JPH0410625A - 電気配線の構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は弾性表面波素子、半導体集積回路等の薄膜機能
素子に用いられる電気配線の構造に関する。

Ｃ従来の技術〕 従来は非電気伝導性の物質からなる基板上に、第１の金
属層のみを用いて一対もしくは多対の電極間を電気的に
接続する構造であった。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前述の従来技術においては、電気配線の
電気伝導度を高くするためには、第１の金属層を形成す
る際の温度を１５０℃以上にすることが必要であり、前
記基板がこのような高温に耐えられない材質では、第１
の金属層の形成温度を低くする必要があり、そのため第
１の金属層の電気伝導度を高くできないという課題を有
していた。

そこで本発明の目的とするところは、第１の金属層を基
板上に形成する際の温度が、基板が耐えられる程度の温
度においても、高い電気伝導度を有する電気配線の構造
を提供するところにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の電気配線の構造は、非電気伝導性の物質からな
る基板上に、第１の金属層を形成し、対もしくは多対の
電極間を電気的に接続する電気配線の構造において、前
記基板と前記第１の金属層との間に、第２の金属層を具
備した積層構造を持つことを特徴とする。

［実　施　例］ 以下に本発明を実施例を用いて詳細に説明する。第１図
は本発明による一実施例の電極配線の構造を示す断面図
であり、第４図は本実施例の電気配線の構造を用いて作
成した弾性表面波フィルタの正面図である。また第２図
は従来技術による電気配線の構造を示す断面図である。

そして第３図は第１図の構造による電気配線と、第２図
の構造による電気配線の、各々の電気伝導度（第３図で
は比抵抗を用いて表現している。比抵抗が小さい程電気
伝導度は高い）と、第１の金属層を形成する際の温度と
の関係を示す特性図である。

まず第１図の本実施例の構造を説明する。第１図の中の
第１の金属層１は純度９９．９９９％のＡｌである。ま
た基板３は人工水晶のウェハーである。そして第１の金
属層１と基板３の間に形成されている第２の金属層２は
Ｃｒである。本実施例のＡβ膜厚は約６０００人（オン
グストローム）であり、Ｃｒ膜厚は約１００人である。

これらの金属層の形成条件を下表１に示す。

表Ｉ　　Ａｆｌ及びＣｒの形成条件 本実施例においてはＣｒを基板３上に第２の金属層２と
して形成した後に、Ａρを、第１の金属層１として形成
し、積層構造としている。

本実施例における電気配線の電気伝導度（比抵抗で代用
、比抵抗が小さいと電気伝導度は大きい）と、金属層の
形成温度の関係を第３図の特性図に、従来技術による構
造のそれ（比抵抗）と比較して示す。第３図によれば従
来技術による電気配線の構造では１００℃でＡβを形成
した場合は１５０℃、２００℃で形成したものに比較し
て比抵抗が大きくなる、すなわち電気伝導度が小さくな
ることがわかる。これに対し本実施例によれば１００℃
、１５０℃、２００℃のいずれの形成温度においても比
抵抗がほぼ同一であり温度依存性がない。しかも、従来
技術の構造の比抵抗より小さく、すなわち電気伝導度が
大きいことがわかる。

一方、本実施例の電気配線の構造を用いた、弾性表面波
フィルタの一例を第４図に示す。表１の形成条件により
作成し、形成温度を１００’Ｃとしている。第４図に示
すように共振子タイプの弾性表面波フィルタを作成する
と、従来技術による電気配線の構造により作成した同タ
イプのフィルタ（形成温度１００℃）に比べ、挿入損失
が３ｄＢ程小さくなる。これは電気配線の比抵抗が、第
３図に示すように、本実施例の電気配線の構造の比抵抗
が小さいためと考えられる。

このほかに第１図に示す本実施例の電気配線の構造は、
半導体集積回路、光−半導体集積回路、薄膜機能素子を
用いた各種センサー、薄膜磁気ヘッド、薄膜モータ、光
電スイッチング素子、光集積回路、液晶パネル等の、金
属層による電気的接続が必要な素子のすべてに応用可能
である。

さて、第１図に示す本実施例の電気配線の構造における
、第１の金属層ｌとしてのＡβ、第２の金属層２として
のＣｒの形成に真空蒸着法を用いたが、その他にスパッ
タリング装置、イオンプレティング装置等を用いること
もできる。またＡ℃の膜厚、Ｃｒの膜厚は各々本実施例
以外の厚みに設定することもできる。さらに表１に示し
た形成条件も本実施例に限られるわけではない。

また第１の金属層にはＡｊ２にＳｉやＣｕを各々含有し
た合金でもよい。またＡｌの代わりにＣｕ層を第１の金
属層とすることもできる。

第２の金属層にはＣｒを用いたが、この他にＴｉを用い
ることも可能である。

基板はＳｌ、ガラス、Ｌ　ｉ　Ｔ　ｉ　Ｏａ等の酸化物
単結晶や、ポリイミドフィルム等を用いることができる
。さらに電気伝導性の物質からなる基板の上に非電導性
の物質を介在し、その上に本実施例の電気配線の構造を
形成することも可能である。

［発明の効果］ 以上詳述したように本発明によれば、非電気伝導性の物
質からなる基板上に、第１の金属層を形成し、一対もし
くは多対の電極間を電気的に接続する電気配線の構造に
おいて、前記基板と前記第１の金属層との間に、第２の
金属層を具備した積層構造にすることにより、電気配線
の比抵抗を形成温度に依存することなく、１００℃とい
う、低温においても、十分小さくでき、したがって電気
伝導度を大きくできるという効果を有する。

さらに基板の選定により、形成温度を１５０°Ｃ１２０
０℃にした場合も、従来技術による電気配線の構造の比
抵抗より小さくでき、電気伝導度を大きくできるという
効果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による一実施例の電気配線の構造を示
す断面図。 第２図は、従来技術による電気配線の構造を示す断面図
。 第３図は、第１図の本実施例の電気配線の特性と第２図
の従来技術の電気配線の特性を比較する特性図。 第４図は、第１図の本実施例の電気配線の構造により作
成された、弾性表面波フィルタの正面図。 第１の金属層 第２の金属層 基板 従来技術の構造による、形成温度と 比抵抗の関係を示す折れ線グラフ ５・・・本実施例の構造による、形成温度と比抵抗の関
係を示す折れ線グラフ ６・・・第１図の本実施例の構造を用いた電極 ７・・・素子基板 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）非電気伝導性の物質からなる基板上に、第１の金
   属層を形成し、一対もしくは多対の電極間を電気的に接
   続する電気配線の構造において、前記基板と前記第１の
   金属層との間に、第２の金属層を具備した積層構造を持
   つことを特徴とする、電気配線の構造。
2. （２）第１の金属層がＡｌまたはＡｌ合金層であること
   を特徴とする請求項１記載の電気配線の構造。