JPH04106949A - 薄膜検査装置 - Google Patents
薄膜検査装置Info
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- JPH04106949A JPH04106949A JP22237790A JP22237790A JPH04106949A JP H04106949 A JPH04106949 A JP H04106949A JP 22237790 A JP22237790 A JP 22237790A JP 22237790 A JP22237790 A JP 22237790A JP H04106949 A JPH04106949 A JP H04106949A
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- Japan
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- resist
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、例えば半導体製造工程における現像工程後の
検査において半導体ウェハ上の残留レジストを検出する
薄膜検査装置に関する。
検査において半導体ウェハ上の残留レジストを検出する
薄膜検査装置に関する。
（従来の技術）
半導体製造工程における現像工程後には半導体ウェハの
検査か行われる。この現像工程後の半導体ウェハ上には
下地パターンが現れるとともに正常なレジストが形成さ
れている。ところが、各工程においてプロセス条件が僅
かでも変化すると、現像工程で除去されるべきレジスト
が極薄い膜となって残る場合、つまり残留レジストとな
る場合がある。
検査か行われる。この現像工程後の半導体ウェハ上には
下地パターンが現れるとともに正常なレジストが形成さ
れている。ところが、各工程においてプロセス条件が僅
かでも変化すると、現像工程で除去されるべきレジスト
が極薄い膜となって残る場合、つまり残留レジストとな
る場合がある。
従って、残留レジストの検査が行われるが、この検査は
作業員が顕微鏡により半導体ウニ／＼を拡大して確認し
ている。このため、残留レジストの検査は省力化が難し
く、かつ発塵の虞が大きい。
作業員が顕微鏡により半導体ウニ／＼を拡大して確認し
ている。このため、残留レジストの検査は省力化が難し
く、かつ発塵の虞が大きい。
又、コンピュータの画像処理を用いて正常な半導体ウェ
ハのパターンと被検査用の半導体ウエノ＼のパターンと
を比較して残留レジストを検出することが行われている
が、この技術では半導体ウェハ全体を検査するのに処理
量が多くなって処理時間か非常に長くなる。
ハのパターンと被検査用の半導体ウエノ＼のパターンと
を比較して残留レジストを検出することが行われている
が、この技術では半導体ウェハ全体を検査するのに処理
量が多くなって処理時間か非常に長くなる。
（発明か解決しようとする課題）
以上のように作業員による検査では省力化か難しくかつ
発塵の虞か大きく、又コンピュータの画像処理では処理
時間か非常に長くなる。
発塵の虞か大きく、又コンピュータの画像処理では処理
時間か非常に長くなる。
そこで本発明は、残留レジスト等の薄膜を確実にかつ短
時間で検出てきる薄膜検査装置を提供することを目的と
する。
時間で検出てきる薄膜検査装置を提供することを目的と
する。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明は、被検査体に対してそれぞれ波長の異なる光を
照射する光照射手段と、この光照射手段により各波長の
光を照射したときに被検査体上における各明るさの違い
から被検査体上の所定の薄膜を検出する検出手段とを備
えて上記目的を達成しようとする薄膜検査装置である。
照射する光照射手段と、この光照射手段により各波長の
光を照射したときに被検査体上における各明るさの違い
から被検査体上の所定の薄膜を検出する検出手段とを備
えて上記目的を達成しようとする薄膜検査装置である。
又、本発明は被検査体に対してそれぞれ異なる波長の励
起光を照射する励起光照射手段と、この励起光照射手段
により各波長の励起光を照射したときに被検査体上に発
する各螢光強度の違いから被検査体上の所定の薄膜を検
出する検出手段とを備えて上記目的を達成しようとする
薄膜検査装置である。
起光を照射する励起光照射手段と、この励起光照射手段
により各波長の励起光を照射したときに被検査体上に発
する各螢光強度の違いから被検査体上の所定の薄膜を検
出する検出手段とを備えて上記目的を達成しようとする
薄膜検査装置である。
（作用）
このような手段を備えたことにより、被検査体に対して
光照射手段によりそれぞれ波長の異なる光を照射し、こ
れら光を照射したときに検出手段により被検査体上にお
ける各明るさの違いから被検査体上の所定の薄膜を検出
する。
光照射手段によりそれぞれ波長の異なる光を照射し、こ
れら光を照射したときに検出手段により被検査体上にお
ける各明るさの違いから被検査体上の所定の薄膜を検出
する。
又、上記手段を備えたことにより、被検査体に対して励
起光照射手段によりそれぞれ異なる波長の励起光を照射
し、これら波長の励起光を照射したときに検出手段によ
り被検査体上に発する各螢光強度の違いから被検査体上
の所定の薄膜を検出する。
起光照射手段によりそれぞれ異なる波長の励起光を照射
し、これら波長の励起光を照射したときに検出手段によ
り被検査体上に発する各螢光強度の違いから被検査体上
の所定の薄膜を検出する。
（実施例）
以下、本発明の第１実施例について図面を参照して説明
する。
する。
第１図は薄膜検査装置の構成図である。半導体ウェハ１
はＸＹ子テーブル上に載置されている。
はＸＹ子テーブル上に載置されている。
このＸＹ子テーブルの上方にはレーザ発振器３が配置さ
れている。このレーザ発振器３は波長可変で、例えばそ
れぞれ異なる波長λ１、λ２に可変設定される。このレ
ーザ発振器３から出力されるレーザ光は、ＸＹ子テーブ
ルの上方に配置されたミラー４、ビームエキスパンダ５
及び光学レンズ６によりビーム径の広げられた平行光と
して半導体ウェハ１上に照射されるものとなる。この場
合、レーザ光は半導体ウェハ１の表面に対してほぼ垂直
に入射するようにミラー４、ビームエキスパンダ５及び
光学レンズ６の配置位置が設定される。
れている。このレーザ発振器３は波長可変で、例えばそ
れぞれ異なる波長λ１、λ２に可変設定される。このレ
ーザ発振器３から出力されるレーザ光は、ＸＹ子テーブ
ルの上方に配置されたミラー４、ビームエキスパンダ５
及び光学レンズ６によりビーム径の広げられた平行光と
して半導体ウェハ１上に照射されるものとなる。この場
合、レーザ光は半導体ウェハ１の表面に対してほぼ垂直
に入射するようにミラー４、ビームエキスパンダ５及び
光学レンズ６の配置位置が設定される。
又、ＸＹ子テーブルの上方には工業用テレビジョンカメ
ラ（ＩＴＶカメラ）７が配置されている。
ラ（ＩＴＶカメラ）７が配置されている。
このＩＴＶカメラ７は半導体ウェハ１を撮像してその画
像信号を出力するものである。このＩＴＶカメラ７の出
力端子は画像処理装置１０に接続されている。
像信号を出力するものである。このＩＴＶカメラ７の出
力端子は画像処理装置１０に接続されている。
この画像処理装置１０はＩＴＶカメラ７からの画像信号
を受けて半導体ウェハ１上に各波長λ１、λ２のレーザ
光を照射したときに半導体ウェハ１上における各明るさ
の違いから半導体ウェハ１上の残留レジストを検出する
機能を有している。具体的な構成は次の通りで有る。主
制御部１１に画像メモリ１２、差画像メモリ１３及び出
力部１４か接続されるとともに主制御部１１の指令によ
り画像差処理部１５及び判定部１６が作動するものとな
っている。画像差処理部１５は画像メモリ］２に記憶さ
れる各波長λ１、λ２のレーザ光を照射したときに得ら
れる各画像データ間の濃淡レベル差を示す差画像データ
を求める機能を有している。又、判定部１６は画像差処
理部１５により求められた差画像データから残留レジス
トを検出する機能を有している。なお、画像メモリ１２
にはＡ／Ｄ変換器１７か接続されてＩＴＶカメラ５から
の画像信号かディジタル変換されて画像メモリ１２に記
憶されるようになっている。又、出力部１４には駆動装
置１８が接続されている。
を受けて半導体ウェハ１上に各波長λ１、λ２のレーザ
光を照射したときに半導体ウェハ１上における各明るさ
の違いから半導体ウェハ１上の残留レジストを検出する
機能を有している。具体的な構成は次の通りで有る。主
制御部１１に画像メモリ１２、差画像メモリ１３及び出
力部１４か接続されるとともに主制御部１１の指令によ
り画像差処理部１５及び判定部１６が作動するものとな
っている。画像差処理部１５は画像メモリ］２に記憶さ
れる各波長λ１、λ２のレーザ光を照射したときに得ら
れる各画像データ間の濃淡レベル差を示す差画像データ
を求める機能を有している。又、判定部１６は画像差処
理部１５により求められた差画像データから残留レジス
トを検出する機能を有している。なお、画像メモリ１２
にはＡ／Ｄ変換器１７か接続されてＩＴＶカメラ５から
の画像信号かディジタル変換されて画像メモリ１２に記
憶されるようになっている。又、出力部１４には駆動装
置１８が接続されている。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
。
。
レーザ発振器３は波長λ、のレーザ光を出力する。この
レーザ光はミラー４て反射し、ビームエキスパンダ５及
び光学系６によりビーム径か拡大されて半導体ウェハ１
に照射される。この状態にＩＴＶカメラ７は半導体ウェ
ハ１を撮像してその画像信号を出力する。この画像信号
はＡ／Ｄ変換器１７によりディジタル画像信号に変換さ
れ、画像メモリ１２に画像データとして記憶される。
レーザ光はミラー４て反射し、ビームエキスパンダ５及
び光学系６によりビーム径か拡大されて半導体ウェハ１
に照射される。この状態にＩＴＶカメラ７は半導体ウェ
ハ１を撮像してその画像信号を出力する。この画像信号
はＡ／Ｄ変換器１７によりディジタル画像信号に変換さ
れ、画像メモリ１２に画像データとして記憶される。
次にレーザ発振器３の発振波長かλ２に変更設定される
。二のレーザ発振器３は波長λ２のレーザ光を出力し、
このレーザ光はミラー４で反射し、ビームエキスパンダ
５及び光学系６によりビーム径が拡大されて半導体ウエ
ノ＼］に照射される。そして、ＩＴＶカメラ７は半導体
ウェハ１を撮像してその画像信号を出力し、上記作用と
同様に画像メモリ１２に画像データとして記憶される。
。二のレーザ発振器３は波長λ２のレーザ光を出力し、
このレーザ光はミラー４で反射し、ビームエキスパンダ
５及び光学系６によりビーム径が拡大されて半導体ウエ
ノ＼］に照射される。そして、ＩＴＶカメラ７は半導体
ウェハ１を撮像してその画像信号を出力し、上記作用と
同様に画像メモリ１２に画像データとして記憶される。
ところで、半導体ウエノ＼１にレーザ光か照射された場
合、レーザ光は第２図に示すようにレジス１−１− ａ
の表面及びレジスト１ａの下面で反射し、これら両面か
らの各反射レーザ光により干渉が生じる。ここで、同図
（ａ）に示す正常レジスト１ａと同図（ｂ）に示す残留
レジストＩＣとては厚みか異なるので、干渉縞の模様及
びその強度か異なる。
合、レーザ光は第２図に示すようにレジス１−１− ａ
の表面及びレジスト１ａの下面で反射し、これら両面か
らの各反射レーザ光により干渉が生じる。ここで、同図
（ａ）に示す正常レジスト１ａと同図（ｂ）に示す残留
レジストＩＣとては厚みか異なるので、干渉縞の模様及
びその強度か異なる。
第３図乃至第５図はそれぞれ半導体ウェハ上の正常レジ
スト、レジスト無し、残留レジストにおける干渉強度を
示している。これら図において２つの波長領域Ａ（λ１
を含む）、Ｂ（λ２を含む）について比較すると、第３
図に示す正常レジストでは波長強度の山の平均値が干渉
強度となるので、各波長領域Ａ、Ｂにおいて干渉強度は
同一となる。
スト、レジスト無し、残留レジストにおける干渉強度を
示している。これら図において２つの波長領域Ａ（λ１
を含む）、Ｂ（λ２を含む）について比較すると、第３
図に示す正常レジストでは波長強度の山の平均値が干渉
強度となるので、各波長領域Ａ、Ｂにおいて干渉強度は
同一となる。
又、第４図に示すレジスト無しにおいても各波長領域Ａ
、Ｂの干渉強度は同一となる。ところが、第５図に示す
残留レジストでは各波長領域Ａ、 Ｂにおいて干渉強度
は異なる。 −ここで、波長λ、のレーザ光が照
射されたときの画像データを第６図に示し、波長λ２の
レーザ光が照射されたときの画像データを第７図に示す
。
、Ｂの干渉強度は同一となる。ところが、第５図に示す
残留レジストでは各波長領域Ａ、 Ｂにおいて干渉強度
は異なる。 −ここで、波長λ、のレーザ光が照
射されたときの画像データを第６図に示し、波長λ２の
レーザ光が照射されたときの画像データを第７図に示す
。
この場合、波長λ１の画像データにおいて正常レジスト
における干渉強度をα、レジスト無しにおける干渉強度
をβ、残留レジストにおける干渉強度を７１とし、又波
長λ２の画像データにおいて正常レジストにおける干渉
強度をα、レジスト無しにおける干渉強度をβ、残留レ
ジストにおける干渉強度を７２とする。
における干渉強度をα、レジスト無しにおける干渉強度
をβ、残留レジストにおける干渉強度を７１とし、又波
長λ２の画像データにおいて正常レジストにおける干渉
強度をα、レジスト無しにおける干渉強度をβ、残留レ
ジストにおける干渉強度を７２とする。
画像差処理部〕５は波長λ１と波長λ２との各画像デー
タの濃淡レベル差を求める。第８図は濃淡レベル差を示
す差画像データであって、残留レジストのみが残る。つ
まり、正常レジスト及びレジスト無しの各部分の干渉強
度は同一レベルであるからである。かくして、判定部１
６は残留レジストの存在を判定する。
タの濃淡レベル差を求める。第８図は濃淡レベル差を示
す差画像データであって、残留レジストのみが残る。つ
まり、正常レジスト及びレジスト無しの各部分の干渉強
度は同一レベルであるからである。かくして、判定部１
６は残留レジストの存在を判定する。
このように上記第１実施例においては、半導体ウニへ１
に対してそれぞれ波長の異なるレーザ光を照射し、これ
ら光を照射したときに半導体ウェハ１上における干渉強
度の違いから残留レジストを検出するようにしたので、
残留レジストを確実にかつ短時間で検出できる。そのう
え、省力化が可能となり、かつ発塵の虞がない。又、各
画像データは位置合わせをする必要は無い。なお、上記
第１実施例では照射する光において、波長を限定したが
、カメラ入力の際にフィルタなどで波長を限定するよう
にしても良い。
に対してそれぞれ波長の異なるレーザ光を照射し、これ
ら光を照射したときに半導体ウェハ１上における干渉強
度の違いから残留レジストを検出するようにしたので、
残留レジストを確実にかつ短時間で検出できる。そのう
え、省力化が可能となり、かつ発塵の虞がない。又、各
画像データは位置合わせをする必要は無い。なお、上記
第１実施例では照射する光において、波長を限定したが
、カメラ入力の際にフィルタなどで波長を限定するよう
にしても良い。
次に本発明の第２実施例について説明する。
第９図は薄膜検査装置の構成図である。なお、第１図と
同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
同一部分には同一符号を付してその詳しい説明は省略す
る。
ＸＹ子テーブルの上方には励起光源２０が配置されてい
る。この励起光源２０は波長可変で、例えばそれぞれ異
なる波長λ３、λ４に可変設定される。
る。この励起光源２０は波長可変で、例えばそれぞれ異
なる波長λ３、λ４に可変設定される。
又、ＩＴＶカメラ７の出力端子は画像処理装置３０に接
続されている。
続されている。
この画像処理装置３０はＩＴＶカメラ７からの画像信号
を受けて半導体ウェハ１上に各波長λ９、λ４の励起光
を照射したときに半導体ウェハ１上に発する各螢光強度
の違いから半導体ウェハ１上の残留レジストを検出する
機能を有している。具体的な構成は次の通りである。主
制御部３１に画像メモリ３２、差画像メモリ３３及び出
力部３４か接続されるとともに主制御部３１の指令によ
り画像差処理部３５及び判定部３６が作動するものとな
っている。画像差処理部３５は画像メモリ３２に記憶さ
れる各波長λ３、λ４の励起光を照射したときに得られ
る各被検査画像データ間の濃淡レベル差を示す差画像デ
ータを求める機能を有している。又、判定部３６は画像
差処理部３５により求められた差画像データから残留レ
ジストを検出する機能を有している。なお、画像メモリ
３２にはＡ／Ｄ変換器３７か接続されてＩＴＶカメラ７
からの画像信号がディジタル変換されて画像メモリ３２
に記憶されるようになっている。又、出力部３４には駆
動装置１８が接続されている。
を受けて半導体ウェハ１上に各波長λ９、λ４の励起光
を照射したときに半導体ウェハ１上に発する各螢光強度
の違いから半導体ウェハ１上の残留レジストを検出する
機能を有している。具体的な構成は次の通りである。主
制御部３１に画像メモリ３２、差画像メモリ３３及び出
力部３４か接続されるとともに主制御部３１の指令によ
り画像差処理部３５及び判定部３６が作動するものとな
っている。画像差処理部３５は画像メモリ３２に記憶さ
れる各波長λ３、λ４の励起光を照射したときに得られ
る各被検査画像データ間の濃淡レベル差を示す差画像デ
ータを求める機能を有している。又、判定部３６は画像
差処理部３５により求められた差画像データから残留レ
ジストを検出する機能を有している。なお、画像メモリ
３２にはＡ／Ｄ変換器３７か接続されてＩＴＶカメラ７
からの画像信号がディジタル変換されて画像メモリ３２
に記憶されるようになっている。又、出力部３４には駆
動装置１８が接続されている。
次に上記の如く構成された装置の作用について説明する
。
。
励起光源２０は波長λ３の励起光を放射する。
この励起光は半導体ウェハ１に照射される。この状態に
ＩＴＶカメラ７は半導体ウェハ１を撮像してその画像信
号を出力する。この画像信号はＡ／Ｄ変換器３７により
ディジタル画像信号に変換され、画像メモリ３２に画像
データとして記憶される。
ＩＴＶカメラ７は半導体ウェハ１を撮像してその画像信
号を出力する。この画像信号はＡ／Ｄ変換器３７により
ディジタル画像信号に変換され、画像メモリ３２に画像
データとして記憶される。
次に励起光源２０の発振波長かλ４に変更設定される。
二の励起光源２０は波長λ４の励起光を放射し、二の励
起光は半導体ウェハ１に照射される。そして、ＩＴＶカ
メラ７は半導体ウェハ１を撮像してその画像信号を出力
し、上記作用と同様に画像メモリ３２に画像データとし
て記憶される。
起光は半導体ウェハ１に照射される。そして、ＩＴＶカ
メラ７は半導体ウェハ１を撮像してその画像信号を出力
し、上記作用と同様に画像メモリ３２に画像データとし
て記憶される。
ところで、半導体ウェハ１に励起光か照射されると、半
導体ウェハ１上の正常レジスト及び残留レジストの部分
には螢光が発する。なお、レジスト無しの部分には螢光
は生しない。第１０図は正常レジスト及び残留レジスト
に生じた螢光の波長特性Ｃ，Ｄを示している。同図から
分かるように正常レジストの波長特性Ｃの方か残留レジ
ストの波長特性りよりも光強度か高い。これは正常レジ
ストの方が残留レジストよりも厚いからである。
導体ウェハ１上の正常レジスト及び残留レジストの部分
には螢光が発する。なお、レジスト無しの部分には螢光
は生しない。第１０図は正常レジスト及び残留レジスト
に生じた螢光の波長特性Ｃ，Ｄを示している。同図から
分かるように正常レジストの波長特性Ｃの方か残留レジ
ストの波長特性りよりも光強度か高い。これは正常レジ
ストの方が残留レジストよりも厚いからである。
ここで、波長λ３の励起光か照射されたときの画像デー
タを第１１図に示し、波長λ４の励起光が照射されたと
きの画像データを第１２図に示す。
タを第１１図に示し、波長λ４の励起光が照射されたと
きの画像データを第１２図に示す。
この場合、波長λ３の画像データにおいて正常レジスト
における螢光強度をＰｌ、残留レジストにおける螢光強
度をＱｌとし、又波長λ４の画像データにおいて正常レ
ジストにおける螢光強度をＰ２、残留レジストにおける
螢光強度をＱ２とする。
における螢光強度をＰｌ、残留レジストにおける螢光強
度をＱｌとし、又波長λ４の画像データにおいて正常レ
ジストにおける螢光強度をＰ２、残留レジストにおける
螢光強度をＱ２とする。
画像差処理部３５は波長λ３と波長λ４との各画像デー
タの濃淡レベル差を求める。第１３図は濃淡レベル差を
示す差画像データである。この差画像データでは正常レ
ジスト部分において螢光強度差Ｇ。
タの濃淡レベル差を求める。第１３図は濃淡レベル差を
示す差画像データである。この差画像データでは正常レ
ジスト部分において螢光強度差Ｇ。
Ｇ ３ ”’ Ｐ ２ Ｐ ＋
か求められ、残留レジスト部分において螢光強度差Ｇ４
Ｇ４−０２〜Ｑ１
か求められる。従って、螢光強度差Ｇ３は負の値となり
、螢光強度差Ｇ４は正の値となる。
、螢光強度差Ｇ４は正の値となる。
しかるに、正の値がある部分が残留レジストの存在する
部分となる。判定部３６は残留レジストの存在を判定す
る。
部分となる。判定部３６は残留レジストの存在を判定す
る。
このように上記第２実施例においては、半導体ウェハ１
対してそれぞれ異なる波長の励起光を照射し、これら波
長の励起光を照射したときに半導体ウェハ１に発する各
螢光強度の違いから残留レジストを検出するので、上記
第１実施例と同様な効果を奏することかできる。
対してそれぞれ異なる波長の励起光を照射し、これら波
長の励起光を照射したときに半導体ウェハ１に発する各
螢光強度の違いから残留レジストを検出するので、上記
第１実施例と同様な効果を奏することかできる。
なお、本発明は上記各実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、半
導体ウェハ１の残留レジストの検出に限らず、液晶表示
器のガラスパネルの検査にも適用できる。
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、半
導体ウェハ１の残留レジストの検出に限らず、液晶表示
器のガラスパネルの検査にも適用できる。
［発明の効果］
以上詳記したように本発明によれば、残留レジスト等の
薄膜を確実にかつ短時間で検出できる薄膜検査装置を提
供できる。
薄膜を確実にかつ短時間で検出できる薄膜検査装置を提
供できる。
第１図乃至第８図は本発明に係わる薄膜検査装置の第１
実施例を説明するための図であって、第１図は構成図、
第２図乃至第５図は干渉強度を説明するための図、第６
図乃至第８図は残留レジストの検出作用を説明するため
の図、第９図乃至第１３図は本発明に係わる薄膜検査装
置の第２実絶倒を説明するための図であって、第９図は
構成図、第１０図は螢光強度特性を示す図、第１１図乃
至第１３図は残留レンストの検出作用を説明するだめの
図である。 １・・半導体ウェハ、２ ＸＹ子テーブル３・・・レー
サ発振器、４・ミラー、５・ビームエキスパンダ、６
光学レンス、７− Ｉ Ｔ Ｖカメラ、１０゜３０・・
画像処理装置、１１．３１・・・主制御部、１２．３２
・・画像メモリ、１３．３３・・差画像メモリ、１４．
３４・・出力部、１５．３５・・画像差処理部、１６．
３６・・判定部、１７．３７・・・Ａ／Ｄ変換器、１８
・・・駆動装置、２０・・励起光源。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第６図 ＠７図 第８図 Ｄ 岸
実施例を説明するための図であって、第１図は構成図、
第２図乃至第５図は干渉強度を説明するための図、第６
図乃至第８図は残留レジストの検出作用を説明するため
の図、第９図乃至第１３図は本発明に係わる薄膜検査装
置の第２実絶倒を説明するための図であって、第９図は
構成図、第１０図は螢光強度特性を示す図、第１１図乃
至第１３図は残留レンストの検出作用を説明するだめの
図である。 １・・半導体ウェハ、２ ＸＹ子テーブル３・・・レー
サ発振器、４・ミラー、５・ビームエキスパンダ、６
光学レンス、７− Ｉ Ｔ Ｖカメラ、１０゜３０・・
画像処理装置、１１．３１・・・主制御部、１２．３２
・・画像メモリ、１３．３３・・差画像メモリ、１４．
３４・・出力部、１５．３５・・画像差処理部、１６．
３６・・判定部、１７．３７・・・Ａ／Ｄ変換器、１８
・・・駆動装置、２０・・励起光源。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第６図 ＠７図 第８図 Ｄ 岸
Claims (2)
- （１）被検査体に対してそれぞれ波長の異なる光を照射
する光照射手段と、この光照射手段により各波長の光を
照射したときに前記被検査体上における各明るさの違い
から前記被検査体上の所定の薄膜を検出する検出手段と
を具備したことを特徴とする薄膜検査装置。 - （２）被検査体に対してそれぞれ異なる波長の励起光を
照射する励起光照射手段と、この励起光照射手段により
各波長の励起光を照射したときに前記被検査体上に発す
る各螢光強度の違いから前記被検査体上の所定の薄膜を
検出する検出手段とを具備したことを特徴とする薄膜検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22237790A JPH04106949A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 薄膜検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22237790A JPH04106949A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 薄膜検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106949A true JPH04106949A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16781406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22237790A Pending JPH04106949A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 薄膜検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04106949A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7447559B2 (en) * | 2003-10-08 | 2008-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of forming a photoresist pattern, and repair nozzle |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP22237790A patent/JPH04106949A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7447559B2 (en) * | 2003-10-08 | 2008-11-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of forming a photoresist pattern, and repair nozzle |
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