JPH04100251A - プローブ装置 - Google Patents

プローブ装置

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JPH04100251A
JPH04100251A JP2216982A JP21698290A JPH04100251A JP H04100251 A JPH04100251 A JP H04100251A JP 2216982 A JP2216982 A JP 2216982A JP 21698290 A JP21698290 A JP 21698290A JP H04100251 A JPH04100251 A JP H04100251A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
「発明の目的」
【産業上の利用分野】
本発明は、プローブ装置に関するものである。
【従来の技術】
通常、この種のプローブ装置、例えば半導体ウェハのプ
ローブ装置は、ウェハ上の多数の素子の電気的特性を測
定する測定部を設け、この測定部には、プローブ針を有
するプローブカードを設け、このプローブカードにテス
タを接続して各素子の電気的特性を順次測定するように
している。 このプローブカードは、第３図に示すように、基板１に
固定リング２を取付け、この固定リング２に多数のプロ
ーブ針３を固着した構造であり、或は、第４図に示すよ
うに、支持部材４に垂直状態にプローブ針５を設けた垂
直プローブが知られている。 そして、実際には、チャック６上に固着された半導体ウ
ェハ７の電極パッドにプローブ針３，５の先端を接触さ
せる際に、チャック６を介して半導体ウェハ７を上昇さ
せてウェハ７にオーバードライブを与えるようにしてい
る。これは、ウェハ７の表面が自然酸化膜で覆われるた
め、ウェハ７を上昇させて酸化膜をプローブ針の先端で
突き破るためにオーバードライブを与えるようにしてい
るのである。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した従来のプローブ装置には、次の
ような課題がある。 第３図の場合は、プローブ針３の先端が横ずれをしなが
ら酸化膜に食い込み、電極パッドに接触した後にも横ず
れをして電極パッドに掻き傷を残すので、配線不良にな
り、歩留まりの低下をきたす問題がある。この問題は、
高集積化されればされる程、配線が細く薄くなるため生
じやすい。 第４図の垂直プローブ針の場合も、プローブ針５の先端
が酸化膜を突き破った後にも電極パッドに突き刺さるこ
とが多いので、製品の歩留まりの低下をきたしている。 本発明は上記の問題点に鑑みて開発したものであり、被
測定体表面の酸化膜を突き破る際に、配線不良の発生が
減少する接触法を実行することにより高精度な接触状態
を得て測定精度の向上と製品の歩留まりの向上を図るこ
とを目的としたものである。 「発明の構成」
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため１本発明は、被測定体をプロ
ーブ針を接触させて電気的測定をするようにしたプロ・
−ブ装置において、上記プローブ針で被測定体を測定す
る際に振動手段を介してプローブ針を微振動或は微移動
させて測定する構成を採用する。
【作　用１ 本発明は、振動手段を介してプローブ針を微振動或は微
移動させて測定するように構成したので、プローブ針で
被測定体を測定する際にオーバードライブをかけた状態
でＹ軸、Ｙ軸またはθ方向に微振動若しくは数μｍ単位
の移動を行ない、被測定体の自然酸化膜を突き破って測
定部に接触した後に振動を停止させると、接触抵抗の低
下を可能とした測定を実施することができる。 【実施例】 本発明を半導体ウェハのプローブ装置に適用した一実施
例を図面に基づいて説明する。 第１図及び第２図におけるウエハプローバは。 被測定体例えば半導体ウェハ１１上に設けられた電極パ
ッド１２にプローブ針１３を接触させ、このプローブ針
１３を設けたプローブカード（図示しない）にテスタを
それぞれ接続して各素子の電気的特性を測定するように
構成していることは周知の通りである。 また、第１図におけるプローブカードは基板１４に固定
リング１５を取付け、この固定リング１５に多数のプロ
ーブ針１３を固着した構造であり。 第４図に示す垂直プローブは、本体１６ａに設けた支持
部材１６に垂直状態でプローブ針１７を設けたものであ
る。 そして、実際には、チャック１８上に吸着固定された半
導体ウェハ１１の電極パッドにプローブ針１３．１７の
先端を接触させる。この接触位置を検知する。 このチャック１８は、半導体ウェハ１１の電極パッドに
プローブ針を接触させる際に、Ｘ軸ステージ及びＹ軸ス
テージを介してＹ軸、Ｙ軸に数μｍ単位の微移動の移動
を可能としおり、また、チャック１８は、上記のように
θ方向に微回転を可能としている。 そして、この接触を検知したとき、上記振動子１９．２
０を動作させてプローブ針を微振動させる。即ち、基板
１４或は支持部材１６に振動子１９、例えば圧電振動子
Ｌ　ｉ　Ｎ　ｂ　Ｏ３，Ｌ　ｉ　Ｔ　ａ　Ｏ。 等を設け、この振動子１９に高周波、例えば超音波電圧
を印加して基板１４或は支持部材１６を振動させること
により、基板１４や支持部材１６に設けたプローブ針を
振動させて、ウェハ表面の酸化膜をプローブ針の微振動
により破損させ電極パッドにプローブ針を接触させるよ
うにしている。 勿論、基板又は支持部材１６を振動させたくない場合は
、プローブ針に直接振動が印加されるようにしてもよい
。この振動期間はパルス的に実行しウェハに長期間かけ
たいようにする。 また、半導体ウェハの載ったチャックはＸ、Ｙ。 θ方向に動くようにモータがついているため、そのモー
タによりチャックをＸ、Ｙ、θ方向付れか又はともに移
動しても構わない。 なお、この振動回数は、各ウェハの種類によって予め設
定しておけば、電極パッド自身の破損は生じることはな
い。 次に、上記実施例の作用を説明する。 基板１４や支持部材１６に設けた振動子１９，２０を介
してプローブ針を微振動させ、或はチャック１８に設け
たＸ、ＹステージをＸ軸又はＹ軸に数μ−単位で微移動
させて測定するように構成したので、プローブ針でウェ
ハ１１を測定する際にオーバードライブをかけた状態で
Ｘ軸、Ｙ軸またはθ方向に微振動若しくは数μｍ単位の
移動を行なうことにより、半導体ウェハ１１の自然酸化
膜を突き破って電極パッド１２に接触させて測定し。 ウェハ１１の種類に応じて接触抵抗の低下を可能とする
。 上記実施例ではウエハプローバに適用した例について説
明したが、デバイスプローバ、ＬＣＤプローバ等、プロ
ーバ針を用いる測定装置であれば何れに適用してもよい
。 「発明の効果」 以上のことから明らかなように、本発明によると次のよ
うな優れた効果を有する 即ち、プローブ針の先端の接触抵抗の低下を図るのにプ
ローブ針を振動させるので、高精度な接触状態を得て測
定精度の向上と製品の歩留まりの向上を図ることができ
る等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明におけるプローブ装置の一実施例を示し
た部分平面説明図、第２図は本発明におけるプローブ装
置の他側を示した部分平面説明図であり、第３図及び第
４図は従来例を示した部分平面説明図である。 １１・・・・被測定体　　　　　１２・・・・電極バッ
ド〕３．１７・・・・プローブ針　１８・・・・チャッ
ク１９．２０・・・・振動子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）被測定体をプローブ針を接触させて電気的測定を
    するようにしたプローブ装置において、上記プローブ針
    で被測定体を測定する際に振動手段を介してプローブ針
    を微振動或は微移動させて測定するように構成したこと
    を特徴とするプローブ装置。
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US08/227,178 US5436571A (en) 1990-08-20 1994-04-13 Probing test method of contacting a plurality of probes of a probe card with pads on a chip on a semiconductor wafer

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578504A (en) * 1993-07-16 1996-11-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for determination of resistivity of N-type silicon epitaxial layer
WO2001079865A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Innotech Corporation Carte de test et element de test destine a etre utilise dans cette derniere
KR100309889B1 (ko) * 1993-07-19 2001-12-15 히가시 데쓰로 프로우브장치
JP2005297185A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Fei Co 微小構造を修正するためのスタイラス・システム
JP2008252048A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd プロービング方法、プローブ装置及び記憶媒体

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
JP3723232B2 (ja) * 1992-03-10 2005-12-07 シリコン システムズ インコーポレーテッド プローブ針調整ツール及びプローブ針調整法
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5644245A (en) * 1993-11-24 1997-07-01 Tokyo Electron Limited Probe apparatus for inspecting electrical characteristics of a microelectronic element
US5777485A (en) * 1995-03-20 1998-07-07 Tokyo Electron Limited Probe method and apparatus with improved probe contact
US5949238A (en) * 1995-12-20 1999-09-07 Siemens Medical Systems, Inc. Method and apparatus for probing large pin count integrated circuits
WO1997027489A1 (en) * 1996-01-24 1997-07-31 Intel Corporation Improved method and apparatus for scrubbing the bond pads of an integrated circuit during wafer sort
US5883519A (en) * 1996-02-23 1999-03-16 Kinetic Probe, Llc Deflection device
US5773987A (en) * 1996-02-26 1998-06-30 Motorola, Inc. Method for probing a semiconductor wafer using a motor controlled scrub process
US6166552A (en) * 1996-06-10 2000-12-26 Motorola Inc. Method and apparatus for testing a semiconductor wafer
US5777484A (en) * 1996-09-30 1998-07-07 Packard Hughes Interconnect Company Device for testing integrated circuit chips during vibration
US6140828A (en) * 1997-05-08 2000-10-31 Tokyo Electron Limited Prober and probe method
JPH10335395A (ja) * 1997-05-28 1998-12-18 Advantest Corp プローブカードの接触位置検出方法
JP3423979B2 (ja) * 1997-07-11 2003-07-07 東京エレクトロン株式会社 プローブ方法及びプローブ装置
US6433571B1 (en) * 1998-07-06 2002-08-13 Motorola, Inc. Process for testing a semiconductor device
US6731327B1 (en) 1999-02-12 2004-05-04 Hypervision, Inc. Dynamic structural coupling mechanism for reducing optical degradation in vibrating environments
US6271676B1 (en) 1999-03-02 2001-08-07 Tsk America, Inc. Spiral chuck
JP2000260852A (ja) 1999-03-11 2000-09-22 Tokyo Electron Ltd 検査ステージ及び検査装置
US7009415B2 (en) * 1999-10-06 2006-03-07 Tokyo Electron Limited Probing method and probing apparatus
JP2001110857A (ja) 1999-10-06 2001-04-20 Tokyo Electron Ltd プローブ方法及びプローブ装置
JP4218816B2 (ja) 2000-02-15 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 針荷重測定方法、検査方法及び検査装置
WO2004011953A1 (en) * 2000-03-15 2004-02-05 Tsk America, Inc. Spiral chuck
US6791344B2 (en) 2000-12-28 2004-09-14 International Business Machines Corporation System for and method of testing a microelectronic device using a dual probe technique
JP2002313857A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Ando Electric Co Ltd 距離変化出力装置及び方法
JP2003222654A (ja) * 2002-01-30 2003-08-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2004152916A (ja) * 2002-10-29 2004-05-27 Nec Corp 半導体デバイス検査装置及び検査方法
US7202682B2 (en) * 2002-12-20 2007-04-10 Formfactor, Inc. Composite motion probing
JP4387125B2 (ja) * 2003-06-09 2009-12-16 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
JP4339631B2 (ja) * 2003-06-20 2009-10-07 東京エレクトロン株式会社 検査方法及び検査装置
US20050205778A1 (en) * 2003-10-17 2005-09-22 Gsi Lumonics Corporation Laser trim motion, calibration, imaging, and fixturing techniques
US7218127B2 (en) * 2004-02-18 2007-05-15 Formfactor, Inc. Method and apparatus for probing an electronic device in which movement of probes and/or the electronic device includes a lateral component
US9097740B2 (en) * 2004-05-21 2015-08-04 Formfactor, Inc. Layered probes with core
US7759949B2 (en) 2004-05-21 2010-07-20 Microprobe, Inc. Probes with self-cleaning blunt skates for contacting conductive pads
US8988091B2 (en) 2004-05-21 2015-03-24 Microprobe, Inc. Multiple contact probes
US7733101B2 (en) * 2004-05-21 2010-06-08 Microprobe, Inc. Knee probe having increased scrub motion
USRE43503E1 (en) 2006-06-29 2012-07-10 Microprobe, Inc. Probe skates for electrical testing of convex pad topologies
US7659739B2 (en) * 2006-09-14 2010-02-09 Micro Porbe, Inc. Knee probe having reduced thickness section for control of scrub motion
US9476911B2 (en) 2004-05-21 2016-10-25 Microprobe, Inc. Probes with high current carrying capability and laser machining methods
US20060071679A1 (en) * 2004-10-04 2006-04-06 Texas Instruments Incorporated System and method for the probing of a wafer
US7362116B1 (en) * 2005-11-09 2008-04-22 Electroglas, Inc. Method for probing impact sensitive and thin layered substrate
US7649367B2 (en) 2005-12-07 2010-01-19 Microprobe, Inc. Low profile probe having improved mechanical scrub and reduced contact inductance
US7312617B2 (en) 2006-03-20 2007-12-25 Microprobe, Inc. Space transformers employing wire bonds for interconnections with fine pitch contacts
US7786740B2 (en) * 2006-10-11 2010-08-31 Astria Semiconductor Holdings, Inc. Probe cards employing probes having retaining portions for potting in a potting region
US8907689B2 (en) 2006-10-11 2014-12-09 Microprobe, Inc. Probe retention arrangement
JP4950719B2 (ja) * 2007-03-23 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 プローブの針先位置の検出方法、アライメント方法、針先位置検出装置及びプローブ装置
US7514948B2 (en) 2007-04-10 2009-04-07 Microprobe, Inc. Vertical probe array arranged to provide space transformation
US7573283B2 (en) * 2007-06-19 2009-08-11 Suss Micro Tec Test Systems Gmbh Method for measurement of a device under test
JP4950779B2 (ja) * 2007-06-22 2012-06-13 東京エレクトロン株式会社 プローブカードの登録方法及びこのプログラムを記録したプログラム記録媒体
US7671610B2 (en) * 2007-10-19 2010-03-02 Microprobe, Inc. Vertical guided probe array providing sideways scrub motion
US8723546B2 (en) * 2007-10-19 2014-05-13 Microprobe, Inc. Vertical guided layered probe
JP2009276215A (ja) * 2008-05-15 2009-11-26 Tokyo Electron Ltd プローブ装置及びコンタクト位置の補正方法
US8230593B2 (en) 2008-05-29 2012-07-31 Microprobe, Inc. Probe bonding method having improved control of bonding material
US8120304B2 (en) 2008-12-12 2012-02-21 Formfactor, Inc. Method for improving motion times of a stage
KR20100089131A (ko) * 2009-02-03 2010-08-12 삼성전자주식회사 프로버의 위치 보정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP5384170B2 (ja) * 2009-03-31 2014-01-08 東京エレクトロン株式会社 コンタクトパラメータの設定方法、コンタクトパラメータの設定用プログラム及びコンタクトパラメータの設定用プログラムが記録された記録媒体
US10802071B2 (en) * 2017-12-01 2020-10-13 International Business Machines Corporation Elemental mercury-containing probe card
DE102018121911A1 (de) * 2018-09-07 2020-03-12 Formfactor Gmbh Verfahren zur Positionierung von Testsubstrat, Sonden und Inspektionseinheit relativ zueinander und Prober zu dessen Ausführung
KR20230086510A (ko) 2021-12-08 2023-06-15 삼성전자주식회사 지문 센서 패키지 및 이를 포함하는 스마트 카드
KR102721980B1 (ko) 2022-02-24 2024-10-25 삼성전자주식회사 기판 정렬 장치 및 이를 이용한 기판 정렬 방법
CN116990620B (zh) * 2023-09-26 2023-12-19 江苏迅镭激光科技有限公司 Ccs组件振动测试方法
CN117406072B (zh) * 2023-12-14 2024-02-13 深圳市铨天科技有限公司 用于半导体散粒芯片测试装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3453545A (en) * 1967-07-07 1969-07-01 Rca Corp Probe assembly for testing semiconductor wafers including a wafer vibrator for effecting good test connections
DE2344239B2 (de) * 1973-09-01 1977-11-03 Luther, Erich, 3050 Wunstorf; Maelzer, Fritz; Maelzer, Martin; 7910 Reutti Post Neu-Ulm; Türkkan, Tamer, 3011 Laatzen Kontaktvorrichtung zum anschliessen einer gedruckten schaltung an ein pruefgeraet
US4123706A (en) * 1975-03-03 1978-10-31 Electroglas, Inc. Probe construction
JPS56133842A (en) * 1980-03-24 1981-10-20 Toshiba Corp Device for measuring characteristics of semiconductor element
US4585991A (en) * 1982-06-03 1986-04-29 Texas Instruments Incorporated Solid state multiprobe testing apparatus
US4780836A (en) * 1985-08-14 1988-10-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of testing semiconductor devices using a probe card
US4943767A (en) * 1986-08-21 1990-07-24 Tokyo Electron Limited Automatic wafer position aligning method for wafer prober
US4758785A (en) * 1986-09-03 1988-07-19 Tektronix, Inc. Pressure control apparatus for use in an integrated circuit testing station
US4918383A (en) * 1987-01-20 1990-04-17 Huff Richard E Membrane probe with automatic contact scrub action
US4864227A (en) * 1987-02-27 1989-09-05 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
JP2519737B2 (ja) * 1987-07-31 1996-07-31 東京エレクトロン株式会社 プロ−ブカ−ド
JPH0719819B2 (ja) * 1987-09-14 1995-03-06 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
JP2635054B2 (ja) * 1987-09-28 1997-07-30 東京エレクトロン株式会社 プロービングカード
US4929893A (en) * 1987-10-06 1990-05-29 Canon Kabushiki Kaisha Wafer prober
JPH02290036A (ja) * 1989-02-13 1990-11-29 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハの検査方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5578504A (en) * 1993-07-16 1996-11-26 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for determination of resistivity of N-type silicon epitaxial layer
KR100309889B1 (ko) * 1993-07-19 2001-12-15 히가시 데쓰로 프로우브장치
WO2001079865A1 (fr) * 2000-04-13 2001-10-25 Innotech Corporation Carte de test et element de test destine a etre utilise dans cette derniere
US6842023B2 (en) 2000-04-13 2005-01-11 Innotech Corporation Probe card apparatus and electrical contact probe having curved or sloping blade profile
JP2005297185A (ja) * 2004-04-15 2005-10-27 Fei Co 微小構造を修正するためのスタイラス・システム
JP2008252048A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd プロービング方法、プローブ装置及び記憶媒体

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