JPH04110762U - 気相成長用冷却装置 - Google Patents

気相成長用冷却装置

Info

Publication number
JPH04110762U
JPH04110762U JP2288791U JP2288791U JPH04110762U JP H04110762 U JPH04110762 U JP H04110762U JP 2288791 U JP2288791 U JP 2288791U JP 2288791 U JP2288791 U JP 2288791U JP H04110762 U JPH04110762 U JP H04110762U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
water tank
reaction vessel
elevated
water
vapor phase
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2288791U
Other languages
English (en)
Inventor
能久 河田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2288791U priority Critical patent/JPH04110762U/ja
Publication of JPH04110762U publication Critical patent/JPH04110762U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 気相成長用冷却装置の高置水槽を小型化して
設置を容易にするとともに、冷却水の温度を調節する冷
却機の能力を小さくする。 【構成】 気相成長をガラス製反応容器1内で行い、該
反応容器1を冷却水により冷却する気相成長用冷却装置
において、前記反応容器1の上方に設置された高置水槽
2と、前記反応容器1より低い位置に設置された低置水
槽3と、前記低置水槽3と高置水槽2の中間の高さに設
置された中間水槽10とから構成し、前記中間水槽10
に冷却機11を接続し、高置水槽2からの落水により反
応容器1の冷却を行う。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、エピタキシャル気相成長に用いられる冷却装置の改良に関する。
【0002】
【従来技術】
AlGaAsほか各種のダブルヘテロ接合の成長に適用される有機金属気相成 長(MOCVD)法は有機化合物の熱分解を利用した気相成長法である。この方 法でAlGaAsの結晶成長を行う場合、石英製ガラスの反応容器内にカーボン 製サセプタを配置し、これを外部の高周波加熱コイルによって600〜850℃ に誘導加熱し、サセプタ上に置いたGaAsウェハを加熱する。一方、ガス制御 装置から、TMA(Al(CH3 3 )、TMG(Ga(CH3 3 )、アルシ ン(AsH3 )をキャリアガスである水素により希釈して反応容器に送給する。 加熱された反応容器内では、これらのガスが反応してGaAsウェハ上にAlG aAsの結晶が成長する。反応容器は加熱されたサセプタからの輻射熱および反 応ガスの対流によって加熱されるが、安定した結晶成長を行うためには、反応容 器壁面を一定温度にする必要があり、通常反応容器の周囲に水を流してこれを冷 却する。このため、反応容器外側にジャケットが付けられ、温度を調節された冷 却水が、製作条件に応じて5〜15l/min 流される。 ところで、MOCVD法による結晶成長は危険をともなう反応である。即ち、 TMAおよびTMGは水と激しく反応して燃焼し、キャリアガスのH2 は着火す れば爆発する。一方、反応容器に用いるガラスは2〜4mmの厚さであり、耐圧は 1〜1.2kg/cm2 である。従って、反応容器の冷却水圧を1kg/cm2 以下にす る必要がある。従来、水道水の配管を反応容器のジャケットに直結して反応容器 を冷却していた。従って、他所での水道水の使用により水圧が変動し、冷却水量 を一定に制御出来にくいという欠点があった。即ち、水道水は圧力、流量が変動 しやすく、反応容器を所望通り冷却することが困難である。また、使用後の冷却 水を捨てているため、経済性が悪いという問題点もある。なお、使用済みの冷却 水を一旦タンクに戻し、循環ポンプで減圧弁を介して、反応容器に再度供給する ことも考えられるが、ポンプ始動時に水圧が変動し易く、反応容器を破損する危 惧がある。また、減圧弁は必ずしも信頼性が高くない。 そこで、次のような気相成長冷却装置が開発されている。即ち、図2に示すよ うに、反応容器1の上方に設置された高置水槽2と、低置水槽3と、該低置水槽 3から前記高置水槽2へ冷却水を揚水する循環ポンプ4と、高置水槽2と反応容 器1を連通する供給管5と、循環ポンプ4を介して低置水槽3と高置水槽2を連 通する揚水管9と、反応容器1および高置水槽2と低置水槽3を各々連通する戻 り管6、7で構成し、該高置水槽2よりの落水により前記反応容器1の冷却を行 うものである。このようにすると、反応容器1に加わる水圧は高置水槽2の前記 反応容器1からの高さにより決まる。反応容器1の強度を考慮すると、0.6kg /cm2 から0.8kg/cm2 の圧力が望ましいため、高置水槽2は6〜8mの高さ に設置されることになる。この場合に反応容器1に加わる圧力は高置水槽2の位 置によってのみ決まるため、異常圧力により反応容器1が破損することはない。 また、高置水槽2内の水面位置は上下限レベル計(図示されず)によって制御さ れるため、水圧の変動は一定範囲におさめることができる。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の気相成長用冷却装置には次のような問題があった。即ち 、 1)高置水槽の容量が大きくなると、高所での設置スペースが大きくなり、また 、据え付けが困難になる。 2)高置水槽の水温を調節するため冷却機を設ける場合、冷却機を高所に設置し なければならず、また、高置水槽の容量が大きくなると、冷却機の冷却能力が市 販品の能力以上になり、特殊な冷却機が必要になる。
【0004】
【課題を解決するための手段と作用】
本考案は上記問題点を解決した気相成長用冷却装置を提供するもので、気相成 長をガラス製反応容器内で行い、該反応容器を冷却水により冷却する気相成長用 冷却装置において、前記反応容器の上方に設置された高置水槽と、前記反応容器 より低い位置に設置された低置水槽と、前記低置水槽と高置水槽の中間の高さに 設置された中間水槽と、該低置水槽から前記中間水槽へ冷却水を揚水する循環ポ ンプと、該循環ポンプを介して低置水槽と中間水槽を連通する揚水管と、前記中 間水槽から前記高置水槽へ冷却水を揚水する循環ポンプと、該循環ポンプを介し て中間水槽と高置水槽を連通する揚水管と、高置水槽と反応容器を連通する供給 管と、反応容器および中間水槽と低置水槽を各々連通する戻り管と、高置水槽と 中間水槽または低置水槽を連通する戻り管から構成され、中間水槽には冷却機が 接続され、高置水槽からの落水により反応容器の冷却を行うことを特徴とするも のである。 上述のように低置水槽と高置水槽の中間の高さに中間水槽を設置すると、中間 水槽から温度調節した冷却水を高置水槽に補充できるため、高置水槽の容量を従 来よりも小さくすることができ、高所への高置水槽の設置が容易になる。また、 高置水槽へ冷却水を補給する中間水槽の容量は、高置水槽に比較して小さくでき るため、中間水槽へ接続される冷却機は通常の市販品でよく、冷却能力の大きな 特殊なものを必要としない。
【0005】
【実施例】
以下、図面に示した実施例に基づいて本考案を詳細に説明する。 図1は本考案にかかる気相成長用冷却装置の一実施例の説明図である。図中、 1は反応容器、2は所望の水圧を得るために必要な高さに設置された高置水槽、 3は反応容器1より低い位置に設置された貯水用の低置水槽、10は低置水槽3 と高置水槽2の中間の高さで反応容器1よりも上方位置に設置された中間水槽で ある。中間水槽10には冷却機11と、中間水槽10内の冷却水を冷却機11に 導く冷水ポンプ12が接続されており、中間水槽10の中の純水は一定温度に制 御される。 4は低置水槽3から中間水槽10へ冷却水を揚水する循環ポンプ、16は循環 ポンプ4を介して低置水槽3と中間水槽10を連通する揚水管、13は中間水槽 10から高置水槽2へ冷却水を揚水する循環ポンプ、18は循環ポンプ13を介 して、中間水槽10と高置水槽2を連通する揚水管、5は弁14を介して高置水 槽2と反応容器1を連通し、弁14を開いたとき高置水槽2から反応容器1へ位 置のエネルギーにより冷却水を供給する供給管、6、17は反応容器1および中 間水槽10と低置水槽3を各々連通する戻り管、15は高置水槽2と中間水槽1 0を連通する戻り管である。 上述の装置で反応容器1の弁14が閉じられている場合には、一定温度に制御 された中間水槽10の中の純水は循環ポンプ13で揚水管18を通って高置水槽 2に揚水され、揚水された純水全量が高置水槽2の戻り管15で中間水槽10に 戻され、高置水槽2の中の純水も一定温度に制御される。一方、低置水槽3の中 の純水は、循環ポンプ4により揚水管16を通って中間水槽10に揚水され、反 応容器1の弁14が閉じられている場合には、揚水された純水全量が中間水槽1 0の戻り管17で低置水槽3に戻されることにより循環し、低置水槽3の中の純 水も一定温度に制御される。 一方、反応容器1の弁14が開いて気相成長が行われているときには、高置水 槽2の中の純水は位置のエネルギーにより供給管5を通って反応容器1に供給さ れ、戻り管6を通って低置水槽3に導入される。このとき、循環ポンプ4と循環 ポンプ13の揚水量は一定で、かつ、反応容器1に供給される水量よりも充分に 多くなっており、循環ポンプ4の揚水量の方が循環ポンプ13の揚水量より多く なっており、その揚水量の差は戻り管17を通って低置水槽3に戻る。また、循 環ポンプ13の揚水量は高置水槽2から反応容器1に供給される水量よりも多く なっており、その差は戻り管15により中間水槽10に戻る。このようにして、 反応容器1で純水に与えられた熱は、中間水槽10に設置された冷却機11で除 去され、純水は一定温度に制御される。 なお、初期の純水供給および運転時の純水補給は低置水槽3に設けられた純水 供給管19で行われる。 前記実施例では、高置水槽2をオーバーフローした冷却水は戻り管15で中間 水槽10に戻すようにしたが、別の戻り管(図示せず)で低置水槽3に戻すよう にしてもよい。
【0006】
【考案の効果】 以上説明したように本考案によれば、気相成長をガラス製反応容器内で行い、 該反応容器を冷却水により冷却する気相成長用冷却装置において、前記反応容器 の上方に設置された高置水槽と、前記反応容器より低い位置に設置された低置水 槽と、前記低置水槽と高置水槽の中間の高さに設置された中間水槽と、該低置水 槽から前記中間水槽へ冷却水を揚水する循環ポンプと、該循環ポンプを介して低 置水槽と中間水槽を連通する揚水管と、前記中間水槽から前記高置水槽へ冷却水 を揚水する循環ポンプと、該循環ポンプを介して中間水槽と高置水槽を連通する 揚水管と、高置水槽と反応容器を連通する供給管と、反応容器および中間水槽と 低置水槽を各々連通する戻り管と、高置水槽と中間水槽または低置水槽を連通す る戻り管から構成し、中間水槽には冷却機を接続し、高置水槽からの落水により 反応容器の冷却を行うため、高置水槽の容量を従来より小さくして設置を容易に することができ、また、冷却機の能力も小さくなるため、市販の冷却機を使用す ることができるという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る気相成長用冷却装置の一実施例の
説明図である。
【図2】従来の気相成長用冷却装置の説明図である。
【符号の説明】
1 反応容器 2 高置水槽 3 低置水槽 4、13 循環ポンプ 5 供給管 6、7、15、17 戻り管 9、18、16 揚水管 10 中間水槽 11 冷却機 12 冷水ポンプ 14 弁 19 供給管

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 気相成長をガラス製反応容器内で行い、
    該反応容器を冷却水により冷却する気相成長用冷却装置
    において、前記反応容器の上方に設置された高置水槽
    と、前記反応容器より低い位置に設置された低置水槽
    と、前記低置水槽と高置水槽の中間の高さに設置された
    中間水槽と、該低置水槽から前記中間水槽へ冷却水を揚
    水する循環ポンプと、該循環ポンプを介して低置水槽と
    中間水槽を連通する揚水管と、前記中間水槽から前記高
    置水槽へ冷却水を揚水する循環ポンプと、該循環ポンプ
    を介して中間水槽と高置水槽を連通する揚水管と、高置
    水槽と反応容器を連通する供給管と、反応容器および中
    間水槽と低置水槽を各々連通する戻り管と、高置水槽と
    中間水槽または低置水槽を連通する戻り管から構成さ
    れ、中間水槽には冷却機が接続され、高置水槽からの落
    水により反応容器の冷却を行うことを特徴とする気相成
    長用冷却装置。
JP2288791U 1991-03-14 1991-03-14 気相成長用冷却装置 Pending JPH04110762U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2288791U JPH04110762U (ja) 1991-03-14 1991-03-14 気相成長用冷却装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2288791U JPH04110762U (ja) 1991-03-14 1991-03-14 気相成長用冷却装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04110762U true JPH04110762U (ja) 1992-09-25

Family

ID=31908285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2288791U Pending JPH04110762U (ja) 1991-03-14 1991-03-14 気相成長用冷却装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04110762U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101330156B1 (ko) 삼염화 갈륨 주입 구조
KR101094913B1 (ko) Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템
KR101353334B1 (ko) 갈륨 질화물 증착에서의 반응 가스 감소
KR101379410B1 (ko) 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비
US8545628B2 (en) Temperature-controlled purge gate valve for chemical vapor deposition chamber
US20090223441A1 (en) High volume delivery system for gallium trichloride
JP3607664B2 (ja) Iii−v族窒化物膜の製造装置
CN101820990B (zh) 液氨的填充方法、氮化物结晶的制造方法以及氮化物结晶生长用反应容器
US20090223442A1 (en) Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
US20130052804A1 (en) Multi-gas centrally cooled showerhead design
US9481943B2 (en) Gallium trichloride injection scheme
CN102534798A (zh) 一种高温高压晶体生长设备
JPH0516224Y2 (ja)
JP2009102175A (ja) 液化アンモニアの充填方法、窒化物結晶の製造方法、および、窒化物結晶成長用反応容器
CN209828879U (zh) 一种mo源瓶恒温槽
JP2004327534A (ja) 有機金属原料気相成長装置
CN217313324U (zh) 一种镓源自动补给及回收装置
JP2022140899A (ja) 三ハロゲン化金属ガスの製造方法及び半導体材料ガス製造装置
CN117904592A (zh) 一种hvpe生长设备及方法
JPS58223695A (ja) 気相エピタキシヤル成長装置
JPS6131393A (ja) 気相成長装置
WO2008064085A2 (en) Abatement system for gallium nitride reactor exhaust gases
JPH0399423A (ja) 気相エピタキシャル成長装置のコンダクタンス調整器
JPH03250623A (ja) 3―5族化合物半導体の気相成長方法
JPH01119597A (ja) 有機金属化合物収納装置