JPH04108643A - 粉粒状原料の流動層焼成方法および装置 - Google Patents
粉粒状原料の流動層焼成方法および装置Info
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- JPH04108643A JPH04108643A JP22977890A JP22977890A JPH04108643A JP H04108643 A JPH04108643 A JP H04108643A JP 22977890 A JP22977890 A JP 22977890A JP 22977890 A JP22977890 A JP 22977890A JP H04108643 A JPH04108643 A JP H04108643A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、サスペンシヨンプレヒータに投入された粉粒
状原料を予熱し、この予熱粉粒状原料を流動層焼成炉に
投入焼成するようにした粉粒状原料の流動層焼成方法、
および、その装置の改善に間する。
状原料を予熱し、この予熱粉粒状原料を流動層焼成炉に
投入焼成するようにした粉粒状原料の流動層焼成方法、
および、その装置の改善に間する。
[従来技術とその課題]
石灰石、または、ドロマイトなどの粉粒状原料を、複数
のサイクロンを多段的に配設したサスペンシヨンプレヒ
ータを用い、流動N焼成炉の排ガスを用いて予熱し、そ
の予熱された粉粒状原料を流動層焼成炉に導いて生石灰
、または、酸化マグネシウムを得る。この反応は次式に
示される。
のサイクロンを多段的に配設したサスペンシヨンプレヒ
ータを用い、流動N焼成炉の排ガスを用いて予熱し、そ
の予熱された粉粒状原料を流動層焼成炉に導いて生石灰
、または、酸化マグネシウムを得る。この反応は次式に
示される。
CaC0:+ −’) CaO+C021C02l:+
→M、gO+c022 サスペンシヨンプレヒータでは、600〜800℃の温
度域において、排ガスに同伴される焼成された粉粒体と
、その排ガスに含まれている炭酸ガスとが次式で示され
るように再炭酸化反応を生じる。
→M、gO+c022 サスペンシヨンプレヒータでは、600〜800℃の温
度域において、排ガスに同伴される焼成された粉粒体と
、その排ガスに含まれている炭酸ガスとが次式で示され
るように再炭酸化反応を生じる。
CaO+CO2→CaCO33
Mg0+CO□→MgCCh 4この
ような再炭酸化反応によって再生する炭酸カルシウムや
炭酸マグネシウムは微粉化されていることから、サスペ
ンシヨンプレヒータを構成する前記温度域におけるサイ
クロンの内壁には硬質の付着物が生成し易く、これによ
って長期間にわたる連続運転ができなくなるということ
が知られている。
ような再炭酸化反応によって再生する炭酸カルシウムや
炭酸マグネシウムは微粉化されていることから、サスペ
ンシヨンプレヒータを構成する前記温度域におけるサイ
クロンの内壁には硬質の付着物が生成し易く、これによ
って長期間にわたる連続運転ができなくなるということ
が知られている。
また、サスペンシヨンプレヒータではダクト内での原料
の滞留時間が短いため、排ガスとの熱交換が不十分て、
排ガス温度が上昇し、熱消費が多大となるという課題が
ある。
の滞留時間が短いため、排ガスとの熱交換が不十分て、
排ガス温度が上昇し、熱消費が多大となるという課題が
ある。
このような課題を解決する手段として、ダクトの中途部
を紋った形状の噴流層構造とし、排ガス流と原料とを交
流接触させて滞留時間を長くし、熱交換率を向上させる
手段が特開昭53−110624号公報に開示されてい
る。しかしながらこの予熱手段は、管路構造のダクトに
絞りを形成して、原料の滞留時間の増加を計ったもので
あるがダクト内の排ガス流速は、約4 mm径の原料を
吹き上げるに必要な35〜40m/sなので、ダクト内
での原料滞留時間はきわめて短く、排ガスとの熱交換が
不十分で、熱消費が多大となるという課題を解決できな
い。また、上段のサイクロンから大量の原料が役人供給
された場合には、一部が次段のサイクロンに直落し、製
品に生原料が混入されるという不都合もある。
を紋った形状の噴流層構造とし、排ガス流と原料とを交
流接触させて滞留時間を長くし、熱交換率を向上させる
手段が特開昭53−110624号公報に開示されてい
る。しかしながらこの予熱手段は、管路構造のダクトに
絞りを形成して、原料の滞留時間の増加を計ったもので
あるがダクト内の排ガス流速は、約4 mm径の原料を
吹き上げるに必要な35〜40m/sなので、ダクト内
での原料滞留時間はきわめて短く、排ガスとの熱交換が
不十分で、熱消費が多大となるという課題を解決できな
い。また、上段のサイクロンから大量の原料が役人供給
された場合には、一部が次段のサイクロンに直落し、製
品に生原料が混入されるという不都合もある。
また、サスペンシヨンプレヒータを構成する多段的なサ
イクロンのうち、再炭酸化反応が生じる600〜800
℃の温度域となる特定の部位のサイクロンを複数の並列
型構造とし、この並列複数のサイクロンを取替ることに
より連続運転を可能とする装置(実公昭63−1196
号公報)や、並列複数のサイクロンを切換え使用するこ
とにより連続運転を可能とした装置(特開平2−635
44号公報)がある。この種のものは、流動層焼成炉に
おける焼成温度条件や、サスペンシヨンプレヒータにお
ける熱交換が不十分であると、排ガス温度が高くなり、
設定した並列複数の特定サイクロンだけでなく、このサ
イクロンより上位のサイクロンにも再炭酸化反応による
コーチングが発生することから、これらサイクロンも並
列複数構造とし、取替え、または、切換える必要があり
、初期の目的が達成し得ないという課題が残されている
。
イクロンのうち、再炭酸化反応が生じる600〜800
℃の温度域となる特定の部位のサイクロンを複数の並列
型構造とし、この並列複数のサイクロンを取替ることに
より連続運転を可能とする装置(実公昭63−1196
号公報)や、並列複数のサイクロンを切換え使用するこ
とにより連続運転を可能とした装置(特開平2−635
44号公報)がある。この種のものは、流動層焼成炉に
おける焼成温度条件や、サスペンシヨンプレヒータにお
ける熱交換が不十分であると、排ガス温度が高くなり、
設定した並列複数の特定サイクロンだけでなく、このサ
イクロンより上位のサイクロンにも再炭酸化反応による
コーチングが発生することから、これらサイクロンも並
列複数構造とし、取替え、または、切換える必要があり
、初期の目的が達成し得ないという課題が残されている
。
また、実操業においては、生産量、焼成温度なとの操業
条件の変更、粉粒状原料の粒径の変化やサスペンシヨン
プレヒータ系内における循環ダクト員の増加などにより
、並列複数の切換え構造としたサイクロンの直上サイク
ロンも再炭酸化反応温度600〜800℃以上となり、
微粉の付着成長が発生し、延いては長時間連続運転を阻
害することがある。これに対して、当該サイクロンも並
列複数の切換え構造として使用する手段も考えられるが
、装置全体が複雑化され、付着物の清掃作業も倍加する
という:!題がある。また、当該サイクロンの入口側に
、冷風導入、あるいは、散水による降温手段もあるが、
大幅に熱消費が悪化し、生産能力が低下する。
条件の変更、粉粒状原料の粒径の変化やサスペンシヨン
プレヒータ系内における循環ダクト員の増加などにより
、並列複数の切換え構造としたサイクロンの直上サイク
ロンも再炭酸化反応温度600〜800℃以上となり、
微粉の付着成長が発生し、延いては長時間連続運転を阻
害することがある。これに対して、当該サイクロンも並
列複数の切換え構造として使用する手段も考えられるが
、装置全体が複雑化され、付着物の清掃作業も倍加する
という:!題がある。また、当該サイクロンの入口側に
、冷風導入、あるいは、散水による降温手段もあるが、
大幅に熱消費が悪化し、生産能力が低下する。
本発明の目的は、サスペンシヨンプレヒータを構成する
最上段サイクロンの入口側に粉粒状原料を投入する手段
の他に、排ガスに含まれている部分が再炭酸化反応を起
す部分に対応するサイクロンの直上サイクロンの入口側
にも粉粒状原料を投入することにより、当該サイクロン
の排ガス温度を600〜800℃の再炭酸化反応温度域
より低下させ、熱消費効率を悪化させることなく再炭酸
化反応の拡大域を合理的に抑制させ、流動PM成装置の
長時間連続運転を可能とした方法、および、装置を提供
せんとするものである。
最上段サイクロンの入口側に粉粒状原料を投入する手段
の他に、排ガスに含まれている部分が再炭酸化反応を起
す部分に対応するサイクロンの直上サイクロンの入口側
にも粉粒状原料を投入することにより、当該サイクロン
の排ガス温度を600〜800℃の再炭酸化反応温度域
より低下させ、熱消費効率を悪化させることなく再炭酸
化反応の拡大域を合理的に抑制させ、流動PM成装置の
長時間連続運転を可能とした方法、および、装置を提供
せんとするものである。
[課題を解決するための手段]
従来技術の課題を解決する本考案の構成は、サイクロン
を多段的に配設して構成せるサスペンシヨンプレヒータ
に、流動層焼成炉の排ガスを導き、上記サスペンシヨン
プレヒータを構成する最上段のサイクロンの人口側に投
入される粉粒状原料を系内に循環して予熱し、この予熱
された粉粒状原料を上記流動N焼成炉に投入焼成する粉
粒状原料の流動層焼成方法において、上記サスペンシヨ
ンプレヒータを構成するサイクロンのうち、排ガス中の
成分が再炭酸化反応を起す部分に対応するサイクロンの
直上サイクロンの人口側に、別途粉粒状原料を投入して
排ガス温度を再炭酸化反応温度域より低下させ、当該サ
イクロンにおける成分の付着成長を防止すること、およ
び、流動層焼成炉の上方に、複数のサイクロンを多段的
に配設して構成せるサスペンシヨンプレヒータを連設し
、該サスペンシヨンプレヒータの最上段サイクロン入口
側ダクトに粉粒状原料の原料投入シュートを設け、サス
ペンシヨンプレヒータ系内に上記流動Pi焼成炉の排ガ
スを導き、系内を循環する粉粒状原料を予熱し、この予
熱された粉粒状原料を流動層焼成炉に投入し焼成する粉
粒状原料の焼成装置において、上記サスペンシヨンプレ
ヒータを構成するサイクロンのうち、排ガス中の成分が
再炭酸化反応を起す部分に対応するサイクロンの直上サ
イクロンの入口側ダクトに、粉粒状原料の原料投入シュ
ートを別途設けたものである。
を多段的に配設して構成せるサスペンシヨンプレヒータ
に、流動層焼成炉の排ガスを導き、上記サスペンシヨン
プレヒータを構成する最上段のサイクロンの人口側に投
入される粉粒状原料を系内に循環して予熱し、この予熱
された粉粒状原料を上記流動N焼成炉に投入焼成する粉
粒状原料の流動層焼成方法において、上記サスペンシヨ
ンプレヒータを構成するサイクロンのうち、排ガス中の
成分が再炭酸化反応を起す部分に対応するサイクロンの
直上サイクロンの人口側に、別途粉粒状原料を投入して
排ガス温度を再炭酸化反応温度域より低下させ、当該サ
イクロンにおける成分の付着成長を防止すること、およ
び、流動層焼成炉の上方に、複数のサイクロンを多段的
に配設して構成せるサスペンシヨンプレヒータを連設し
、該サスペンシヨンプレヒータの最上段サイクロン入口
側ダクトに粉粒状原料の原料投入シュートを設け、サス
ペンシヨンプレヒータ系内に上記流動Pi焼成炉の排ガ
スを導き、系内を循環する粉粒状原料を予熱し、この予
熱された粉粒状原料を流動層焼成炉に投入し焼成する粉
粒状原料の焼成装置において、上記サスペンシヨンプレ
ヒータを構成するサイクロンのうち、排ガス中の成分が
再炭酸化反応を起す部分に対応するサイクロンの直上サ
イクロンの入口側ダクトに、粉粒状原料の原料投入シュ
ートを別途設けたものである。
[作 用コ
サスペンシヨンプレヒータは、これを構成する最上段サ
イクロンの入口側から系内に投入された粉粒状原料を排
ガス流によって系内を循環させながら予熱し、流動層焼
成炉に粉粒状原料を供wi焼成させる。また、上記粉粒
状原料の投入シュート以外から、再炭酸化反応が生じ易
い部位のサイクロンの直上サイクロンの入口側系内に投
入される粉粒状原料は、当該サイクロンの排ガス温度を
再炭酸化反応温度域(600〜800℃)以下に低下さ
せ、排ガスに含まれている成分を付着成長させない作用
があり、流動層焼成装置の長時間連続運転を可能とする
。
イクロンの入口側から系内に投入された粉粒状原料を排
ガス流によって系内を循環させながら予熱し、流動層焼
成炉に粉粒状原料を供wi焼成させる。また、上記粉粒
状原料の投入シュート以外から、再炭酸化反応が生じ易
い部位のサイクロンの直上サイクロンの入口側系内に投
入される粉粒状原料は、当該サイクロンの排ガス温度を
再炭酸化反応温度域(600〜800℃)以下に低下さ
せ、排ガスに含まれている成分を付着成長させない作用
があり、流動層焼成装置の長時間連続運転を可能とする
。
[実施例コ
次に、図面について本発明実施例の詳細を説明する。
第1図は、特定サイクロンを並列複数型構造とした流動
層焼成装置の一部切欠正面図、第2図は、粉粒状原料の
分岐投入手段の要部の正面図、第3図は、同上要部の断
面図、第4図は、4段サイクロン構造からなるサスベン
ジ3ンブレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面
図、第5図は5段サイクロン構造からなるサスペンシヨ
ンプレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面図、
第6図は、3段サイクロン構造からなるサスペンシヨン
プレヒータをもつ流動N焼成装置の一部切欠正面図であ
る。
層焼成装置の一部切欠正面図、第2図は、粉粒状原料の
分岐投入手段の要部の正面図、第3図は、同上要部の断
面図、第4図は、4段サイクロン構造からなるサスベン
ジ3ンブレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面
図、第5図は5段サイクロン構造からなるサスペンシヨ
ンプレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面図、
第6図は、3段サイクロン構造からなるサスペンシヨン
プレヒータをもつ流動N焼成装置の一部切欠正面図であ
る。
先づ、第1図について装置の構成を説明しながら焼成方
法を説明する。複数のサイクロンCI、C21C31C
4は、多段的に配設されてサスペンシヨンプレヒータ1
を構成している。上記最上段サイクロンC4の入口側ダ
クト2に設けた原料投入シュート3から投入される石灰
石、または、ドロマイトなとの粉粒状原料は、流動層焼
成炉4からの排ガスによって予熱され、その予熱された
粉粒状原料は順次上記流動層焼成炉4に導かれて焼成さ
れる。流動層焼成炉4において焼成された製品はLバル
ブ5をもつシュート6、および、上記流動層焼成炉4に
直結した捕集サイクロンC8のシュート7などを経て流
動層クーラ8において冷却され、コンベア9から製品と
して取出し回収される。
法を説明する。複数のサイクロンCI、C21C31C
4は、多段的に配設されてサスペンシヨンプレヒータ1
を構成している。上記最上段サイクロンC4の入口側ダ
クト2に設けた原料投入シュート3から投入される石灰
石、または、ドロマイトなとの粉粒状原料は、流動層焼
成炉4からの排ガスによって予熱され、その予熱された
粉粒状原料は順次上記流動層焼成炉4に導かれて焼成さ
れる。流動層焼成炉4において焼成された製品はLバル
ブ5をもつシュート6、および、上記流動層焼成炉4に
直結した捕集サイクロンC8のシュート7などを経て流
動層クーラ8において冷却され、コンベア9から製品と
して取出し回収される。
この第1図に示した実施例は、サスペンシヨンプレヒー
タ1を構成するサイクロン自〜c4のうち、再炭酸化反
応の温度域600〜800”Cの温度条件下で付着物の
生成を、切換え可能構造(特開平2−63544号公報
参照)としたサイクロンC2a、 C2bに特定したも
ので、このサイクロンC,a、 C2bは、弁10a、
lObをもつダクト11によって並列に接続され、弁1
0a 、 IObの切換えにより、一方のサイクロンC
2aが運転中は、他方のサイクロンCzbが休止される
ように構成しである。また、上記原料投入シュート3か
ら系内に投入された粉粒状原料は、ダクト2からサイク
ロンC4に導かれて捕集され、共通のシュート12から
分岐シュート13、または、14を経てダクト15、ま
たは、16に供給され、サイクロンC3によって粉粒状
原料は捕集せしめられる、そして、このサイクロンC3
で捕集された粉粒状原料は、シュー)+7からダクト1
8に投入され、上記ダクト11を介してサイクロンC2
a、または、C,bに導かれる。
タ1を構成するサイクロン自〜c4のうち、再炭酸化反
応の温度域600〜800”Cの温度条件下で付着物の
生成を、切換え可能構造(特開平2−63544号公報
参照)としたサイクロンC2a、 C2bに特定したも
ので、このサイクロンC,a、 C2bは、弁10a、
lObをもつダクト11によって並列に接続され、弁1
0a 、 IObの切換えにより、一方のサイクロンC
2aが運転中は、他方のサイクロンCzbが休止される
ように構成しである。また、上記原料投入シュート3か
ら系内に投入された粉粒状原料は、ダクト2からサイク
ロンC4に導かれて捕集され、共通のシュート12から
分岐シュート13、または、14を経てダクト15、ま
たは、16に供給され、サイクロンC3によって粉粒状
原料は捕集せしめられる、そして、このサイクロンC3
で捕集された粉粒状原料は、シュー)+7からダクト1
8に投入され、上記ダクト11を介してサイクロンC2
a、または、C,bに導かれる。
上記サイクロンC2a、または、C2bで捕集された粉
粒状原料は、シュー)19、または、20からサイクロ
ンC3の人口側ダク)21に投入供給され、このサイク
ロンC3で捕集された粉粒状原料は、シュート22から
上記流動層焼成炉4に供給焼成せしめられる。流動層焼
成炉4では、分散板23上に予熱された粉粒状原料が貯
留され、この粉粒状原料をバーナ24によって加熱する
とともに、風箱25からの空気によって流動化されなが
ら焼成せしめられ、この焼成製品は、シュート6から上
記Lバルブ5を介して上記流動層クーラ8に導かれる。
粒状原料は、シュー)19、または、20からサイクロ
ンC3の人口側ダク)21に投入供給され、このサイク
ロンC3で捕集された粉粒状原料は、シュート22から
上記流動層焼成炉4に供給焼成せしめられる。流動層焼
成炉4では、分散板23上に予熱された粉粒状原料が貯
留され、この粉粒状原料をバーナ24によって加熱する
とともに、風箱25からの空気によって流動化されなが
ら焼成せしめられ、この焼成製品は、シュート6から上
記Lバルブ5を介して上記流動層クーラ8に導かれる。
上記流動層クーラ8は、分散板26を備え、仕切板27
によって仕切られた2個の空気M28には、押込みファ
ン29がら空気が圧送される。また、上記流動層クーラ
8からの空気は、ダク)30.31からクーラサイクロ
ン32.33を経てダクト34から上記流動層焼成炉4
の風箱25に燃焼用空気として供給される。そして、上
記一方のクーラサイクロン32で捕集された製品は、シ
ュート35から上記流動層クーラ8に導かれ、また、他
方のクーラサイクロン33で捕集した製品は、シュート
36から上記コンベア9上に導かれる。図中37は、上
記ダクト34から流動層焼成炉4の風箱25に導かれた
ダストを上記流動層クーラ8に投入供給するシュート、
38゜39は、霧化された水分を供給する霧化手段、4
0゜41は、サイクロンC2a、 C,bから剥離流下
した付着物を貯留する容器、42.43は付着物の破砕
機で、破砕された付着物はシュー)44.45から流動
層焼成炉4に投入焼成される。46は排ガスファンであ
る。
によって仕切られた2個の空気M28には、押込みファ
ン29がら空気が圧送される。また、上記流動層クーラ
8からの空気は、ダク)30.31からクーラサイクロ
ン32.33を経てダクト34から上記流動層焼成炉4
の風箱25に燃焼用空気として供給される。そして、上
記一方のクーラサイクロン32で捕集された製品は、シ
ュート35から上記流動層クーラ8に導かれ、また、他
方のクーラサイクロン33で捕集した製品は、シュート
36から上記コンベア9上に導かれる。図中37は、上
記ダクト34から流動層焼成炉4の風箱25に導かれた
ダストを上記流動層クーラ8に投入供給するシュート、
38゜39は、霧化された水分を供給する霧化手段、4
0゜41は、サイクロンC2a、 C,bから剥離流下
した付着物を貯留する容器、42.43は付着物の破砕
機で、破砕された付着物はシュー)44.45から流動
層焼成炉4に投入焼成される。46は排ガスファンであ
る。
以上のことを技術的背景として本発明を述へると、粉粒
状原料の流動層焼成装置に付設するサスペンシヨンプレ
ヒータ1は、通常4段のサイクロンC1,C2,C3,
C4構造とすることがもつとも経済的であるが、600
〜800℃の温度域で再炭酸化反応した、例えば、Ca
CO3微粉がサイクロン内面に付着成長し、装置の長時
間連続運転を困難とする課題がある。これに対して上述
のように、再炭酸化反応が生じ易い部位に対応するサイ
クロンC2を並列複数のサイクロンC2a、 C2bと
し、夫々のサイクロンC,a、 C,bを切換え方式と
して連続運転を可能としているが、生産量、焼成温度な
どの操作条件の変更により、サイクロンC,a、 C,
bより上位のサイクロンC3も再炭酸化反応温度域にな
り、微粉がサイクロンC2a、 C2b直上のサイクロ
ンC3の内面に付着成長することがある。
状原料の流動層焼成装置に付設するサスペンシヨンプレ
ヒータ1は、通常4段のサイクロンC1,C2,C3,
C4構造とすることがもつとも経済的であるが、600
〜800℃の温度域で再炭酸化反応した、例えば、Ca
CO3微粉がサイクロン内面に付着成長し、装置の長時
間連続運転を困難とする課題がある。これに対して上述
のように、再炭酸化反応が生じ易い部位に対応するサイ
クロンC2を並列複数のサイクロンC2a、 C2bと
し、夫々のサイクロンC,a、 C,bを切換え方式と
して連続運転を可能としているが、生産量、焼成温度な
どの操作条件の変更により、サイクロンC,a、 C,
bより上位のサイクロンC3も再炭酸化反応温度域にな
り、微粉がサイクロンC2a、 C2b直上のサイクロ
ンC3の内面に付着成長することがある。
この場合、第1図に示すように、上記最上段サイクロン
C4の入口例ダクト2に粉粒状原料を投入する原料投入
シュート3に接続した原料供給装置47を設け、この原
料供給装置47の分岐シュート48から粉粒状原料をス
クリューコンヘア49に供給しこのスクリューコンベア
49に接続された流量調整弁50.51をもつ原料投入
シュー)52.53を介して上記サイクロンC3の入口
側ダクト15、または、16に粉粒状原料を別途投入し
、サイクロンC3の排ガス温度を再炭酸化反応温度域で
ある600〜800℃以下に低下させ、当該サイクロン
C3における微粉の付着成長を阻止し、再炭酸化反応を
上記サイクロンC,a、 C2bに規制するものである
。また、サイクロンC3における排ガス温度をセンサー
(図示路)により検出し、この排ガス検知信号により上
記スクリューコンベア49、流量調整弁50.51をコ
ントロールして原料投入量を調節し、サイクロンC3の
排ガス温度を再炭酸化反応温度以下に自動制御する。
C4の入口例ダクト2に粉粒状原料を投入する原料投入
シュート3に接続した原料供給装置47を設け、この原
料供給装置47の分岐シュート48から粉粒状原料をス
クリューコンヘア49に供給しこのスクリューコンベア
49に接続された流量調整弁50.51をもつ原料投入
シュー)52.53を介して上記サイクロンC3の入口
側ダクト15、または、16に粉粒状原料を別途投入し
、サイクロンC3の排ガス温度を再炭酸化反応温度域で
ある600〜800℃以下に低下させ、当該サイクロン
C3における微粉の付着成長を阻止し、再炭酸化反応を
上記サイクロンC,a、 C2bに規制するものである
。また、サイクロンC3における排ガス温度をセンサー
(図示路)により検出し、この排ガス検知信号により上
記スクリューコンベア49、流量調整弁50.51をコ
ントロールして原料投入量を調節し、サイクロンC3の
排ガス温度を再炭酸化反応温度以下に自動制御する。
尚、この実施例においては、粉粒状原料をサイクロンC
4,C3の人口側ダク) 2.15.16に投入手段と
して、原料供給装置t 47.分岐シュート48.スク
リューコンヘア49.流量調整弁50.51をもつ原料
投入シュート52.53よりなる構成としたが、第2.
3図に示すように、原料供給装置54に逆Y字形の2又
の分岐シュート55を使用し、これの分岐部55aに切
換え弁56を設け、この切換え弁56の角度調整により
サイクロンC,,C3への原料投入量を調整するように
したもので、上記切換え弁56は、サイクロンC3の排
ガス温度の検知信号により駆動手段57により調整され
る。このように、サイクロンC3,C,に粉粒状原料を
投入する手段は種々考察されることから、図示実施例に
特定されるものではない。
4,C3の人口側ダク) 2.15.16に投入手段と
して、原料供給装置t 47.分岐シュート48.スク
リューコンヘア49.流量調整弁50.51をもつ原料
投入シュート52.53よりなる構成としたが、第2.
3図に示すように、原料供給装置54に逆Y字形の2又
の分岐シュート55を使用し、これの分岐部55aに切
換え弁56を設け、この切換え弁56の角度調整により
サイクロンC,,C3への原料投入量を調整するように
したもので、上記切換え弁56は、サイクロンC3の排
ガス温度の検知信号により駆動手段57により調整され
る。このように、サイクロンC3,C,に粉粒状原料を
投入する手段は種々考察されることから、図示実施例に
特定されるものではない。
上述した第1実施例は、再炭酸化反応が起る部位に対応
するサイクロンを、並列複数の切換え構造、即ち、サイ
クロンC2a、 C2bを切換え可能としたものである
が、第4〜6図に示す実施例は、並列複数サイクロンの
切換え構造を採用しないサスペンシヨンプレヒータを付
設した流動層焼成装置に間するものである。
するサイクロンを、並列複数の切換え構造、即ち、サイ
クロンC2a、 C2bを切換え可能としたものである
が、第4〜6図に示す実施例は、並列複数サイクロンの
切換え構造を採用しないサスペンシヨンプレヒータを付
設した流動層焼成装置に間するものである。
第4図に示した第2実施例は、4段のサイクロンCIl
C2+ (−1+ C4により構成されたサスペンシ
ヨンプレヒータ1aを流動層焼成炉4の上方に配設した
もので、サイクロンC4の入口側ダクト2に原料投入シ
ュート3を設ける他に、原料供給装置47、分岐シュー
ト48.スクリューコンベア49.流量調整弁58をも
つ原料投入シュート59介して粉粒状原料を、再炭酸化
反応を起し易い部位のサイクロンC2直上のサイクロン
C3の人口側ダク)60に投入し、該サイクロンC3の
排ガス温度を再炭酸化温度である 600℃以下に制御
するものである。サイクロンC3の排ガス温度を検知し
、この検知信号により上記流量調整弁58を制御して投
入量をコントロールせしめ、サイクロンC3の排ガス温
度を600℃以下に自動制御することは、上記第1実施
例と同様であるし、また、第1実施例と同一の部分には
同一の符号を付すことにより構成、および、作用の説明
は省略する。尚、図中61は熱交換器、62はバッグフ
ィルタである。
C2+ (−1+ C4により構成されたサスペンシ
ヨンプレヒータ1aを流動層焼成炉4の上方に配設した
もので、サイクロンC4の入口側ダクト2に原料投入シ
ュート3を設ける他に、原料供給装置47、分岐シュー
ト48.スクリューコンベア49.流量調整弁58をも
つ原料投入シュート59介して粉粒状原料を、再炭酸化
反応を起し易い部位のサイクロンC2直上のサイクロン
C3の人口側ダク)60に投入し、該サイクロンC3の
排ガス温度を再炭酸化温度である 600℃以下に制御
するものである。サイクロンC3の排ガス温度を検知し
、この検知信号により上記流量調整弁58を制御して投
入量をコントロールせしめ、サイクロンC3の排ガス温
度を600℃以下に自動制御することは、上記第1実施
例と同様であるし、また、第1実施例と同一の部分には
同一の符号を付すことにより構成、および、作用の説明
は省略する。尚、図中61は熱交換器、62はバッグフ
ィルタである。
また、仮想線で示すように、サイクロンC2の人口側ダ
クト63に原料投入シュート64を設け、この原料投入
シュート64から制御された流量の粉粒状原料を投入す
ることによりサイクロンC7の排ガス温度を600℃以
下に制御し、サイクロンC2における微粉の付着成長を
減少させることも可能である第5図に示す第3実施例は
、5段のサイクロンC+−Csから構成されるサスペン
シヨンプレヒータ1bを流動層焼成炉4の上方に配設し
たもので、サイクロンC4にダクト65を介してサイク
ロンC5を連設し、この最上段サイクロンC5を微粉の
捕集効率の優れた集塵装置とし、捕集した高温ダストを
そのままシュート66により流動層焼成炉4に再投入す
るようにしたもので、その他は、上記第2実施例と同様
であるので詳細な説明は省略する。
クト63に原料投入シュート64を設け、この原料投入
シュート64から制御された流量の粉粒状原料を投入す
ることによりサイクロンC7の排ガス温度を600℃以
下に制御し、サイクロンC2における微粉の付着成長を
減少させることも可能である第5図に示す第3実施例は
、5段のサイクロンC+−Csから構成されるサスペン
シヨンプレヒータ1bを流動層焼成炉4の上方に配設し
たもので、サイクロンC4にダクト65を介してサイク
ロンC5を連設し、この最上段サイクロンC5を微粉の
捕集効率の優れた集塵装置とし、捕集した高温ダストを
そのままシュート66により流動層焼成炉4に再投入す
るようにしたもので、その他は、上記第2実施例と同様
であるので詳細な説明は省略する。
第6図に示した第4実施例は、3段のサイクロンC,,
C,、C,により構成されたサスペンシヨンプレヒータ
1cを流動層焼成炉4の上方に配設したもので、サイク
ロンC3の入口側のダクト67に設けた原料投入シュー
ト68から投入された粉粒状原料は、サイクロンC3で
捕集され、この捕集された粉粒状原料をシュート69か
らサイクロンC2の入口側ダクト70に投入供給し、こ
の投入された粉粒状原料は、更に、サイクロンC2で捕
集されてシュート71からサイクロンC7の入口側ダク
ト72に投入せしめられ、サイクロンC1で捕集される
。以上のように、サスペンシヨンプレヒータ1cの系内
を循環し予熱された粉粒状原料は、シュート73を経て
上記流動層焼成炉4に投入焼成せしめられる。ここで焼
成された製品は、Lバルブ5をもつシュート6を経て流
動層クーラ(図示路)へ回収され、また、排ガスととも
に飛散した製品は、捕集サイクロンcoで捕集されてシ
ュート7を経て流動層クーラに回収せしめられる。
C,、C,により構成されたサスペンシヨンプレヒータ
1cを流動層焼成炉4の上方に配設したもので、サイク
ロンC3の入口側のダクト67に設けた原料投入シュー
ト68から投入された粉粒状原料は、サイクロンC3で
捕集され、この捕集された粉粒状原料をシュート69か
らサイクロンC2の入口側ダクト70に投入供給し、こ
の投入された粉粒状原料は、更に、サイクロンC2で捕
集されてシュート71からサイクロンC7の入口側ダク
ト72に投入せしめられ、サイクロンC1で捕集される
。以上のように、サスペンシヨンプレヒータ1cの系内
を循環し予熱された粉粒状原料は、シュート73を経て
上記流動層焼成炉4に投入焼成せしめられる。ここで焼
成された製品は、Lバルブ5をもつシュート6を経て流
動層クーラ(図示路)へ回収され、また、排ガスととも
に飛散した製品は、捕集サイクロンcoで捕集されてシ
ュート7を経て流動層クーラに回収せしめられる。
この実施例では、上記原料投入シュート68の他に、再
炭酸化反応が生じ易いサイクロンc2の入口側ダクト7
0に原料投入シュート74を設け、第1実施例と同様に
投入シュート74から粉粒状原料をダクト70に投入し
、サイクロンC2の排ガス温度を再炭酸化反応温度であ
る600℃以下にコントロールせしめ、当該サイクロン
C2における再炭酸化反応による微粉の付着成長を阻止
する。このように、サイクロンC2の人口側ダクト70
に粉粒状原料を分岐投入することにより、微粉が付着成
長するサイクロンがなくなり、サスペンシヨンプレヒー
タ1cを構成するサイクロンに対して、微粉の付着成長
防止手段を施すことがない流動N焼成装置、および、そ
の運転方法が得られる。
炭酸化反応が生じ易いサイクロンc2の入口側ダクト7
0に原料投入シュート74を設け、第1実施例と同様に
投入シュート74から粉粒状原料をダクト70に投入し
、サイクロンC2の排ガス温度を再炭酸化反応温度であ
る600℃以下にコントロールせしめ、当該サイクロン
C2における再炭酸化反応による微粉の付着成長を阻止
する。このように、サイクロンC2の人口側ダクト70
に粉粒状原料を分岐投入することにより、微粉が付着成
長するサイクロンがなくなり、サスペンシヨンプレヒー
タ1cを構成するサイクロンに対して、微粉の付着成長
防止手段を施すことがない流動N焼成装置、および、そ
の運転方法が得られる。
[発明の効果]
上述のように未発明の構成によれば、次のような効果が
得られる。
得られる。
(a)複数のサイクロンを多段的に配設して構成せるサ
スペンシヨンプレヒータに、流動層焼成炉の排ガスを導
き、上記サスペンシヨンプレヒータを構成する最上段の
サイクロン入口側に投入せる粉粒状原料を系内に循環し
て予熱し、この予熱された粉粒状原料を上記流動層焼成
炉に投入焼成するに際し、上記サスペンシヨンプレヒー
タを構成するサイクロンのうち、排ガス中の成分が再炭
酸化反応を起す部分に対応するサイクロンに対しては、
流動N焼成装置の長時間連続運転を可能とするため微粉
の付着防止手段。
スペンシヨンプレヒータに、流動層焼成炉の排ガスを導
き、上記サスペンシヨンプレヒータを構成する最上段の
サイクロン入口側に投入せる粉粒状原料を系内に循環し
て予熱し、この予熱された粉粒状原料を上記流動層焼成
炉に投入焼成するに際し、上記サスペンシヨンプレヒー
タを構成するサイクロンのうち、排ガス中の成分が再炭
酸化反応を起す部分に対応するサイクロンに対しては、
流動N焼成装置の長時間連続運転を可能とするため微粉
の付着防止手段。
排除手段、並列複数サイクロンの切換え手段などが配慮
されているが、生産量、流動N焼成炉の焼成温度なとの
操作条件の変更により、上記特定のサイクロンの直上の
サイクロンが再炭酸化反応温度域になったとき、該サイ
クロンの人口側に粉粒状原料を別途投入することにより
、当該サイクロンの排ガス温度を再炭酸化反応温度、即
ち、600℃以下に下げ、当該サイクロンにおける微粉
の付着成長を防止し、流動層焼成装置の長時間連続運転
を更に一層確実にすることができる。
されているが、生産量、流動N焼成炉の焼成温度なとの
操作条件の変更により、上記特定のサイクロンの直上の
サイクロンが再炭酸化反応温度域になったとき、該サイ
クロンの人口側に粉粒状原料を別途投入することにより
、当該サイクロンの排ガス温度を再炭酸化反応温度、即
ち、600℃以下に下げ、当該サイクロンにおける微粉
の付着成長を防止し、流動層焼成装置の長時間連続運転
を更に一層確実にすることができる。
(b)当該サイクロンの排ガス温度を検知し、この検知
信号により粉粒状原料の分岐投入量を投入し、最少の熱
消費悪化で長時間連続運転を可能とすることができ、ま
た、その運転操作、および、!!置もきわめて簡単であ
る。
信号により粉粒状原料の分岐投入量を投入し、最少の熱
消費悪化で長時間連続運転を可能とすることができ、ま
た、その運転操作、および、!!置もきわめて簡単であ
る。
(c)3段サイクロン構造からなるサスペンシヨンプレ
ヒータにおいては、再炭酸化反応による微粉の付着成長
防止手段を配慮するサイクロンが皆無となり、装置は勿
論のこと、運転方法の大巾な簡略化が図れる。
ヒータにおいては、再炭酸化反応による微粉の付着成長
防止手段を配慮するサイクロンが皆無となり、装置は勿
論のこと、運転方法の大巾な簡略化が図れる。
第1図は、特定サイクロンを並列複数型構造とした流動
層焼成装置の一部切欠正面図、第2図は、粉粒状原料の
分岐投入手段の要部の正面図、第3図は、同上要部の断
面図、第4図は、4段サイクロン構造からなるサスペン
シヨンプレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面
図、第5図は5段サイクロン構造からなるサスペンシヨ
ンプレヒータをもつ流動N焼成装置の一部切欠正面図、
′!s6図は、3段サイクロン構造からなるサスペンシ
ヨンプレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面図
である。 Co”’捕集サイクロン+ CIT C21C2a、
C2b、 C3+C4,C,・・・サイクロン+ 1
11a、ib、lc−・・サスペンシヨンプレヒータ、
2・・・ダクト、3・・・原料投入シュート、4・・・
流動層焼成炉、5・・・Lバルブ6・・・シュート、7
・・・シュート、8・・・流動層クーラ、9・・・コン
ヘア、47・・・原料供給装置、48・・・分岐シュー
ト、49・・・スクリューコンベア、 50.51・・
・流量調整弁、 52.53・・・原料投入シュート、
58・・・流量調整弁、59・・・原料投入シュート、
68・・・原料投入シュート、74・・・原料投入シュ
ート。 特 許 出 願 人 川崎重工業株式会社 代 理 人 佐 野 義 雄 、gsq了’!= a’f +’A−’fl。 C:分服シヱート 第 図 第 図
層焼成装置の一部切欠正面図、第2図は、粉粒状原料の
分岐投入手段の要部の正面図、第3図は、同上要部の断
面図、第4図は、4段サイクロン構造からなるサスペン
シヨンプレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面
図、第5図は5段サイクロン構造からなるサスペンシヨ
ンプレヒータをもつ流動N焼成装置の一部切欠正面図、
′!s6図は、3段サイクロン構造からなるサスペンシ
ヨンプレヒータをもつ流動層焼成装置の一部切欠正面図
である。 Co”’捕集サイクロン+ CIT C21C2a、
C2b、 C3+C4,C,・・・サイクロン+ 1
11a、ib、lc−・・サスペンシヨンプレヒータ、
2・・・ダクト、3・・・原料投入シュート、4・・・
流動層焼成炉、5・・・Lバルブ6・・・シュート、7
・・・シュート、8・・・流動層クーラ、9・・・コン
ヘア、47・・・原料供給装置、48・・・分岐シュー
ト、49・・・スクリューコンベア、 50.51・・
・流量調整弁、 52.53・・・原料投入シュート、
58・・・流量調整弁、59・・・原料投入シュート、
68・・・原料投入シュート、74・・・原料投入シュ
ート。 特 許 出 願 人 川崎重工業株式会社 代 理 人 佐 野 義 雄 、gsq了’!= a’f +’A−’fl。 C:分服シヱート 第 図 第 図
Claims (2)
- (1)サイクロンを多段的に配設して構成せるサスペン
シヨンプレヒータに、流動層焼成炉の排ガスを導き、上
記サスペンシヨンプレヒータを構成する最上段のサイク
ロンの入口側に投入される粉粒状原料を系内に循環して
予熱し、この予熱された粉粒状原料を上記流動層焼成炉
に投入焼成する粉粒状原料の流動層焼成方法において上
記サスペンシヨンプレヒータを構成するサイクロンのう
ち、排ガス中の成分が再炭酸化反応を起す部分に対応す
るサイクロンの直上サイクロンの入口側に、別途粉粒状
原料を投入して排ガス温度を再炭酸化反応温度域より低
下させ、当該サイクロンにおける成分の付着成長を防止
することを特徴とする粉粒状原料の流動層焼成方法。 - (2)流動層焼成炉の上方に、複数のサイクロンを多段
的に配設して構成せるサスペンシヨンプレヒータを連設
し、該サスペンシヨンプレヒータの最上段サイクロン入
口側ダクトに粉粒状原料の原料投入シュートを設け、サ
イクロンプレヒータ系内に上記流動層焼成炉の排ガスを
導き、系内を循環する粉粒状原料を予熱し、この予熱さ
れた粉粒状原料を流動層焼成炉に投入し焼成する粉粒状
原料の焼成装置において、 上記サスペンシヨンプレヒータを構成するサイクロンの
うち、排ガス中の成分が再炭酸化反応を起す部分に対応
するサイクロンの直上サイクロンの入口側ダクトに、粉
粒状原料の原料投入シュートを別途設けたことを特徴と
する粉粒状原料の流動層焼成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22977890A JPH0791096B2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 粉粒状原料の流動層焼成方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22977890A JPH0791096B2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 粉粒状原料の流動層焼成方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04108643A true JPH04108643A (ja) | 1992-04-09 |
| JPH0791096B2 JPH0791096B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
ID=16897529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22977890A Expired - Lifetime JPH0791096B2 (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 粉粒状原料の流動層焼成方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0791096B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9232642B2 (en) | 2012-07-20 | 2016-01-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate, method for manufacturing the wiring substrate, and semiconductor package |
| CN112479606A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-12 | 石家庄新华能源环保科技股份有限公司 | 一种生产石灰的悬浮窑 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP22977890A patent/JPH0791096B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9232642B2 (en) | 2012-07-20 | 2016-01-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring substrate, method for manufacturing the wiring substrate, and semiconductor package |
| CN112479606A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-03-12 | 石家庄新华能源环保科技股份有限公司 | 一种生产石灰的悬浮窑 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0791096B2 (ja) | 1995-10-04 |
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