JPH04109652A - ダイシング装置 - Google Patents

ダイシング装置

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JPH04109652A
JPH04109652A JP2228912A JP22891290A JPH04109652A JP H04109652 A JPH04109652 A JP H04109652A JP 2228912 A JP2228912 A JP 2228912A JP 22891290 A JP22891290 A JP 22891290A JP H04109652 A JPH04109652 A JP H04109652A
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wafer
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八木 一弘
Toshihiko Ishikawa
俊彦 石川
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Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はダイシング装置に係り、特にウェハを所要の半
導体チップに切断するダイシング装置に関する。
〔従来の技術〕
ダイシング装置は搬送されて来たウェハをアライメント
し、ウェハを所要の半導体チップに切断する。
ところで割れウェハのダイシングでは、割れウェハ全体
を包含した最小の円又は矩形をアライメント及びカッテ
ィング範囲と指定し、指定された範囲に基づいてウェハ
をダイシングする。
また、通常の円形ウェハの切断の場合、ウェハが貼り合
わされたフレームとウェハとの中心にズレが生じるので
、このズレを考慮して、ウェハが貼り合わされるフレー
ムの内側開口部のウェハ面積より大きな、余裕部分を含
んだ領域をカッティング領域としている。
:発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、従来の自動アライメント方法では第12
図に示すように割れウェハ2を領域1内で自動アライメ
ントするのでアライメントの実行は○印をつけた付近で
行われる場合がある。従って、例えば第12図上のO印
3、O印4の位置ではウェハ2のリファレンスパターン
を見つけることができないという問題がある。
また、割れウェハの切断に右いては、第13図(A)に
示すように割れウェハ4が存在しない領域6もカッティ
ング領域7に含まれるので(第13図(B)参照)、ス
ループット (単位時間当りの処理数)が低下するとい
う問題がある。尚、第13図(B)上で7Aはウェハを
所望のチップに切断する切断線である。
また、正常な円形ウェハでも、第14図に示すようにウ
ェハ8の中心C1とフレーム9の内側開口部9Aの中心
C2とにズレが生じる場合があり、予め余裕をみてフレ
ーム9の内側開口部9Aのウェハ面積より大きな、余裕
部分を含んだ領域をカッティング領域とするのでスルー
ブツトが低下するという問題がある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、適正
なアライメントが実行出来、最小カッティング領域を得
ることによりダイシングの高スルーブツト化を図ること
ができるダイシング装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決する為の手段〕
本発明は、前記目的を達成する為に、ウエノ\をアライ
メント手段てアライメントし、回転刃でウェハを所望の
半導体チップに切断するダイシング装置において、前記
ウェハの外形形状を認識するウェハの形状認識手段を備
え、前記認識されたウェハの外形形状に基づいてウェハ
のアライメント及びウェハの切断を行うことを特徴とし
ている。
〔作用〕
本発明によれば、ウェハの形状認識手段を備えたので、
ウェハの形状をウェハ毎にfFlaし、112 KAし
た形状に基づいてリファレンスパターン位tを適正に定
tてアライメントを実行することができる。
また、1121aされたウェハの形状に基づいてカッテ
ィング領域を設定することができるので、ウェハが存在
しない領域をカッティング領域としない。
従って、最小限のカッティング領域を設定することがで
きる。
〔実施例〕
以下添付図面に従って本発明に係るダイシング装置の好
ましい実施例について詳説する。
第1図は本発明が適用されたダイシング装置の斜視図で
あり、第2図はその平面図である。このダイシング装置
は、主としてワーク (ウェハ)Wの形状を認識する形
状認識部10、ウェハWを切断溝に沿って切断して最終
的に基盤の目のように切断する切断部20、切断された
ウェハWを洗浄する洗浄部30、及び加工前のウェハW
を収納し、また加工後のウェハWを収納するウェハ供給
部及び収納部まで各工程を経由してウェハWを搬送する
搬送装置等から構成されている。
上記搬送装置によるウェハWの搬送位置としては、第2
図に示すように4つの位置P1、P2、P3、P4があ
り、これらの位f−P 1〜P4は正方形の各頂点に位
置する関係で配置されている。
尚、位置P1はウェハWの形状を認識する位置であり、
位fP2は切断部20にウェハWを搬送するカッティン
グテーブル22にウェハWをロード及びアンロードする
位置であり、位置P3は洗浄部30のスピンナテーブル
にウェハWをロード及びアンロードする位置であり、位
置P4は洗浄後のウェハWをアンローディングする位置
である。
形状認識部10は第3図に示すように回転形状認識部1
2を備えている。回転形状認識部12の回転体13は一
端12Aが軸支され、これにより時計回り方向に回転す
ることができる。また回転体13には長手方向に沿って
光源(LED>14及びラインイメージセンサ16が設
けられている(第4図参照)。このラインイメージセン
サ16は例えば割れウェハWで反射されたLED14か
らの光を受光して割れウェハの存在を検出することがで
きる。
従って、割れウェハWをフレーム18に貼り付けて第3
図の位置に配置した後、LED14から光を投光すると
共に回転形状認識部12を時計回り方向に回転すると、
第5図に示すように8等分された回転角度の各々の位置
(0点〜7点)において第6図に示すようにウェハWの
周縁(エツジ)(eO〜e7)を検出することができ、
これにより割れウェハWの形状をa12 M&すること
ができる。
切断部20は、プレート24を備えたスピンドル26、
ウェハW上のパターンを画像認識することによってアラ
イメントするアライメント部28等からなる。この切断
部20のスピンドル26、アライメント部28は矢印A
SB方向に移動可能てあり、又ウェハWを搭載したカッ
ティングテーブル22は矢印C,D方向に移動可能であ
ると共に回転可能である。
従って、アライメント部28は、形状認識部10て認識
された割れウェハWの形状とウェハ上のリファレンスパ
ターンとに基づいてカッティングテーブル22を適宜回
転させると共に、切断部20のスピンドル26、アライ
メント部28を矢印A、B方向に移動させることにより
カッティングテーブル22上のウェハWのアライメント
を行う。
この場合、割れウェハWの形状は形状認識部10で認識
されているので、第7図に示すようにアライメント位置
◇印を割れウェハWのエツジ部内近傍に設定することが
できる。従って割れウェハVv’のアライメントが適正
に実行される。
このようにしてアライメントされた割れウェハ〜゛は、
カッチインクテーブル22の移動に伴い、スピンドル2
6によって回転するブレード24により切断される。こ
の場合にも形状認識部10て認識された割れウェハWの
形状(第8図(A)参照)に基づいてカッチインク領域
19を設定することができるので、割れウェハWの形状
と路間−の領域をカッティング領域19とすることがで
きる。そして、上記切断を順次実行することによりウェ
ハWは最終的には基盤の目のように切断される。尚第8
図(B)において19Δは切断線である。
洗浄830は上記切断された割れウェハWを洗浄するも
ので、まず劃れウェハWを搭載したスピンナテーブルを
下降させ、ここでスピンナと清浄水により洗浄を行い、
洗浄後エアブロ−によって乾燥させ、再びスピンナテー
ブルを上昇させる。
又、搬送装置は、第2図に示すようにベルト搬送部43
と、2つのチャック部45.46を有する回転アーム3
7による搬送部から構成されており、ベルト搬送部43
はウェハWをウェハ供給邪から位置P1まてベルト搬送
し、またウェハWを位置P1からウェハ供給部までベル
ト搬送する。
前記の如く構成された本発胡に係るダインンク装置の作
用を第9図のフローチャートに基づいて説明する。
ウェハ収納部に収納されている加工前の割れウェハWを
形状認識部10の所定位置(第3図参照)に配置しくス
テップ60) 、LEDI 4から光を投光すると共に
回転形状認識部12を時計回り方向に回転する。投光さ
れた光は割れウェハWで反射されてイメージセンサ16
に入射する。従って、イメージセンサ16は割れウェハ
Wのエツジを検出する。これにより、割れウェハWの形
状を認識する(ステップ62)。
形状認識された割れウェハWは回転アーム37のチャッ
ク部45で吸着されて、カッティングテーブル22にロ
ードされる。ロードされたウェハ〜Vは、画像認識され
ている割れウェハW上の形状z、忍識部10て認識され
た形状内のリファレンスパターンに基づいてカンチイン
クチ−プル22を矢印CSD方向に移動される。このよ
うにしてアライメント部28で自動アライメントされる
(ステノ ブ 64 ) 。
アライメントされた割れウェハWは、前記形状データに
基づいてブレード24で割れウェハWのカッティング領
域19内(第8図(A)参照)を切断して半導体チップ
に切断される(ステップ66)。
切断完了後、チャック部46に吸着された割れウェハW
は回転アーム37の時計回り方向への90°回転で洗浄
部30に搬送され、スピンナ洗浄される(ステップ68
)。洗浄が完了すると、回転アーム37のチャック部4
6は洗浄部30から割れウェハWを受は取り、回転アー
ム37を時計回り方向180°回転して割れウェハWを
位置P3から位置P1に移動し、ここでチャック部46
から離脱してアンロードされる(ステップ70)。
前記実施例ては割れウエノ\Wのダイシングについて説
明したが、通常の円形ウェハのダイシングの場合でもカ
ッティング領域を最小限に設定することができる。すな
わち第10図に示すようにフレーム50に貼り付けられ
たウェハW′の中心01′とフレームの中心C2′との
芯がズレる場合がある。
しかしながら、本発明によればウェハW′の中心C1′
とフレーム50の中心C2’とがズしていても、形状認
識部10でウェハW′の形状を認識することができるの
で、フレーム50の内側開口部50Aのウェハ面積より
大きな、余裕部分を含んだ領域をカッティング領域とせ
ずにウェハW′と路間−形の最小領域52をカッティン
グ領域と設定することができる。
前記実施例では形状認ia部100回転形状認識部12
をウェハの下側になるように設けたが、これに限らず、
第11図に示すようにウェハWの上側に設けてもよい。
前記実施例ではダイシング装置に形状認識部10を設け
た場合について説明したが、これに限らずダイシンク装
置以外の形状a12 th装置でウェハの形状を認識し
て、認識した形状データをフロンピディスク等の手段で
ダイシンク装置に供給し、搬送されたウェハ毎に上述し
た方法でアライメント及びカンティングを実行してもよ
い。この場合、第9図のフローチャート上のステップ6
2はステップ72に代替される。
口発明の効果〕 以上述べたように本発明に係るダイシンク装置によれば
、ウェハ形状を認識してアライメントと切断を行なうの
でウェハのアライメントを適正に行なうことができ、更
にウェハのカッティング領域を最小限に設定することが
できるので高スループツト化を図ることができる。
また、ウェハとダイシング用フレームとの貼す合わせに
ズレが生じても、認識されたウェハの形状から最小限の
カッティング領域の設定が可能となり、高スループツト
化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るダイシンク装置の斜視図、第2図
はその平面図、第3図はダイシンク装置の形状認識部に
ウェハを載置した状態を示す平面図、第4図はその側面
図、第5図は形状認識部でウェハの形状を認識する方法
を示す概略平面図、第6図は第5図の認識結果を示すグ
ラフ、第7図は形状認識されたウェハのアライメント状
態を示す平面図、第8図(A)及び(B)はそれぞれ形
状認識されたウェハの形状及びそのカッティング領域を
示す平面、第9図は本発明に係るダイシンク装置の作用
を示すフローチャート、第10図はウェハのカッティン
グ領域を示す平面図、第11図は形状ili!織部の他
の実施例を示す側面図、第12図は従来のダイシンク装
置によるウェハのアライメント状態を示す平面図、第1
3図(A)及び(B)はそれぞれウェハの形状及び従来
のダイシンク装置によるウェハのカッティング領域を示
す平面図、第14図は従来のダイシング装置によるウェ
ハのカッティング領域を示す平面図である。 10・・・形状認識部、  12・・・回転形状認識部
、14・・ LED。 16・・・ラインイメージセンサ、 wSw′・・・ウェハ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 ウェハをアライメント手段でアライメントし、回転刃で
    ウェハを所望の半導体チップに切断するダイシング装置
    において、 前記ウェハの外形形状を認識するウェハの形状認識手段
    を備え、前記認識されたウェハの外形形状に基づいてウ
    ェハのアライメント及びウェハの切断を行うことを特徴
    とするダイシング装置。
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