，　２７３　；ｐＨ７，　２７３．ｐＨ１３，
　２７１．実施例２４． ２−アミノー９−［（ｊＲ，２Ｒ，３３）−２．３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］一６
−クロロプリン（化合物１７）の製造 工程１， ２−アミノー９−［（ＪＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビ
ス（アセトキシメチル）シクロブタン−１−イル］−６
−クロロプリンの製造 ９−［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）シクロブタン−１−イルコーグアニン（化合
物ＩＩ）（２６５ｍｇ，Ｌ　　Ｏｎｍ０１）の無水ジメ
チルホルムアミド（Ｌ　　５ｍ）懸濁液にビリジン（０
．５ｍｌ）及び無水酢酸（Ｉｍｌ）を加え、７５℃で３
０分間攪拌する。

反応液は減圧下溶媒を溜去し、トルエンで数回共沸した
後、乾燥し、粗９−　［（Ｉ　Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２．
３−ビス（アセトキシメチル）シクロブタン−１−イル
］一グアニン（３５０ｍｇ）を得る。

ここに得られた粗９−［（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３
−ビス（アセトキシメチル）シクロブタン−１−イル］
一グアニン（３５０ｍｇ）及びテトラエチルアンモニウ
ムクロリド（３３１ｍｇ，２．０ｍｍｏｌ）を無水アセ
トニトリル（２ｍｌ）に溶解し、Ｎ．　　Ｎ−ジメチル
アニリン（１３ｏμＩ，ｌ．Ｏｍｍｏｌ）及びオキシ塩
化リン（０．５７ｍｌ，６．０ｍｍｏｌ）を加え、＋０
０℃で１０分間加熱還流する。反応液は、減圧下揮発性
物質を溜去し、残渣に砕氷及び塩化メチレンを加え、Ｏ
℃でしばらく攪拌した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液で中和し、○℃でしばらく攪拌した後、塩化メチレン
で抽出する。塩化メチレン抽出液は、無水硫酸ナ１・リ
ウムで乾燥した後溶媒を溜去する。残渣は、シリカゲル
カラムクＯマトグラフィー（塩化メチレン：酢酸エチル
４＋＋１，ｖ　／　ｖ　）で精製し２−アミノー９−［
（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（アセトキシメチ
ル）シクロブタン−１−イル］一６−クロロプリン（３
３５ｍｇ，９１％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣｌ３）ろ２、０２
（３Ｈ，ｓ）， ２．　１１　（３Ｈ，　ｓ） ２．　１８−２．　７３　（３８，　ｍ），３．　０９
　（１｝１，　ｍ）． ４．　２５　（４８．　ｄ，　Ｊ＝５．　９Ｈｚ），４
．５９（ＩＨ．ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ，Ｊ＝８．４１｛
ｚ），４．　６５　（２｝１．　ｂｒ）， ７．　８８　（ＬＨ，　ｓ）． 工程２． ２−アミ，／−９−［（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル］−６
−クロロプリン（化合物１７）の製造 ２−７ミ，／−９−［（＋Ｒ．２Ｒ．３Ｓ）−２３−ビ
ス（アセトキシメチル）シク０ブタン−１−イル］一６
−クロロプリン（　９　８　ｍ　ｇ，　　０．　　２７
ｍｍｏｌ）をメタノール（２ｍｌ）に溶解し炭酸カリウ
ム（９０ｍｇ，０．６５ｍｍｏ　ｌ）を加え０℃で３０
分間攪拌する。反応液を１Ｎ一塩酸で中和した後、セフ
ァデックスＨＰ２０　（水−６０％メタノール水溶液）
で精製し２−アミノー９−　［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−
２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−
イル］一６−クロＯプリン（化合物＋７）（６５ｍｇ．
８６％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ．ＣＤ３０Ｄ）　　ろ：２．
　２０　（ＩＨ，　ｍ）． ２．　３７　（ＩＨ，　ｍ）． ２．　５７　（ＩＨ，　ｍ）， ２．　８９　（ＩＨ，　ｍ） ３．　６９　（４｝１，　ｄ，　Ｊ＝５．　５｝１２）
，４．　６４　（ＩＨ，　ａｐｐａｒｅｎｔ　　ｑ，　
Ｊ＝８．　８Ｈｚ）８．　１９　（ＩＨ，　ｓ）． ＵＶ　　λｍａｘ（Ｈ２０）ｎｍ： ｐＨ１，　２４４　（ｓｈ），　３１３　；ｐＨ７，　
２４８　（ｓｈ）．　３０６；ｐＨ１３，　２４８　＜
ｓｈ），３０５、 実施例２５ ２−アミノー９−　［　（Ｉ　Ｒ，　　２Ｒ，　　３Ｓ
）　−２．３−ビス（ヒドＯキシメチル）シクロブタン
−１−イル］一ブリン（化合物１４）の製造工程１． ２−アミノー９−［（ＩＲ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）　−
２．３−ビス（アセトキシメチル）シクロブタン−１一
イル］一プリンの製造 ２−アミノー９−［（ｉＲ．２Ｆ＋，３Ｓ）−２３−ビ
ス（アセトキシメチル）シクＯブタン−１ーイル］一６
−クロロプリン（８７ｍｇ，　　０．　　２４ｍｍｏｌ
）をメタノール（２ｍｌ）に溶解し、１０％パラジウム
炭素（１　３ｍｇ）を加え、水素雰囲気下、室温で一晩
攪拌する。反応液に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を少
し加え、触媒を濾去した後、減圧下溶媒を溜去し、残渣
をシリカゲル力ラムクロマトグラフィー（塩化メチレン
：メタノールに２０：　　１，ｖ／ｖ）で精製し２−ア
ミノ−９−　［（ＩＲ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（
アセトキシメチル）シクロブタン−１−イル］一プリン
（５６ｍｇ，７１％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，　ＣＤＣｌ３）ろ：２．０
１（３｝１，ｓ）， ２．　１２　（３Ｈ，　Ｓ）． ２．　２８−２．　７１　（３ｔｌ，　ｍ）．３．　１
１　（ＩＨ，　ｍ）， ４．　１７−４．　３４　（４Ｈ，　ｍ＞，４．６０（
ｌＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ，Ｊ＝８．６Ｈｚ），５．
１１（２Ｈ，ｂｒｓ）， ７．　８０　（ＩＨ．　ｓ）， ８．　７０　（ＩＩ．　ｓ）． 工程２． ２−アミ／−９〜［（ＩＲ，２Ｒ．３Ｓ）−２．３−ビ
ス（ヒドロキシメチル）シク０ブタン−１ーイル］一プ
リン（化合物１４）の製造２−ア：．）−９−　［（Ｉ
Ｒ．２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（アセトキシメチル）
シクＯブタン−１一イル］一ク口口プリン（４０ｍｇ，
０．１２ｍｍ０１）をメタノール（２ｍｌ）に溶解し炭
酸カリウム（４０ｍｇ．０．２９ｍｍｏｌ）を加え０℃
で３０分間攪拌する。反応液をＯ．ｉＮ一塩酸で中和し
た後、セファデックスＨＰ２０　（水−５０％メタノー
ル水溶液）で精製し２−アミノー９−［（＋Ｒ，２Ｒ，
３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタ
ン−１−イル］一プリン（化合物＋４）（２７ｍｇ，９
０％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　５　：２．
１０−２．６６（３Ｈ，ｍ）． ２．　９０　（０１，　ｍ）， ３。Ｔｏ　（４Ｈ，　ｄ，　Ｊ＝５．　６｝１２），４
．６５（ＩＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　　ｑ，Ｊ＝８．７Ｈ
ｚ＞．８．　２０　（１）｛，　ｓ）， ８．　５４　（ＩＨ，　ｓ）． ＵＶ　　入ｍａｘ（Ｈ２０）　ｎｍ： ｐＨ１，　２５２　（ｓｈ），　３１２；ｐ！｛７，　
２４４　（ｓｈ）　，　３０４　；ｐＨ１３，　２４４
　（ｓｈ），３０４． 実施例２６． ２，６−ジアミノー９−　［（ｉ　Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−
２，３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−
イル］一プリン（化合物２０）の製造２−アミノー９−
　［　（ｉ　Ｒ，　　２Ｒ，　　３Ｓ）　−２．３−ビ
ス（アセトキシメチル）シクロブタン−１ーイル］一６
−クＯロプリン（８７ｍｇ，　　０．　　２４ｍｍｏｌ
）をメタノール（２ｍｌ）に溶解し、一７８℃に冷却す
る。この溶液に液体アンモニアを飽和し、封管中、１０
０℃で１２時間加熱する。

反応液は減圧下揮発性物質を溜去した後、水に溶解し、
Ｏ．ＩＮ一水酸化ナトリウムで中和した後、セファデッ
クスＨＰ２０（水−４０％メタノール水溶液）で精製し
２，６−ジアミノ−９−［（＋Ｒ，２Ｒ．３Ｓ）−２．
３−ビス（ヒドロキシメチル）シクロブタン−１−イル
］一ブリン（化合物２０）（４１ｍｇ，８２％）を得る
。

ＮＭＲ（２００！４ＨｚＦＴ，ＣＩｈＯＤ＞　５　：２
．　１９　（ＩＨ，　ｍ）， ２．３１　（ＩＨ，ｍ） ２．　５４　（ＩＨ，　ｍ）． ２．　７５　（ＬＨ，　ｍ）， ３．６１−３．７４（４Ｈ，ｍ） ４．４９（ＩＨ，ａｐｐａｒｅｎｔ　ｑ，ＪＪ．６１｛
ｚ）．７．　９０　（Ｉｔ｛，　ｓ）． ＵＶλｍａｘ（Ｈ２０）ｎｍ： ｐＨ１，　２５３，　２９１：ｐＨ７．　２５５．　２
８０：ｐ！｛１３，　２５５，　２８０．実施例２７． ９−　［　（Ｉ　Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−’２．３−ビス（
ヒドＯキシメチル）シクＯブタン−１−イル］一ヒボキ
サンチン（化合物２３）の製造 ９−［（＋Ｒ，２Ｒ，３Ｓ）−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）シクロブタン−１−イル］一アデニン（化合
物８）（２　５ｍｇ，０．　　１０ｍｍ０１）を水（２
．５ｍｌ）に溶解し、亜硝酸ナトリウム（＋３８ｍｇ．
２．０ｍｍｏｌ）を加え、Ｏ℃に冷却した後、酢酸（０
．＋３ｍｌ）を加え、室温で一日攪拌する。反応液は、
１Ｎ−水酸化ナトリウムで中和した後、セファデックス
ＨＰ２０（水−４０％メタノール水溶液）で精製し９−
［（＋　Ｒ，２Ｒ．３Ｓ）　−２．３−ビス（ヒドロキ
シメチル）シクＯブタン−１−イル］一ヒポキサンチン
（化合物２３）（２３ｍｇ，９０％）を得る。

ＮＭＲ（２００ＭＨＺＦＴ，ＣＤ３０Ｄ）　　５　：２
．　２５　（ＩＨ．重）． ２．　３８．（ＩＨ，　ｍ＞， ２．　５８　（ＩＨ，ｍ）， ２．　９０　（１１，　ｍ）， ３．６６−３．７４（４８，ｍ）． ４．７６（ＩＩＩ，ａｐｐａｒｅｎｔ　　ｑ８．　０４
　（ｌＨ，　ｓ）， ８．　２０　（ＩＨ，　ｓ） ＋１Ｖ　　入ｍａｘ　（Ｈ２０）　　ｎｍ　：ｐＨ１，
２５０；ｐＨ７，２５０；ｐＨ１３，２５４Ｊ＝８．　
５Ｈｚ），

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ［式中Ｂは核酸塩基であり、Ｒ＾４は水素原子または保
   護基である］ で表されるシクロブタン誘導体
2. （２）一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） ［式中Ｒ＾４は水素または保護基を示し、Ｘは脱離基を
   示す］ で表わされる化合物と核酸塩基とを溶媒中反応させ、得
   られる化合物に保護基が存在する場合は、所望によりそ
   の保護基を除去することを特徴とする一般式（IV） ▲数式、化学式、表等があります▼（IV） ［式中Ｂは核酸塩基を示す。Ｒ＾４は前記と同じ］で表
   わされる化合物の製造法
3. （３）一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ［式中Ｒ＾１は炭素数１から５のアルキル基、アラルキ
   ル基または二つのＲ＾１が結合して炭素数２から３の環
   状アルキレン基を示し、Ｒ＾２は水素、炭素数１から５
   のアルキル基、保護されたヒドロキシアルキル基または
   保護されたカルボキシル基を示し、Ｒ＾３は水素、炭素
   数１から５のアルキル基、炭素数１から５のアルコキシ
   基、またはアラルキルオキシ基を示す。Ａは炭素数２か
   ら５の直鎖状または分枝状のアルキレン基を、Ｙは酸素
   またはイオウ原子を、Ｚは置換または無置換メチレン基
   または酸素またはイオウ原子を示す］ で表されるシクロブタン誘導体
4. （４）一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） ［式中Ｒ＾２は水素、炭素数１から５のアルキル基、保
   護されたヒドロキシアルキル基または保護されたカルボ
   キシル基を示し、Ａは炭素数２から５の直鎖状または分
   枝状のアルキレン基を、Ｙは酸素またはイオウ原子を、
   Ｚは置換または無置換メチレン基または酸素またはイオ
   ウ原子を示す］で表わされる化合物と一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） ［式中Ｒ＾１は炭素数１から５のアルキル基、アラルキ
   ル基または二つのＲ＾１が結合して炭素数２から３の環
   状アルキレン基を示し、Ｒ＾３は水素、炭素数１から５
   のアルキル基、炭素数１から５のアルコキシ基、または
   アラルキルオキシ基を示す］で表わされる化合物を縮合
   環化する事を特徴とする一般式（III） ▲数式、化学式、表等があります▼（III） ［式中Ｒ＾１は炭素数１から５のアルキル基、アラルキ
   ル基または二つのＲ＾１が結合して炭素数２から３の環
   状アルキレン基を示し、Ｒ＾２は水素、炭素数１から５
   のアルキル基、保護されたヒドロキシアルキル基または
   保護されたカルボキシル基を示し、Ｒ＾３は水素、炭素
   数１から５のアルキル基、炭素数１から５のアルコキシ
   基、またはアラルキルオキシ基を示す。Ａは炭素数２か
   ら５の直鎖状または分枝状のアルキレン基を、Ｙは酸素
   またはイオウ原子を、Ｚは置換または無置換メチレン基
   または酸素またはイオウ原子を示す］ で表されるシクロブタン誘導体の製造法