JPH04104131A - 半導体光増幅装置 - Google Patents
半導体光増幅装置Info
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- JPH04104131A JPH04104131A JP22155490A JP22155490A JPH04104131A JP H04104131 A JPH04104131 A JP H04104131A JP 22155490 A JP22155490 A JP 22155490A JP 22155490 A JP22155490 A JP 22155490A JP H04104131 A JPH04104131 A JP H04104131A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title claims abstract description 13
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 21
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 13
- 239000000835 fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 1
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は信号光の偏光に伴う利得差を制御した半導体光
増幅装置に関する。
増幅装置に関する。
近年、動的単一モードで発振するDFB−LD(分布帰
還型レーザダイオード)の発展とともに、幹線系光通信
システムにおける中継器間隔の長距離化、高速直接変調
による大容量化が進行中である。このうち、中継器間隔
の長距離化についてはDFB−LDの高出力化やInG
aAs−APDの高感度化等の個々のデバイスの高性能
化が検討されているが、高速直接変調を実現した上での
性能の向上には限界がある。このため、昨今では半導体
光増幅装置や光フアイバ増幅装置、あるいは外部変調器
等を用いた新しい光通信システムの研究が盛んに行なわ
れている。なかでも、半導体光増幅装置を用いた光通信
システムは、いくつかの特性上での問題点を持つものの
、その構造および製造方法が従来の半導体レーザに近く
、実装上あるいは信頼性上の技術的な礎が存在するため
に、実用化がかなり近い光通信方式である。
還型レーザダイオード)の発展とともに、幹線系光通信
システムにおける中継器間隔の長距離化、高速直接変調
による大容量化が進行中である。このうち、中継器間隔
の長距離化についてはDFB−LDの高出力化やInG
aAs−APDの高感度化等の個々のデバイスの高性能
化が検討されているが、高速直接変調を実現した上での
性能の向上には限界がある。このため、昨今では半導体
光増幅装置や光フアイバ増幅装置、あるいは外部変調器
等を用いた新しい光通信システムの研究が盛んに行なわ
れている。なかでも、半導体光増幅装置を用いた光通信
システムは、いくつかの特性上での問題点を持つものの
、その構造および製造方法が従来の半導体レーザに近く
、実装上あるいは信頼性上の技術的な礎が存在するため
に、実用化がかなり近い光通信方式である。
ところで、通常半導体光増幅装置に用いる半導体光増幅
器は横モードの制御に半導体光増幅器内に長方形の導波
路を形成しているために、信号光の利得に偏光依存性を
持っている。また信号光の偏光は温度等の外部条件に従
って変動し、つねに一定の偏光を保持していることは非
常に困難である。したがって、半導体光増幅器の偏光に
ともなう利得差の制御を行なわないと信号光の偏光の変
動に伴って半導体光増幅器の出力が変動し、安定した光
通信が行なえない。このような半導体光増幅器の偏光に
ともなう利得差を制御するには、次のような2つの半導
体光増幅装置がある。
器は横モードの制御に半導体光増幅器内に長方形の導波
路を形成しているために、信号光の利得に偏光依存性を
持っている。また信号光の偏光は温度等の外部条件に従
って変動し、つねに一定の偏光を保持していることは非
常に困難である。したがって、半導体光増幅器の偏光に
ともなう利得差の制御を行なわないと信号光の偏光の変
動に伴って半導体光増幅器の出力が変動し、安定した光
通信が行なえない。このような半導体光増幅器の偏光に
ともなう利得差を制御するには、次のような2つの半導
体光増幅装置がある。
1つは、2つの直列した半導体光増幅器を配し、2つの
半導体光増幅器の間で信号光を90°旋光させるという
半導体光増幅装置である。第3図に2つの直列した半導
体光増幅器34a、34bを用いた従来の半導体光増幅
器W30の構成図を示す。半導体レーザや駆動回路を含
む信号の送信器31から出力された変調信号は長尺の光
ファイバ32を伝送され半導体光増幅装置30にいたる
。
半導体光増幅器の間で信号光を90°旋光させるという
半導体光増幅装置である。第3図に2つの直列した半導
体光増幅器34a、34bを用いた従来の半導体光増幅
器W30の構成図を示す。半導体レーザや駆動回路を含
む信号の送信器31から出力された変調信号は長尺の光
ファイバ32を伝送され半導体光増幅装置30にいたる
。
半導体光増幅装置30では伝送によって生じた信号光の
損失が半導体光増幅器34aにより増幅され、90’の
旋光を生じさせるように固定されたファラデ回転子35
によって信号光は90°の旋光を受けたのち、再び半導
体光増幅器34bに入射され増幅される。こうして2度
の増幅を受けた信号光は長尺の光ファイバ38を伝送さ
れ受信部39にいたり、端局あるいは中継器を構成する
。
損失が半導体光増幅器34aにより増幅され、90’の
旋光を生じさせるように固定されたファラデ回転子35
によって信号光は90°の旋光を受けたのち、再び半導
体光増幅器34bに入射され増幅される。こうして2度
の増幅を受けた信号光は長尺の光ファイバ38を伝送さ
れ受信部39にいたり、端局あるいは中継器を構成する
。
このようにすれば半導体光増幅器のもつ偏光にともなう
利得差を2つの半導体光増幅器で相殺して超長距離光フ
アイバ伝送を行ない、中継器間隔の長距離化を実現する
ことが可能になるが、用いる2つの半導体光増幅器のフ
ァイバ間利得と偏光にともなう利得差が精度よく一致し
ていることが必要である。
利得差を2つの半導体光増幅器で相殺して超長距離光フ
アイバ伝送を行ない、中継器間隔の長距離化を実現する
ことが可能になるが、用いる2つの半導体光増幅器のフ
ァイバ間利得と偏光にともなう利得差が精度よく一致し
ていることが必要である。
もう1つは、あらかじめ信号光を直交する2つの成分に
分割し、異なる半導体光増幅器によって増幅したのちに
再び合波するという半導体光増幅装置である。第4図に
あらかじめ信号光を分割して異なる半導体光増幅器44
a、44bによって増幅する方法を採用した半導体光増
幅装置40の構成図を示す。送信器41から長尺の光フ
ァイバ42を伝送され損失した信号光は半導体光増幅装
置40にいたる。半導体光増幅装置40では、信号光は
光カブラ43によって2つに分割され、−方の光は偏光
子145を用いて直線偏光成分のみを半導体光増幅器4
4aで増幅し、もう一方の光は90°の旋光を生じさせ
るように固定されたファラデ回転子45によって90’
旋光されたのち、偏光子146を用いることで偏光子1
45を経た信号光とは直交する直線偏光成分のみ半導体
光増幅器44bで増幅する。半導体光増幅器44bで増
幅され出力された信号光はファラデ回転子46によって
旋光が90″戻されたのち、光カプラ47を用いて再び
合波されさらに長尺の光ファイバ48を伝送され受信器
49にいたる、このようにして、半導体光増幅器44a
、44bでは直交した2つの直線偏光成分を別々に増幅
して合波するために偏光依存性のない半導体光増幅装置
40を構成することができるが、半導体光増幅器44a
から出力される信号光と半導体光増幅器44bから出力
され旋光が90°戻された信号光とは、合波される際に
位相がそろっている必要がある。
分割し、異なる半導体光増幅器によって増幅したのちに
再び合波するという半導体光増幅装置である。第4図に
あらかじめ信号光を分割して異なる半導体光増幅器44
a、44bによって増幅する方法を採用した半導体光増
幅装置40の構成図を示す。送信器41から長尺の光フ
ァイバ42を伝送され損失した信号光は半導体光増幅装
置40にいたる。半導体光増幅装置40では、信号光は
光カブラ43によって2つに分割され、−方の光は偏光
子145を用いて直線偏光成分のみを半導体光増幅器4
4aで増幅し、もう一方の光は90°の旋光を生じさせ
るように固定されたファラデ回転子45によって90’
旋光されたのち、偏光子146を用いることで偏光子1
45を経た信号光とは直交する直線偏光成分のみ半導体
光増幅器44bで増幅する。半導体光増幅器44bで増
幅され出力された信号光はファラデ回転子46によって
旋光が90″戻されたのち、光カプラ47を用いて再び
合波されさらに長尺の光ファイバ48を伝送され受信器
49にいたる、このようにして、半導体光増幅器44a
、44bでは直交した2つの直線偏光成分を別々に増幅
して合波するために偏光依存性のない半導体光増幅装置
40を構成することができるが、半導体光増幅器44a
から出力される信号光と半導体光増幅器44bから出力
され旋光が90°戻された信号光とは、合波される際に
位相がそろっている必要がある。
上述した2つの直列した半導体光増幅器を用いた第3図
のような従来の半導体光増幅装置では、利得の偏光依存
性を2つの半導体光増幅器で相殺し合うために、用いる
2つの半導体光増幅器のファイバ間利得と偏光にともな
う利得差が精度よく一致していることが必要である。と
ころが、一般に半導体光増幅器のファイバ間利得と偏光
にともなう利得差は個々の素子によってばらつくために
、利用できる2つの半導体光増幅器を得るにはかなりの
選別を必要とするという欠点を有していた。
のような従来の半導体光増幅装置では、利得の偏光依存
性を2つの半導体光増幅器で相殺し合うために、用いる
2つの半導体光増幅器のファイバ間利得と偏光にともな
う利得差が精度よく一致していることが必要である。と
ころが、一般に半導体光増幅器のファイバ間利得と偏光
にともなう利得差は個々の素子によってばらつくために
、利用できる2つの半導体光増幅器を得るにはかなりの
選別を必要とするという欠点を有していた。
また、あらかじめ信号光を分割して異なる半導体光増幅
器によって増幅する方法を採用した第4図のような半導
体光増幅装置では、一方の半導体光増幅器から出力され
る信号光ともう一方の半導体光増幅器から出力され旋光
が90°戻された信号光とは、合波される際に位相がそ
ろんている必要がある。しかし、合波される前の2つの
信号光の位相は通常そろっていないために信号光の位相
調節部分を必要とし、かつ2つの光カブラで約6dBの
損失を余儀なくたれるため、半導体光増幅装置としての
利得を著しく阻害するという欠点を有していた。
器によって増幅する方法を採用した第4図のような半導
体光増幅装置では、一方の半導体光増幅器から出力され
る信号光ともう一方の半導体光増幅器から出力され旋光
が90°戻された信号光とは、合波される際に位相がそ
ろんている必要がある。しかし、合波される前の2つの
信号光の位相は通常そろっていないために信号光の位相
調節部分を必要とし、かつ2つの光カブラで約6dBの
損失を余儀なくたれるため、半導体光増幅装置としての
利得を著しく阻害するという欠点を有していた。
本発明の半導体光増幅装置は、半導体光増幅器と、(4
5’ +nX180°)の旋光を与えるように固定され
たファラデ回転子と、反射鏡とを少くとも備え、前記半
導体光増幅器と前記ファラデ回転子を直列配置し、前記
半導体光増幅器と前記ファラデ回転子を信号光が複数回
通過するよう反射鏡を配置した構成になっている。
5’ +nX180°)の旋光を与えるように固定され
たファラデ回転子と、反射鏡とを少くとも備え、前記半
導体光増幅器と前記ファラデ回転子を直列配置し、前記
半導体光増幅器と前記ファラデ回転子を信号光が複数回
通過するよう反射鏡を配置した構成になっている。
〔実施例1〕
第1図は、本発明の実施例1を示す半導体光増幅装置1
0の構成図である。送信器11から長尺の光ファイバ1
2を伝送されて損失した信号光は、半導体光増幅装置1
0にいたり、光カブラ13を経て半導体光増幅器14に
よって増幅される。増幅された信号光はアイソレータ1
11、光カブラ17を経てファラデ回転子15に入射さ
れる。45°の旋光を生じさせるように固定されたファ
ラデ回転子15により旋光を受けた信号光は、反射鏡1
12で全反射され入射光と同一の経路を通り再びファラ
デ回転子15に入射され入射時と合せて90”の旋光を
うける。信号光はさらに光カプラ17,13を経て再び
半導体光増幅器14に入射され増幅され、アイソレータ
111および光カブラ17を経て長尺の光ファイバ18
を伝送され受信器19にいたる。二層の増幅において、
信号光は互いに90°の旋光を受けているために、半導
体光増幅器14が有している利得の偏光依存性を相殺す
ることができ偏光依存性を持たない半導体光増幅装置を
得ることが可能になる。
0の構成図である。送信器11から長尺の光ファイバ1
2を伝送されて損失した信号光は、半導体光増幅装置1
0にいたり、光カブラ13を経て半導体光増幅器14に
よって増幅される。増幅された信号光はアイソレータ1
11、光カブラ17を経てファラデ回転子15に入射さ
れる。45°の旋光を生じさせるように固定されたファ
ラデ回転子15により旋光を受けた信号光は、反射鏡1
12で全反射され入射光と同一の経路を通り再びファラ
デ回転子15に入射され入射時と合せて90”の旋光を
うける。信号光はさらに光カプラ17,13を経て再び
半導体光増幅器14に入射され増幅され、アイソレータ
111および光カブラ17を経て長尺の光ファイバ18
を伝送され受信器19にいたる。二層の増幅において、
信号光は互いに90°の旋光を受けているために、半導
体光増幅器14が有している利得の偏光依存性を相殺す
ることができ偏光依存性を持たない半導体光増幅装置を
得ることが可能になる。
また、増幅において信号光は一本の経路のみを経て一つ
の半導体光増幅器14でのみ増幅されるために、信号光
を2つに分波した場合と異なり合波する際の位相調整を
必要としない。尚、半導体光増幅器14で一度増幅され
た信号光は、光カプラ17で分波される際に光ファイバ
18の側にも入金されるが、二層の増幅を受けた信号光
とは約1Od’B程度の十分な強度差が得られるため、
受信器19で雑音として除去することが可能である。
の半導体光増幅器14でのみ増幅されるために、信号光
を2つに分波した場合と異なり合波する際の位相調整を
必要としない。尚、半導体光増幅器14で一度増幅され
た信号光は、光カプラ17で分波される際に光ファイバ
18の側にも入金されるが、二層の増幅を受けた信号光
とは約1Od’B程度の十分な強度差が得られるため、
受信器19で雑音として除去することが可能である。
〔実施例2〕
第2図は、本発明の実施例2を示す半導体光増幅装置2
0の構成図である。送信器21から長尺の光ファイバ2
2を伝送されて損失した信号光は、半導体光増幅装置2
0にいたり、アイソレータ121、光カプラ23を経て
半導体光増幅器24によって増幅されたファラデ回転子
25に入射される。45°の旋光を生じさせるように固
定されたファラデ回転子25により旋光を受けた信号光
は、反射鏡122で全反射され入射光と同一の経路を通
り再びファラデ回転子に入射され入射時と合せて90”
の旋光をうける。信号光は再び半導体光増幅器24に入
射され増幅され、光カブラ23を経て長尺の光ファイバ
28を伝送させ受信器29にいたる。
0の構成図である。送信器21から長尺の光ファイバ2
2を伝送されて損失した信号光は、半導体光増幅装置2
0にいたり、アイソレータ121、光カプラ23を経て
半導体光増幅器24によって増幅されたファラデ回転子
25に入射される。45°の旋光を生じさせるように固
定されたファラデ回転子25により旋光を受けた信号光
は、反射鏡122で全反射され入射光と同一の経路を通
り再びファラデ回転子に入射され入射時と合せて90”
の旋光をうける。信号光は再び半導体光増幅器24に入
射され増幅され、光カブラ23を経て長尺の光ファイバ
28を伝送させ受信器29にいたる。
本実施例においては実施例1と同様、位相調整を必要と
せずに偏光依存性を持たない半導体光増幅装置を得るこ
とができるばかりでなく、光カブラを一つに減らす等の
半導体光増幅装置の構成を簡略化を実現し、かつ光カブ
ラに起因する約3dBの信号光の損失を防ぐことができ
る。
せずに偏光依存性を持たない半導体光増幅装置を得るこ
とができるばかりでなく、光カブラを一つに減らす等の
半導体光増幅装置の構成を簡略化を実現し、かつ光カブ
ラに起因する約3dBの信号光の損失を防ぐことができ
る。
以上説明したように本発明の半導体光増幅装置は、半導
体光増幅器と、(45゜+n×1’80°)の旋光を与
えるように固定されたファラデ回転子と、反射鏡を備え
、半導体光増幅器で増幅された信号光をファラデ回転子
と反射鏡で90°旋光させ、再び同一の半導体光増幅器
で増幅することにより、半導体光増幅器の偏光にともな
う利得差の選別をすることなしに利得の偏光依存性のな
い、かつ信号光の位相調整を必要としない半導体光増幅
装置が得られるという効果がある。
体光増幅器と、(45゜+n×1’80°)の旋光を与
えるように固定されたファラデ回転子と、反射鏡を備え
、半導体光増幅器で増幅された信号光をファラデ回転子
と反射鏡で90°旋光させ、再び同一の半導体光増幅器
で増幅することにより、半導体光増幅器の偏光にともな
う利得差の選別をすることなしに利得の偏光依存性のな
い、かつ信号光の位相調整を必要としない半導体光増幅
装置が得られるという効果がある。
なお、実施例で用いた半導体光増幅器は、従来から用い
られているものと同じものなので半導体光増幅器につい
ての説明は省略した。
られているものと同じものなので半導体光増幅器につい
ての説明は省略した。
第1図は本発明の実施例1を示す半導体光増幅装置の構
成図、第2図は本発明の実施例2を示す半導体光増幅装
置の構成図、第3図は2つの直列した半導体光増幅器を
用いた従来の半導体光増幅装置の構成図、第4図はあら
かじめ信号光を分割して異なる半導体光増幅器によって
増幅する方法を採用した半導体光増幅装置の構成図であ
る。 11.21.31.41・・・送信器、12,22゜3
2.42.18,28,38.48・・・光ファイバ、
13.23.43,17.47・・・光カプラ、14.
24.34a、34b、44a、44b−・・半導体光
増幅器、15,25.35,45.46・・・ファラデ
回転子、111.121・・・アイソレータ、1j2,
122・・・反射鏡、19,29,39゜49・・・受
信器、145,146・・・偏光子。
成図、第2図は本発明の実施例2を示す半導体光増幅装
置の構成図、第3図は2つの直列した半導体光増幅器を
用いた従来の半導体光増幅装置の構成図、第4図はあら
かじめ信号光を分割して異なる半導体光増幅器によって
増幅する方法を採用した半導体光増幅装置の構成図であ
る。 11.21.31.41・・・送信器、12,22゜3
2.42.18,28,38.48・・・光ファイバ、
13.23.43,17.47・・・光カプラ、14.
24.34a、34b、44a、44b−・・半導体光
増幅器、15,25.35,45.46・・・ファラデ
回転子、111.121・・・アイソレータ、1j2,
122・・・反射鏡、19,29,39゜49・・・受
信器、145,146・・・偏光子。
Claims (1)
- 一つの半導体光増幅器と、(45゜+n×180゜)の
旋光(nは整数)を与えるように固定されたファラデ回
転子と、反射鏡とを少くとも備え、前記半導体光増幅器
で増幅された信号光を前記ファラデ回転子と前記反射鏡
を用いて90゜旋光させ、再び前記半導体光増幅器で増
幅することを特徴とする半導体光増幅装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155490A JPH04104131A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体光増幅装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22155490A JPH04104131A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体光増幅装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04104131A true JPH04104131A (ja) | 1992-04-06 |
Family
ID=16768543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22155490A Pending JPH04104131A (ja) | 1990-08-23 | 1990-08-23 | 半導体光増幅装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04104131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481391A (en) * | 1994-02-17 | 1996-01-02 | At&T Corp. | Optical fiber system and method for overcoming the effects of polarization gain anisotropy in a fiber amplifier |
-
1990
- 1990-08-23 JP JP22155490A patent/JPH04104131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5481391A (en) * | 1994-02-17 | 1996-01-02 | At&T Corp. | Optical fiber system and method for overcoming the effects of polarization gain anisotropy in a fiber amplifier |
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