JPH04102341A - Manufacture of tab tape - Google Patents

Manufacture of tab tape

Info

Publication number
JPH04102341A
JPH04102341A JP22178890A JP22178890A JPH04102341A JP H04102341 A JPH04102341 A JP H04102341A JP 22178890 A JP22178890 A JP 22178890A JP 22178890 A JP22178890 A JP 22178890A JP H04102341 A JPH04102341 A JP H04102341A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal
layer
conductor pattern
plating
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP22178890A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhito Yumoto
和仁 湯本
Takeshi Okazawa
岡沢 武
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP22178890A priority Critical patent/JPH04102341A/en
Publication of JPH04102341A publication Critical patent/JPH04102341A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はTABテープの製造方法に関し、更に詳細には
、銅等の導電性良好な金属によって形成される導体パタ
ーンの一部を構成する、インナリード及びアウターリー
ドの各接続面に第1の金属層と第2の金属層とをめっき
によって形成する、TABテープの製造方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing a TAB tape, and more specifically, the present invention relates to a method for manufacturing a TAB tape, and more specifically, a TAB tape forming a part of a conductive pattern formed of a metal with good conductivity such as copper. The present invention relates to a method for manufacturing a TAB tape, in which a first metal layer and a second metal layer are formed on each connection surface of an inner lead and an outer lead by plating.

(従来の技術) 近年、半導体装置においては、パッケージの小型化、薄
肉化、多ビン化、ファインピッチ化等に伴い、TA B
 (Tape Autoa+a[ed Bonding
) −r−7が用いられつつある。
(Prior art) In recent years, semiconductor devices have become smaller, thinner, have more bins, finer pitches, etc. in semiconductor devices.
(Tape Autoa+a[ed Bonding
) -r-7 is being used.

かかるTABテープは、ポリイミド樹脂等の電気絶縁性
樹脂によって形成されるフィルムの片面に銅等の導電性
良好な金属から成る導体パターンが形成されているもの
である。
Such a TAB tape has a conductive pattern made of a highly conductive metal such as copper formed on one side of a film made of electrically insulating resin such as polyimide resin.

この様なTABテープの導体パターンの一部を構成する
インナーリードは半導体チップと接続(ホンディング)
され、アウターリードは基板等に設けた外部回路と接続
される。
The inner leads that form part of the conductor pattern of such TAB tape are connected to the semiconductor chip (honding).
The outer lead is connected to an external circuit provided on a board or the like.

ところで、前記接続部には、接続を良好にすべく、通常
、インナーリード及びアウターリートの両面に錫めっき
力fjfflされている。
By the way, in the connection portion, in order to improve the connection, both surfaces of the inner lead and the outer lead are normally plated with tin to a strength fjffl.

しかし、−a的に、インナーリードよりも後に接続か施
されるアウターリートは、アウターリードの接続までに
受ける熱履歴等に起因する、アウターリートの構成金属
の外生への拡散等によって、良好に接続し難いことがあ
る。
However, in terms of -a, the outer lead, which is connected after the inner lead, is not good due to the diffusion of the constituent metals of the outer lead to the outside due to the heat history received before the connection of the outer lead. It may be difficult to connect to.

このため、インナーリード及びアウターリードの各接続
面に、各接続面における接続に適した種類及び/又は厚
さの金属層かめつきによって形成されたTABテープが
開発されつつある。
For this reason, TAB tapes are being developed in which metal layers are formed on each connection surface of the inner lead and the outer lead by laminating a metal layer of a type and/or thickness suitable for the connection on each connection surface.

(発明が解決しようとする課題) 前記TABテープによれば、インナーリード及びアウタ
ーリードの接続を容易に行うことができ、接続作業性等
を向上することができる。
(Problems to be Solved by the Invention) According to the TAB tape, inner leads and outer leads can be easily connected, and connection workability can be improved.

しかしながら、インナーリード及びアウターリードの接
続面に異なる種類及び/又は厚さの金属層をめっきによ
って形成する工程としては、従来、得られたTABテー
プを片面つつ交互にフォトレジスト等のマスク剤を塗布
して所定の位置にめっきを施すことを必要とした。
However, in the process of forming metal layers of different types and/or thicknesses on the connecting surfaces of inner leads and outer leads by plating, conventionally, a masking agent such as photoresist is applied alternately to one side of the obtained TAB tape. It was necessary to apply plating to predetermined positions.

このため、TABテープの製造工程が繁雑となり、得ら
れるTABテープも高価なものとなる。
For this reason, the TAB tape manufacturing process becomes complicated, and the resulting TAB tape also becomes expensive.

そこで、本発明の目的は、通常のTABテープの製造工
程中において、インナーリード及びアウターリートの各
接続面に第1の金属層と第2の金属層とを別々にめっき
によって容易に形成することかできるTABテープの製
造方法を提案することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to easily form a first metal layer and a second metal layer on each connection surface of an inner lead and an outer lead by plating separately during a normal TAB tape manufacturing process. The purpose of the present invention is to propose a method for manufacturing TAB tape that can be used in various ways.

(課題を解決するための手段) 本発明者等は、前記目的を達成すべく検討した結果、フ
ィルムにティバイスホール等の孔を形成する前後にめっ
きを施すことによって、或いはフォトレジスト等を塗布
して形成されるマスク剤層の厚さを変えてマスク剤層の
除去時間差を利用することによって、リートの両面に第
1の金属層と第2の金属層とを別々のめっきで容易に形
成できることを見い出し、本発明に到達した。
(Means for Solving the Problems) As a result of studies to achieve the above-mentioned object, the inventors of the present invention have found that by plating before and after forming holes such as Tivis holes in the film, or by applying photoresist, etc. The first metal layer and the second metal layer can be easily formed on both sides of the REET by separate plating by changing the thickness of the masking agent layer formed by changing the thickness of the masking agent layer and utilizing the difference in removal time of the masking agent layer. We discovered what we could do and arrived at the present invention.

即ち、本発明は、TABテープにおける銅等の導電性良
好な金属によって形成される導体パターンの一部を構成
する、イ〉・す−リード及びアウタリードの各接続面に
第1の金属層と第2の金属層とをめっきによって形成す
るに際し、該TABテープを構成するポリイミド樹脂等
の電気絶縁性樹脂から成り、片面に銅等の金属から成る
導体層を形成したフィルムの両面にフォトレジスト等を
塗布してマスク剤層を形成しパターニングした後、前記
フィルムの導体層側の片面にめっきによって銅等の導電
性良好な金属から成る導体パターンを得、次いで、前記
導体パターンが形成されているフィルムの片面にめっき
を施して回路パターン上にのみ第1の金属層を形成し、
その後、導体パターンが形成されているフィルム面に対
して裏面側にリート端部が内方に突出するディバイスホ
ールやウィンドホール等の孔をフィルムに形成せしめ、
前記孔内に突出するリード端部において、導体パターン
本体を形成する金属が露出する部分に第2の金属層をめ
っきによって形成することを特徴とするTABテープの
製造方法にある。
That is, the present invention provides a first metal layer and a first metal layer on each connection surface of the second lead and the outer lead, which constitute a part of the conductor pattern formed of a metal with good conductivity such as copper in the TAB tape. When forming the second metal layer by plating, photoresist or the like is applied to both sides of the film, which is made of electrically insulating resin such as polyimide resin and has a conductive layer made of metal such as copper on one side. After coating to form a masking agent layer and patterning, a conductor pattern made of a metal with good conductivity such as copper is obtained by plating on one side of the conductor layer side of the film, and then a film on which the conductor pattern is formed. plating one side of the circuit pattern to form a first metal layer only on the circuit pattern;
After that, a hole such as a device hole or a wind hole is formed in the film on the back side of the film surface on which the conductor pattern is formed, and the reed end protrudes inward.
The method for manufacturing a TAB tape is characterized in that a second metal layer is formed by plating on a portion of the lead end projecting into the hole where the metal forming the conductor pattern body is exposed.

また、本発明は、TABテープにおける銅等の導電性良
好な金属によって形成される導体パターンの一部を構成
する、インナーリード及びアウターリードの各接続面に
第1の金属層と第2の金属層とをめっきによって形成す
るに際し、該TABテープを構成し且つディバイスホー
ルやウィンドホール等の孔が予め穿設されているポリイ
ミド樹脂等の電気絶縁性樹脂から成るフィルムの片面に
、銅箔等の導電性良好な金属薄板を接着剤によって接着
し、前記金属薄板面にフォトレジスト等を塗布してマス
ク剤層を形成しパターニングした後、金属薄板面に塗布
されるマスク剤層の厚さよりも厚いマスク剤層をフィル
ムの金属薄板の接着面に対して裏面側に形成してから、
金属薄板上に所定形状の導体パターンを得、次いて、得
られた導体パターン上に残留するマスク剤層を裏面側の
マスク剤層の一部と共に除去してから、めっきを施して
導体パターン上にのみ第1の金属層を形成せしめ、その
後、裏面側のマスク剤層を除去してからディバイスホー
ル等の孔内に突出するリード端部において、導体パター
ン本体を形成する金属が露出する部分に第2の金属層を
めっきによって形成することを特徴とするTABテープ
の製造方法にある。
Further, the present invention provides a first metal layer and a second metal layer on each connection surface of the inner lead and the outer lead, which constitute a part of the conductor pattern formed of a metal with good conductivity such as copper in the TAB tape. When forming the TAB layer by plating, a layer such as copper foil is placed on one side of the film made of electrically insulating resin such as polyimide resin, which constitutes the TAB tape and has holes such as device holes and wind holes formed in advance. A thin metal plate with good conductivity is bonded with an adhesive, and a photoresist or the like is applied to the surface of the thin metal plate to form a masking agent layer and patterned, and then the masking agent layer is thicker than the thickness of the masking agent layer applied to the surface of the thin metal plate. After forming a masking agent layer on the back side of the film against the adhesive surface of the thin metal plate,
A conductor pattern with a predetermined shape is obtained on a thin metal plate, and then the masking agent layer remaining on the obtained conductor pattern is removed along with a part of the masking agent layer on the back side, and then plating is applied to the conductor pattern. After that, after removing the masking agent layer on the back side, the first metal layer is formed only on the part where the metal forming the conductor pattern body is exposed at the end of the lead that protrudes into the hole such as the device hole. A method of manufacturing a TAB tape is characterized in that the second metal layer is formed by plating.

かかる構成の本発明は、第1の金属層と第2の金属層と
が金属の種類及び/又は厚さを異にする場合に好適に適
用される。
The present invention having such a configuration is suitably applied when the first metal layer and the second metal layer are made of different metal types and/or have different thicknesses.

(作用) 本発明によれば、フィルムにディバイスホール等の孔を
形成する前及び後に、第1の金属層と第2の金属層とを
別々にめっきによって形成することができる。
(Function) According to the present invention, the first metal layer and the second metal layer can be formed separately by plating before and after forming holes such as device holes in the film.

また、銅箔等の金属薄板の上方及び下方に塗布するマス
ク剤層の厚さに差を設け、マスク剤層を除去する際の除
去時間差を利用しマスク剤層の除去途中及び除去後に、
第1の金属層と第2の金属層とを別々にめっきによって
形成することができる。
In addition, by setting a difference in the thickness of the masking agent layer applied above and below a thin metal plate such as copper foil, and utilizing the difference in removal time when removing the masking agent layer, the masking agent layer can be removed during and after removal.
The first metal layer and the second metal layer can be formed separately by plating.

このため、TABテープの製造工程において、アウター
リート及びインナーリードの各接続面に、例えば互いに
種類及び/又は厚さを異にする第1の金属層と第2の金
属層とを容易に形成することができるのである。
Therefore, in the TAB tape manufacturing process, for example, a first metal layer and a second metal layer of different types and/or thicknesses are easily formed on each connection surface of the outer lead and the inner lead. It is possible.

(発明の構成) 本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。(Structure of the invention) The present invention will be explained in more detail using the drawings.

第1図は、導体パターンをめっきによって形成する、い
わゆる二層タイプのTABテープの’A造方法を説明す
る説明図を示す。
FIG. 1 shows an explanatory diagram illustrating a manufacturing method of a so-called two-layer type TAB tape in which a conductor pattern is formed by plating.

第1図において、ポリイミド樹脂等の電気絶縁性樹脂か
ら成るフィルム100片面に、銅等の金属から成る導体
層12を無電解めっき、蒸着、或いはスパッタリング等
によって形成する[第ト図(a)] かかる第1図(a>に示すフィルム10の両面にフォト
レジスト等のマスク剤を塗布して略同−厚さのマスク剤
層14.20を形成し、マスク剤層14.20にパター
ニングを施すし第1[](b)Lここで、第1図(b)
に示すマスク剤層14.20は、パターニングした状態
を示し、斜線部18.22は導体パターン或いはデバイ
スホール等を形成する際に、現像等によって除去される
除去部分であり、白抜き部16.24は前記現像等の際
には、残留する残留部分を示す。
In FIG. 1, a conductive layer 12 made of a metal such as copper is formed on one side of a film 100 made of an electrically insulating resin such as a polyimide resin by electroless plating, vapor deposition, sputtering, etc. [FIG. 1(a)] A masking agent such as a photoresist is applied to both sides of the film 10 shown in FIG. 1 [ ] (b) L where, Fig. 1 (b)
The masking agent layer 14.20 shown in FIG. Reference numeral 24 indicates a residual portion that remains during the development and the like.

この様な第1図(b)に示すフィルム10の導体層12
上に形成されているマスク剤層14の除去部分18のみ
を現像等で除去し、除去後に表れる導体層12上に銅等
の導電性良好な金属から成る導体パターン26をめっき
で形成する[第1図(c)]。
The conductor layer 12 of the film 10 shown in FIG. 1(b) like this
Only the removed portion 18 of the masking agent layer 14 formed above is removed by development or the like, and a conductive pattern 26 made of a highly conductive metal such as copper is formed by plating on the conductive layer 12 that appears after the removal. Figure 1 (c)].

更に、マスク剤層14の残留部分16を剥離液によって
溶解等して除去し、次いで除去後に表れる導体層12を
エツチング等で除去することによって、フィルム10上
の導体パータン26が完成する[第1図(d)]。
Furthermore, the remaining portion 16 of the masking agent layer 14 is removed by dissolving or the like with a stripping solution, and then the conductor layer 12 that appears after the removal is removed by etching or the like, thereby completing the conductor pattern 26 on the film 10 [first Figure (d)].

本発明においては、この様に形成された導体パターン2
6上にのみめっきによって第1の金属層28を形成する
[第1図(e)]。
In the present invention, the conductor pattern 2 formed in this way
A first metal layer 28 is formed by plating only on 6 [FIG. 1(e)].

このめっきとしては、導体パターン26を電極の一方と
する電解めっきを採用することが導体パターン26上の
みに金属層28を容易に形成することができる。
For this plating, it is possible to easily form the metal layer 28 only on the conductor pattern 26 by employing electrolytic plating using the conductor pattern 26 as one of the electrodes.

次いで、フィルム10の導体パターン26が形成されて
いる面(表面)に対して反対側面(裏面)に形成されて
いるマスク剤層20の除去部分22を現像等で除去した
後、前記除去部分のフィルム10部分をエツチングして
ディバイスホールやウインドホル等の孔を形成する[第
11](f)]。
Next, after removing the removed portion 22 of the masking agent layer 20 formed on the opposite side (back surface) of the film 10 to the surface (front surface) on which the conductive pattern 26 is formed, by development or the like, the removed portion 22 is removed. The film 10 portion is etched to form holes such as device holes and window holes [Eleventh] (f)].

この札内には、導体パターン26を構成するリード端部
が突出し、導体パターン26の本体を形成する金属が露
出している露出部分が表れる。
The lead ends forming the conductor pattern 26 protrude from inside this bill, and an exposed portion where the metal forming the main body of the conductor pattern 26 is exposed appears.

本発明においては、前記導体パターン26の露出部分に
第2の金属層30をめっきによって形成する[第1図(
g)コ。
In the present invention, the second metal layer 30 is formed on the exposed portion of the conductive pattern 26 by plating [Fig.
g) Ko.

かかる第2の金属層30は、第1の金属層28を形成す
る金属と異なる種類の金属から成る金属層、第1の金属
層28と同一種類の金属から成り且つ厚さを異にする金
属層、或いは第1の金属層28と金属の種類及び厚さを
共に異にする金属層であってもよい。
The second metal layer 30 may be a metal layer made of a different type of metal from the metal forming the first metal layer 28, or a metal layer made of the same type of metal as the first metal layer 28 and having a different thickness. or a metal layer having a different metal type and thickness from the first metal layer 28.

この際のめっきとしては、導体パターン26の露出部分
にのみ第2の金属層30を形成するため、無電解めっき
が好ましい。
As the plating at this time, electroless plating is preferable because the second metal layer 30 is formed only on the exposed portion of the conductor pattern 26.

この様な第1図に示す二層タイプのTABテブを製造す
る際に、第2図に示す如く、フィルム10上に導体パタ
ーン26をめっきによって形成した後[第2図(I>]
、表面の残留マスク剤層16を除去する前[第2図(■
)]に、めっきで第1の金属層28を形成してもよい[
第2図(II)]。
When manufacturing the two-layer type TAB tab shown in FIG. 1, after forming the conductor pattern 26 on the film 10 by plating as shown in FIG. 2 [FIG. 2 (I>)]
, before removing the residual masking agent layer 16 on the surface [Figure 2 (■
)], the first metal layer 28 may be formed by plating [
Figure 2 (II)].

その後には、第1[2に示す方法と同様に、ディバイス
ホール等を形成しし第2図(IV)L更に第2の金属層
30を導体パターン26の露出部分に形成する[第2図
(V)]。
Thereafter, device holes etc. are formed in the same manner as in the method shown in 1 [2], and a second metal layer 30 is further formed on the exposed portion of the conductor pattern 26 (FIG. 2 (IV)). (V)].

尚、第1図においては、ディバイスホール等の孔を第1
の金属層28を形成した後に形成したが、導体パターン
16を形成した後[第1図(C)]、導体パターン16
上に第1の金属層28を形成してからティバイスホール
等の孔を形成し、次いでフィルム10の両面のレジスト
46.24を除去して第2の金属層30を形成するよう
にしてもよい。
In addition, in Fig. 1, holes such as device holes are
However, after forming the conductive pattern 16 [FIG. 1(C)], the conductive pattern 16
Alternatively, after forming the first metal layer 28 thereon, holes such as Tivis holes are formed, and then the resists 46 and 24 on both sides of the film 10 are removed to form the second metal layer 30. good.

次に、フィルムと導体パターンとが接着剤で接着されて
いる、いわゆる三層タイプのTABテプの製造方法につ
いて、第3図を用いて説明する。
Next, a method for manufacturing a so-called three-layer type TAB tape in which a film and a conductor pattern are bonded together with an adhesive will be explained using FIG.

先ず、予めディバイスホール等の孔が穿設されているポ
リイミド樹脂等の電気絶縁性樹脂から成るフィルム50
に、接着剤54によって銅箔等の導電性良好な金属薄板
52′を接着し[第3V(イ)]、更にこの金属薄板5
2′上に形成されるフォトレジスト等のマスク剤層5G
にパターニングを施す[第3図(ロ)]。
First, a film 50 made of an electrically insulating resin such as a polyimide resin, in which holes such as device holes are formed in advance.
Then, a thin metal plate 52' such as copper foil with good conductivity is bonded with an adhesive 54 [3rd V (a)], and this thin metal plate 5
Mask agent layer 5G such as photoresist formed on 2′
Patterning is applied to [Figure 3 (b)].

尚、マスク剤層56の斜線部58は、金属薄板52′を
エツチングして導体パターン52を形成する際には、前
記エソチンク前に予め除去される除去部分であり、白抜
き部60は、前記エツチング等の際には、金属薄板52
′上に残留する残留部分である。
Note that the hatched portion 58 of the masking agent layer 56 is a removed portion that is removed before etching the thin metal plate 52' to form the conductor pattern 52, and the white portion 60 is the removed portion that is removed before etching the thin metal plate 52' to form the conductive pattern 52. When etching etc., the thin metal plate 52
′ is the residual portion remaining on top.

その後、金属薄板52′をエツチングして導体パターン
52を形成するし第3図(ニ)〕前に、予め金属薄板5
2′と反対側のフィルム面(裏面)に、金属薄板52′
上(フィルム50の表面側)に形成されているマスク剤
層56よりも厚いマスク剤層62を形成する[第3図(
ハ)]。
Thereafter, the thin metal plate 52' is etched to form the conductive pattern 52.
A thin metal plate 52' is placed on the film surface (back side) opposite to 2'.
A masking agent layer 62 is formed which is thicker than the masking agent layer 56 formed on the upper side (on the surface side of the film 50) [FIG.
c)].

このマスク剤層62の厚さを約20〜30μ、とするこ
とによって、金属薄板52′をエツチングして導体パタ
ーン52を形成する際の衷止め層ともなる。
By setting the thickness of the masking agent layer 62 to about 20 to 30 microns, it also serves as a blocking layer when the conductor pattern 52 is formed by etching the thin metal plate 52'.

尚、金属薄板52′上のマスク剤層56の厚さは、通常
、約2〜3μmである。
Note that the thickness of the masking agent layer 56 on the thin metal plate 52' is usually about 2 to 3 μm.

このため、導体パターン52を形成した後、導体パター
ン52上に残留しているマスク剤層56の残留部分60
を除去しても、厚いマスク剤層62の一部が除去される
に過ぎず、導体パターン52を構成するディバイスホー
ル等の孔内に突出するリード端部の一面はマスク剤層6
2によって依然とマスクされている[第3図(ホ)]。
Therefore, after forming the conductive pattern 52, the remaining portion 60 of the masking agent layer 56 remaining on the conductive pattern 52
Even if the masking agent layer 62 is removed, only a part of the thick masking agent layer 62 is removed.
2 [Figure 3 (e)].

この様な状態の導体パターン52上にめっきによって第
1の金属層64を形成し[第3図(へ)]、更にマスク
剤層62を完全に除去して予めフィルム′50に形成さ
れていたディバイスホール等の孔内にリード端部を突出
させる[第3図(ト)]。
A first metal layer 64 is formed by plating on the conductor pattern 52 in such a state [FIG. 3(f)], and the masking agent layer 62 is completely removed to form a film '50 in advance. The lead ends are made to protrude into holes such as device holes [Figure 3 (G)].

本発明においては、ディバイスホール等の孔内に突出す
るリード端部において、導体パターン52本体を形成す
る金属が露出する露出部分に、第2の金属層66をめっ
きによって形成する[第3図(チ)]。
In the present invention, the second metal layer 66 is formed by plating on the exposed portion where the metal forming the main body of the conductor pattern 52 is exposed at the end of the lead protruding into the hole such as the device hole (see FIG. 3). blood)].

このめっきは、導体パターン52の露出部分のみに第2
の金属層6Gを形成するため、無電解めっきが好誌しい
This plating is applied only to the exposed portion of the conductor pattern 52.
In order to form the metal layer 6G, electroless plating is preferable.

尚、第2の金属層66は、第1の金属層64を形成する
金属と異なる種類の金属から成る金属層、第1の金属層
64と同一種類の金属から成り且つ厚さを異にする金属
層、或いは第1の金属層64と金属の種類及び厚さを共
に異にする金属層であってもよい。
The second metal layer 66 may be a metal layer made of a different type of metal from the metal forming the first metal layer 64, or may be made of the same type of metal as the first metal layer 64 and have a different thickness. It may be a metal layer or a metal layer having a different metal type and thickness from the first metal layer 64.

以上、述べてきた第1〜3図に示す製造方法において、
第1の金属層を形成する金属としては、めっきによって
導体パターン上に付着することができれば、任意の金属
を用いることかてきる。
In the manufacturing method shown in FIGS. 1 to 3 described above,
As the metal forming the first metal layer, any metal can be used as long as it can be attached onto the conductor pattern by plating.

また、第2の金属層を形成する金属としても、導体パタ
ーン本体を形成する金属か露出する部分にのみめっきに
よって付着することかできる金属であれは、任意に用い
ることができる。
Further, as the metal forming the second metal layer, any metal can be used as long as it can be attached by plating only to the exposed portion of the metal forming the conductor pattern body.

但し、第1の金属層及び第2の金属層を形成する金属の
種類及び/又は金属層の厚さは、いずれがアウターリー
トのボンディング面又はインナリートのホンディング面
となるかで決定される。
However, the type of metal and/or the thickness of the metal layer forming the first metal layer and the second metal layer is determined depending on whether the bonding surface of the outer layer or the bonding surface of the inner layer will be used.

つまり、アウターリードのボンティング面となる面には
、はんだ等の合金、或いはニッケル(Ni)、金(Au
)等の金属か好ましく用いられる。
In other words, the bonding surface of the outer lead is coated with alloys such as solder, nickel (Ni), gold (Au), etc.
) etc. are preferably used.

一方、インナーリードのホンティン面となる面には、錫
(Sn)等の金属が好ましく用いられる。
On the other hand, metal such as tin (Sn) is preferably used for the surface of the inner lead that becomes the real surface.

これら金属から成る第1又は第2の金属層は、単一金属
から成る一層でもよく、互いに異なる種類の金属から成
る二層以上であってもよい。
The first or second metal layer made of these metals may be a single layer made of a single metal, or may be two or more layers made of different types of metals.

尚、通常、アウターリードのホンディング面に形成され
る金属層の厚さは約15〜3μm程度であり、インナー
リードのボンディング面に形成される金属層の厚さは約
05〜1μm程度である。
Note that the thickness of the metal layer formed on the bonding surface of the outer lead is usually about 15 to 3 μm, and the thickness of the metal layer formed on the bonding surface of the inner lead is about 0.5 to 1 μm. .

(実施例) 実施例1 先ず、ポリイミド樹脂フィルム10の片面に無電解めっ
きによって導体層12を形成してから両面にフォトレジ
ストを塗布してマスク剤層14.20を形成し、パター
ニングした[第1図(a)(b)]。
(Example) Example 1 First, a conductor layer 12 was formed on one side of a polyimide resin film 10 by electroless plating, and then photoresist was applied to both sides to form a masking agent layer 14 and 20, and patterned. 1 (a) (b)].

更に、導体層12上のマスク剤層14の除去部18を現
像等によって除去して形成されるパターンに銅アディテ
ィフめっきを施した後、マスク剤層14の残留部16を
剥M液で溶解して除去すると共に、残留部16か位置す
る導体層12もエツチングによって除去しフィルム10
上に導体パターン26を形成した[第1図(c)(d)
3゜ この様に形成された導体パターン2G上に、導体パター
ン26を電極とする電解めっきによって、第1の金属層
28としての厚さ約3μmのはんだめっき層を形成した
し第1IZ(e)]。
Further, after removing the removed portion 18 of the masking agent layer 14 on the conductor layer 12 by development or the like and applying copper additive plating to the pattern formed, the remaining portion 16 of the masking agent layer 14 is dissolved with a stripping solution. At the same time, the conductor layer 12 where the remaining portion 16 is located is also removed by etching, and the film 10 is removed.
A conductive pattern 26 was formed thereon [Fig. 1(c)(d)
3. On the conductor pattern 2G formed in this way, a solder plating layer with a thickness of about 3 μm as the first metal layer 28 was formed by electrolytic plating using the conductor pattern 26 as an electrode, and the first IZ(e) ].

次いで、導体パターン26か形成されているフィルム)
0面の反対側(裏面側〉に塗布されているマスク剤層2
0の除去部22を除去してフィルム10にディバイスホ
ール等の孔を形成し、リート端部を前記孔内に突出せし
める[第1図(f)]。
Next, the film on which the conductor pattern 26 is formed)
Mask agent layer 2 applied on the opposite side (back side) of surface 0
A hole such as a device hole is formed in the film 10 by removing the removed portion 22 of the film 10, and the end of the reed is made to protrude into the hole [FIG. 1(f)].

その後、かかるリート端部において、導体パターン26
本体を形成する銅が露出する露出部分に、無電解めっき
によって厚さ約05μmの錫めっき層30を形成する[
第1図(g>] 。
Thereafter, at the end of the reed, the conductor pattern 26
A tin plating layer 30 with a thickness of about 05 μm is formed by electroless plating on the exposed portion where the copper forming the main body is exposed [
Figure 1 (g>].

この様にして得られたTABテープにおいて、はんだめ
っき層が形成されている第1の金属層28をアウターリ
ードのホンティング面とし、錫めっき層が形成されてい
る第2の金属層30をインチリードのボンディング面と
した。
In the TAB tape obtained in this manner, the first metal layer 28 on which the solder plating layer is formed is used as the font surface of the outer lead, and the second metal layer 30 on which the tin plating layer is formed is placed on the inch-plated surface. It was used as the bonding surface of the lead.

かかるTABテープと半導体チップ及びリードフレーム
との接続は良好であり、接続作業には何等の問題も発生
しなかった。
The connection between the TAB tape, the semiconductor chip, and the lead frame was good, and no problems occurred during the connection work.

実施例2 実施例1において、TABテープのアウターリードのボ
ンディング面とする第1の金属層28を、導体パターン
26を電極とする電解めっきによって、導体パターン2
らの上面に厚さ約05μmのニッケルめっき層を形成し
、更に厚さ約10μmの金めつき層を形成した他は、実
施例1と同様に行った。
Example 2 In Example 1, the first metal layer 28 serving as the bonding surface of the outer lead of the TAB tape is electrolytically plated using the conductor pattern 26 as an electrode.
The same procedure as in Example 1 was carried out, except that a nickel plating layer with a thickness of about 05 μm was formed on the upper surface of each plate, and a gold plating layer with a thickness of about 10 μm was further formed.

得られたTABテープの接続作業性は、実施例1と同様
に良好であった。
The connection workability of the obtained TAB tape was as good as in Example 1.

(発明の効果) 本発明によれば、TABテープの製造工程中において、
アウターリード及びインナーリードのボンディング面に
、例えば種類及び/又は厚さの異なる種類の金属から成
る金属層をめっきによって容易に形成できるため、TA
Bテープを製造した後にめっきを施す場合と比較して、
TABテープの製造工程を著しく簡略化することが可能
である。
(Effects of the Invention) According to the present invention, during the TAB tape manufacturing process,
Since a metal layer made of metals of different types and/or thicknesses can be easily formed on the bonding surfaces of the outer lead and inner lead by plating, TA
Compared to the case where plating is applied after manufacturing the B tape,
It is possible to significantly simplify the manufacturing process of TAB tapes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を説明する説明図、第2〜3
図は他の実施例を説明する説明図を各々示す。 図において 10.50−・・フィルム、 14.20.56・  マスク剤層、 26 ・・導体パターン、 28.64 ・・第1の金属層、 30.66 ・ 第2の金属層。
Fig. 1 is an explanatory diagram explaining one embodiment of the present invention, Fig. 2-3
The figures each show explanatory diagrams for explaining other embodiments. In the figure, 10.50--Film, 14.20.56-Mask agent layer, 26--Conductor pattern, 28.64--First metal layer, 30.66--Second metal layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、TABテープにおける銅等の導電性良好な金属によ
って形成される導体パターンの一部を構成する、インナ
ーリード及びアウターリードの各接続面に第1の金属層
と第2の金属層とをめっきによって形成するに際し、 該TABテープを構成するポリイミド樹脂 等の電気絶縁性樹脂から成り、片面に銅等の金属から成
る導体層を形成したフィルムの両面にフォトレジスト等
を塗布してマスク剤層を形成しパターニングした後、前
記フィルムの導体層側の片面にめっきによって銅等の導
電性良好な金属から成る導体パターンを得、次いで、前
記導体パターンが形成されてい るフィルムの片面にめっきを施して回路パターン上にの
み第1の金属層を形成し、 その後、導体パターンが形成されているフ ィルム面に対して裏面側にリード端部が内方に突出する
ディバイスホールやウインドホール等の孔をフィルムに
形成せしめ、 前記孔内に突出するリード端部において、 導体パターン本体を形成する金属が露出する部分に第2
の金属層をめっきによって形成することを特徴とするT
ABテープの製造方法。 2、TABテープにおける銅等の導電性良好な金属によ
って形成される導体パターンの一部を構成する、インナ
ーリード及びアウターリードの各接続面に第1の金属層
と第2の金属層とをめっきによって形成するに際し、 該TABテープを構成し且つディバイスホ ールやウインドホール等の孔が予め穿設されているポリ
イミド樹脂等の電気絶縁性樹脂から成るフィルムの片面
に、銅箔等の導電性良好な金属薄板を接着剤によって接
着し、 前記金属薄板面にフォトレジスト等を塗布 してマスク剤層を形成しパターニングした後、金属薄板
面に塗布されるマスク剤層の厚さよりも厚いマスク剤層
をフィルムの金属薄板の接着面に対して裏面側に所定形
状の導体パターンを得、 次いで、得られた導体パターン上に残留す るマスク剤層を裏面側のマスク剤層の一部と共に除去し
てから、めっきを施して導体パターン上にのみ第1の金
属層を形成せしめ、 その後、裏面側のマスク剤層を除去してか らディバイスホール等の孔内に突出するリード端部にお
いて、導体パターン本体を形成する金属が露出する部分
に第2の金属層をめっきによって形成することを特徴と
するTABテープの製造方法。 3、第1の金属層と第2の金属層とが金属の種類及び/
又は厚さを異にする請求項第1項又は第2項記載のTA
Bテープの製造方法。
[Claims] 1. A first metal layer and a second metal layer are formed on each connection surface of the inner lead and the outer lead, which constitute a part of the conductor pattern formed of a metal with good conductivity such as copper in the TAB tape. When forming the TAB tape by plating, photoresist or the like is applied to both sides of the film, which is made of electrically insulating resin such as polyimide resin and has a conductive layer made of metal such as copper on one side. After forming and patterning a masking agent layer, a conductor pattern made of a metal with good conductivity such as copper is obtained by plating on one side of the conductor layer side of the film, and then the film on which the conductor pattern is formed is plated. Plating is applied to one side to form the first metal layer only on the circuit pattern, and then a device hole or window is formed on the back side of the film where the conductor pattern is formed so that the lead end protrudes inward. A hole such as a hole is formed in the film, and at the end of the lead protruding into the hole, a second conductor pattern is formed in the part where the metal forming the conductor pattern body is exposed.
T characterized in that the metal layer is formed by plating.
AB tape manufacturing method. 2. Plating a first metal layer and a second metal layer on each connection surface of the inner lead and outer lead, which constitute a part of the conductor pattern formed of a metal with good conductivity such as copper in the TAB tape. When forming the TAB tape, one side of the film made of electrically insulating resin such as polyimide resin, which constitutes the TAB tape and has holes such as device holes and window holes formed in advance, is coated with a conductive material such as copper foil. A thin metal plate is bonded with an adhesive, and a photoresist or the like is applied to the surface of the thin metal plate to form a masking agent layer and patterned, and then a masking agent layer that is thicker than the thickness of the masking agent layer applied to the surface of the thin metal plate is formed. A conductor pattern of a predetermined shape is obtained on the back side of the film on the adhesive side of the thin metal plate, and then the masking agent layer remaining on the obtained conductor pattern is removed together with a part of the masking agent layer on the back side. , plating is applied to form the first metal layer only on the conductor pattern, and then, after removing the masking agent layer on the back side, the conductor pattern body is attached to the lead end protruding into the hole such as the device hole. A method for manufacturing a TAB tape, which comprises forming a second metal layer by plating on a portion where the metal to be formed is exposed. 3. The first metal layer and the second metal layer are different in type of metal and/or
or the TA according to claim 1 or 2 having different thicknesses.
B-tape manufacturing method.
JP22178890A 1990-08-22 1990-08-22 Manufacture of tab tape Pending JPH04102341A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22178890A JPH04102341A (en) 1990-08-22 1990-08-22 Manufacture of tab tape

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22178890A JPH04102341A (en) 1990-08-22 1990-08-22 Manufacture of tab tape

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04102341A true JPH04102341A (en) 1992-04-03

Family

ID=16772214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22178890A Pending JPH04102341A (en) 1990-08-22 1990-08-22 Manufacture of tab tape

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04102341A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994011902A1 (en) * 1992-11-17 1994-05-26 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and semiconductor device using same
US5859471A (en) * 1992-11-17 1999-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads
US10147625B2 (en) 2015-02-27 2018-12-04 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1994011902A1 (en) * 1992-11-17 1994-05-26 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Lead frame and semiconductor device using same
US5859471A (en) * 1992-11-17 1999-01-12 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads
US10147625B2 (en) 2015-02-27 2018-12-04 The Japan Steel Works, Ltd. Gas floated workpiece supporting apparatus and noncontact workpiece support method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2797542B2 (en) Lead frame manufacturing method
KR100800251B1 (en) Electronic device substrate and its manufacturing method, and electronic device and its manufacturing method
US4964947A (en) Method of manufacturing double-sided wiring substrate
JP3003624B2 (en) Semiconductor device
US7520053B2 (en) Method for manufacturing a bump-attached wiring circuit board
US20020086514A1 (en) Fabrication method of wiring substrate for mounting semiconductor element and semiconductor device
JP2007134364A (en) MULTILAYER WIRING BOARD MANUFACTURING METHOD, MULTILAYER WIRING BOARD AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
JPH0536756A (en) Tape carrier for semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006310491A (en) Wiring circuit board and method for manufacturing wiring circuit board
CN100481403C (en) Electronic device substrate and fabrication method thereof, and electronic device fabricating method
JPH04102341A (en) Manufacture of tab tape
JP4549807B2 (en) Multilayer printed wiring board manufacturing method, multilayer printed wiring board, and electronic device
JP2002111185A (en) Wiring circuit board with bump and method of manufacturing the same
JP3661343B2 (en) Semiconductor device substrate and method of manufacturing the same
JPS5929146B2 (en) Method for manufacturing substrates for semiconductor devices
JPH0320053A (en) Chip carrier
JP2727870B2 (en) Film carrier tape and method of manufacturing the same
JPS6372193A (en) Circuit board
JPH06252310A (en) Lead frame and manufacturing method thereof
JPH03225894A (en) Manufacture of printed wiring board
JP2601079B2 (en) Composite lead frame
JPH05327184A (en) Manufacture of board on which electronic components are mounted
JPS63187687A (en) Manufacture of printed wiring board
JP2000101216A (en) Manufacture of film substrate
JPH0736411B2 (en) Manufacturing method of tape carrier with bumps