JPH04109132A - 温度センサ感度可変回路 - Google Patents
温度センサ感度可変回路Info
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- JPH04109132A JPH04109132A JP22717890A JP22717890A JPH04109132A JP H04109132 A JPH04109132 A JP H04109132A JP 22717890 A JP22717890 A JP 22717890A JP 22717890 A JP22717890 A JP 22717890A JP H04109132 A JPH04109132 A JP H04109132A
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- JP
- Japan
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- equivalent resistance
- temperature
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- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims abstract description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 27
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- Analogue/Digital Conversion (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は温度センサ感度可変回路に関し、特に測定温度
に応じて等価抵抗値が対数的に変化するＮＴＣ（負特性
）型サーミスタを使用する温度センス方式に関する。
に応じて等価抵抗値が対数的に変化するＮＴＣ（負特性
）型サーミスタを使用する温度センス方式に関する。
従来技術
従来、この種の温度センス方式においては、測定対象の
温度範囲内で温度センス感度が固定的であり、精度の上
限が回路によって画一的に決定されてしまう方式となっ
ていた。
温度範囲内で温度センス感度が固定的であり、精度の上
限が回路によって画一的に決定されてしまう方式となっ
ていた。
このような従来の温度センス方式では、測定対象となる
温度範囲が固定であり、回路によっては感度や精度も固
定的となっていたので、任意の温度範囲で最大の精度を
得たり、測定対象となる温度範囲を変化させたりするこ
とができないという欠点がある。
温度範囲が固定であり、回路によっては感度や精度も固
定的となっていたので、任意の温度範囲で最大の精度を
得たり、測定対象となる温度範囲を変化させたりするこ
とができないという欠点がある。
発明の目的
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去すべくな
されたもので、測定対象となる温度範囲で最大の感度と
精度とを得ることができる温度センサ感度可変回路の提
供を目的とする。
されたもので、測定対象となる温度範囲で最大の感度と
精度とを得ることができる温度センサ感度可変回路の提
供を目的とする。
発明の構成
本発明による温度センサ感度可変回路は、測定温度に応
じて等価抵抗値が変化するサーミスタを使用する温度セ
ンサの温度センサ感度可変回路であって、入力される制
御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗手段と、前記
制御信号および該制御信号に対応する前記抵抗値を格納
する格納手段と、前記格納手段に格納された前記制御信
号により前記可変抵抗手段を可変制御する制御手段と、
前記制御手段により可変制御された前記可変抵抗手段の
抵抗値および前記サーミスタの等価抵抗値により分圧さ
れた分圧電圧値と予め設定された所定電圧値とを比較す
る比較手段と、前記比較手段により前記分圧電圧値と前
記所定電圧値とが近似であることが検出されたときに前
記可変抵抗手段への前記制御信号に対応する前記抵抗値
により前記サーミスタの感知温度を算出する算出手段と
を設けたことを特徴とする。
じて等価抵抗値が変化するサーミスタを使用する温度セ
ンサの温度センサ感度可変回路であって、入力される制
御信号に応じて抵抗値が可変する可変抵抗手段と、前記
制御信号および該制御信号に対応する前記抵抗値を格納
する格納手段と、前記格納手段に格納された前記制御信
号により前記可変抵抗手段を可変制御する制御手段と、
前記制御手段により可変制御された前記可変抵抗手段の
抵抗値および前記サーミスタの等価抵抗値により分圧さ
れた分圧電圧値と予め設定された所定電圧値とを比較す
る比較手段と、前記比較手段により前記分圧電圧値と前
記所定電圧値とが近似であることが検出されたときに前
記可変抵抗手段への前記制御信号に対応する前記抵抗値
により前記サーミスタの感知温度を算出する算出手段と
を設けたことを特徴とする。
実施例
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。図において、スイッチトキャパシタ（ＳＣ）１は人
力パルスの周波数によって等価抵抗値Ｒ５が反比例して
小さくなる性質を有し、ＮＴＣ（負特性）型サーミスタ
２は温度によって等価抵抗値ＲＴが対数関数的に減少す
る性質を有する。
る。図において、スイッチトキャパシタ（ＳＣ）１は人
力パルスの周波数によって等価抵抗値Ｒ５が反比例して
小さくなる性質を有し、ＮＴＣ（負特性）型サーミスタ
２は温度によって等価抵抗値ＲＴが対数関数的に減少す
る性質を有する。
アナログ／ディジタルコンバータ部（ＡＤＣ）３はスイ
ッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ３とＮＴＣ型サーミ
スタ２の等価抵抗値Ｒ丁とによって分圧されたアナログ
電圧（以下分圧電圧とする）ＡＮをサンプリングし、そ
のサンプリング値をＶ ＲＥＦおよびＶＳＳによりディ
ジタル変換して符号化する機能を有する。
ッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ３とＮＴＣ型サーミ
スタ２の等価抵抗値Ｒ丁とによって分圧されたアナログ
電圧（以下分圧電圧とする）ＡＮをサンプリングし、そ
のサンプリング値をＶ ＲＥＦおよびＶＳＳによりディ
ジタル変換して符号化する機能を有する。
テーブル記憶部４はスイッチトキャパシタ１の等価抵抗
値Ｒ５とパルス周波数ｆとが夫々対応して格納されたパ
ルス周波数−等価抵抗値（ｆ−Ｒｓ）テーブル（以下ｆ
−Ｒ，テーブルとする）４ａと、使用しているＮＴＣ型
サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴと温度Ｔとの特性を示す
情報が格納された温度−サーミスタ抵抗値（ＴＲｔ）テ
ーブル（以下Ｔ−ＲＴテーブルとする）４ｂとから構成
されている。
値Ｒ５とパルス周波数ｆとが夫々対応して格納されたパ
ルス周波数−等価抵抗値（ｆ−Ｒｓ）テーブル（以下ｆ
−Ｒ，テーブルとする）４ａと、使用しているＮＴＣ型
サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴと温度Ｔとの特性を示す
情報が格納された温度−サーミスタ抵抗値（ＴＲｔ）テ
ーブル（以下Ｔ−ＲＴテーブルとする）４ｂとから構成
されている。
パルスコントローラ部（ＣＮＴ）５はアナログ／ディジ
タルコンバータ部３でディジタル変換されたサンプリン
グ値と、テーブル記憶部４からのデータとによりスイッ
チトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ８がＮＴＣ型サーミス
タ２の等価抵抗値Ｒ丁と等しくなるようにスイッチトキ
ャパシタ１へのパルスとその周波数とを生成する。
タルコンバータ部３でディジタル変換されたサンプリン
グ値と、テーブル記憶部４からのデータとによりスイッ
チトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ８がＮＴＣ型サーミス
タ２の等価抵抗値Ｒ丁と等しくなるようにスイッチトキ
ャパシタ１へのパルスとその周波数とを生成する。
１チツプマイクロコンピユータ（ｌ ｃｈｉｐ ＭＰＵ
）６は上記のアナログ／ディジタルコンバータ部３と、
テーブル記憶部４と、パルスコントローラ部５とを内蔵
している。
）６は上記のアナログ／ディジタルコンバータ部３と、
テーブル記憶部４と、パルスコントローラ部５とを内蔵
している。
第２図は第１図のテーブル記憶部４のｆＲｓテーブル４
ａおよびＴ−ＲＴテーブル４ｂを示す図である。第２図
（ａ）はテーブル記憶部４のｆ−ＲＳテーブル４ａを示
す図であり、ｆ−ＲＳテーブル４ａにはスイッチトキャ
パシタ１へのパルス周波数ｆと、そのパルス周波数ｆが
供給されたときのスイッチトキャバシタ１の等価抵抗値
Ｒ５とが２Ｎ個格納されている。
ａおよびＴ−ＲＴテーブル４ｂを示す図である。第２図
（ａ）はテーブル記憶部４のｆ−ＲＳテーブル４ａを示
す図であり、ｆ−ＲＳテーブル４ａにはスイッチトキャ
パシタ１へのパルス周波数ｆと、そのパルス周波数ｆが
供給されたときのスイッチトキャバシタ１の等価抵抗値
Ｒ５とが２Ｎ個格納されている。
すなわち、ｆ−ＲＳテーブル４ａにはパルス周波数ｆが
大きくなるにしたがってスイッチトキャパシタ１の等価
抵抗値Ｒ５が小さくなるように、あるいはパルス周波数
ｆが小さくなるにしたがってスイッチトキャパシタ１の
等価抵抗値Ｒ５が大きくなるように、パルス周波数ｆと
等価抵抗値Ｒ５とが夫々対応付けられて格納されている
。
大きくなるにしたがってスイッチトキャパシタ１の等価
抵抗値Ｒ５が小さくなるように、あるいはパルス周波数
ｆが小さくなるにしたがってスイッチトキャパシタ１の
等価抵抗値Ｒ５が大きくなるように、パルス周波数ｆと
等価抵抗値Ｒ５とが夫々対応付けられて格納されている
。
第２図（ｂ）はテーブル記憶部４のＴＲＴテーブル４ｂ
を示す図であり、Ｔ−Ｒ，テーブル４ｂにはスイッチト
キャバシタ１の等価抵抗値Ｒ５と等価のＮＴＣ型サーミ
スタ２の等価抵抗値ＲＴに対応する温度Ｔが２Ｎ個格納
されている。
を示す図であり、Ｔ−Ｒ，テーブル４ｂにはスイッチト
キャバシタ１の等価抵抗値Ｒ５と等価のＮＴＣ型サーミ
スタ２の等価抵抗値ＲＴに対応する温度Ｔが２Ｎ個格納
されている。
第３図は本発明の一実施例の原理を説明するための図で
ある。図において、スイッチトキャバシタ１の等価抵抗
値Ｒ５とＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値Ｒ丁とが等
しいとき（Ｒｓ −Ｒ，）、分圧電圧ＡＮの変動量（以
下分圧電圧変動量とする）ΔＡＮが最大となる。
ある。図において、スイッチトキャバシタ１の等価抵抗
値Ｒ５とＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値Ｒ丁とが等
しいとき（Ｒｓ −Ｒ，）、分圧電圧ＡＮの変動量（以
下分圧電圧変動量とする）ΔＡＮが最大となる。
すなわち、スイッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ８が
ＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴより大きくなる
ほど（Ｒ５＞ＲＴ）、あるいはスイッチトキャパシタ１
の等価抵抗値Ｒ３がＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値
ＲＴより小さくなるほど（Ｒ５くＲＴ）、分圧電圧変動
量ΔＡＮは小さくなる。
ＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴより大きくなる
ほど（Ｒ５＞ＲＴ）、あるいはスイッチトキャパシタ１
の等価抵抗値Ｒ３がＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値
ＲＴより小さくなるほど（Ｒ５くＲＴ）、分圧電圧変動
量ΔＡＮは小さくなる。
この分圧電圧変動量ΔＡＮが大きくなるほど、ＮＴＣ型
サーミスタ２の測定対象の温度範囲の中心となる温度を
感度および精度よく測定することができることから、ス
イッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ８がＮＴＣ型サー
ミスタ２の等価抵抗値Ｒ７と等しくなるように、パルス
コントローラ部５でスイッチトキャバシタ１へのパルス
周波数ｆを生成すればよい。
サーミスタ２の測定対象の温度範囲の中心となる温度を
感度および精度よく測定することができることから、ス
イッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ８がＮＴＣ型サー
ミスタ２の等価抵抗値Ｒ７と等しくなるように、パルス
コントローラ部５でスイッチトキャバシタ１へのパルス
周波数ｆを生成すればよい。
したがって、パルスコントローラ部５は分圧電圧ＡＮを
サンプリングして得られたアナログ／ディジタルコンバ
ータ部３のディジタル出力がＶＣＣ／２となるように、
ｆ−Ｒｓ子テーブルａの値を順次読出してスイッチトキ
ャバシタ１へのパルス周波数ｆを生成すればよい。
サンプリングして得られたアナログ／ディジタルコンバ
ータ部３のディジタル出力がＶＣＣ／２となるように、
ｆ−Ｒｓ子テーブルａの値を順次読出してスイッチトキ
ャバシタ１へのパルス周波数ｆを生成すればよい。
第４図は本発明の一実施例の動作を示すフローチャート
である。これら第１図〜第４図を用いて本発明の一実施
例の動作について説明する。
である。これら第１図〜第４図を用いて本発明の一実施
例の動作について説明する。
まず、パルスコントローラ部５はスイッチトキャパシタ
１の等価抵抗値Ｒ８の初期設定を行うために、ｆ−ＲＳ
テーブル４ａのポインタＰのアドレスをＮ／２にセット
しく第４図ステップ１１）、このポインタＰにより指定
されたｆ−Ｒ，テーブル４ａのアドレス、すなわちアド
レスＮ／２からパルス周波数ｆを読出してスイッチトキ
ャバシタ１へのパルスを生成する（第４図ステップ１２
゜１３）。
１の等価抵抗値Ｒ８の初期設定を行うために、ｆ−ＲＳ
テーブル４ａのポインタＰのアドレスをＮ／２にセット
しく第４図ステップ１１）、このポインタＰにより指定
されたｆ−Ｒ，テーブル４ａのアドレス、すなわちアド
レスＮ／２からパルス周波数ｆを読出してスイッチトキ
ャバシタ１へのパルスを生成する（第４図ステップ１２
゜１３）。
このとき、アナログ／ディジタルコンバータ部３ではパ
ルスコントローラ部５からのパルスによるスイッチトキ
ャバシタ１の等価抵抗値Ｒ５と、そのときの温度による
ＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値Ｒ７とによって分圧
された分圧電圧ＡＮをサンプリングし、そのサンプリン
グ値をＶＲＥＦおよびＶ５５によりディジタル変換して
パルスコントローラ部５に送出する（第４図ステップ１
４）。
ルスコントローラ部５からのパルスによるスイッチトキ
ャバシタ１の等価抵抗値Ｒ５と、そのときの温度による
ＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値Ｒ７とによって分圧
された分圧電圧ＡＮをサンプリングし、そのサンプリン
グ値をＶＲＥＦおよびＶ５５によりディジタル変換して
パルスコントローラ部５に送出する（第４図ステップ１
４）。
パルスコントローラ部５はアナログ／ディジタルコンバ
ータ部３でディジタル変換されたサンプリングデータＤ
と予め保持しているＶＣｏ／２とを比較しく第４図ステ
ップ１５）、サンプリングデータＤがＶｃｃ／２より大
きければ（Ｄ＞Ｖｃｃ／２）（第４図ステップ１６）、
スイッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ３がＮＴＣ型サ
ーミスタ２の等価抵抗値ＲＴより小さいと判断してｆ−
Ｒ，テーブル４ａのポインタＰのアドレスに１−を加算
する（第４図ステップ１７）。
ータ部３でディジタル変換されたサンプリングデータＤ
と予め保持しているＶＣｏ／２とを比較しく第４図ステ
ップ１５）、サンプリングデータＤがＶｃｃ／２より大
きければ（Ｄ＞Ｖｃｃ／２）（第４図ステップ１６）、
スイッチトキャパシタ１の等価抵抗値Ｒ３がＮＴＣ型サ
ーミスタ２の等価抵抗値ＲＴより小さいと判断してｆ−
Ｒ，テーブル４ａのポインタＰのアドレスに１−を加算
する（第４図ステップ１７）。
また、上記比較によりサンプリングデータＤがＶｃｃ／
２より小さければ（Ｄ ＜ Ｖ ｃｃ／ ２ ） （
第４図ステップ１６）、スイッチトキャパシタ１の等価
抵抗値Ｒ５がＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴよ
り大きいと判断してｆ−Ｒｓ子テーブルａのポインタＰ
のアドレスから１を減算する（第４図ステップ１８）。
２より小さければ（Ｄ ＜ Ｖ ｃｃ／ ２ ） （
第４図ステップ１６）、スイッチトキャパシタ１の等価
抵抗値Ｒ５がＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴよ
り大きいと判断してｆ−Ｒｓ子テーブルａのポインタＰ
のアドレスから１を減算する（第４図ステップ１８）。
その後に、パルスコントローラ部５はｆ−Ｒｓ子テーブ
ルａのポインタＰの変化が収束したが否かを判定しく第
４図ステップ１９）、ｆ−ＲＳテーブル４ａのポインタ
Ｐの変化が収束していなければ、Ｒ３＜ＲＴあるいはＲ
５〉ＲＴと判断し、上記１が加算あるいは減算されたｆ
−Ｒ５テーブル４ａのアドレスからパルス周波数ｆを読
出してスイッチトキャパシタ１へのパルスを生成する（
第４図ステップ１２．１３）。
ルａのポインタＰの変化が収束したが否かを判定しく第
４図ステップ１９）、ｆ−ＲＳテーブル４ａのポインタ
Ｐの変化が収束していなければ、Ｒ３＜ＲＴあるいはＲ
５〉ＲＴと判断し、上記１が加算あるいは減算されたｆ
−Ｒ５テーブル４ａのアドレスからパルス周波数ｆを読
出してスイッチトキャパシタ１へのパルスを生成する（
第４図ステップ１２．１３）。
一方、ｆ−Ｒｓ子テーブルａのポインタＰの変化が収束
すれば、Ｒ５＃ＲＴと判断し、そのときのｆ−Ｒ５テー
ブル４ａのポインタＰのアドレスからスイッチトキャバ
シタ１の等価抵抗値Ｒ５を読出す（第４図ステップ２０
）。
すれば、Ｒ５＃ＲＴと判断し、そのときのｆ−Ｒ５テー
ブル４ａのポインタＰのアドレスからスイッチトキャバ
シタ１の等価抵抗値Ｒ５を読出す（第４図ステップ２０
）。
パルスコントローラ部５はこの読出したスイッチトキャ
パシタ１の等価抵抗値Ｒ５がＮＴＣ型サーミスタ２の等
価抵抗値ＲＴに等しいと判断し（第４図ステップ２１）
、そのＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴに対応す
る温度ＴをＴ−Ｒ７テーブル４ｂから読出して処理を終
了する（第４図ステップ２２）。
パシタ１の等価抵抗値Ｒ５がＮＴＣ型サーミスタ２の等
価抵抗値ＲＴに等しいと判断し（第４図ステップ２１）
、そのＮＴＣ型サーミスタ２の等価抵抗値ＲＴに対応す
る温度ＴをＴ−Ｒ７テーブル４ｂから読出して処理を終
了する（第４図ステップ２２）。
このように、ＮＴＣ型サーミスタ２とシリアルに構成さ
れたスイッチトキャパシタ１の入力パルス周波数をパル
スコントローラ部５によって制御するようにすることに
よって、測定対象の温度範囲で最大の感度と精度とを得
ることができる。
れたスイッチトキャパシタ１の入力パルス周波数をパル
スコントローラ部５によって制御するようにすることに
よって、測定対象の温度範囲で最大の感度と精度とを得
ることができる。
また、アナログ／ディジタルコンバータ部３と、テーブ
ル記憶部４と、パルスコントローラ部５とを、すなわち
必要なハードウェアを１チツプマイクロコンピユータ６
に内蔵することにより、上記の効果を容易に実現するこ
とができる。
ル記憶部４と、パルスコントローラ部５とを、すなわち
必要なハードウェアを１チツプマイクロコンピユータ６
に内蔵することにより、上記の効果を容易に実現するこ
とができる。
尚、本発明の一実施例ではスイッチトキャパシタ１およ
びＮＴＣ型サーミスタ２について述べたが、他の可変抵
抗素子や他のサーミスタにも適用できることは明白であ
り、これに限定されない。
びＮＴＣ型サーミスタ２について述べたが、他の可変抵
抗素子や他のサーミスタにも適用できることは明白であ
り、これに限定されない。
発明の詳細
な説明したように本発明によれば、入力される制御信号
に応じて抵抗値が可変する可変抵抗手段の抵抗値および
サーミスタの等価抵抗値により分圧された分圧電圧値と
予め設定された所定電圧値とが近似となるように、可変
抵抗手段を制御信号で可変制御するようにすることによ
って、測定対象となる温度範囲で最大の感度と精度とを
得ることができるという効果がある。
に応じて抵抗値が可変する可変抵抗手段の抵抗値および
サーミスタの等価抵抗値により分圧された分圧電圧値と
予め設定された所定電圧値とが近似となるように、可変
抵抗手段を制御信号で可変制御するようにすることによ
って、測定対象となる温度範囲で最大の感度と精度とを
得ることができるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成を示すブロック図、第
２図（ａ）は第１図のテーブル記憶部のパルス周波数−
等価抵抗値テーブルを示す図、第２図（ｂ）は第１図の
テーブル記憶部の温度−サーミスタ抵抗値テーブルを示
す図、第３図は本発明の一実施例の原理を説明するため
の図、第４図は本発明の一実施例の動作を示すフローチ
ャートである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・スイッチトキャバシタ ２・・・・・・ＮＴＣ型サーミスタ ３・・・・・・アナログ／ディジタルコンバータ部４・
・・・・テーブル記憶部 ４ａ・・・・・・パルス周波数−等価抵抗値テーブル４
ｂ・・・・・・温度−サーミスタ抵抗値テーブル５・・
・・・・パルスコントローラ部
２図（ａ）は第１図のテーブル記憶部のパルス周波数−
等価抵抗値テーブルを示す図、第２図（ｂ）は第１図の
テーブル記憶部の温度−サーミスタ抵抗値テーブルを示
す図、第３図は本発明の一実施例の原理を説明するため
の図、第４図は本発明の一実施例の動作を示すフローチ
ャートである。 主要部分の符号の説明 １・・・・・・スイッチトキャバシタ ２・・・・・・ＮＴＣ型サーミスタ ３・・・・・・アナログ／ディジタルコンバータ部４・
・・・・テーブル記憶部 ４ａ・・・・・・パルス周波数−等価抵抗値テーブル４
ｂ・・・・・・温度−サーミスタ抵抗値テーブル５・・
・・・・パルスコントローラ部
Claims (1)
- （１）測定温度に応じて等価抵抗値が変化するサーミス
タを使用する温度センサの温度センサ感度可変回路であ
って、入力される制御信号に応じて抵抗値が可変する可
変抵抗手段と、前記制御信号および該制御信号に対応す
る前記抵抗値を格納する格納手段と、前記格納手段に格
納された前記制御信号により前記可変抵抗手段を可変制
御する制御手段と、前記制御手段により可変制御された
前記可変抵抗手段の抵抗値および前記サーミスタの等価
抵抗値により分圧された分圧電圧値と予め設定された所
定電圧値とを比較する比較手段と、前記比較手段により
前記分圧電圧値と前記所定電圧値とが近似であることが
検出されたときに前記可変抵抗手段への前記制御信号に
対応する前記抵抗値により前記サーミスタの感知温度を
算出する算出手段とを設けたことを特徴とする温度セン
サ感度可変回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227178A JP2569924B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 温度センサ感度可変回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2227178A JP2569924B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 温度センサ感度可変回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04109132A true JPH04109132A (ja) | 1992-04-10 |
| JP2569924B2 JP2569924B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=16856712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2227178A Expired - Fee Related JP2569924B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 温度センサ感度可変回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569924B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06186090A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-07-08 | Hochiki Corp | 熱アナログ式火災感知器 |
| US20230332959A1 (en) * | 2020-12-29 | 2023-10-19 | CRM ICBG (Wuxi) Co., Ltd. | Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation |
| US12436041B2 (en) | 2022-01-21 | 2025-10-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and physical quantity sensor device |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP2227178A patent/JP2569924B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06186090A (ja) * | 1992-07-03 | 1994-07-08 | Hochiki Corp | 熱アナログ式火災感知器 |
| US20230332959A1 (en) * | 2020-12-29 | 2023-10-19 | CRM ICBG (Wuxi) Co., Ltd. | Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation |
| US11976986B2 (en) * | 2020-12-29 | 2024-05-07 | CRM ICBG (Wuxi) Co., Ltd. | Predictive electronic thermometer circuit structure capable of temperature compensation |
| US12436041B2 (en) | 2022-01-21 | 2025-10-07 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and physical quantity sensor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569924B2 (ja) | 1997-01-08 |
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