JPH04103744A - シャドウマスク用Fe―Ni合金薄板およびその製造方法 - Google Patents
シャドウマスク用Fe―Ni合金薄板およびその製造方法Info
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- JPH04103744A JPH04103744A JP2218946A JP21894690A JPH04103744A JP H04103744 A JPH04103744 A JP H04103744A JP 2218946 A JP2218946 A JP 2218946A JP 21894690 A JP21894690 A JP 21894690A JP H04103744 A JPH04103744 A JP H04103744A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「発明の目的」
(産業上の利用分野)
本発明はシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板およびそ
の製造方法に係り、カラーテレビブラウン管のシャドウ
マスクを製造するためのFe−Ni系合金薄板において
エツチング穿孔性が優れ、特に穿孔時のムラ発生を防止
し、かつ穿孔後のフラットマスクを焼鈍するときの密着
焼付を防止し適切な製品を得るための技術に関するもの
である。
の製造方法に係り、カラーテレビブラウン管のシャドウ
マスクを製造するためのFe−Ni系合金薄板において
エツチング穿孔性が優れ、特に穿孔時のムラ発生を防止
し、かつ穿孔後のフラットマスクを焼鈍するときの密着
焼付を防止し適切な製品を得るための技術に関するもの
である。
(従来の技術)
近年、カラーテレビの高品位化に伴い、色ずれの問題に
対応できる低熱膨張のシャドウマスク材料としてFe−
Ni系のインバー合金が注目されているが、この合金は
従来の低炭素鋼によるシャドウマスク材に比し、エツチ
ング穿孔時におけるフラットマスクのムラ発生および穿
孔後のフラットマスクを焼鈍するときにおいて密着焼付
性が著しい。
対応できる低熱膨張のシャドウマスク材料としてFe−
Ni系のインバー合金が注目されているが、この合金は
従来の低炭素鋼によるシャドウマスク材に比し、エツチ
ング穿孔時におけるフラットマスクのムラ発生および穿
孔後のフラットマスクを焼鈍するときにおいて密着焼付
性が著しい。
これらのうち、前者の問題を解決すべく、■特開昭61
−39344号公報、■特開昭62〜243780号公
報、■同243781号公報および■同243782号
公報が提案されている。
−39344号公報、■特開昭62〜243780号公
報、■同243781号公報および■同243782号
公報が提案されている。
即ち■はシャドウマスク用素材の表面粗さ(中心線平均
粗さRa)を0.1〜0.4μmとすることにより開孔
形状の規則性および開孔のシャドウマスク全体における
均一性を得ている。又■はシャドウマスク用素材の表面
粗度(Ra)を0.2〜0.7μm、Sm (基準長さ
内における表面粗度を示す断面曲線の凹凸間隔平均値)
を100μm以下、結晶粒度を粒度番号で8.0以上と
することによりエツチング穿孔後のムラ品位の高いマス
クを提供している。
粗さRa)を0.1〜0.4μmとすることにより開孔
形状の規則性および開孔のシャドウマスク全体における
均一性を得ている。又■はシャドウマスク用素材の表面
粗度(Ra)を0.2〜0.7μm、Sm (基準長さ
内における表面粗度を示す断面曲線の凹凸間隔平均値)
を100μm以下、結晶粒度を粒度番号で8.0以上と
することによりエツチング穿孔後のムラ品位の高いマス
クを提供している。
更に■は前記■の規定に加えてRe (透過孔径α1/
エツチング孔径α2)を0.9以上とすることによりエ
ツチング穿孔後のムラ品位の高いマスクを提供している
。なお■はエツチング素材の集合組織を強冷延−再結晶
焼鈍によって集積させ、且つ結晶粒度を粒度番号で8.
0以上とし、その後に前記■に記載の表面粗度への調整
をダルロールにより冷間加工度3〜15%としてエツチ
ング穿孔後のムラ品位の高いマスクを製造しようとする
ものである。
エツチング孔径α2)を0.9以上とすることによりエ
ツチング穿孔後のムラ品位の高いマスクを提供している
。なお■はエツチング素材の集合組織を強冷延−再結晶
焼鈍によって集積させ、且つ結晶粒度を粒度番号で8.
0以上とし、その後に前記■に記載の表面粗度への調整
をダルロールにより冷間加工度3〜15%としてエツチ
ング穿孔後のムラ品位の高いマスクを製造しようとする
ものである。
一方上記した後者の問題を解決するに好ましい提案はな
されていない。
されていない。
即ち■特開昭62−238003号公報の如き従来の低
炭素鋼フラットマスクの焼鈍時密着焼付を表面粗度の適
正化、即ちRaを0.2〜2.0.crnで、Rsk(
粗さ曲線の高さ方向における偏りの指標)を0以上とす
るような提案はみられるとしてもFe−Ni系インバー
合金のフラットマスクにおける焼鈍時密着焼付防止に関
する好ましい技術は見当たらない。
炭素鋼フラットマスクの焼鈍時密着焼付を表面粗度の適
正化、即ちRaを0.2〜2.0.crnで、Rsk(
粗さ曲線の高さ方向における偏りの指標)を0以上とす
るような提案はみられるとしてもFe−Ni系インバー
合金のフラットマスクにおける焼鈍時密着焼付防止に関
する好ましい技術は見当たらない。
(発明が解決しようとする課題)
上記したエツチング穿孔時におけるフラットマスクのム
ラ品位向上を図った前記■〜■の技術では何れも曲面プ
レス前の焼鈍における密着焼付防止が達成されていない
。又■では上述のように従来における低炭素鋼フラット
マスクの焼鈍時密着焼付を防止しているのみで、実際の
インバー合金強度は低炭素鋼に比して高く、その曲面プ
レス前の焼鈍温度は低炭素鋼の場合に比し高く採らざる
を得す、ブラウン管メーカーではFe−Niインバー合
金のフラットマスク焼鈍を数十枚〜数百枚重ね合わせて
810〜1100℃という低炭素鋼フラットマスクの焼
鈍温度よりも相当な高温で行っているのが現状である。
ラ品位向上を図った前記■〜■の技術では何れも曲面プ
レス前の焼鈍における密着焼付防止が達成されていない
。又■では上述のように従来における低炭素鋼フラット
マスクの焼鈍時密着焼付を防止しているのみで、実際の
インバー合金強度は低炭素鋼に比して高く、その曲面プ
レス前の焼鈍温度は低炭素鋼の場合に比し高く採らざる
を得す、ブラウン管メーカーではFe−Niインバー合
金のフラットマスク焼鈍を数十枚〜数百枚重ね合わせて
810〜1100℃という低炭素鋼フラットマスクの焼
鈍温度よりも相当な高温で行っているのが現状である。
このような焼鈍温度において前記■の技術ではインバー
合金フラットマスク焼鈍時の焼付防止をなし得ない。
合金フラットマスク焼鈍時の焼付防止をなし得ない。
従って従来のFe−Ni系インバー合金のシャドウマス
ク用素材においてエツチング穿孔時のムラ発生を防止し
、又穿孔後の焼鈍時密着焼付を適切に防止する技術が確
立されていない。
ク用素材においてエツチング穿孔時のムラ発生を防止し
、又穿孔後の焼鈍時密着焼付を適切に防止する技術が確
立されていない。
「発明の構成」
(課題を解決するための手段)
本発明は上記したような実情に鑑み、エツチング穿孔性
が優れ、特に穿孔時のムラ発生を防止し、かつ穿孔後の
フラットマスクを焼鈍するときの密着焼付を防止したF
e −Ni系インバー合金のシャドウマスク用素材を得
べく、検討を重ねて創案されたものであって、以下の如
くである。
が優れ、特に穿孔時のムラ発生を防止し、かつ穿孔後の
フラットマスクを焼鈍するときの密着焼付を防止したF
e −Ni系インバー合金のシャドウマスク用素材を得
べく、検討を重ねて創案されたものであって、以下の如
くである。
1、Si:0.01〜0.15wt%、Ni:34〜3
8wt%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物か
ら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマスクの多
数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマス
クの製造に供する該フラットマスクと実質上間等であり
、その表面粗度(Ra)が0.3〜0.8μs、(S+
a)が70〜160umで、しがも粗さ曲線の高さ方向
のとがり指標であるクルトシス(Rkr)が3〜7で且
つ (Ra) ≧−(Rkr) + 0.6の条件を満足
し、またエツチング直前での合金板の表面におけるSi
の成分偏析率 が10%以下であることを特徴とするシャドウマスク用
Fe−Ni合金薄板。
8wt%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物か
ら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマスクの多
数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマス
クの製造に供する該フラットマスクと実質上間等であり
、その表面粗度(Ra)が0.3〜0.8μs、(S+
a)が70〜160umで、しがも粗さ曲線の高さ方向
のとがり指標であるクルトシス(Rkr)が3〜7で且
つ (Ra) ≧−(Rkr) + 0.6の条件を満足
し、またエツチング直前での合金板の表面におけるSi
の成分偏析率 が10%以下であることを特徴とするシャドウマスク用
Fe−Ni合金薄板。
2、Si:0.01〜0.15ivt%、Ni:34〜
38wt%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物
から成り、かつその合金網帯の板厚はフラットマスクの
多数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマ
スクの製造に供する該フラットマスクと実質上間等であ
り、その表面粗度(Ra)が0.3〜0.8μm、(S
m)が70〜160μ蒙で、しかも粗さ曲線の高さ方向
のとがり指標であるクルトシス(Rkr)が3〜7で且
つ (Ra) ≧−(Rkr) + 0.6且つ、粗さ曲
線の平均傾斜角(RQa)が0.03〜0.05の条件
を満足し、またエツチング直前での合金板の表面におけ
るSiの成分偏析率Sm(L) −Sm(c) l
55μmが10%以下であることを特徴とするシャ
ドウマスク用Fe −Ni合金薄板。
38wt%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物
から成り、かつその合金網帯の板厚はフラットマスクの
多数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマ
スクの製造に供する該フラットマスクと実質上間等であ
り、その表面粗度(Ra)が0.3〜0.8μm、(S
m)が70〜160μ蒙で、しかも粗さ曲線の高さ方向
のとがり指標であるクルトシス(Rkr)が3〜7で且
つ (Ra) ≧−(Rkr) + 0.6且つ、粗さ曲
線の平均傾斜角(RQa)が0.03〜0.05の条件
を満足し、またエツチング直前での合金板の表面におけ
るSiの成分偏析率Sm(L) −Sm(c) l
55μmが10%以下であることを特徴とするシャ
ドウマスク用Fe −Ni合金薄板。
3、前記1項の成分および表面粗度を有し、しかも該表
面粗度の異方性が、下記式、 Ra (L) −Ra (c) l ≦0.1.c
rmI Rkr(L) −Rkr(c) l ≦0.5
I 5s(L) −5Ill(c) l 55μm
但しRa(L) 、Rkr(L)、Sm (L)は圧延
方向における測定値で、Ra (c) 、Rkr (c
)、Sm(c)は圧延方向と垂直な方向における測定値
である。
面粗度の異方性が、下記式、 Ra (L) −Ra (c) l ≦0.1.c
rmI Rkr(L) −Rkr(c) l ≦0.5
I 5s(L) −5Ill(c) l 55μm
但しRa(L) 、Rkr(L)、Sm (L)は圧延
方向における測定値で、Ra (c) 、Rkr (c
)、Sm(c)は圧延方向と垂直な方向における測定値
である。
の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用F
e−Ni合金薄板。
e−Ni合金薄板。
4、 前記2項の成分および表面粗度を有し、しかも該
表面粗度の異方性が、下記式、 Ra (L) −Ra (c) |≦0.1μmRk
r(L) −Rkr(c) |≦0.5但しRa(L)
、Rkr(L)、Sm (L)は圧延方向における測
定値で、Ra(c) 、Rkr(c)、S+a (c)
は圧延方向と垂直な方向における測定値である。
表面粗度の異方性が、下記式、 Ra (L) −Ra (c) |≦0.1μmRk
r(L) −Rkr(c) |≦0.5但しRa(L)
、Rkr(L)、Sm (L)は圧延方向における測
定値で、Ra(c) 、Rkr(c)、S+a (c)
は圧延方向と垂直な方向における測定値である。
の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用F
e−Ni合金薄板。
e−Ni合金薄板。
5、前記1項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
1項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
1項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。
6、前記1項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
2項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
2項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。
7、前記1項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
3項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe Ni合金薄板の製造方法
。
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
3項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe Ni合金薄板の製造方法
。
8、前記1項の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
4項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe −Ni合金薄板の製造方法
。
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、前記
4項の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe −Ni合金薄板の製造方法
。
なお上記各式におけるRas Rkr % RQa −
Smは以下の如くである。
Smは以下の如くである。
Raとは、中心線平均粗さであり、下記の式に示される
。
。
−メントを示す。
RQaは、平均線に対しての平均の傾斜角を示すもので
あり、下記の数式により表わされる。
あり、下記の数式により表わされる。
但し、L:測定長さ
f(χ):粗さ曲線
Rkrとは、平均線に対しての粗さ曲線の上下のとがり
の程度を示す値であって、下記の数式により表わされる
。
の程度を示す値であって、下記の数式により表わされる
。
5I11とは基準長さ内における表面粗さを示す断面曲
線の凸凹の間隔の平均値 のことである。
線の凸凹の間隔の平均値 のことである。
(作用)
上記したような本発明について説明すると、本発明はシ
ャドウマスク用のインバー合金を対象としているが、事
実上問題のない熱膨脹特性とじて平均熱膨張係数(30
〜100℃)の上限を2.OX 10−b/”Cとし、
この熱膨張特性はNi量に依存するもので、上述した平
均熱膨張係数の条件を満たす成分範囲はwt%(以下単
に%という)で、Ni量が34〜38%の場合であるか
ら本発明合金のNi量としてはこの34〜38%とする
。なおこのNi量は必要とされる熱膨張係数に応じ上記
範囲内において適当に選択される。
ャドウマスク用のインバー合金を対象としているが、事
実上問題のない熱膨脹特性とじて平均熱膨張係数(30
〜100℃)の上限を2.OX 10−b/”Cとし、
この熱膨張特性はNi量に依存するもので、上述した平
均熱膨張係数の条件を満たす成分範囲はwt%(以下単
に%という)で、Ni量が34〜38%の場合であるか
ら本発明合金のNi量としてはこの34〜38%とする
。なおこのNi量は必要とされる熱膨張係数に応じ上記
範囲内において適当に選択される。
次に本発明が目標とするエツチング性およびフラットマ
スク焼鈍時の密着焼付防止は表面粗度の適正化と合金中
Si量およびその分布適正化が同時に満たされて始めて
達成される。即ちSjはFe Ni系インバー合金に
おいて焼鈍時の密着焼付防止に有効な元素であって、こ
のSiが0.01%以上となるとこの焼付防止に有効な
酸化膜が形成される。
スク焼鈍時の密着焼付防止は表面粗度の適正化と合金中
Si量およびその分布適正化が同時に満たされて始めて
達成される。即ちSjはFe Ni系インバー合金に
おいて焼鈍時の密着焼付防止に有効な元素であって、こ
のSiが0.01%以上となるとこの焼付防止に有効な
酸化膜が形成される。
一方このSiが0.15%を越えるとエツチング穿孔時
のムラ発生が著しくなるのでこれを上限とし、これらか
らして焼付が防止でき、しかもエツチング穿孔時にムラ
発生のないSi量として0.01〜0.15%と定めた
。なおSi量がこの範囲内の場合でも合金板表面でのS
iの成分変動が大きいと、局部的にエツチング穿孔状態
の差に起因するムラ発生や焼鈍時に形成される酸化膜の
性状に差が生じ、結果として局部的に焼付くなどの問題
が発生するため斯様な成分変動は制御されねばならない
。従って本発明では上記Si量の規定に加え、エツチン
グ直前での合金板表面におけるSiの成分偏析率、の1
0%以下とすることにより上記した成分変動によるエツ
チング穿孔性の局部的劣化、焼鈍時の局部的焼付を解決
する。なお、このSiの成分偏析率が10%以下であっ
ても最小濃度部で0.01%未満となったり、最大濃度
部で0.15%を超えるような場合には焼鈍時の焼付、
エツチング穿孔時のムラがそれぞれ発生するので、この
ようなことにならないように制御する。
のムラ発生が著しくなるのでこれを上限とし、これらか
らして焼付が防止でき、しかもエツチング穿孔時にムラ
発生のないSi量として0.01〜0.15%と定めた
。なおSi量がこの範囲内の場合でも合金板表面でのS
iの成分変動が大きいと、局部的にエツチング穿孔状態
の差に起因するムラ発生や焼鈍時に形成される酸化膜の
性状に差が生じ、結果として局部的に焼付くなどの問題
が発生するため斯様な成分変動は制御されねばならない
。従って本発明では上記Si量の規定に加え、エツチン
グ直前での合金板表面におけるSiの成分偏析率、の1
0%以下とすることにより上記した成分変動によるエツ
チング穿孔性の局部的劣化、焼鈍時の局部的焼付を解決
する。なお、このSiの成分偏析率が10%以下であっ
ても最小濃度部で0.01%未満となったり、最大濃度
部で0.15%を超えるような場合には焼鈍時の焼付、
エツチング穿孔時のムラがそれぞれ発生するので、この
ようなことにならないように制御する。
本発明で意図する焼鈍時の焼付防止効果およびエツチン
グ穿孔時のムラ発生の抑制は上述したような成分規定に
加えて、表面粗度の適正化が必要である。即ち第1図は
、S 50.0025%で、si:0.01〜0.15
%(板面内の何れの場所でもSiは0、01〜0.15
%) 、5i(7)成分偏析率≦10%の合金板につ
いてエツチング穿孔性、焼鈍時の密着焼付きについて調
査し、それら両者を共に満足する領域を表面粗度のパラ
メータRaおよびRkrで示したものである。SIwは
、エツチング穿孔時のムラ発生の抑制、および焼鈍時の
焼付きの点で制御すべき重要なパラメータである。エツ
チング穿孔時のムラ発生を抑制し、かつ焼鈍時の焼付き
を防止する5I11ノ範囲は70〜160μsである。
グ穿孔時のムラ発生の抑制は上述したような成分規定に
加えて、表面粗度の適正化が必要である。即ち第1図は
、S 50.0025%で、si:0.01〜0.15
%(板面内の何れの場所でもSiは0、01〜0.15
%) 、5i(7)成分偏析率≦10%の合金板につ
いてエツチング穿孔性、焼鈍時の密着焼付きについて調
査し、それら両者を共に満足する領域を表面粗度のパラ
メータRaおよびRkrで示したものである。SIwは
、エツチング穿孔時のムラ発生の抑制、および焼鈍時の
焼付きの点で制御すべき重要なパラメータである。エツ
チング穿孔時のムラ発生を抑制し、かつ焼鈍時の焼付き
を防止する5I11ノ範囲は70〜160μsである。
Smが70μm未満では、焼鈍時の焼付きが発生し、一
方sImが160A1mを越える場合はエンチング穿孔
時のムラ発生が問題になる。Smを70〜160μ餌と
してはじめて以下に示すようなRa、 Rkrの制御の
もとで、本発明で意図する効果が得られる。Rkrが何
れの値の場合でもRaが0.8μ前を超える場合にはエ
ツチング穿孔時のムラ発生が著しくなり、一方Raが0
.3μm未満の場合にはフラットマスク焼鈍時の密着焼
付が発生し、且つフラットマスクの均一密着性不良が発
生するので本発明におけるRaの範囲は0.3〜0.8
μmとする。
方sImが160A1mを越える場合はエンチング穿孔
時のムラ発生が問題になる。Smを70〜160μ餌と
してはじめて以下に示すようなRa、 Rkrの制御の
もとで、本発明で意図する効果が得られる。Rkrが何
れの値の場合でもRaが0.8μ前を超える場合にはエ
ツチング穿孔時のムラ発生が著しくなり、一方Raが0
.3μm未満の場合にはフラットマスク焼鈍時の密着焼
付が発生し、且つフラットマスクの均一密着性不良が発
生するので本発明におけるRaの範囲は0.3〜0.8
μmとする。
又このようなRaの適正化に加え、焼鈍時の焼付き防止
のためにはRkrの適正化も必要である。即ちRaが0
.3〜0.8μ麟の範囲でも、Rkrが3未満では、フ
ラットマスク焼鈍時の密着が発生し、−方Rkrが7を
越える場合ではフラットマスク焼鈍時の局部的焼付きが
発生し、またエツチング穿孔時のムラ発生が問題となる
。更に、Ra<−(’へ、)Rkr+0.6の条件では
フラットマスク焼鈍時の密着が発生する。すなわち、R
aが0.3〜0.4μ麟の場合では、焼付の生じないR
aの下限値は、Rkrを高めることにより、より近くす
ることができる。
のためにはRkrの適正化も必要である。即ちRaが0
.3〜0.8μ麟の範囲でも、Rkrが3未満では、フ
ラットマスク焼鈍時の密着が発生し、−方Rkrが7を
越える場合ではフラットマスク焼鈍時の局部的焼付きが
発生し、またエツチング穿孔時のムラ発生が問題となる
。更に、Ra<−(’へ、)Rkr+0.6の条件では
フラットマスク焼鈍時の密着が発生する。すなわち、R
aが0.3〜0.4μ麟の場合では、焼付の生じないR
aの下限値は、Rkrを高めることにより、より近くす
ることができる。
結果的に低いRaのレベルでも焼付きを防止できるため
、エツチング穿孔がより高密度化した場合でも、画面の
ムラ品位をより優れたものとすることができる。
、エツチング穿孔がより高密度化した場合でも、画面の
ムラ品位をより優れたものとすることができる。
以上より本発明で意図する効果を得るための表面粗度の
条件として、Ra : 0.3〜0.8 μea 、R
kr:3〜7で、かつ(Ra)≧−’/+5(Rkr)
+0.6と定めた。
条件として、Ra : 0.3〜0.8 μea 、R
kr:3〜7で、かつ(Ra)≧−’/+5(Rkr)
+0.6と定めた。
以上のような、Si量およびその分布の適正化と、表面
粗度の適正化により、Fe−Niインバー合金をシャド
ウマスク用薄板に適用する際でのエツチング穿孔性およ
び焼鈍時の密着焼付を防止できるが、フラットマスクの
1回の焼鈍での積層枚数を従来よりも、さらに多くし焼
鈍時のコストの低減を計ろうとする場合には、上記の表
面粗度の規定に加え、表面粗さの面内での異方性を特定
値以下にしなければならない。即ち表面粗度の異方性を
Ra (L) −Ra (c) I≦0.1μmRk
r(L) −Rkr(c) |≦0.5とすることによ
り、従来よりフラットマスクの積層枚数を多くした際で
も、部分的な焼付きは回避できる。
粗度の適正化により、Fe−Niインバー合金をシャド
ウマスク用薄板に適用する際でのエツチング穿孔性およ
び焼鈍時の密着焼付を防止できるが、フラットマスクの
1回の焼鈍での積層枚数を従来よりも、さらに多くし焼
鈍時のコストの低減を計ろうとする場合には、上記の表
面粗度の規定に加え、表面粗さの面内での異方性を特定
値以下にしなければならない。即ち表面粗度の異方性を
Ra (L) −Ra (c) I≦0.1μmRk
r(L) −Rkr(c) |≦0.5とすることによ
り、従来よりフラットマスクの積層枚数を多くした際で
も、部分的な焼付きは回避できる。
また、l 5III(L) −5m(c) 1558m
とすることにより、エツチング穿孔時のムラ発生をより
小さくすることができる。
とすることにより、エツチング穿孔時のムラ発生をより
小さくすることができる。
なお、フラットマスクの焼鈍時の密着焼付の発生しない
臨界温度を高くするためには、上記の成分、表面粗度の
規定に加え、粗さ曲線の平均傾斜角(R111a)の適
正化およびSの低減が有効である。
臨界温度を高くするためには、上記の成分、表面粗度の
規定に加え、粗さ曲線の平均傾斜角(R111a)の適
正化およびSの低減が有効である。
第2図はRQaが0.03未満または0.05超で、R
a、Rkr 、 SiおよびSiの偏析率が本発明範囲
内であり、かつSiが変化した材料を用い焼鈍温度を変
えて、密着焼付の状態を調べたものである。Siの低減
により、焼付の生じない臨界の焼鈍温度を高くすること
ができる。
a、Rkr 、 SiおよびSiの偏析率が本発明範囲
内であり、かつSiが変化した材料を用い焼鈍温度を変
えて、密着焼付の状態を調べたものである。Siの低減
により、焼付の生じない臨界の焼鈍温度を高くすること
ができる。
このようなSの低減による効果の明確な機構は必ずしも
判然としないが、本発明範囲内Si量のインバー合金に
おけるプレス前焼鈍時に表面に形成される密着防止に有
効なSiの酸化膜形成と、Sの表面偏析が、表面に競合
して起こるためではないかと推察される。
判然としないが、本発明範囲内Si量のインバー合金に
おけるプレス前焼鈍時に表面に形成される密着防止に有
効なSiの酸化膜形成と、Sの表面偏析が、表面に競合
して起こるためではないかと推察される。
また、第3図に示すように、粗さ曲線の平均傾斜角(R
Qa)は0.03〜0.05の範囲とすることにより焼
付の生じない臨界の焼鈍温度を同−S量でも高くするこ
とができる。
Qa)は0.03〜0.05の範囲とすることにより焼
付の生じない臨界の焼鈍温度を同−S量でも高くするこ
とができる。
更に、Siの偏析低域の手段としては、たとえば、鋼塊
又は連続鋳造(cC)スラブを1200℃×20hrの
加熱をなし、1次分塊での断面減少率20〜60%にて
分塊圧延を行ないその軽分環スラブを1200℃X20
hrで加熱し、2次分塊での断面減少率30〜50%で
分塊圧延し、徐冷する工程があげられる。この工程の中
では1次の加熱・均熱によるSiの鋼塊偏析低減、1次
分塊での加工及び引き続く加熱・均熱によるSiの鋼塊
偏析及びミクロ偏析の低減促進および2次分塊による加
工並びに引き続く徐冷過程でのSiの鋼塊偏析及びミク
ロ偏析の低減のさらなる促進という、大きく分けて3つ
の工程における均質化の相乗効果によりはじめてSiの
均質化が達成されているのである。なお分塊前の加熱は
、雰囲気中のS含有量を80pp−以下と極力低くして
加熱中の粒界脆化を抑制し、分塊スラブにおける表面疵
の発生抑制を配慮する。
又は連続鋳造(cC)スラブを1200℃×20hrの
加熱をなし、1次分塊での断面減少率20〜60%にて
分塊圧延を行ないその軽分環スラブを1200℃X20
hrで加熱し、2次分塊での断面減少率30〜50%で
分塊圧延し、徐冷する工程があげられる。この工程の中
では1次の加熱・均熱によるSiの鋼塊偏析低減、1次
分塊での加工及び引き続く加熱・均熱によるSiの鋼塊
偏析及びミクロ偏析の低減促進および2次分塊による加
工並びに引き続く徐冷過程でのSiの鋼塊偏析及びミク
ロ偏析の低減のさらなる促進という、大きく分けて3つ
の工程における均質化の相乗効果によりはじめてSiの
均質化が達成されているのである。なお分塊前の加熱は
、雰囲気中のS含有量を80pp−以下と極力低くして
加熱中の粒界脆化を抑制し、分塊スラブにおける表面疵
の発生抑制を配慮する。
更に本発明で特徴としているシャドウマスク用薄板は上
記のような製造履歴のものに限らず、溶鋼から直接に冷
延素材を鋳造するストリップキャスティングまたはスト
リップキャスティングにより鋳造された銅帯を熱延軽圧
下することにより冷延素材を製造する工程を経たもので
も本発明の効果は充分に発揮される。又このような表面
をもつシャドウマスク用インバー合金素材の製造は最終
冷延または調質圧延時にダルロールを用いて圧延するこ
とにより達成し得る。
記のような製造履歴のものに限らず、溶鋼から直接に冷
延素材を鋳造するストリップキャスティングまたはスト
リップキャスティングにより鋳造された銅帯を熱延軽圧
下することにより冷延素材を製造する工程を経たもので
も本発明の効果は充分に発揮される。又このような表面
をもつシャドウマスク用インバー合金素材の製造は最終
冷延または調質圧延時にダルロールを用いて圧延するこ
とにより達成し得る。
なお、インバー合金のエツチング穿孔性、特にエツチン
グ穿孔後の孔界面の品質を向上させ、かつエツチング液
程におけるエツチング液の汚れを少なくし、エツチング
の作業性を向上させるためには、例えば合金中の非金属
介在物の組成を第4図に示すA l z03−CaO−
MgO系三元状態図の点■。
グ穿孔後の孔界面の品質を向上させ、かつエツチング液
程におけるエツチング液の汚れを少なくし、エツチング
の作業性を向上させるためには、例えば合金中の非金属
介在物の組成を第4図に示すA l z03−CaO−
MgO系三元状態図の点■。
■、■、■および■を結んだ領域外の組成に制御するこ
とが必要である。すなわち、このような介在物の組成制
御により、エツチング直前での非金属介在物はサイズ3
μm以下の球形の介在物が主体となり、展伸性を有する
圧延方向に伸びた線型の介在物が極めて少なくなる結果
エツチング孔の界面における介在物に起因したビットの
形成が抑制され、かつ線状介在物がエツチング液に混入
してエツチング液の汚れることも極めて少なくなる。
とが必要である。すなわち、このような介在物の組成制
御により、エツチング直前での非金属介在物はサイズ3
μm以下の球形の介在物が主体となり、展伸性を有する
圧延方向に伸びた線型の介在物が極めて少なくなる結果
エツチング孔の界面における介在物に起因したビットの
形成が抑制され、かつ線状介在物がエツチング液に混入
してエツチング液の汚れることも極めて少なくなる。
上記したようなダルロールを得るには放電加工、レーザ
ー加工なども採用し得るが、ショツトブラスト法によっ
てダル目付けすることが好ましく、この場合においてロ
ール材質としてはSKH(硬度Hs85〜95)を採用
し、又径100〜125鶴φのものを用いることが適切
である。ショー/ )ブラスト法によるロール加工条件
としては#120〜#240のスチールグリソト(I(
v 400〜950)を用い、投射エネルギーとしては
#工20で低目、#240では高目のものを採用する。
ー加工なども採用し得るが、ショツトブラスト法によっ
てダル目付けすることが好ましく、この場合においてロ
ール材質としてはSKH(硬度Hs85〜95)を採用
し、又径100〜125鶴φのものを用いることが適切
である。ショー/ )ブラスト法によるロール加工条件
としては#120〜#240のスチールグリソト(I(
v 400〜950)を用い、投射エネルギーとしては
#工20で低目、#240では高目のものを採用する。
このように、スチールグリソトの粒度および投射エネル
ギーの選択を適正化することによりRQaは0.03〜
0.05(ラジアン)とすることができる。
ギーの選択を適正化することによりRQaは0.03〜
0.05(ラジアン)とすることができる。
適正ロール表面粗度を得るには、加工前においてRa
: 0.1μm以下としたものに対し加工処理してRa
: 0.4〜1.5 pm 、 Rkr : 3〜1
2、S+++:40〜200μmとし、このようなロー
ル粗度として本発明範囲の表面粗度を適切に得しめる。
: 0.1μm以下としたものに対し加工処理してRa
: 0.4〜1.5 pm 、 Rkr : 3〜1
2、S+++:40〜200μmとし、このようなロー
ル粗度として本発明範囲の表面粗度を適切に得しめる。
圧延に関しては、最終冷延または調質圧延に当り前述し
たようなダルロールで1バス当り10%以上、しかも合
計2パス以上を採用し、1パス当り10%以上の圧下を
なすことでロール粗度が充分に転写され、しかも2パス
以上とすることより所定のRkrおよびSmを有効に得
しめる。
たようなダルロールで1バス当り10%以上、しかも合
計2パス以上を採用し、1パス当り10%以上の圧下を
なすことでロール粗度が充分に転写され、しかも2パス
以上とすることより所定のRkrおよびSmを有効に得
しめる。
更に具体的な圧延に際して用いられる圧延油としては温
度10〜50℃で粘度7〜8cstのものを0.1〜0
.5kg/adで吐出して用い、圧延速度は30〜20
0mpm、圧延時の張力は前方が15〜45眩/12、
後方を10〜40kg/鶴2程度となし、単位幅当りの
圧下刃としては0.15〜0.25トン/wとすること
が好ましい。前記した圧延油吐出圧力が0.1kg/c
A未満であり、あるいは0.5kg/d超えではその他
の条件が適正でも本発明で目標とする合金薄板の表面粗
度が得難い傾向が認められ、又0.5kg/cd超えで
は表面粗度にムラが発生する。又上記したような圧延時
の張力条件適正化によって圧延材である合金1板の平坦
度を良好なレベルとすることができる。
度10〜50℃で粘度7〜8cstのものを0.1〜0
.5kg/adで吐出して用い、圧延速度は30〜20
0mpm、圧延時の張力は前方が15〜45眩/12、
後方を10〜40kg/鶴2程度となし、単位幅当りの
圧下刃としては0.15〜0.25トン/wとすること
が好ましい。前記した圧延油吐出圧力が0.1kg/c
A未満であり、あるいは0.5kg/d超えではその他
の条件が適正でも本発明で目標とする合金薄板の表面粗
度が得難い傾向が認められ、又0.5kg/cd超えで
は表面粗度にムラが発生する。又上記したような圧延時
の張力条件適正化によって圧延材である合金1板の平坦
度を良好なレベルとすることができる。
薄板圧延に当ってアイアニングロール、アンチクリンビ
ンクロールなどが採用され、また中間焼鈍、SR焼鈍と
して軟鋼用連続焼鈍炉(Hz71度5〜15%、DP−
10〜−30℃の雰囲気ガス)または光輝焼鈍炉(H,
濃度15〜100%、DP−20〜−50℃)などが用
いられる。
ンクロールなどが採用され、また中間焼鈍、SR焼鈍と
して軟鋼用連続焼鈍炉(Hz71度5〜15%、DP−
10〜−30℃の雰囲気ガス)または光輝焼鈍炉(H,
濃度15〜100%、DP−20〜−50℃)などが用
いられる。
上記したような本発明によるものの具体的実施例を示し
、その作用効果の仔細を説明すると以下の如くである。
、その作用効果の仔細を説明すると以下の如くである。
実施例1
次の第1表に示すような成分組成を有する合金階1〜4
を電気炉にて出鋼し、その後に取鍋精錬を行うことによ
って7トン鋼塊として得た。
を電気炉にて出鋼し、その後に取鍋精錬を行うことによ
って7トン鋼塊として得た。
なお、出鋼後の取鍋精錬は、CaO:40%以下のMg
O−CaO系耐火物よりなる取鍋を使用し、溶滓は成分
がwt%で(cab) / (cab) + (^It
z(h)が0.45%以下、MgOが25%以下、S
in、が15%以下、Siより酸化力の弱い金属の酸化
物が3%以下であるCa0−A 1 zos−MgO系
のものであり、これにより処理することで第1表中の化
学成分および後述する第2表のような合金を得た。
O−CaO系耐火物よりなる取鍋を使用し、溶滓は成分
がwt%で(cab) / (cab) + (^It
z(h)が0.45%以下、MgOが25%以下、S
in、が15%以下、Siより酸化力の弱い金属の酸化
物が3%以下であるCa0−A 1 zos−MgO系
のものであり、これにより処理することで第1表中の化
学成分および後述する第2表のような合金を得た。
上記したようにして得られた各銅塊を手入れの後、12
00℃で20時間加熱し、1次分塊にて断面減少率60
%で分塊圧延を行い、しかるのち1200℃で20時間
加熱し、2次分塊にて断面減少率45%で分塊圧延を行
い、徐冷することにより、合金隘1よりa −fの供試
材を得、合金隘2は供試材g、合金階3は供試材h、合
金階4は供試材iとして夫々用意した。なお供試材すの
材料は7トン鋼塊を手入れ後、1200℃にて15時間
加熱し、1次分塊にて断面減少率78%で分塊圧延を行
い徐冷することによりスラブを準備した。
00℃で20時間加熱し、1次分塊にて断面減少率60
%で分塊圧延を行い、しかるのち1200℃で20時間
加熱し、2次分塊にて断面減少率45%で分塊圧延を行
い、徐冷することにより、合金隘1よりa −fの供試
材を得、合金隘2は供試材g、合金階3は供試材h、合
金階4は供試材iとして夫々用意した。なお供試材すの
材料は7トン鋼塊を手入れ後、1200℃にて15時間
加熱し、1次分塊にて断面減少率78%で分塊圧延を行
い徐冷することによりスラブを準備した。
これらのスラブを手入れし酸化防止剤を塗布後、加熱温
度1100℃で加熱してから熱間圧延を行った。なおこ
の際、1000°C以上での合計圧下率は82%であり
、850℃以上での合計圧下率は98%であって、熱間
圧延された熱延コイルの巻取り温度は550〜750°
Cであった。
度1100℃で加熱してから熱間圧延を行った。なおこ
の際、1000°C以上での合計圧下率は82%であり
、850℃以上での合計圧下率は98%であって、熱間
圧延された熱延コイルの巻取り温度は550〜750°
Cであった。
上記のようにして得られた熱延コイルは脱スケール後、
冷延、焼鈍を繰返し、最終冷延または調質圧延時にダル
ロールを用いて圧延することにより後述する第3表に示
す表面粗度を有する板厚0.25mの合金板を夫々得た
。なお、エツチングテスト材の介在物の形態、大きさ分
類は、原板の圧延方向における板厚断面で測定した。測
定方法は800倍にて60日2検鏡し、視野内すべての
介在物の厚さ、長さを測定し、(長さ/厚さ)≦3を球
状介在物、(長さ/厚さ)〉3を線状介在物として分類
し、かつそれらの介在物のサイズ別の個数(1fi2当
り)で表記した。
冷延、焼鈍を繰返し、最終冷延または調質圧延時にダル
ロールを用いて圧延することにより後述する第3表に示
す表面粗度を有する板厚0.25mの合金板を夫々得た
。なお、エツチングテスト材の介在物の形態、大きさ分
類は、原板の圧延方向における板厚断面で測定した。測
定方法は800倍にて60日2検鏡し、視野内すべての
介在物の厚さ、長さを測定し、(長さ/厚さ)≦3を球
状介在物、(長さ/厚さ)〉3を線状介在物として分類
し、かつそれらの介在物のサイズ別の個数(1fi2当
り)で表記した。
用いたロールのダル目付けはショツトブラスト法で材質
5KH(Hs90)の径120鶴のロールに対し#12
0のスチールグリッド(Hv400〜950)で加工し
、加工後の表面粗度がRa : 0.3〜1.20、R
kr : 3〜12、Sm:40〜200μmのロー
ルを用い、この実施例では最終調質圧延時に前記ダルロ
ールにより1パス目は18.6%、2バス目は12.3
%(合計圧下率28.6%)で行った。またこの圧延に
当って採用された圧延油の粘度は7.5cstであり、
圧延速度は100mpmであって、圧延時張力について
は前方20kg/mm2後方15kg/m”で実施した
。
5KH(Hs90)の径120鶴のロールに対し#12
0のスチールグリッド(Hv400〜950)で加工し
、加工後の表面粗度がRa : 0.3〜1.20、R
kr : 3〜12、Sm:40〜200μmのロー
ルを用い、この実施例では最終調質圧延時に前記ダルロ
ールにより1パス目は18.6%、2バス目は12.3
%(合計圧下率28.6%)で行った。またこの圧延に
当って採用された圧延油の粘度は7.5cstであり、
圧延速度は100mpmであって、圧延時張力について
は前方20kg/mm2後方15kg/m”で実施した
。
なお、この圧延において用いられた単位幅当りの圧下力
は0.20)ン/ls、圧延油の吐出圧力は0.4kg
/ciであって、円滑に圧延処理することができ、得ら
れた合金板の平坦度その他は良好なレベルのものとして
得ることができた。
は0.20)ン/ls、圧延油の吐出圧力は0.4kg
/ciであって、円滑に圧延処理することができ、得ら
れた合金板の平坦度その他は良好なレベルのものとして
得ることができた。
上記のような各合金板の板面におけるSiの偏析率はE
PMAによるマツピングアナライザーにより調査した。
PMAによるマツピングアナライザーにより調査した。
又これらの合金薄板コイルにエツチング穿孔し、フラッ
トマスクを作製し、ムラ発生の状況を調査した。さらに
エンチング孔の界面を走査型電子顕微鏡により観察し、
ピットの有無を調べ、またエツチング液の汚れは、エン
チング穿孔後の残滓の量を調べることにより行った。更
に焼鈍時の密着焼付については上記したようなフラット
マスクを30枚積層し、900℃の温度で焼鈍した後に
密着の状況を調査した。合金隘1〜4の各村は、次の第
2表に示すような介在物の組成を有し、この介在物は液
相線温度1600℃以上の融点を有するもので、エツチ
ング直前の合金薄板での介在物は形状からして球状、大
きさも幅でみて、3μm以下のものが主体となっており
、エツチング穿孔性でみても、孔界面のビットは見られ
ず、エツチング液の汚れも極めて少な(、エツチング性
に優れている。即ち本発明で意図する合金素材としては
、このようにエツチング穿孔性に優れているものを基本
としている。
トマスクを作製し、ムラ発生の状況を調査した。さらに
エンチング孔の界面を走査型電子顕微鏡により観察し、
ピットの有無を調べ、またエツチング液の汚れは、エン
チング穿孔後の残滓の量を調べることにより行った。更
に焼鈍時の密着焼付については上記したようなフラット
マスクを30枚積層し、900℃の温度で焼鈍した後に
密着の状況を調査した。合金隘1〜4の各村は、次の第
2表に示すような介在物の組成を有し、この介在物は液
相線温度1600℃以上の融点を有するもので、エツチ
ング直前の合金薄板での介在物は形状からして球状、大
きさも幅でみて、3μm以下のものが主体となっており
、エツチング穿孔性でみても、孔界面のビットは見られ
ず、エツチング液の汚れも極めて少な(、エツチング性
に優れている。即ち本発明で意図する合金素材としては
、このようにエツチング穿孔性に優れているものを基本
としている。
上記したような各調査の結果は何れも次の第3表に示す
如くであり、又各合金階1〜4の介在物組成については
前述第5図のA /! 203 CaOMgO系三元
状態図に■〜■として示した。
如くであり、又各合金階1〜4の介在物組成については
前述第5図のA /! 203 CaOMgO系三元
状態図に■〜■として示した。
即ち供試材a、iおよびUの材料は、Si量、Si偏析
率、Ra(L) 、Ra(c) 、Rkr(L)、Rk
r (c)、(Ra)+1八5(Rkr) 0.6
、S+++(L) 、5s(c)の値が何れも本発明範
囲内にあり、エツチング穿孔時のムラ発生の問題および
焼鈍時の密着焼付はともに認められない。特にi、uの
材料はl Sm (L) −Sm (c)も本発明規定
内となっており、エツチング穿孔時のムラ発生はまった
くなく、特に優れたムラ品位を有している。
率、Ra(L) 、Ra(c) 、Rkr(L)、Rk
r (c)、(Ra)+1八5(Rkr) 0.6
、S+++(L) 、5s(c)の値が何れも本発明範
囲内にあり、エツチング穿孔時のムラ発生の問題および
焼鈍時の密着焼付はともに認められない。特にi、uの
材料はl Sm (L) −Sm (c)も本発明規定
内となっており、エツチング穿孔時のムラ発生はまった
くなく、特に優れたムラ品位を有している。
これに対し、供試材v、w、bのものは、何れも表面粗
度のパラメータが本発明範囲内にあるものの、Si量に
ついては本発明規定範囲下限を下まわるもの、その上限
値を越えるもの、あるいは偏析率が上限を越えるもので
あり、エツチング穿孔時のムラ発生、焼鈍時の密着焼付
のうち、1つまたは2つに問題が認められる。
度のパラメータが本発明範囲内にあるものの、Si量に
ついては本発明規定範囲下限を下まわるもの、その上限
値を越えるもの、あるいは偏析率が上限を越えるもので
あり、エツチング穿孔時のムラ発生、焼鈍時の密着焼付
のうち、1つまたは2つに問題が認められる。
なお供試材C,,d、e、fの各村は何れもSi量およ
びSiの偏析率が本発明の規定範囲内にあるが、それぞ
れ本発明におけるRaの上限、(Ra) +’/+5(
Rkr) −0,6の値、Rkrの下限、Rkrの上限
から外れるものであって、エツチング穿孔時のムラ発生
、焼鈍時の密着焼付性のうち1つ以上の性能が好ましく
ない。なお、gおよびhの材料はそれぞれSs+が本発
明規定の上限を越えるもの、下限未満のものであり、R
a、 Rkr、 (Ra) + ’/+5(Rkr)
+ 0.6は本発明規定内であるが、それぞれエツチン
グ穿孔時のムラ発生、焼鈍時の密着焼付に問題が生じて
いる。このように本発明はSmの適正制御のもとではじ
めて達成されることが理解される。
びSiの偏析率が本発明の規定範囲内にあるが、それぞ
れ本発明におけるRaの上限、(Ra) +’/+5(
Rkr) −0,6の値、Rkrの下限、Rkrの上限
から外れるものであって、エツチング穿孔時のムラ発生
、焼鈍時の密着焼付性のうち1つ以上の性能が好ましく
ない。なお、gおよびhの材料はそれぞれSs+が本発
明規定の上限を越えるもの、下限未満のものであり、R
a、 Rkr、 (Ra) + ’/+5(Rkr)
+ 0.6は本発明規定内であるが、それぞれエツチン
グ穿孔時のムラ発生、焼鈍時の密着焼付に問題が生じて
いる。このように本発明はSmの適正制御のもとではじ
めて達成されることが理解される。
即ち本発明で目的とする効果は、Si量、Siの偏析率
という成分的配慮に加え、表面粗度の適正化が図られて
始めて達成されることが理解される。
という成分的配慮に加え、表面粗度の適正化が図られて
始めて達成されることが理解される。
実施例2
前記した実施例1の供試材aの作製のために用いた熱延
コイルおよび供試材Uの作製に用いた熱延コイルを脱ス
ケール後、冷延と焼鈍を繰返し最終冷延または調質圧延
時にダルロールを用いて圧延し、次の第4表に示すよう
な表面粗度を有する板厚0.25mの合金板(供試材j
、k、l、m、n、o、p、q、r、sおよびt)を得
た。
コイルおよび供試材Uの作製に用いた熱延コイルを脱ス
ケール後、冷延と焼鈍を繰返し最終冷延または調質圧延
時にダルロールを用いて圧延し、次の第4表に示すよう
な表面粗度を有する板厚0.25mの合金板(供試材j
、k、l、m、n、o、p、q、r、sおよびt)を得
た。
これらの供試材における板面でのSi偏析率は実施例1
と同じ方法で調べたが何れも4〜7%の範囲であった。
と同じ方法で調べたが何れも4〜7%の範囲であった。
又これらの合金薄板コイルをエツチング穿孔してフラッ
トマスクを作製し、ムラ発生状況を調査した。更に焼鈍
時の密着焼付は上記したフラットマスクを50枚積層し
第4表に示す温度で焼鈍してその後の密着状況を調べた
。これらの結果は何れも次の第4表に併せて示す如くで
ある。
トマスクを作製し、ムラ発生状況を調査した。更に焼鈍
時の密着焼付は上記したフラットマスクを50枚積層し
第4表に示す温度で焼鈍してその後の密着状況を調べた
。これらの結果は何れも次の第4表に併せて示す如くで
ある。
なお、この実施例において用いられたダルロール、圧延
条件などについては前記した実施例1に述べたところと
同様であるが、ロールの表面粗度は加工後においてRa
: 0.45〜1.0.c+m 、 Rkr :3〜
12、Sm: 40〜200 umのものであった。
条件などについては前記した実施例1に述べたところと
同様であるが、ロールの表面粗度は加工後においてRa
: 0.45〜1.0.c+m 、 Rkr :3〜
12、Sm: 40〜200 umのものであった。
即ち供試材jは、Si量、Si偏折率および表面粗度が
何れも本発明規定範囲内で、Siは0.0005%のも
のであり、エツチング穿孔時のムラ発生はまったくなく
ムラ品位は極めて優れており、しかもこの実施例の焼鈍
条件においても密着焼付は発生していない。
何れも本発明規定範囲内で、Siは0.0005%のも
のであり、エツチング穿孔時のムラ発生はまったくなく
ムラ品位は極めて優れており、しかもこの実施例の焼鈍
条件においても密着焼付は発生していない。
これに対し供試材tは、Si量、Slの偏析率および表
面粗度が本発明の規定範囲内のもので、Siが0.00
25%のものであり、エンチング穿孔時のムラ発生はな
いが、焼鈍時の密着焼付が一部で発生している。このよ
うに本発明の構成要件を満たす場合であっても焼鈍温度
が実施例1より高温となるような場合にはSiを低くす
ることにより密着焼付の発生を防止し得ることが理解さ
れる。
面粗度が本発明の規定範囲内のもので、Siが0.00
25%のものであり、エンチング穿孔時のムラ発生はな
いが、焼鈍時の密着焼付が一部で発生している。このよ
うに本発明の構成要件を満たす場合であっても焼鈍温度
が実施例1より高温となるような場合にはSiを低くす
ることにより密着焼付の発生を防止し得ることが理解さ
れる。
また供試材nはRaO面内異方性およびRkrの面内異
方性以外は本発明の規定範囲内のものであって、この材
料はエツチング穿孔時のムラ発生はなく、900℃の焼
鈍では密着焼付が発生していない。これに対し供試材m
は供試材nのフラットマスクを950℃で焼鈍した場合
であって、この場合は焼鈍時の密着焼付が発生している
。
方性以外は本発明の規定範囲内のものであって、この材
料はエツチング穿孔時のムラ発生はなく、900℃の焼
鈍では密着焼付が発生していない。これに対し供試材m
は供試材nのフラットマスクを950℃で焼鈍した場合
であって、この場合は焼鈍時の密着焼付が発生している
。
なお供試材に、lの各村も夫々Raの面内異方性、Rk
rO面内異方性以外は本発明の規定範囲内のものである
が、これらの材料でも950℃の焼鈍で密着焼付きが一
部に発生している。これらの供試材k、1、mに対し、
供試材jのものではRaO面内異方性およびRkrの面
内異方性も含め、すべてが本発明規定範囲内であって、
この場合には焼鈍温度が950℃でも密着焼付は発生し
ておらず、特にSmの面内異方性も本発明規定内にある
ことにより、エツチング穿孔時のムラ品位も極めて高い
レベルにあることは前述の通りである。
rO面内異方性以外は本発明の規定範囲内のものである
が、これらの材料でも950℃の焼鈍で密着焼付きが一
部に発生している。これらの供試材k、1、mに対し、
供試材jのものではRaO面内異方性およびRkrの面
内異方性も含め、すべてが本発明規定範囲内であって、
この場合には焼鈍温度が950℃でも密着焼付は発生し
ておらず、特にSmの面内異方性も本発明規定内にある
ことにより、エツチング穿孔時のムラ品位も極めて高い
レベルにあることは前述の通りである。
このように900℃で焼鈍密着が発生しない材料であっ
ても、焼鈍温度をより高温とする際にはRaおよびRk
rの面内異方性について適正化が必要である。
ても、焼鈍温度をより高温とする際にはRaおよびRk
rの面内異方性について適正化が必要である。
また供試材o、p、q、rはRQaのみが本発明規定外
のものである。供試材o、qは焼鈍温度が850℃の場
合であり、密着焼付は発生していないが、供試材p、r
は焼鈍温度が900℃の場合であり、密着焼付は一部で
発生している。これらに対して供試材SはRQaも含め
、すべての条件が本発明範囲内にある場合であり、90
0を焼鈍でも密着焼付は発生していない。このように、
同一のSiでも、RQaを本発明範囲内とすることによ
り密着焼付の発生する温度を高くすることができる。
のものである。供試材o、qは焼鈍温度が850℃の場
合であり、密着焼付は発生していないが、供試材p、r
は焼鈍温度が900℃の場合であり、密着焼付は一部で
発生している。これらに対して供試材SはRQaも含め
、すべての条件が本発明範囲内にある場合であり、90
0を焼鈍でも密着焼付は発生していない。このように、
同一のSiでも、RQaを本発明範囲内とすることによ
り密着焼付の発生する温度を高くすることができる。
「発明の効果」
以上説明したような本発明によるときは、エツチング穿
孔性に優れ、又穿孔時のムラ発生を的確に防止し、且つ
穿孔後のフラットマスクを焼鈍するに当っての密着焼付
をも適切に防止したFe−Ni系インバー合金のシャド
ウマスク用薄板を提供し、又その好ましい製造法を得し
めて高品位のフラットマスクを製造でき、かつ焼鈍時の
歩留りの向上、コストの低減の可能などがあげられ、そ
の経済的効果は大きいなど工業的に優れた発明である。
孔性に優れ、又穿孔時のムラ発生を的確に防止し、且つ
穿孔後のフラットマスクを焼鈍するに当っての密着焼付
をも適切に防止したFe−Ni系インバー合金のシャド
ウマスク用薄板を提供し、又その好ましい製造法を得し
めて高品位のフラットマスクを製造でき、かつ焼鈍時の
歩留りの向上、コストの低減の可能などがあげられ、そ
の経済的効果は大きいなど工業的に優れた発明である。
図面は本発明の技術的内容を示すものであって、第1図
はエツチング穿孔性、焼鈍時の密着焼付きとRa、 R
krの関係を示した図表、第2図はフラットマスクの焼
鈍密着性とSiの関係を焼鈍時フラットマスクの積層数
30枚の場合について示した図表、第3図は密着焼付き
を生じない臨界焼鈍温度とSi、RQaの関係を示した
図表、第4図、第5図はA !l 203− CaO−
MgO系三元状態図である。
はエツチング穿孔性、焼鈍時の密着焼付きとRa、 R
krの関係を示した図表、第2図はフラットマスクの焼
鈍密着性とSiの関係を焼鈍時フラットマスクの積層数
30枚の場合について示した図表、第3図は密着焼付き
を生じない臨界焼鈍温度とSi、RQaの関係を示した
図表、第4図、第5図はA !l 203− CaO−
MgO系三元状態図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、Si:0.01〜0.15wt%、Ni:34〜3
8wt%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物か
ら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマスクの多
数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマス
クの製造に供する該フラットマスクと実質上同等であり
、その表面粗度(Ra)が0.3〜0.8μm、粗さ曲
線の凸凹の平均間隔(Sm、以下単にSmと略す)が7
0〜160μmで、しかも粗さ曲線の高さ方向のとがり
指標であるクルトシス(Rkr)が3〜7で且つ(Ra
)≧−1/15(Rkr)+0.6 の条件を満足し、またエッチング直前での合金板の表面
におけるSiの成分偏析率 |偏析域の成分濃度−平均成分濃度/平均成分濃度|×
100が10%以下であることを特徴とするシャドウマ
スク用Fe−Ni合金薄板。 2、Si:0.01〜0.15wt%、Ni:34〜3
8wt%を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物か
ら成り、かつその合金鋼帯の板厚はフラットマスクの多
数枚を積み重ねて焼鈍処理する工程を含むシャドウマス
クの製造に供する該フラットマスクと実質上同等であり
、その表面粗度(Ra)が0.3〜0.8μm、(Sm
)が70〜160μmで、しかも粗さ曲線の高さ方向の
とがり指標であるクルトシス(Rkr)が3〜7で且つ
(Ra)≧−1/15(Rkr)+0.6 且つ、粗さ曲線の平均傾斜角(RQa)が0.03〜0
.05の条件を満足し、またエッチング直前での合金板
の表面におけるSiの成分偏析率 |偏析域の成分濃度−平均成分濃度/平均成分濃度×1
00が10%以下であることを特徴とするシャドウマス
ク用Fe−Ni合金薄板。 3、請求項1の成分および表面粗度を有し、しかも該表
面粗度の異方性が、下記式、 |Ra(L)−Ra(c)|≦0.1μm |Rkr(L)−Rkr(c)|≦0.5 |Sm(L)−Sm(c)|≦5μm 但しRa(L)、Rkr(L)、Sm(L)は圧延方向
における測定値で、Ra(c)、Rkr(c)、Sm(
c)は圧延方向と垂直な方向における測定値である。 の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用F
e−Ni合金薄板。 4、請求項2の成分および表面粗度を有し、しかも該表
面粗度の異方性が、下記式、 |Ra(L)−Ra(c)|≦0.1μm |Rkr(L)−Rkr(c)|≦0.5 |Sm(L)−Sm(c)|≦5μm 但しRa(L)、Rkr(L)、Sm(L)は圧延方向
における測定値で、Ra(c)、Rkr(c)、Sm(
c)は圧延方向と垂直な方向における測定値である。 の関係を満足することを特徴とするシャドウマスク用F
e−Ni合金薄板。 5、請求項1の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
項1の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。 6、請求項1の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
項2の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。 7、請求項1の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
項3の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。 8、請求項1の成分を有する薄板を製造するに当り、そ
の最終冷延または調質圧延時にダルロールを用い、請求
項4の表面粗度を該薄板の表面に付与することを特徴と
するシャドウマスク用Fe−Ni合金薄板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218946A JPH07116559B2 (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | シャドウマスク用Fe―Ni合金薄板およびその製造方法 |
| US07/723,923 US5127965A (en) | 1990-07-17 | 1991-07-01 | Fe-ni alloy sheet for shadow mask and method for manufacturing same |
| DE4123567A DE4123567C2 (de) | 1990-07-17 | 1991-07-16 | Fe-Ni-Legierungsblech für Lochmasken und Verfahren zu seiner Herstellung |
| KR1019910012099A KR930009412B1 (ko) | 1990-07-17 | 1991-07-16 | 섀도우 마스크용 Fe-Ni계 합금 박판 및 그 제조방법 |
| FR9109047A FR2664908A1 (fr) | 1990-07-17 | 1991-07-17 | Feuille d'alliage fer-nickel pour masque de tube de television. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2218946A JPH07116559B2 (ja) | 1990-08-22 | 1990-08-22 | シャドウマスク用Fe―Ni合金薄板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103744A true JPH04103744A (ja) | 1992-04-06 |
| JPH07116559B2 JPH07116559B2 (ja) | 1995-12-13 |
Family
ID=16727812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2218946A Expired - Fee Related JPH07116559B2 (ja) | 1990-07-17 | 1990-08-22 | シャドウマスク用Fe―Ni合金薄板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07116559B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649598A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-02-22 | Nkk Corp | 黒化処理性に優れたシャドウマスク用Fe−Ni系およびFe−Ni−Co系合金薄板 |
| JPH06316775A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-15 | Toyo Kohan Co Ltd | 色選別電極用素材およびその製造法 |
| JP2016135505A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 日立金属株式会社 | Fe−Ni系合金薄板の製造方法 |
| JP2017064763A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日立金属株式会社 | Fe−Ni系合金薄板の製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139344A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Toshiba Corp | シャドウマスク |
| JPS62238003A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-19 | Nisshin Steel Co Ltd | シャドウマスクの製造法 |
| JPS62243782A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-24 | Nippon Mining Co Ltd | シヤドウマスク用金属薄板の製造方法 |
| JPS6452022A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-28 | Nippon Mining Co | Production of shadow mask material |
| JPH01252725A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Nippon Steel Corp | シャドウマスク用のFe−Ni合金板の製造方法 |
| JPH03193846A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-23 | Nippon Mining Co Ltd | シャドウマスク |
| JPH03193847A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-23 | Nippon Mining Co Ltd | シャドウマスク |
-
1990
- 1990-08-22 JP JP2218946A patent/JPH07116559B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6139344A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-25 | Toshiba Corp | シャドウマスク |
| JPS62238003A (ja) * | 1986-04-07 | 1987-10-19 | Nisshin Steel Co Ltd | シャドウマスクの製造法 |
| JPS62243782A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-24 | Nippon Mining Co Ltd | シヤドウマスク用金属薄板の製造方法 |
| JPS6452022A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-28 | Nippon Mining Co | Production of shadow mask material |
| JPH01252725A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Nippon Steel Corp | シャドウマスク用のFe−Ni合金板の製造方法 |
| JPH03193846A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-23 | Nippon Mining Co Ltd | シャドウマスク |
| JPH03193847A (ja) * | 1989-12-22 | 1991-08-23 | Nippon Mining Co Ltd | シャドウマスク |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0649598A (ja) * | 1992-01-31 | 1994-02-22 | Nkk Corp | 黒化処理性に優れたシャドウマスク用Fe−Ni系およびFe−Ni−Co系合金薄板 |
| JPH06316775A (ja) * | 1993-04-28 | 1994-11-15 | Toyo Kohan Co Ltd | 色選別電極用素材およびその製造法 |
| JP2016135505A (ja) * | 2015-01-20 | 2016-07-28 | 日立金属株式会社 | Fe−Ni系合金薄板の製造方法 |
| JP2017064763A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日立金属株式会社 | Fe−Ni系合金薄板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07116559B2 (ja) | 1995-12-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |