JPH04103187A - 半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ及びその製造方法Info
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- JPH04103187A JPH04103187A JP22369290A JP22369290A JPH04103187A JP H04103187 A JPH04103187 A JP H04103187A JP 22369290 A JP22369290 A JP 22369290A JP 22369290 A JP22369290 A JP 22369290A JP H04103187 A JPH04103187 A JP H04103187A
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- quantum well
- semiconductor laser
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- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
- H01S5/162—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface with window regions made by diffusion or disordening of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/3413—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers comprising partially disordered wells or barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野〕
この発明は半導体レーザ及びその製造方法に関し、特に
高出力動作が可能な半導体レーザ及びその製造方法に関
するものである。
高出力動作が可能な半導体レーザ及びその製造方法に関
するものである。
第２図は従来の半導体レーザを示す図であり、レーザの
端面と内部とがそれぞれわかるように一部を切り取って
示している。第３図は従来の半導体レーザの共振器内部
を示す断面図であり、第４図は従来の半導体レーザの端
面を示す図である。
端面と内部とがそれぞれわかるように一部を切り取って
示している。第３図は従来の半導体レーザの共振器内部
を示す断面図であり、第４図は従来の半導体レーザの端
面を示す図である。
図において、１はｐ−ＧａＡｓ基板、２はｐ−Ａｌｏ、
ｚ Ｇａｏ、ｒ Ａｓ上クラッド層、３はｐ−Ａ１、、
、ｓＧａ、、フｓＡｓ光ガイド層である。４は多重量子
井戸活性層であり、図示しない層厚８０人のＧａＡｓ井
戸層を５層と層厚１２０人のＡｊ！ｏ、ｔＧａ、、、Ａ
ｓ１ｌｉ壁層を６層を交互に積層した構造を有する。５
はｎ Ａｌｏ、ｔｓＧａｏ、ｒｓＡＳ光ガイド層、６
はｎ−Ａｌｏ、３Ｃａｅ、Ａｓ上クラッド層、７はｎ−
ＧａＡｓコンタクト層、８は亜鉛（Ｚｎ）拡散部、９は
Ｓ ｉ Ｏ＊膜、１０はｎ側電極、１１はｐ側電極、１
２は発光部である。
ｚ Ｇａｏ、ｒ Ａｓ上クラッド層、３はｐ−Ａ１、、
、ｓＧａ、、フｓＡｓ光ガイド層である。４は多重量子
井戸活性層であり、図示しない層厚８０人のＧａＡｓ井
戸層を５層と層厚１２０人のＡｊ！ｏ、ｔＧａ、、、Ａ
ｓ１ｌｉ壁層を６層を交互に積層した構造を有する。５
はｎ Ａｌｏ、ｔｓＧａｏ、ｒｓＡＳ光ガイド層、６
はｎ−Ａｌｏ、３Ｃａｅ、Ａｓ上クラッド層、７はｎ−
ＧａＡｓコンタクト層、８は亜鉛（Ｚｎ）拡散部、９は
Ｓ ｉ Ｏ＊膜、１０はｎ側電極、１１はｐ側電極、１
２は発光部である。
次に動作について説明する。
電極１０．１１間に電圧をかけると、電流はｎＣａＡｓ
コンタクト層７を通って流れる０本レーザはｐ型下クラ
ッド層２．多重量子井戸活性層４、ｎ型上クラッド層６
からなる、いわゆるダブルへテロ構造（ＤＨ構造）にｐ
型光ガイド層３とｎ型光ガイドＮ５を付は加えた構造で
あり、注入された電流によって上記多重量子井戸活性層
４で発光が生じレーザ発振にいたる。
コンタクト層７を通って流れる０本レーザはｐ型下クラ
ッド層２．多重量子井戸活性層４、ｎ型上クラッド層６
からなる、いわゆるダブルへテロ構造（ＤＨ構造）にｐ
型光ガイド層３とｎ型光ガイドＮ５を付は加えた構造で
あり、注入された電流によって上記多重量子井戸活性層
４で発光が生じレーザ発振にいたる。
また、この半導体レーザは、Ｚｎの拡散によって生じる
多重量子井戸の無秩序化現象を利用して、横モードの制
御と端面破壊レベルの向上を行っている。
多重量子井戸の無秩序化現象を利用して、横モードの制
御と端面破壊レベルの向上を行っている。
まず、横モードの制御について述べる。
上記多重量子井戸活性層４が無秩序化されると無秩序化
される前の多重量子井戸活性層４よりも屈折率が小さく
なる。従って、第３図に示すように、発光部１２０両側
をＺｎ拡散を用いて無秩序化した上記多重量子井戸活性
層４ではさみこむと、光は無秩序化されていない上記発
光部１２に閉じ込められる。無秩序化されていない部分
の幅を３μｍ以下程度にすることにより基本横モードで
発振させることができる。
される前の多重量子井戸活性層４よりも屈折率が小さく
なる。従って、第３図に示すように、発光部１２０両側
をＺｎ拡散を用いて無秩序化した上記多重量子井戸活性
層４ではさみこむと、光は無秩序化されていない上記発
光部１２に閉じ込められる。無秩序化されていない部分
の幅を３μｍ以下程度にすることにより基本横モードで
発振させることができる。
次に、端面破壊レベルの向上について述べる。
半導体レーザを高出力動作させると、レーザ出射端面が
破壊されるという問題が生じる。この理由は次の通りで
ある。ＡｆＧａＡｓ系レーザの端面は表面準位が多く、
これを介した非発光再結合が多い。端面近傍の多重量子
井戸活性層４に注入されたキャリアはこの非発光再結合
により失われるから、端面近傍の上記多重量子井戸活性
層４の注入キャリア密度は、チップ内部に比べて少ない
。
破壊されるという問題が生じる。この理由は次の通りで
ある。ＡｆＧａＡｓ系レーザの端面は表面準位が多く、
これを介した非発光再結合が多い。端面近傍の多重量子
井戸活性層４に注入されたキャリアはこの非発光再結合
により失われるから、端面近傍の上記多重量子井戸活性
層４の注入キャリア密度は、チップ内部に比べて少ない
。
その結果、内部の高いキャリア密度によって作られる最
大利得波長（レーザの波長）に対して端面近傍の上記多
重量子井戸活性層４は吸収領域になる。光出力密度が高
くなると吸収領域での局所的発熱が大きくなり、温度が
上がってバンドギャップが縮小する。その結果、更に吸
収係数が大きくなって温度が上昇するという正帰還がか
かり、端面の結晶が熔融して端面破壊が生じる。第２図
に示した半導体レーザでは、この現象を防ぐために端面
付近の上記多重量子井戸活性層４をＺｎ拡散によって無
秩序化させている。無秩序化させると上記多重量子井戸
活性層４のバンドギャップが大きくなるので、内部で生
じたレーザ光を吸収しなくなる。すなわち、窓構造が形
成される。そして端面破壊が生じに（（なる。
大利得波長（レーザの波長）に対して端面近傍の上記多
重量子井戸活性層４は吸収領域になる。光出力密度が高
くなると吸収領域での局所的発熱が大きくなり、温度が
上がってバンドギャップが縮小する。その結果、更に吸
収係数が大きくなって温度が上昇するという正帰還がか
かり、端面の結晶が熔融して端面破壊が生じる。第２図
に示した半導体レーザでは、この現象を防ぐために端面
付近の上記多重量子井戸活性層４をＺｎ拡散によって無
秩序化させている。無秩序化させると上記多重量子井戸
活性層４のバンドギャップが大きくなるので、内部で生
じたレーザ光を吸収しなくなる。すなわち、窓構造が形
成される。そして端面破壊が生じに（（なる。
また、共振器長は３００〜４００μｍであり、窓部の長
さ（共振器方向）は通常１５〜２０μｍである。これは
レーザ端面をへき開で形成する際のへき開位置精度から
決まる。ところで、上記多重量子井戸層４をＺｎの拡散
により無秩序化させるには、１〜５ Ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ
−”程度のＺｎ濃度が必要である。Ｚｎの濃度が高くな
ると、フリーキャリア吸収によって光の損失が増える。
さ（共振器方向）は通常１５〜２０μｍである。これは
レーザ端面をへき開で形成する際のへき開位置精度から
決まる。ところで、上記多重量子井戸層４をＺｎの拡散
により無秩序化させるには、１〜５ Ｘ ｌ Ｏ”ｃｍ
−”程度のＺｎ濃度が必要である。Ｚｎの濃度が高くな
ると、フリーキャリア吸収によって光の損失が増える。
共振器内部の拡散していない領域では、損失αはｌ０Ｃ
ＩＩ−’〜２０ｃｍ−’程度であるのに対し、拡散を行
った窓部では損失αは２２５ ｃｒａ−’〜４５０ Ｃ
１１−’と大きくなる。レーザ発振を生じさせるために
は、電流を注入することによって得た利得を、損失より
も太きくしなければならないため、損失が増えればしき
い値電流が上昇することとなる。
ＩＩ−’〜２０ｃｍ−’程度であるのに対し、拡散を行
った窓部では損失αは２２５ ｃｒａ−’〜４５０ Ｃ
１１−’と大きくなる。レーザ発振を生じさせるために
は、電流を注入することによって得た利得を、損失より
も太きくしなければならないため、損失が増えればしき
い値電流が上昇することとなる。
〔発明が解決しようとする課題］
従来の半導体レーザは以上のように構成されているので
、共振器端面付近での損失が大きく、しきい値電流が高
い、効率が悪いという問題点があった。
、共振器端面付近での損失が大きく、しきい値電流が高
い、効率が悪いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、低しきい値でかつ効率のよい高出力動作の可
能な半導体レーザ及びその製造方法を得ることを目的と
する。
たもので、低しきい値でかつ効率のよい高出力動作の可
能な半導体レーザ及びその製造方法を得ることを目的と
する。
この発明に係る半導体レーザ及びその製造方法は、５ｉ
ｏｚｌｌｌを共振器端面近傍のみにてウェハ表面に形成
し、熱アニールを行い上記Ｓｉ０ｇ膜下の多重量子井戸
活性層を無秩序化したものである。
ｏｚｌｌｌを共振器端面近傍のみにてウェハ表面に形成
し、熱アニールを行い上記Ｓｉ０ｇ膜下の多重量子井戸
活性層を無秩序化したものである。
この発明においては、３４０ｗ膜を共振器端面近傍のみ
にてウェハ表面に形成し、熱アニールを行い上記ＳｉＯ
２膜下の多重量子井戸活性層を無秩序化して窓構造を形
成するようにしたから、フリーキャリア吸収による損失
を低減でき、これにより、しきい値上界や効率劣化を防
止できる。
にてウェハ表面に形成し、熱アニールを行い上記ＳｉＯ
２膜下の多重量子井戸活性層を無秩序化して窓構造を形
成するようにしたから、フリーキャリア吸収による損失
を低減でき、これにより、しきい値上界や効率劣化を防
止できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による半導体レーザ及びそ
の製造方法を示し、説明を簡単にするために、横モード
を制御していない構造例を示している。図において、第
２図、第３図と同一符号は同−又は相当部分を示し、ま
た６ａは共振器端面付近のｎ Ａｊ！ｏ、ｓ Ｇａｏ
、ｑ Ａｓ上クラッド層、６ｂは共振器内部のｎ Ａ
／！ｏ、ｓ Ｇａｏ、７Ａｓ上クラツド層、１３はＧａ
空孔拡散部である。
の製造方法を示し、説明を簡単にするために、横モード
を制御していない構造例を示している。図において、第
２図、第３図と同一符号は同−又は相当部分を示し、ま
た６ａは共振器端面付近のｎ Ａｊ！ｏ、ｓ Ｇａｏ
、ｑ Ａｓ上クラッド層、６ｂは共振器内部のｎ Ａ
／！ｏ、ｓ Ｇａｏ、７Ａｓ上クラツド層、１３はＧａ
空孔拡散部である。
次に製造工程について説明する。
ｐ−ＧａＡｓ基板１上へＰ Ａｊ！ｏ、ｓ Ｇａｏ、
ｗＡｓ下クラりド層２．多重量子井戸活性層４． ｎ
Ａｊ！６．３０ａｏ、ｔ Ａｓ上クりンドＪｉｉ６ａ、
６ｂ。
ｗＡｓ下クラりド層２．多重量子井戸活性層４． ｎ
Ａｊ！６．３０ａｏ、ｔ Ａｓ上クりンドＪｉｉ６ａ、
６ｂ。
ｎ−ＣｙａＡｓコンタクト層７を連続して成長させる。
次に共振器端面付近を上クラッド層６ａの厚みが０．５
μｍ程度になるように表面からエツチングして、コンタ
クト層７と上クラッド層６ｂの一部を除去する。次いで
、共振器端面付近のエツチングしたウェハ表面上にＳ
ｉ Ｏｚ膜９を形成する。Ｓｉｏ２にはＧａを吸い取る
性質があり、上記Ｓｉｎ、膜９直下のＣａＡｓ ６ ａ
中に１０１７Ｃｒｌ’程度のＧａ空孔が生じる。次いで
、９５０°Ｃ１５秒間程度のアニールによりＧａ空孔の
拡散を行う。該アニールでは上記Ｓｉ０ｇ膜９と／ｌＧ
ａＡｓ結晶間で生じる熱膨張係数の違いによるストレス
が上記Ｇａ空孔の拡散を加速し、上記Ｇａ空孔がウェハ
中に９５０℃１５秒で約０．５μｍ拡散し、Ｇａ空孔拡
散部１３を形成する。最後に、電極１０．１１を形成し
てウェハプロセスが終了する。
μｍ程度になるように表面からエツチングして、コンタ
クト層７と上クラッド層６ｂの一部を除去する。次いで
、共振器端面付近のエツチングしたウェハ表面上にＳ
ｉ Ｏｚ膜９を形成する。Ｓｉｏ２にはＧａを吸い取る
性質があり、上記Ｓｉｎ、膜９直下のＣａＡｓ ６ ａ
中に１０１７Ｃｒｌ’程度のＧａ空孔が生じる。次いで
、９５０°Ｃ１５秒間程度のアニールによりＧａ空孔の
拡散を行う。該アニールでは上記Ｓｉ０ｇ膜９と／ｌＧ
ａＡｓ結晶間で生じる熱膨張係数の違いによるストレス
が上記Ｇａ空孔の拡散を加速し、上記Ｇａ空孔がウェハ
中に９５０℃１５秒で約０．５μｍ拡散し、Ｇａ空孔拡
散部１３を形成する。最後に、電極１０．１１を形成し
てウェハプロセスが終了する。
なお、共振器端面付近のみエツチングにより上記コンタ
クト層７及び上記上クラッド層６ｂの一部を除去する理
由は、Ｓ ｉ Ｏｇ膜９から活性層４までの距離を小さ
くするためである。アニールによる拡散時間を長くする
とＧａ空孔は深くまで拡散するが、共振器内部活性層４
付近のドーピングプロファイルも変化して、リモートジ
ャンクションが生じて特性を劣化させる恐れがあるので
、５ｉｎ２膜９と多重量子井戸活性層４の距離を０゜５
μｍ程度に薄くしている。
クト層７及び上記上クラッド層６ｂの一部を除去する理
由は、Ｓ ｉ Ｏｇ膜９から活性層４までの距離を小さ
くするためである。アニールによる拡散時間を長くする
とＧａ空孔は深くまで拡散するが、共振器内部活性層４
付近のドーピングプロファイルも変化して、リモートジ
ャンクションが生じて特性を劣化させる恐れがあるので
、５ｉｎ２膜９と多重量子井戸活性層４の距離を０゜５
μｍ程度に薄くしている。
次に動作について説明する。上記Ｇａ空孔が多重量子井
戸活性層４内に拡散することにより無秩序化が生じ、該
無秩序化したＧａ空孔拡散部１３のバンドギャップは無
秩序化されていない活性層４のバンドギャップよりも大
きくなる。また、共振器端面付近にのみ上記ＳｉＯ□膜
９を形成したので、共振器端面付近の上記Ｇａ空孔が拡
散した多重量子井戸活性層４のバンドギャップが上記Ｇ
ａ空孔がない多重量子井戸活性層４のバンドギャップよ
りも大きくなり窓構造が形成される。本実施例では、Ｇ
ａ空孔によって無秩序化が生じるので、不純物濃度は拡
散前後で変化せず、Ｚｎ拡散時のような上記不純物濃度
の増大によって引き起こされるフリーキャリア吸収によ
る損失の増大はなくなる。
戸活性層４内に拡散することにより無秩序化が生じ、該
無秩序化したＧａ空孔拡散部１３のバンドギャップは無
秩序化されていない活性層４のバンドギャップよりも大
きくなる。また、共振器端面付近にのみ上記ＳｉＯ□膜
９を形成したので、共振器端面付近の上記Ｇａ空孔が拡
散した多重量子井戸活性層４のバンドギャップが上記Ｇ
ａ空孔がない多重量子井戸活性層４のバンドギャップよ
りも大きくなり窓構造が形成される。本実施例では、Ｇ
ａ空孔によって無秩序化が生じるので、不純物濃度は拡
散前後で変化せず、Ｚｎ拡散時のような上記不純物濃度
の増大によって引き起こされるフリーキャリア吸収によ
る損失の増大はなくなる。
このように本実施例によれば、共振器端面付近のエツチ
ングしたウェハ表面上にＳｉＯ□膜９を形成し、熱アニ
ールによりＧａ空孔がウェハ中に拡散し、該Ｇａ空孔の
拡散で多重量子井戸活性層４を無秩序化して窓構造を形
成するようにしたので、しきい値の上昇や効率の劣化の
ない窓構造を形成でき、高出力動作を可能にできる。
ングしたウェハ表面上にＳｉＯ□膜９を形成し、熱アニ
ールによりＧａ空孔がウェハ中に拡散し、該Ｇａ空孔の
拡散で多重量子井戸活性層４を無秩序化して窓構造を形
成するようにしたので、しきい値の上昇や効率の劣化の
ない窓構造を形成でき、高出力動作を可能にできる。
なお、上記実施例では横モード制御機構のない半導体レ
ーザを例に挙げて説明したが、横モード制御機構をもっ
た半導体レーザであってもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
ーザを例に挙げて説明したが、横モード制御機構をもっ
た半導体レーザであってもよく、上記実施例と同様の効
果を奏する。
また、上記実施例ではＡｆｆｉＧａＡｓｆｆ−ＧａＡｓ
とって説明したが、ＡｌＧａ ＩｎＰ系レーザであって
もよく、上記実施例と同様の効果が期待できる。また、
上記実施例ではｐ型基板をもつ半導体レーザを例にとっ
て説明したが、ｎ型基板をもつ半導体レーザであっても
よ（、上記実施例と同様の効果を奏する。
とって説明したが、ＡｌＧａ ＩｎＰ系レーザであって
もよく、上記実施例と同様の効果が期待できる。また、
上記実施例ではｐ型基板をもつ半導体レーザを例にとっ
て説明したが、ｎ型基板をもつ半導体レーザであっても
よ（、上記実施例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、共振器端面付近のエ
ツチングしたウェハ表面上に５ｉｎ２膜を形成し、熱ア
ニールによりＧａ空孔をウェハ中に拡散し、これにより
多重量子井戸活性層を無秩序化して窓構造を形成したか
ら、しきい値の上昇や効率の劣化のない窓構造を形成で
き、高出力動作が可能な半導体レーザが得られる効果が
ある。
ツチングしたウェハ表面上に５ｉｎ２膜を形成し、熱ア
ニールによりＧａ空孔をウェハ中に拡散し、これにより
多重量子井戸活性層を無秩序化して窓構造を形成したか
ら、しきい値の上昇や効率の劣化のない窓構造を形成で
き、高出力動作が可能な半導体レーザが得られる効果が
ある。
第１図はこの発明の一実施例における半導体レーザの斜
視図、第２図は従来の半導体レーザの斜視図で、端面部
と内部とを同時に示すためにレーザの一部を切り取って
示しである。第３図は第１図の内部を示す断面構造図、
第４図は第１図の端面部を示す断面構造図である。 図において、１はｐ−ＧａＡｓ基板、２はｐ−Ａｊ！ｏ
、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓ下クラッド層、３はｐ−Ａｊ！
６． ｘ＊ Ｇ ａ ｏ、 ｙｓＡ ｓ光ガイド層、
４は多重量子井戸活性層、５はｎ Ａ ｌ ｏ、 ｔ
ｓＧ ａ Ｏ，？！、Ａ Ｓ光ガイド層、６はｎ Ａ
ｊ！ａ、ｓ ｆ：ｙａｏ、？Ａｓ上クラッド層、６ａは
共振器端面付近の上クラッド層、６ｂは共振器内部の上
クラッド層、７はｎ−ＣａＡｓコンタクト層、８はＺｎ
拡散部、９は５ｉｎ２膜、１０はｎ側電極、１１はｐ側
ｔ８ｉ、１２は発光部、１３はＧａ空孔拡散部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
視図、第２図は従来の半導体レーザの斜視図で、端面部
と内部とを同時に示すためにレーザの一部を切り取って
示しである。第３図は第１図の内部を示す断面構造図、
第４図は第１図の端面部を示す断面構造図である。 図において、１はｐ−ＧａＡｓ基板、２はｐ−Ａｊ！ｏ
、ｓ Ｇａｏ、ｔ Ａｓ下クラッド層、３はｐ−Ａｊ！
６． ｘ＊ Ｇ ａ ｏ、 ｙｓＡ ｓ光ガイド層、
４は多重量子井戸活性層、５はｎ Ａ ｌ ｏ、 ｔ
ｓＧ ａ Ｏ，？！、Ａ Ｓ光ガイド層、６はｎ Ａ
ｊ！ａ、ｓ ｆ：ｙａｏ、？Ａｓ上クラッド層、６ａは
共振器端面付近の上クラッド層、６ｂは共振器内部の上
クラッド層、７はｎ−ＣａＡｓコンタクト層、８はＺｎ
拡散部、９は５ｉｎ２膜、１０はｎ側電極、１１はｐ側
ｔ８ｉ、１２は発光部、１３はＧａ空孔拡散部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）量子井戸構造の活性層を有する半導体レーザにお
いて、 共振器端面近傍のみにてウェハ表面に形成されたＳｉＯ
＿２膜と、 上記ＳｉＯ＿２膜下の多重量子井戸活性層であってアニ
ールによって無秩序化された領域を備えたことを特徴と
する半導体レーザ。 - （２）窓構造を有する半導体レーザの製造方法において
、 共振器端面近傍のみにてウェハ表面にＳｉＯ＿２膜を形
成する工程と、 アニールを行い上記ＳｉＯ＿２膜下の多重量子井戸活性
層を無秩序化する工程とを含むことを特徴とする半導体
レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22369290A JPH04103187A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22369290A JPH04103187A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103187A true JPH04103187A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16802155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22369290A Pending JPH04103187A (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04103187A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0649200A3 (en) * | 1993-10-15 | 1995-06-28 | Ibm | Semiconductor laser with quantum wells, single mode, planar, without mirror window topology with current confinement. |
| DE19615193A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US6876002B2 (en) | 2000-09-13 | 2005-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| WO2009078482A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
| JP2010541277A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | 量子井戸無秩序化 |
| JP2013110366A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP22369290A patent/JPH04103187A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0649200A3 (en) * | 1993-10-15 | 1995-06-28 | Ibm | Semiconductor laser with quantum wells, single mode, planar, without mirror window topology with current confinement. |
| DE19615193A1 (de) * | 1995-07-05 | 1997-01-16 | Mitsubishi Electric Corp | Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US5764669A (en) * | 1995-07-05 | 1998-06-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser including disordered window regions |
| US6876002B2 (en) | 2000-09-13 | 2005-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same |
| JP2010541277A (ja) * | 2007-10-01 | 2010-12-24 | コーニング インコーポレイテッド | 量子井戸無秩序化 |
| WO2009078482A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光素子 |
| JPWO2009078482A1 (ja) * | 2007-12-19 | 2011-05-06 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
| US8411718B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-04-02 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
| JP2013110366A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
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