JPH0410592A - 封止構造 - Google Patents
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- JPH0410592A JPH0410592A JP11290290A JP11290290A JPH0410592A JP H0410592 A JPH0410592 A JP H0410592A JP 11290290 A JP11290290 A JP 11290290A JP 11290290 A JP11290290 A JP 11290290A JP H0410592 A JPH0410592 A JP H0410592A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、気密端子と金属ケースとを封止する封止構造
に関する。
に関する。
従来、この種の封止構造として、気密端子と金属ケース
とを抵抗溶接により封止するものがあり、それを以下に
説明する。
とを抵抗溶接により封止するものがあり、それを以下に
説明する。
気密端子は、外周に一段肉厚が薄くなった段部を有して
略平板状をなす金属外環と、細長い円柱状のリードとが
ガラス製絶縁部材を介して気密封着されて形成されてい
る。そして、段部側の平板状面にリレー等の構成部材が
適宜配設される。
略平板状をなす金属外環と、細長い円柱状のリードとが
ガラス製絶縁部材を介して気密封着されて形成されてい
る。そして、段部側の平板状面にリレー等の構成部材が
適宜配設される。
金属ケースは、その開口部に外側への折り返し部を有し
て有底箱形に形成されている。
て有底箱形に形成されている。
そして、窒素等の封入ガスの雰囲気中において、金属ケ
ースの折り返し部を気密端子の段部に当接され、その当
接部を抵抗溶接により金属ケース内にリレー等の構成部
材を収容して気密封止するものである。
ースの折り返し部を気密端子の段部に当接され、その当
接部を抵抗溶接により金属ケース内にリレー等の構成部
材を収容して気密封止するものである。
上記した従来の抵抗溶接による封止構造のものにあって
は、気密端子及び金属ケースの表面に施すメツキの種類
に余り関係なく、−船釣にその気密性は良い。
は、気密端子及び金属ケースの表面に施すメツキの種類
に余り関係なく、−船釣にその気密性は良い。
しかしながら、封入ガスの雰囲気中において抵抗溶接を
するため、溶接電極をはしめ溶接機の主要な部分をその
ガス雰囲気中に置く必要があり、ガス雰囲気をつくる装
置全体が大きなものとなってしまう。従って、被溶接部
材の出し入れのためその装置を開けた後、−旦真空にし
てから新た乙こガスを入れて装置内を元のガス雰囲気に
する場合や、金属ケース内に収容するリレー等の構成部
材の耐電圧を上げるため封入ガスを加圧する場合におい
て、それらに使用される装置も大がかりで、ガスの量も
多くなり非経済的である。また、封入ガスの濃度が不安
定になったり、ガスの加圧ができないといったことも起
こり得る。さらには、抵抗溶接する際に溶接部を加圧す
るため、その力が気密端子のガラス製絶縁部材に加わっ
てクランクが発生し、気密性が損なわれることもある。
するため、溶接電極をはしめ溶接機の主要な部分をその
ガス雰囲気中に置く必要があり、ガス雰囲気をつくる装
置全体が大きなものとなってしまう。従って、被溶接部
材の出し入れのためその装置を開けた後、−旦真空にし
てから新た乙こガスを入れて装置内を元のガス雰囲気に
する場合や、金属ケース内に収容するリレー等の構成部
材の耐電圧を上げるため封入ガスを加圧する場合におい
て、それらに使用される装置も大がかりで、ガスの量も
多くなり非経済的である。また、封入ガスの濃度が不安
定になったり、ガスの加圧ができないといったことも起
こり得る。さらには、抵抗溶接する際に溶接部を加圧す
るため、その力が気密端子のガラス製絶縁部材に加わっ
てクランクが発生し、気密性が損なわれることもある。
そこで、これらの問題を解決するためには、レーザ溶接
という手段が考えられる。つまり、レーザ溶接の場合は
、溶接部にレーザ光をガス封入装置の外から照射するだ
けでよいので、ガラス等でできた透明な照射口を有しさ
えすれば、ガス封入装置は小形にすることが可能となる
からである。
という手段が考えられる。つまり、レーザ溶接の場合は
、溶接部にレーザ光をガス封入装置の外から照射するだ
けでよいので、ガラス等でできた透明な照射口を有しさ
えすれば、ガス封入装置は小形にすることが可能となる
からである。
しかしながら、レーザ溶接の場合は、抵抗ｌ容接と違っ
て、非溶接部材の表面に施されるメツキの種類によって
は、溶接部にクラ、りが発生して、気密性が確保できな
いという問題がある。例えば、従来の気密端子として、
その表面の第一層が無電解ニッケルメッキ、第二層が電
解金メツキを施したものに、電解ニッケルメンキを施し
た金属ケースをレーザ溶接した場合、第３図に示す如く
、溶接部にクランクが確認される。また、気密端子のメ
ツキは、外部接続端子としてはんだ付けにより使用され
るリードにも施されるため、はんだ付は性のよいメツキ
にする必要もある。
て、非溶接部材の表面に施されるメツキの種類によって
は、溶接部にクラ、りが発生して、気密性が確保できな
いという問題がある。例えば、従来の気密端子として、
その表面の第一層が無電解ニッケルメッキ、第二層が電
解金メツキを施したものに、電解ニッケルメンキを施し
た金属ケースをレーザ溶接した場合、第３図に示す如く
、溶接部にクランクが確認される。また、気密端子のメ
ツキは、外部接続端子としてはんだ付けにより使用され
るリードにも施されるため、はんだ付は性のよいメツキ
にする必要もある。
本発明は、上記事由に鑑みてなしたもので、その目的と
するところは、気密端子と金属ケースとをレーザ溶接に
より封止し、気密性及びリードのはんだ付は性に優れた
メンキを気密端子及び金属ケースの表面に施してなる封
止構造を桿供することにある。
するところは、気密端子と金属ケースとをレーザ溶接に
より封止し、気密性及びリードのはんだ付は性に優れた
メンキを気密端子及び金属ケースの表面に施してなる封
止構造を桿供することにある。
〔課題を解決するための手段］
上記した課題を解決するために、本発明の封止構造は、
金属外環とリードとがガラス製絶縁部材を介して気密封
着された気密端子と、金属ケースと、を封止する封止構
造において、前記気密端子の表面の第一層に電解ニッケ
ルメッキ、第二層に電解パラジウムメッキを施し、前記
金属ケースの表面に電解ニッケルメッキを施し、かつ両
者をレーザ光により溶接してなる構成としている。
金属外環とリードとがガラス製絶縁部材を介して気密封
着された気密端子と、金属ケースと、を封止する封止構
造において、前記気密端子の表面の第一層に電解ニッケ
ルメッキ、第二層に電解パラジウムメッキを施し、前記
金属ケースの表面に電解ニッケルメッキを施し、かつ両
者をレーザ光により溶接してなる構成としている。
［作用］
本発明の封止構造によれば、気密端子と金属ケスとをレ
ーザ溶接により封止し、しかも、気密端子の表面の第一
層に気密性に優れた電解ニッケルメッキ、第二層にはん
だ付は性の良い電解パラジウムメッキを施し、金属ケー
スの表面に気密性に優れた電解ニッケルメッキを施して
いるので、気密端子と金属ケースとの溶接部にクラック
を発生させずに気密性に優れたものとなるとともに、リ
ードのはんだ付は性にも優れたものとすることができる
。
ーザ溶接により封止し、しかも、気密端子の表面の第一
層に気密性に優れた電解ニッケルメッキ、第二層にはん
だ付は性の良い電解パラジウムメッキを施し、金属ケー
スの表面に気密性に優れた電解ニッケルメッキを施して
いるので、気密端子と金属ケースとの溶接部にクラック
を発生させずに気密性に優れたものとなるとともに、リ
ードのはんだ付は性にも優れたものとすることができる
。
本発明の一実施例を第１図及び第２図に基づいて以下に
説明する。
説明する。
気密端子ｌは、金属外環１ａとり一ド１ｂとガラス製絶
縁部材１ｃとを有して形成されている。
縁部材１ｃとを有して形成されている。
金属外環１ａは、鉄とニッケルの合金等により、略平板
状をなす四角形に形成され、外周に一段肉厚が薄くなっ
た段部１ｄを存している。
状をなす四角形に形成され、外周に一段肉厚が薄くなっ
た段部１ｄを存している。
リードｌｂは、鉄とニッケルの合金等により、細長い円
柱状に形成されている。
柱状に形成されている。
そして、リード１ｂが、金属外環１ａに設けた孔に両面
から突出して挿入され、ガラス製絶縁部材ＩＣを介して
金属外環１ａに電気的に絶縁されるとともに気密封着さ
れ、気密端子１を形成している。
から突出して挿入され、ガラス製絶縁部材ＩＣを介して
金属外環１ａに電気的に絶縁されるとともに気密封着さ
れ、気密端子１を形成している。
この気密端子１は、さらにその表面にメツキが施される
。まず、第一層として電解ニッケルメッキを施し、次い
でその上に第二層として電解パラジウムメッキを施しで
ある。この場合、それぞれのメツキは、金属外環１ａ及
びリード１ｂには付着するが、ガラス製絶縁部材１ｃに
は付着しないので、金属外環１ａとリードｌｂ間の絶縁
は問題ない。
。まず、第一層として電解ニッケルメッキを施し、次い
でその上に第二層として電解パラジウムメッキを施しで
ある。この場合、それぞれのメツキは、金属外環１ａ及
びリード１ｂには付着するが、ガラス製絶縁部材１ｃに
は付着しないので、金属外環１ａとリードｌｂ間の絶縁
は問題ない。
そして、気密端子１の段部１ｄ側の平板状面にリレー等
の構成部材が適宜配設される。
の構成部材が適宜配設される。
金属ケース２は、鉄または洋白等により、その開口部に
外側への折り返し部２ａを有して有底箱形に形成され、
その表面には電解ニッケルメッキが施されている。
外側への折り返し部２ａを有して有底箱形に形成され、
その表面には電解ニッケルメッキが施されている。
そして、窒素等の封入ガスの雰囲気中において、金属ケ
ース２は、その中にリレー等の構成部材を収容し、折り
返し部２ａを気密端子１の段部１ｄに当接させ、その当
接部にレーザ光３を照射してレーザ溶接することにより
気密端子１と気密封止されて構成される。
ース２は、その中にリレー等の構成部材を収容し、折り
返し部２ａを気密端子１の段部１ｄに当接させ、その当
接部にレーザ光３を照射してレーザ溶接することにより
気密端子１と気密封止されて構成される。
かかる封止構造にあっては、気密端子１と金属ケース２
とをレーザ溶接により封止しているが、この場合、その
表面に施すメツキが気密性及びリード１ｂのはんだ付は
性において重要となる。
とをレーザ溶接により封止しているが、この場合、その
表面に施すメツキが気密性及びリード１ｂのはんだ付は
性において重要となる。
これに関して、以下のことを確認している。
その−例として、すでに前述しているように、気密端子
１の表面の第一層に無電解ニッケルメンキ、第二層に電
解金メツキを施し、金属ケース２の表面に電解ニッケル
メンキを施した場合、第３図に示す如く、溶接部３ａに
クラック３ｂが確認され、気密性は不可で、はんだ付は
性は良である。
１の表面の第一層に無電解ニッケルメンキ、第二層に電
解金メツキを施し、金属ケース２の表面に電解ニッケル
メンキを施した場合、第３図に示す如く、溶接部３ａに
クラック３ｂが確認され、気密性は不可で、はんだ付は
性は良である。
この他、種々のメツキの組合せを実施した結果から言え
ることとして、無電解ニソケルメ・ツキはメツキ中に存
在するリンの影響で溶接部３ａにクラ７りが発生し気密
性が不可であること、電解ニノケルメ・７キは気密性が
良であるが、はんだ付は性が不可であること、ニッケル
メッキは電解、無電解に係わらずはんだ付は性が不可で
あること、電解金メンキ及び電解パラジウムメッキは共
にはんだ付は性が良であること、等である。
ることとして、無電解ニソケルメ・ツキはメツキ中に存
在するリンの影響で溶接部３ａにクラ７りが発生し気密
性が不可であること、電解ニノケルメ・７キは気密性が
良であるが、はんだ付は性が不可であること、ニッケル
メッキは電解、無電解に係わらずはんだ付は性が不可で
あること、電解金メンキ及び電解パラジウムメッキは共
にはんだ付は性が良であること、等である。
この結果に基づき、本発明の封止構造は、気密端子ｌが
気密性の良い電解ニッケルメンキを第一層とし、はんだ
付は性の良い電解パラジウムメッキを第二層とし、また
金属ケース２が気密性の良い電解ニッケルメッキとして
いるので、第２図に示す如く、溶接部３ａにはクランク
の発生がなく気密性に優れ、しかも、リードｌｂのはん
だ付は性も良好なものとなっている。
気密性の良い電解ニッケルメンキを第一層とし、はんだ
付は性の良い電解パラジウムメッキを第二層とし、また
金属ケース２が気密性の良い電解ニッケルメッキとして
いるので、第２図に示す如く、溶接部３ａにはクランク
の発生がなく気密性に優れ、しかも、リードｌｂのはん
だ付は性も良好なものとなっている。
また、気密端子ｌの電解パラジウムメッキは、電解金メ
ツキに比べて安価であり、コスト面からも有利である。
ツキに比べて安価であり、コスト面からも有利である。
しかも、リードｌｂは、リレー等の構成部材の内、コイ
ル端子等の金属板をその先端にレーザ溶接される場合が
あり、このときり一ド１ｂが電解金メンキであると、照
射されるレーザ光がよく反射し、周囲にある他の構成部
材を焼いてしまうということがあるのに対して、リード
１ｂが電解パラジウムメッキならば、その反射が少ない
ので、その分レーザ光も強くすることができる。
ル端子等の金属板をその先端にレーザ溶接される場合が
あり、このときり一ド１ｂが電解金メンキであると、照
射されるレーザ光がよく反射し、周囲にある他の構成部
材を焼いてしまうということがあるのに対して、リード
１ｂが電解パラジウムメッキならば、その反射が少ない
ので、その分レーザ光も強くすることができる。
以上のように、適切なメツキを気密端子ｌ及び金属ケー
ス２の表面に施すことにより、レーザ溶接が可能となり
、従って、抵抗溶接の場合と違って、ガス封入装置が小
形で、使用する封入ガス量も少なくなり、また、封入し
たガスの濃度が安定し、しかも加圧したガスの封入も可
能となる。さらには、レーザ溶接は溶接部３ａに非接触
で行うことができ、気密端子のガラス製絶縁部材に力が
加わることもないので、気密性が損なわれない。
ス２の表面に施すことにより、レーザ溶接が可能となり
、従って、抵抗溶接の場合と違って、ガス封入装置が小
形で、使用する封入ガス量も少なくなり、また、封入し
たガスの濃度が安定し、しかも加圧したガスの封入も可
能となる。さらには、レーザ溶接は溶接部３ａに非接触
で行うことができ、気密端子のガラス製絶縁部材に力が
加わることもないので、気密性が損なわれない。
本発明の封止構造は、上記のように構成したから、気密
端子と金属ケースとをレーザ溶接により封止し、しかも
、気密端子の表面の第一層に気密性に優れた電解ニッケ
ルメッキ、第二層にはんだ付は性の良い電解パラジウム
メンキを施し、金属ケースの表面に気密性に優れた電解
ニッケルメッキを施しているので、気密端子と金属ケー
スとの溶接部にクラックを発生させずに気密性に優れた
ものとなるとともに、リードのはんだ付は性にも優れた
ものとすることができる。
端子と金属ケースとをレーザ溶接により封止し、しかも
、気密端子の表面の第一層に気密性に優れた電解ニッケ
ルメッキ、第二層にはんだ付は性の良い電解パラジウム
メンキを施し、金属ケースの表面に気密性に優れた電解
ニッケルメッキを施しているので、気密端子と金属ケー
スとの溶接部にクラックを発生させずに気密性に優れた
ものとなるとともに、リードのはんだ付は性にも優れた
ものとすることができる。
第１図は、本発明の一実施例を示す正面断面図、第２図
は、同上のレーザ溶接した溶接部の断面拡大図、 第３図は、従来のメツキによりレーザ溶接した溶接部の
断面拡大図である。 １−気密端子、１ ａ−金属外環、１ｂ−リード、ｌｃ
−ガラス製絶縁部材、ｌｄ−段部 ２−金属ケース、２ａ−〜折り返し部、３− レーザ光
、３ａ−溶接部。
は、同上のレーザ溶接した溶接部の断面拡大図、 第３図は、従来のメツキによりレーザ溶接した溶接部の
断面拡大図である。 １−気密端子、１ ａ−金属外環、１ｂ−リード、ｌｃ
−ガラス製絶縁部材、ｌｄ−段部 ２−金属ケース、２ａ−〜折り返し部、３− レーザ光
、３ａ−溶接部。
Claims (1)
- （１）金属外環とリードとがガラス製絶縁部材を介して
気密封着された気密端子と、金属ケースと、を封止する
封止構造において、 前記気密端子の表面の第一層に電解ニッケルメッキ、第
二層に電解パラジウムメッキを施し、前記金属ケースの
表面に電解ニッケルメッキを施し、かつ両者をレーザ光
により溶接してなることを特徴とする封止構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290290A JPH0410592A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 封止構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290290A JPH0410592A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 封止構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410592A true JPH0410592A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14598356
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11290290A Pending JPH0410592A (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | 封止構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0410592A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT408403B (de) * | 2000-02-23 | 2001-11-26 | Walter Dr Smetana | Vakummdichtes gehäusesystem für zweipolige bauelemente und verfahren zu dessen herstellung |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP11290290A patent/JPH0410592A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT408403B (de) * | 2000-02-23 | 2001-11-26 | Walter Dr Smetana | Vakummdichtes gehäusesystem für zweipolige bauelemente und verfahren zu dessen herstellung |
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