JPH04100303A - フイードバツクアンプ - Google Patents
フイードバツクアンプInfo
- Publication number
- JPH04100303A JPH04100303A JP21750590A JP21750590A JPH04100303A JP H04100303 A JPH04100303 A JP H04100303A JP 21750590 A JP21750590 A JP 21750590A JP 21750590 A JP21750590 A JP 21750590A JP H04100303 A JPH04100303 A JP H04100303A
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- Japan
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- terminal
- feedback
- resistor
- transistor
- gate
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分計］
この発明は、帰還回路を有するフィードバックアンプに
関するものである。
関するものである。
［従来の技術］
第８図は、従来型帰還回路を有するフィードバックアン
プの構成例であり１図中（１）は電界効果トランジスタ
Ｃ以下ｒＦＥＴＪと称する）、（２）（３）は、 Ｆ
ＥＴ （１）のゲート及びドレイン端子に接続された
信号の入出力端子、（４）は、ＦＥＴ（１）のドレ・ｆ
ン端子とゲート端子間に接続された帰還用のコンデンサ
、 （５）、 （６）は上記コンデンサ（４）と同
様の帰還用抵抗とコイルである。
プの構成例であり１図中（１）は電界効果トランジスタ
Ｃ以下ｒＦＥＴＪと称する）、（２）（３）は、 Ｆ
ＥＴ （１）のゲート及びドレイン端子に接続された
信号の入出力端子、（４）は、ＦＥＴ（１）のドレ・ｆ
ン端子とゲート端子間に接続された帰還用のコンデンサ
、 （５）、 （６）は上記コンデンサ（４）と同
様の帰還用抵抗とコイルである。
従来のフィードバックアンプは上記の様に構成され、出
力端子（３）にあられれる出力信号を、帰還回路内の受
動素子を通して入力端子（２）に帰還させていた。
力端子（３）にあられれる出力信号を、帰還回路内の受
動素子を通して入力端子（２）に帰還させていた。
帰還信号の位相、振幅は帰還ループ内のコンデンサ（４
）、抵抗（５）、コイル（６）で変化させることが可能
であり９周波数に対しての帰還量というものを上記（４
）〜（６）を用いて設定していた。
）、抵抗（５）、コイル（６）で変化させることが可能
であり９周波数に対しての帰還量というものを上記（４
）〜（６）を用いて設定していた。
［発明が解決しようとする課題］
従来のフィードバックアンプは以上のように構成されて
いるので、帰還信号の位相、振幅はコンデンサ（４）、
抵抗（５）、コイル（６）で決定され。
いるので、帰還信号の位相、振幅はコンデンサ（４）、
抵抗（５）、コイル（６）で決定され。
固定される。
ゆえに帰還量の変化の、特に振幅量を変化する場合は、
抵抗（５）の値をその都度賢更する必要があり、抵抗を
固定型あるいは可変型のいずれで構成しても、抵抗の変
化が機械的にならざるを得ず電気的操作による連続変化
や自動制御に不向きであるという問題点があった。
抵抗（５）の値をその都度賢更する必要があり、抵抗を
固定型あるいは可変型のいずれで構成しても、抵抗の変
化が機械的にならざるを得ず電気的操作による連続変化
や自動制御に不向きであるという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたものであり、フィードバックアンプのフィードバッ
ク振幅量を電気的に自動あるいは強制変化させられるア
ンプを得ることを目的とする。
れたものであり、フィードバックアンプのフィードバッ
ク振幅量を電気的に自動あるいは強制変化させられるア
ンプを得ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
この発明に係るフィードバックアンプは、固定型抵抗の
他にバラクタダイオードを用い、バラクタダイオードを
含む帰還回路の振幅制御を自己制御あるいは外部制御す
ることができるようにした゛ものである。
他にバラクタダイオードを用い、バラクタダイオードを
含む帰還回路の振幅制御を自己制御あるいは外部制御す
ることができるようにした゛ものである。
［作用］
この発明におけるフィードバックアンプは、バラクタダ
イオードが可変容量素子として動作することにより、電
気的に帰還振幅量をコントロールすることを可能にする
。
イオードが可変容量素子として動作することにより、電
気的に帰還振幅量をコントロールすることを可能にする
。
［実施例コ
第１図は、この発明の一実施例を示す。
第１図において（１）〜（６）は従来装置と同一のもの
を、（７）はバラゲタダイオード、（８）は信号成分の
通過阻止用のバイアス用チョークコイル。
を、（７）はバラゲタダイオード、（８）は信号成分の
通過阻止用のバイアス用チョークコイル。
（９）はＦＥＴ（１）のドレイン側電源を供給するバイ
アス回路に組込まれたドレイン電流検出抵抗。
アス回路に組込まれたドレイン電流検出抵抗。
（１０）はドレイン電源供給用の電源端子である。
第１図のフィードバックアンプにおいて、バラクタダイ
オード（７）は可愛容量素子として動作するものであり
、逆方向バイアス電圧Ｖの大きさに逆比例して容量値が
ダイオードの性能範囲２例えば０．ＩＰＦからｌ０ＰＦ
程度まで変化する。
オード（７）は可愛容量素子として動作するものであり
、逆方向バイアス電圧Ｖの大きさに逆比例して容量値が
ダイオードの性能範囲２例えば０．ＩＰＦからｌ０ＰＦ
程度まで変化する。
逆方向バイアス電圧Ｖは、ドレイン電流検出抵抗（９）
の両端に発生するドレイン電流ｉｄによる電圧降下を使
用しており、抵抗（９）の値により逆バイアス電圧■を
制御することができる。
の両端に発生するドレイン電流ｉｄによる電圧降下を使
用しており、抵抗（９）の値により逆バイアス電圧■を
制御することができる。
逆方向バイアス電圧■は、ドレイン電流ｉｄの増加に伴
なって上昇するが、この際可変容量素子としての容量値
は減少していく。
なって上昇するが、この際可変容量素子としての容量値
は減少していく。
この時、帰還回路のインピーダンスは、容量に反比例し
て増加するため、結果ドレイン電流ｉｄの増加に伴い帰
還量は減少していく。
て増加するため、結果ドレイン電流ｉｄの増加に伴い帰
還量は減少していく。
このことは、帰還が負帰還であり、かつＦＥＴ（１）が
Ａ級よりも抑圧された状態、つまりＡＢ級またはＢ級、
０級のような動作点で動いている場合に、ドレイン端子
ｉｄはＦＥＴ（１）の飽和に伴−）で増加し、アップと
しての利得を増加させるよう帰還ループ内のバラクタダ
イオード（７）が動作することを意味する。
Ａ級よりも抑圧された状態、つまりＡＢ級またはＢ級、
０級のような動作点で動いている場合に、ドレイン端子
ｉｄはＦＥＴ（１）の飽和に伴−）で増加し、アップと
しての利得を増加させるよう帰還ループ内のバラクタダ
イオード（７）が動作することを意味する。
第２図は、上述の動作を図にしたものを示す。
第２図において従来の入出力特性を■に、この発明の入
出力特性をＨに示した。
出力特性をＨに示した。
■において入出力特性が徐々に飽和するのに対して、■
では帰還量の減少による利得増加により飽和カーブがよ
り直線的に変化することを示す。
では帰還量の減少による利得増加により飽和カーブがよ
り直線的に変化することを示す。
以上のように振幅特性が線形性を保つ方向に動作するこ
とがわかるが、−万人出力特性上重要な位相特性はどの
ような性質を有するのかを示したのが第３図と第４図で
ある。
とがわかるが、−万人出力特性上重要な位相特性はどの
ような性質を有するのかを示したのが第３図と第４図で
ある。
第３図は入力電力に対するアンプの通過位相特性を示し
たものであり、第４図は第３図をわかり易く説明するた
めのベクトル図である。
たものであり、第４図は第３図をわかり易く説明するた
めのベクトル図である。
第３図において、第２図と同様な特性を示すアンプであ
れば、従来品においては■のように入力電力の増加に従
って通過位相が急激に増大する傾向を有する。
れば、従来品においては■のように入力電力の増加に従
って通過位相が急激に増大する傾向を有する。
しかしながら、バラゲタダイオードを帰還素子として用
いた場合は、■の如く位相変化が抑圧される。
いた場合は、■の如く位相変化が抑圧される。
これらを第４図を用いて説明する。
先ず入力が第３図Ｘ点において、ベクトル関係を第４図
（ａ）で表すと、ベクトルＡはアンプの入力信号、百は
帰還信号、ざはＸと百の合成ベクトルとして示される。
（ａ）で表すと、ベクトルＡはアンプの入力信号、百は
帰還信号、ざはＸと百の合成ベクトルとして示される。
次に入力が第３図Ｙ点に達すると入力信号Ａを基準とし
て、アンプの出力信号位相が第３図■のように０１だけ
回転する。
て、アンプの出力信号位相が第３図■のように０１だけ
回転する。
この時帰還信号位相もθ１だけ回転するため第４図（、
ａ）のＢはＢ゛に移動し、従って合成ベクトルト′ も
回転することになる。
ａ）のＢはＢ゛に移動し、従って合成ベクトルト′ も
回転することになる。
この際の移相量を０２とすると、第３図の■で示されろ
カーブのＹ点位相は０２だけ戻され■のカーブとなるの
である。
カーブのＹ点位相は０２だけ戻され■のカーブとなるの
である。
以上のように、第１図で示した回路は、振幅のみならず
位相特性についても直線性を改善する効果を有している
。
位相特性についても直線性を改善する効果を有している
。
第５図は、第１図と異なったこの発明の他の実施例を示
し、（１）〜（１０）は第１図と同一のものを（１１）
はゲート電流検出抵抗を示す。
し、（１）〜（１０）は第１図と同一のものを（１１）
はゲート電流検出抵抗を示す。
第５囚のフィードバックアンプは、第１図のアンプのよ
うにドレイン電流ｉｄによってＦＥＴ（１）の飽和が充
分に捕えられない場合、あるいはより敏感にＦＥＴ（１
）の飽和を利用したい場合に用いるものである。
うにドレイン電流ｉｄによってＦＥＴ（１）の飽和が充
分に捕えられない場合、あるいはより敏感にＦＥＴ（１
）の飽和を利用したい場合に用いるものである。
第５図は第１図と同様自己バイアス型であり。
ＦＥＴ（１）の入力信号の電力レベル増加に従ってゲー
ト電流ｉｇが増加することを利用したものである。
ト電流ｉｇが増加することを利用したものである。
ゲート電流ｉｇを抵抗（１１）を通して検出し、バラク
タダイオード（７）の両端に印加することで。
タダイオード（７）の両端に印加することで。
逆バイアス電圧Ｖをバラクタダイオード（７）に印加す
ることが可能となる。
ることが可能となる。
以下、第１図の場合と同様に、バラクタダイオード（７
）の逆バイアス電圧Ｖによる容量値の変化が生じ、帰還
が負であるならば、逆バイアス電圧Ｖの増加に比例して
容量値が減少し、アンプの出力振幅及び通過位相の直線
性を改善する方向に帰還量をコントロールするものであ
る。
）の逆バイアス電圧Ｖによる容量値の変化が生じ、帰還
が負であるならば、逆バイアス電圧Ｖの増加に比例して
容量値が減少し、アンプの出力振幅及び通過位相の直線
性を改善する方向に帰還量をコントロールするものであ
る。
第６図は、第１図、第５図のような自己バイアス型でな
く、外部からのバイアスを用いる強制がでぶバイアス型
のフィードバックアンプの実施例を示す。
く、外部からのバイアスを用いる強制がでぶバイアス型
のフィードバックアンプの実施例を示す。
図中（１）〜（８）は第１図と同一のものを、 （１２
）は外部バイアス用コントロール端子を示す。
）は外部バイアス用コントロール端子を示す。
第６図のフィードバックアンプは、バラクタダイオード
（７）の逆バイアス電圧Ｖをコントロール端子（１２）
から強制的にコントロール可能である。
（７）の逆バイアス電圧Ｖをコントロール端子（１２）
から強制的にコントロール可能である。
つまり、帰還振幅量がコントロール電圧に応じて自由に
変化させられることがら、アンプ利得の変化が可能な可
愛利得アンプを実現するものである。
変化させられることがら、アンプ利得の変化が可能な可
愛利得アンプを実現するものである。
用途としては、アンプの温度に対する利得安定化のため
の温度補償用、あるいは、出力の輩動に応じて利得を変
化させて出力の一定化を図る自動利得制御用、コントロ
ール信号を変調信号として用いる振幅変調器などが考え
られる。
の温度補償用、あるいは、出力の輩動に応じて利得を変
化させて出力の一定化を図る自動利得制御用、コントロ
ール信号を変調信号として用いる振幅変調器などが考え
られる。
第７図は、第５図のフィードバックアンプのゲート電流
検出抵抗（１１）の場合よりも感度を上げてフィードバ
ックを行う場合の実施例を示す。
検出抵抗（１１）の場合よりも感度を上げてフィードバ
ックを行う場合の実施例を示す。
（１）〜（８）は第１図と同一のものである。
（１３）は検波ダイオード、 （１４）は検波ダイオー
ド（１３）用のバイアス抵抗である。
ド（１３）用のバイアス抵抗である。
第７図のフィードバッグアンプは、第５図のようにゲー
ト電流ｉｇによってもＦＥＴ（１）の飽和が充分に捕え
られない場合に用いられる回路である。
ト電流ｉｇによってもＦＥＴ（１）の飽和が充分に捕え
られない場合に用いられる回路である。
ＦＥＴ（１）の入力信号の電圧レベルが増加するに伴っ
て、検波ダイオード（１３）に検波電流ｉ ｄｅｔが流
れ始め、同時にバイアス抵抗（１４）によって電圧降下
が生じる。
て、検波ダイオード（１３）に検波電流ｉ ｄｅｔが流
れ始め、同時にバイアス抵抗（１４）によって電圧降下
が生じる。
検波電流ｉ ｄｅｔによって生じた電圧降下は、バラク
タダイオード（７）の両端に逆バイアス電圧■を印加し
、これにより第５図と同様にバラクタダイオード（７）
の容量値変化が生じ帰還が負であるならば、逆バイアス
Ｖの増加に比例して容量値が減少し、アンプの出力振幅
及び通過位相の直線性を改善する方向に帰還量のコント
ロールを行う。
タダイオード（７）の両端に逆バイアス電圧■を印加し
、これにより第５図と同様にバラクタダイオード（７）
の容量値変化が生じ帰還が負であるならば、逆バイアス
Ｖの増加に比例して容量値が減少し、アンプの出力振幅
及び通過位相の直線性を改善する方向に帰還量のコント
ロールを行う。
［発明の効果］
以上のように、この発明によればフィードバックアンプ
にバラクタダイオードを用いて構成したので、アンプの
振幅飽和に寄因する振幅や位相の非直線性を改善する効
果を有するフィードバックアンプを提供できる。
にバラクタダイオードを用いて構成したので、アンプの
振幅飽和に寄因する振幅や位相の非直線性を改善する効
果を有するフィードバックアンプを提供できる。
第１図はこの発明の一実施例を示すフィードバックアン
プの構成図、第２図及び第３図は、第１図のフィードバ
ックアンプに対する振幅及び位相の改善を示す説明図、
第４図は第３図をベクトルを用いて説明したベクトル図
、第５図〜第７図はこの発明の他の実施例を示すフィー
ドバックアンプの構成図、第８図は従来のフィードバッ
クアンプの一実施例を示す図である。 図中、（１）はＦＥＴ、 （２）（３）は信号入出力
端子、（４）は帰還用コンデンサ、（５）は抵抗、（６
）はコイル、（７）はバラクタダイオード、（８）はバ
イアスチョーク、（９）はドレイン電流検出抵抗。 （ｉｏ）は電源端子、 （１１）はゲート電流検出抵抗
。 （１２）はコントロール端子、 （１３）は検波ダイオ
ード（１４）はバイアス抵抗を示す。 なお２図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図
プの構成図、第２図及び第３図は、第１図のフィードバ
ックアンプに対する振幅及び位相の改善を示す説明図、
第４図は第３図をベクトルを用いて説明したベクトル図
、第５図〜第７図はこの発明の他の実施例を示すフィー
ドバックアンプの構成図、第８図は従来のフィードバッ
クアンプの一実施例を示す図である。 図中、（１）はＦＥＴ、 （２）（３）は信号入出力
端子、（４）は帰還用コンデンサ、（５）は抵抗、（６
）はコイル、（７）はバラクタダイオード、（８）はバ
イアスチョーク、（９）はドレイン電流検出抵抗。 （ｉｏ）は電源端子、 （１１）はゲート電流検出抵抗
。 （１２）はコントロール端子、 （１３）は検波ダイオ
ード（１４）はバイアス抵抗を示す。 なお２図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 第１図
Claims (4)
- （１）電界効果トランジスタと、上記トランジスタのゲ
ート及びドレイン端子側に接続された信号入出力端子と
、上記トランジスタのドレイン端子側に接続され、電源
を供給する電源端子と、上記電源端子とトランジスタの
ドレイン端子間に接続されたドレイン電流検出抵抗及び
バイアス用チョークコイルと、上記ドレイン端子とゲー
ト端子間に接続されたバラクタダイオードおよびコイル
レジスタ、コンデンサなどの電子部品と、上記バラクタ
ダイオードにバイアスを印加すべくバラクタダイオード
の２端子間に上記ドレイン電流検出抵抗と共に接続され
たバイアス用チョークコイルとを具備したフィードバッ
クアンプ。 - （２）電界効果トランジスタと、上記トランジスタのゲ
ート及びドレイン端子側に接続された信号入出力端子と
、上記トランジスタのドレイン端子からゲート端子に帰
還を行うバラクタダイオードおよびコイル、レジスタ、
コンデンサなどの電子部品と、上記トランジスタのゲー
ト端子と信号入力端子間に接続されたゲート電流検出抵
抗と、上記ゲート電流検出抵抗の信号入力端子側と上記
バラクタダイオードのカソード間を接続し、バイアスを
行うためのバイアス用チョークコイルとを具備したフィ
ードバックアンプ。 - （３）電界効果トランジスタと、上記トランジスタのゲ
ート及びドレイン端子側に接続された信号入出力端子と
、上記トランジスタのドレイン端子からゲート端子に帰
還を行うバラクタダイオードおよびコイル、レジスタ、
コンデンサなどの電子部品と、上記バラクタダイオード
のアノードに接続され、外部からバイアスを供給するバ
イアス用チョークコイル及びコントロール端子とを具備
したフィードバックアンプ。 - （４）電界効果トランジスタと、上記トランジスタのゲ
ート及びドレイン端子側に接続された信号入出力端子と
、上記トランジスタのドレイン端子からゲート端子に帰
還を行うバラクタダイオードおよびコイル、レジスタ、
コンデンサなどの電子部品と、上記トランジスタのゲー
ト端子側に接地接続されたコンデンサおよび検波ダイオ
ードと、上記検波ダイオードに並列接続され、上記検波
ダイオードをバイアスするバイアス抵抗と、上記バイア
ス抵抗のホット側とバラクタダイオードのカソード間及
びバラクタダイオードのアノードとグランドの間に接続
されたチョークコイルとを具備したフィードバックアン
プ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21750590A JPH04100303A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | フイードバツクアンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21750590A JPH04100303A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | フイードバツクアンプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04100303A true JPH04100303A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16705287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21750590A Pending JPH04100303A (ja) | 1990-08-18 | 1990-08-18 | フイードバツクアンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04100303A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424212B1 (en) | 1999-11-25 | 2002-07-23 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Power amplifiers |
| US7173487B2 (en) | 2000-11-27 | 2007-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power amplification circuit and communication device using the same |
-
1990
- 1990-08-18 JP JP21750590A patent/JPH04100303A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6424212B1 (en) | 1999-11-25 | 2002-07-23 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Power amplifiers |
| US7173487B2 (en) | 2000-11-27 | 2007-02-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Power amplification circuit and communication device using the same |
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