JPH04103751A - ＴｉＢ↓２皮膜形成方法及びＴｉＢ↓２皮膜 - Google Patents
ＴｉＢ↓２皮膜形成方法及びＴｉＢ↓２皮膜Info
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- JPH04103751A JPH04103751A JP2219497A JP21949790A JPH04103751A JP H04103751 A JPH04103751 A JP H04103751A JP 2219497 A JP2219497 A JP 2219497A JP 21949790 A JP21949790 A JP 21949790A JP H04103751 A JPH04103751 A JP H04103751A
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Landscapes
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、成型しにくかったＴｉＢ２（ホウ化チタン）
を材料として利用すべく皮膜として得るだめのＴｉＢ２
皮膜形成方法、及び特にアルミニウム又はアルミニウム
合金（以下、総称してアルミニウムと呼ぶ）からなる基
体表面に形成されたＴ ｉ Ｂ ２皮膜に関するもので
ある。
を材料として利用すべく皮膜として得るだめのＴｉＢ２
皮膜形成方法、及び特にアルミニウム又はアルミニウム
合金（以下、総称してアルミニウムと呼ぶ）からなる基
体表面に形成されたＴ ｉ Ｂ ２皮膜に関するもので
ある。
（従来技術及びその問題点）
金属ホウ化物の一種であるＴ Ｉ Ｂ ２は、高融点で
電気伝導性を有し、硬く、耐酸化性に優れている。その
ため耐摩耗性材料、電極材料、耐食材料、耐熱材料等と
して利用しようとする要望が強かった。
電気伝導性を有し、硬く、耐酸化性に優れている。その
ため耐摩耗性材料、電極材料、耐食材料、耐熱材料等と
して利用しようとする要望が強かった。
しかしＴ ＩＢ ２は焼結では緻密な成型体が得られに
＜＜、材料としては充分に利用されていなかった。
＜＜、材料としては充分に利用されていなかった。
（発明の目的）
本発明は、Ｔ ｓ Ｂ ２を種々の機能材料として利用
すべく皮膜として得ることのできるＴ ｉ Ｂ ２皮膜
形成方法、及び特にアルミニウムからなる基体表面に形
成されたＴ Ｉ Ｂ ２皮膜を提供することを目的とす
る。
すべく皮膜として得ることのできるＴ ｉ Ｂ ２皮膜
形成方法、及び特にアルミニウムからなる基体表面に形
成されたＴ Ｉ Ｂ ２皮膜を提供することを目的とす
る。
（目的を達成するための手段）
本発明のＴ ｉ Ｂ ２皮膜形成方法は、Ｔｉ粉末１モ
ルに対しＢ粉末を１．１〜２モルの割合で用い、両粉末
を混合し、不活性雰囲気中にて上記混合粉を基体表面に
プラズマ溶射して基体表面にＴｉＢ２皮膜を形成するこ
とを特徴とするものであり、更には基体としてアルミニ
ウムを用いるものである。また本発明のＴ ｉＢ ２皮
膜は、アルミニウムからなる基体表面に形成されたＴ
ｉＢ ２皮膜であって、基体と皮膜との界面が混じり合
っていることを特徴とするものである。
ルに対しＢ粉末を１．１〜２モルの割合で用い、両粉末
を混合し、不活性雰囲気中にて上記混合粉を基体表面に
プラズマ溶射して基体表面にＴｉＢ２皮膜を形成するこ
とを特徴とするものであり、更には基体としてアルミニ
ウムを用いるものである。また本発明のＴ ｉＢ ２皮
膜は、アルミニウムからなる基体表面に形成されたＴ
ｉＢ ２皮膜であって、基体と皮膜との界面が混じり合
っていることを特徴とするものである。
第１図は本発明において用いるプラズマ溶射装置の一例
を示す概略図である。図において、１０はプラズマ溶射
を行なう装置本体、２０は排気装置、３０は冷却装置、
４０は粉末供給装置、５０はガス制御装置、６０は電源
である。装置本体１０において、壁が二重構造となって
いるチャンバ１１内には、プラズマを発生するガン１２
と、基板１３と、基板１３を保持するホルダー１４とが
設置されており、またチャンバー１１には真空計１５が
取付けられている。排気装置２０は、チャンバー１１に
一端が連通し他端が大気に開放された管２１に、チャン
バー１１側から順に排気冷却装置２２、ダストフィルタ
２３、ボールバルブ２４、ビラニー真空計２５及びリー
ク弁２６、油回転真空ポンプ２７、オイルミストトラッ
プ２８が介設されて構成されている。冷却装置３０にお
いて、冷却水を保持するタンク３１には冷却水を送給す
る通路が連結されており、その通路はガン１２に冷却水
を送る第１通路３２、チャンバー１１の二重壁の間に冷
却水を送る第２通路３３、基板１３を冷却するためホル
ダー１４に冷却水を送る第３通路３４、排気冷却装置２
２に冷却水を送る第４通路３５で構成されている。粉末
供給装置４０において、Ｔｉ粉末とＢ粉末とが貯められ
るタンク４１には、タンク４１内を減圧するための小型
真空ポンプ４２と真空計４３とが連結されている。また
タンク４１からは粉末供給通路４４か延びており、その
先端はガン１２のプラズマ発射部近傍に位置している。
を示す概略図である。図において、１０はプラズマ溶射
を行なう装置本体、２０は排気装置、３０は冷却装置、
４０は粉末供給装置、５０はガス制御装置、６０は電源
である。装置本体１０において、壁が二重構造となって
いるチャンバ１１内には、プラズマを発生するガン１２
と、基板１３と、基板１３を保持するホルダー１４とが
設置されており、またチャンバー１１には真空計１５が
取付けられている。排気装置２０は、チャンバー１１に
一端が連通し他端が大気に開放された管２１に、チャン
バー１１側から順に排気冷却装置２２、ダストフィルタ
２３、ボールバルブ２４、ビラニー真空計２５及びリー
ク弁２６、油回転真空ポンプ２７、オイルミストトラッ
プ２８が介設されて構成されている。冷却装置３０にお
いて、冷却水を保持するタンク３１には冷却水を送給す
る通路が連結されており、その通路はガン１２に冷却水
を送る第１通路３２、チャンバー１１の二重壁の間に冷
却水を送る第２通路３３、基板１３を冷却するためホル
ダー１４に冷却水を送る第３通路３４、排気冷却装置２
２に冷却水を送る第４通路３５で構成されている。粉末
供給装置４０において、Ｔｉ粉末とＢ粉末とが貯められ
るタンク４１には、タンク４１内を減圧するための小型
真空ポンプ４２と真空計４３とが連結されている。また
タンク４１からは粉末供給通路４４か延びており、その
先端はガン１２のプラズマ発射部近傍に位置している。
ガス制御装置５０は、タンク４１内のＴｉ及びＢの粉末
を通路４４を通して供給するための不活性ガスを送給す
る第１制御部５１、プラズマガスとして用いられる不活
性ガスを送給する第２制御部５２、及びチャンバー１１
内を不活性雰囲気とするための不活性ガスを送給する第
３制御部５３を備えている。電源６０はガン１２に接続
されている。
を通路４４を通して供給するための不活性ガスを送給す
る第１制御部５１、プラズマガスとして用いられる不活
性ガスを送給する第２制御部５２、及びチャンバー１１
内を不活性雰囲気とするための不活性ガスを送給する第
３制御部５３を備えている。電源６０はガン１２に接続
されている。
上記装置を用いた基板１３表面へのＴ ＩＢ ２皮膜の
形成は次のように行なう。まずＴｉ粉末とＢ粉末を、混
合した後に粉末供給装置４０のタンク４１内に投入する
。この混合は単に混ぜるだけでもよいが、第２図に示す
写真及びその写真を模式的に示す第３図に示すように、
ホソカワミクロン株式会社のメカノフュージョン処理に
よってＴｉ粉末工の凹凸のある表面１ａにＢ粉末２を入
り込ませ、更にＴｉ粉末１をＢ粉末２で被覆させるよう
に混合するのが好ましい。次に排気装置２０のポンプ２
７によりチャンバー１１内を１ ｔｏｒｒ以下とした後
、第３制御部５３によりチャンバー１１内に不活性ガス
を供給してチャンバー１１内をプラズマ溶射に適した圧
に戻す。一般には１００〜７６０ ｔｏｒｒとする。一
方、粉末供給装置４０においても、タンク４１内をポン
プ４２により減圧した後、第１制御部５１によりタンク
４１内に不活性ガスを供給して充満させる。電源６０を
オンし且つ第２制御部５２によりプラズマガスを供給し
てガン１２から基板１３にプラズマを照射すると同時に
、タンク４１から通路４４を通してＴｉとＢの混合粉末
をプラズマ内に供給する。
形成は次のように行なう。まずＴｉ粉末とＢ粉末を、混
合した後に粉末供給装置４０のタンク４１内に投入する
。この混合は単に混ぜるだけでもよいが、第２図に示す
写真及びその写真を模式的に示す第３図に示すように、
ホソカワミクロン株式会社のメカノフュージョン処理に
よってＴｉ粉末工の凹凸のある表面１ａにＢ粉末２を入
り込ませ、更にＴｉ粉末１をＢ粉末２で被覆させるよう
に混合するのが好ましい。次に排気装置２０のポンプ２
７によりチャンバー１１内を１ ｔｏｒｒ以下とした後
、第３制御部５３によりチャンバー１１内に不活性ガス
を供給してチャンバー１１内をプラズマ溶射に適した圧
に戻す。一般には１００〜７６０ ｔｏｒｒとする。一
方、粉末供給装置４０においても、タンク４１内をポン
プ４２により減圧した後、第１制御部５１によりタンク
４１内に不活性ガスを供給して充満させる。電源６０を
オンし且つ第２制御部５２によりプラズマガスを供給し
てガン１２から基板１３にプラズマを照射すると同時に
、タンク４１から通路４４を通してＴｉとＢの混合粉末
をプラズマ内に供給する。
なお不活性ガスとしては例えばアルゴンガスを用いるこ
とができる。またプラズマ照射の対象物としては基板１
３のような板に限らず、その他の形状のものでもよく、
対象物の材質としては例えばアルミニウム、鋼、チタン
等を用いることができる。
とができる。またプラズマ照射の対象物としては基板１
３のような板に限らず、その他の形状のものでもよく、
対象物の材質としては例えばアルミニウム、鋼、チタン
等を用いることができる。
（作用）
プラズマ溶射される際、Ｔ１とＢは次式に示すように自
己発熱反応を起してＴ Ｉ Ｂ ２へと変化し、基体表
面にはＴ ｉＢ ２皮膜が形成される。
己発熱反応を起してＴ Ｉ Ｂ ２へと変化し、基体表
面にはＴ ｉＢ ２皮膜が形成される。
Ｔｉ＋Ｂ −一→Ｔ Ｉ Ｂ ２ ＋ ５３９ Ｋ
Ｊ基体としてアルミニウムを用いた場合には、ブラズマ
溶射の際に生じた熱によりアルミニウム表面が溶ける。
Ｊ基体としてアルミニウムを用いた場合には、ブラズマ
溶射の際に生じた熱によりアルミニウム表面が溶ける。
このため、形成されたＴｉＢっ皮膜とアルミニウム基体
との界面は混じり合うこととなり、Ｔ Ｉ Ｂ ２皮膜
はアルミニウム基体に対して大きな機械的強度でもって
接合する。
との界面は混じり合うこととなり、Ｔ Ｉ Ｂ ２皮膜
はアルミニウム基体に対して大きな機械的強度でもって
接合する。
（発明の効果）
本発明のＴ Ｉ Ｂ ２皮膜形成方法によれば、基体表
面にＴ ｒ Ｂ ２皮膜を形成することができる。従っ
てＴ ｉ Ｂ ２を皮膜材料として用いることによって
ＴｉＢ２の特質を生かした製品を得ることができる。特
にＴ ＩＢ ２は高強度材料としては比重が最も小さい
部類に属するので、基体としてアルミニウムを用いるこ
とにより、比強度の高い機能性複合材料を形成すること
ができる。このような材料は周知の如く、航空機、自動
車、ロボット等の産業機械の分野で待望されているもの
である。
面にＴ ｒ Ｂ ２皮膜を形成することができる。従っ
てＴ ｉ Ｂ ２を皮膜材料として用いることによって
ＴｉＢ２の特質を生かした製品を得ることができる。特
にＴ ＩＢ ２は高強度材料としては比重が最も小さい
部類に属するので、基体としてアルミニウムを用いるこ
とにより、比強度の高い機能性複合材料を形成すること
ができる。このような材料は周知の如く、航空機、自動
車、ロボット等の産業機械の分野で待望されているもの
である。
また本発明のＴ ｉＢ ２皮膜によれば、Ｔ Ｉ Ｂ
２皮膜とアルミニウム基体表面との界面が混じり合って
いるので、Ｔ Ｉ Ｂ ２皮膜はアルミニウム基体に大
きな機械的強度でもって接合している。
２皮膜とアルミニウム基体表面との界面が混じり合って
いるので、Ｔ Ｉ Ｂ ２皮膜はアルミニウム基体に大
きな機械的強度でもって接合している。
（実施例）
第］実施例
粒径３８〜４４μｍのＴｉ粉末１モルに対して平均粒径
０．８５μｍのＢ粉末を１．１４モルの割合で用い、ホ
ソカワミクロン株式会社のメカノフュージョン処理装置
によって両粉末を第２図及び第３図に示すように混合し
た。この混合粉末を第１図に示すプラズマ溶射装置によ
りアルミニウムからなる基板表面にプラズマ溶射した。
０．８５μｍのＢ粉末を１．１４モルの割合で用い、ホ
ソカワミクロン株式会社のメカノフュージョン処理装置
によって両粉末を第２図及び第３図に示すように混合し
た。この混合粉末を第１図に示すプラズマ溶射装置によ
りアルミニウムからなる基板表面にプラズマ溶射した。
プラズマ溶射の条件としては、プラズマガスにアルゴン
を用い、ガス流量３５ｇ／ｍｉｎ、電流８００ Ａ、電
圧２８Ｖ、溶射距離７０ｍｍとした。
を用い、ガス流量３５ｇ／ｍｉｎ、電流８００ Ａ、電
圧２８Ｖ、溶射距離７０ｍｍとした。
これにより第４図（写真）に示す断面のＴｉＢ膜、１３
ａはアルミニウムからなる基板であり、矢印Ａ側は皮膜
表面を示す。第５図はＴ ｒ、 Ｂ ２皮膜５のＸ線回
折図である。第５図において、ａはＴ ｉ Ｂ ２を示
すピーク、ｂはＴｉを示すピークである。第５図から明
らかなように、本実施例で得られた皮膜はＴｉＢ２を含
有したＴｉＢ”皮膜である。また第７図（写真）ないし
第９図（写真）は第６図（第４図の一部拡大図（写真）
）に示す部分のＸ線マイクロアナライザによる分析図で
あり、第７図はＢの分布を示し、第８図はＴｉの分布を
示し、第９図はＡ、９の分布を示す。なお各分布は白い
点で示されている。これからは、Ｂは皮膜表面側に多く
存在し、Ｔｉはその逆であることがわかる。従ってこの
Ｔ ｉＢ ２皮膜５は傾斜組成のものである。第１１図
（写真）及び第１２図（写真）は第１０図（第４図の一
部拡大図（写真））に示す部分を白線の部分でＥＰ分析
した分布図である。第１１図はＴｉとＢとが界面Ｃで混
じり合っていることを示しており、これから第１２図に
おいて、Ｔｉ及びＢが界面ＣでＡＩ！と混じり合ってい
ることがわかる。第１３図（写真）は第１０図のＴ ｉ
Ｂ ２皮膜５とアルミニウム基板１３ａ表面との界面
を拡大して示す図であり、第１４図（写真）ないし第１
６図（写真）は第１３図に示ス部分のＸ線マイクロアナ
ライザによる分析図であり、第１４図はＢの分布を示し
、第１５図はＴｉの分布を示し、第１６図はＡ、Ｑの分
布を示す。
ａはアルミニウムからなる基板であり、矢印Ａ側は皮膜
表面を示す。第５図はＴ ｒ、 Ｂ ２皮膜５のＸ線回
折図である。第５図において、ａはＴ ｉ Ｂ ２を示
すピーク、ｂはＴｉを示すピークである。第５図から明
らかなように、本実施例で得られた皮膜はＴｉＢ２を含
有したＴｉＢ”皮膜である。また第７図（写真）ないし
第９図（写真）は第６図（第４図の一部拡大図（写真）
）に示す部分のＸ線マイクロアナライザによる分析図で
あり、第７図はＢの分布を示し、第８図はＴｉの分布を
示し、第９図はＡ、９の分布を示す。なお各分布は白い
点で示されている。これからは、Ｂは皮膜表面側に多く
存在し、Ｔｉはその逆であることがわかる。従ってこの
Ｔ ｉＢ ２皮膜５は傾斜組成のものである。第１１図
（写真）及び第１２図（写真）は第１０図（第４図の一
部拡大図（写真））に示す部分を白線の部分でＥＰ分析
した分布図である。第１１図はＴｉとＢとが界面Ｃで混
じり合っていることを示しており、これから第１２図に
おいて、Ｔｉ及びＢが界面ＣでＡＩ！と混じり合ってい
ることがわかる。第１３図（写真）は第１０図のＴ ｉ
Ｂ ２皮膜５とアルミニウム基板１３ａ表面との界面
を拡大して示す図であり、第１４図（写真）ないし第１
６図（写真）は第１３図に示ス部分のＸ線マイクロアナ
ライザによる分析図であり、第１４図はＢの分布を示し
、第１５図はＴｉの分布を示し、第１６図はＡ、Ｑの分
布を示す。
なお各分布は白い点で示されている。これからもＴｉ及
びＢか界面でＡｊｌｌと混じり合っていることがわかる
。
びＢか界面でＡｊｌｌと混じり合っていることがわかる
。
以上のように本実施例によれば、Ｔｉ粉末とＢ粉末とを
第２図及び第３図のように混合してプラズマ溶射したの
で、気泡のない緻密な構造のＴｌＢ２皮膜５を得ること
かできた。しかもアルミニウムからなる基板１３ａ表面
に溶射したので、基板１３ａと強く接合したＴ ｉＢ
２皮膜５を得ることができた。
第２図及び第３図のように混合してプラズマ溶射したの
で、気泡のない緻密な構造のＴｌＢ２皮膜５を得ること
かできた。しかもアルミニウムからなる基板１３ａ表面
に溶射したので、基板１３ａと強く接合したＴ ｉＢ
２皮膜５を得ることができた。
第２実施例
粒径１０〜４４μｍのＴｉ粉末１モルに対して粒径５〜
２００μｍのＢ粉末を２モルの割合で用い、両粉末を単
に混ぜるだけで混合した。この混合粉末を第１図に示す
プラズマ溶射装置により鋼製の基板表面にプラズマ溶射
した。プラズマ溶射の条件としては、プラズマガスにア
ルゴンを用い、ガス流量３５Ｎ ／ｗｉｎ 、電流６０
０−８０ＯＡ。
２００μｍのＢ粉末を２モルの割合で用い、両粉末を単
に混ぜるだけで混合した。この混合粉末を第１図に示す
プラズマ溶射装置により鋼製の基板表面にプラズマ溶射
した。プラズマ溶射の条件としては、プラズマガスにア
ルゴンを用い、ガス流量３５Ｎ ／ｗｉｎ 、電流６０
０−８０ＯＡ。
電圧２８Ｖ１溶射距離７０ｍｍとした。
これにより第１７図（写真）に示す断面のＴｉＢ２皮膜
か得られた。第１７図において、５ａはＴ Ｉ Ｂ ２
皮膜、１３ｂは鋼製の基板である。第１８図はＴ ＩＢ
２皮膜５ａのＸ線回折図である。第】８図において、
ａはＴ ｒ Ｂ ２を示すピーク、ｂはＴｉを示すピー
クである。第１８図から明らかなように、本実施例で得
られた皮膜はＴ ｉＢ ２を含有したＴ Ｉ Ｂ ２皮
膜である。
か得られた。第１７図において、５ａはＴ Ｉ Ｂ ２
皮膜、１３ｂは鋼製の基板である。第１８図はＴ ＩＢ
２皮膜５ａのＸ線回折図である。第】８図において、
ａはＴ ｒ Ｂ ２を示すピーク、ｂはＴｉを示すピー
クである。第１８図から明らかなように、本実施例で得
られた皮膜はＴ ｉＢ ２を含有したＴ Ｉ Ｂ ２皮
膜である。
第１図は本発明のＴ ｉＢ ２皮膜形成方法で用いるプ
ラズマ溶射装置の一例を示す概略図、第２図はＴ１粉末
とＢ粉末との混合状態を示すための図面に代わる写真、
第３図は第２図を模式的に示した図、第４図は第１実施
例で得られたＴｉＢ２皮膜の断面を示す図面に代わる写
真、第５図は第４図のＴ ｉ Ｂ ２皮膜のＸ線回折図
、第６図は第４図を一部拡大して示す図面に代わる写真
、第７図ないし第９図は第６図に示す部分のＸ線マイク
ロアナライザによる分析図に代わる写真であり、第７図
はＢの分布、第８図はＴ１の分布、第９図はＡｇの分布
を示す。第１０図は第４図を一部拡大して示す図面に代
わる写真、第１１図及び第１２図は第１０図に示す部分
を白線の部分でＥＰ分析して得た分布図に代わる写真、
第１３図は第１０図のＴｉ８つ皮膜とアルミニウム基板
との界面を拡大して示す図面に代わる写真、第１４図な
いし第１６図は第１３図に示す部分のＸ線マイクロアナ
ライザによる分析図に代わる写真であり、第１４図はＢ
の分布、第１５図はＴｉの分布、第１６図はＡｇの分布
を示す。第１７図は第２実施例で得られたＴ ｉ Ｂ
２皮膜の断面を示す図面に代わる写真、第１８図は第１
７図のＴ ｉＢ ２皮膜のＸ線回折図である。］−・・
・Ｔｉ粉末、２・・・Ｂ粉末、５．５ａ・・・Ｔ Ｉ
Ｂ ２皮膜、１３ａ・・・アルミニウム基板、１３ｂ・
・・鋼製基板 特許出願人 日本アルミニウム工業株式会社工業技術院 第２図 第５図 ａ ＴｉＢ２ Ｔｌ 第６図 −〇、ｒウノ 第 ３図 第ト■ｌ 第１− １スＩ 第；ｉ、 １ツ１ 手続補正書（方式） 平成 ２年１２月１２日
ラズマ溶射装置の一例を示す概略図、第２図はＴ１粉末
とＢ粉末との混合状態を示すための図面に代わる写真、
第３図は第２図を模式的に示した図、第４図は第１実施
例で得られたＴｉＢ２皮膜の断面を示す図面に代わる写
真、第５図は第４図のＴ ｉ Ｂ ２皮膜のＸ線回折図
、第６図は第４図を一部拡大して示す図面に代わる写真
、第７図ないし第９図は第６図に示す部分のＸ線マイク
ロアナライザによる分析図に代わる写真であり、第７図
はＢの分布、第８図はＴ１の分布、第９図はＡｇの分布
を示す。第１０図は第４図を一部拡大して示す図面に代
わる写真、第１１図及び第１２図は第１０図に示す部分
を白線の部分でＥＰ分析して得た分布図に代わる写真、
第１３図は第１０図のＴｉ８つ皮膜とアルミニウム基板
との界面を拡大して示す図面に代わる写真、第１４図な
いし第１６図は第１３図に示す部分のＸ線マイクロアナ
ライザによる分析図に代わる写真であり、第１４図はＢ
の分布、第１５図はＴｉの分布、第１６図はＡｇの分布
を示す。第１７図は第２実施例で得られたＴ ｉ Ｂ
２皮膜の断面を示す図面に代わる写真、第１８図は第１
７図のＴ ｉＢ ２皮膜のＸ線回折図である。］−・・
・Ｔｉ粉末、２・・・Ｂ粉末、５．５ａ・・・Ｔ Ｉ
Ｂ ２皮膜、１３ａ・・・アルミニウム基板、１３ｂ・
・・鋼製基板 特許出願人 日本アルミニウム工業株式会社工業技術院 第２図 第５図 ａ ＴｉＢ２ Ｔｌ 第６図 −〇、ｒウノ 第 ３図 第ト■ｌ 第１− １スＩ 第；ｉ、 １ツ１ 手続補正書（方式） 平成 ２年１２月１２日
Claims (3)
- （１）Ｔｉ粉末１モルに対しＢ粉末を１．１〜２モルの
割合で用い、両粉末を混合し、不活性雰囲気中にて上記
混合粉を基体表面にプラズマ溶射して基体表面にＴｉＢ
＿２皮膜を形成することを特徴とするＴｉＢ＿２皮膜形
成方法。 - （２）基体としてアルミニウム又はアルミニウム合金を
用いる特許請求の範囲第１項記載のＴｉＢ＿２皮膜形成
方法。 - （３）アルミニウム又はアルミニウム合金からなる基体
表面に形成されたＴｉＢ＿２皮膜であって、基体と皮膜
との界面が混じり合っていることを特徴とするＴｉＢ＿
２皮膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219497A JPH0730434B2 (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | ＴｉＢ▲下２▼皮膜形成方法及びＴｉＢ▲下２▼皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2219497A JPH0730434B2 (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | ＴｉＢ▲下２▼皮膜形成方法及びＴｉＢ▲下２▼皮膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04103751A true JPH04103751A (ja) | 1992-04-06 |
| JPH0730434B2 JPH0730434B2 (ja) | 1995-04-05 |
Family
ID=16736381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2219497A Expired - Lifetime JPH0730434B2 (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | ＴｉＢ▲下２▼皮膜形成方法及びＴｉＢ▲下２▼皮膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0730434B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998045498A1 (de) * | 1997-04-08 | 1998-10-15 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Trägerkörper mit einer schutzbeschichtung |
| JP2005305376A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | National Maritime Research Institute | マーキング方法 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2219497A patent/JPH0730434B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998045498A1 (de) * | 1997-04-08 | 1998-10-15 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Trägerkörper mit einer schutzbeschichtung |
| AU740009B2 (en) * | 1997-04-08 | 2001-10-25 | Sgl Carbon Ag | Support body with a protective coating |
| US6428885B1 (en) | 1997-04-08 | 2002-08-06 | Aventis Research & Technologies Gmbh & Co Kg | Substrate body with a protective coating |
| JP2005305376A (ja) * | 2004-04-26 | 2005-11-04 | National Maritime Research Institute | マーキング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0730434B2 (ja) | 1995-04-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |