JPH04111339A - 半導体ウエハ用ステージ - Google Patents
半導体ウエハ用ステージInfo
- Publication number
- JPH04111339A JPH04111339A JP2231127A JP23112790A JPH04111339A JP H04111339 A JPH04111339 A JP H04111339A JP 2231127 A JP2231127 A JP 2231127A JP 23112790 A JP23112790 A JP 23112790A JP H04111339 A JPH04111339 A JP H04111339A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- stage
- semiconductor wafer
- main body
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハをウェハ載置面上に吸着させて
保持する半導体ウェハ用ステージに関するものである。
保持する半導体ウェハ用ステージに関するものである。
従来、ウェハ露光装置等の半導体製造装置では、半導体
ウェハをステージ上に載置させて露光等が行われている
。この種の従来のステージを第５図および第６図によっ
て説明する。
ウェハをステージ上に載置させて露光等が行われている
。この種の従来のステージを第５図および第６図によっ
て説明する。
第５図は従来の半導体ウェハ用ステージの一部を示す断
面図で、同図においては半導体ウェハが吸着された状態
を示す。第６図は従来の半導体ウェハ用ステージにウェ
ハを吸着させた状態の平面図である。これらの図におい
て、１は半導体ウェハ（以下、単にウェハという）、２
はこのウェハ１が吸着されるステージである。このステ
ージ２は、ウェハ１が載置されるステージ本体３と、真
空吸着装置（図示せず）に連結されるボス部４とを備え
、ステージ本体３の上面には平坦なウェハ載置面３ａが
形成されている。このウェハ載置面３ａは、ウェハ１が
載置された際にウェハ１の平坦度が低下することがない
ように高精度に形成されている。また、このステージ２
には、真空吸着装置に連通される真空吸引孔５が前記ボ
ス部４およびステージ本体３を貫通して穿設されている
。
面図で、同図においては半導体ウェハが吸着された状態
を示す。第６図は従来の半導体ウェハ用ステージにウェ
ハを吸着させた状態の平面図である。これらの図におい
て、１は半導体ウェハ（以下、単にウェハという）、２
はこのウェハ１が吸着されるステージである。このステ
ージ２は、ウェハ１が載置されるステージ本体３と、真
空吸着装置（図示せず）に連結されるボス部４とを備え
、ステージ本体３の上面には平坦なウェハ載置面３ａが
形成されている。このウェハ載置面３ａは、ウェハ１が
載置された際にウェハ１の平坦度が低下することがない
ように高精度に形成されている。また、このステージ２
には、真空吸着装置に連通される真空吸引孔５が前記ボ
ス部４およびステージ本体３を貫通して穿設されている
。
この真空吸引孔５は、ウェハ載置面３ａに開口した吸着
溝６に連通されており、真空吸着装置が真空吸引孔５か
ら空気を吸引することによってウェハ１をウェハ載置面
３ａに真空吸着することができるように構成されている
。なお、７はウェハ１に形成された半導体ショットチッ
プを示す。
溝６に連通されており、真空吸着装置が真空吸引孔５か
ら空気を吸引することによってウェハ１をウェハ載置面
３ａに真空吸着することができるように構成されている
。なお、７はウェハ１に形成された半導体ショットチッ
プを示す。
このように構成された従来のステージ２では、ステージ
本体３のウェハ載置面３ａ上にウェハ１を真空吸着させ
、この状態でウェハ１への露光が行なわれる。
本体３のウェハ載置面３ａ上にウェハ１を真空吸着させ
、この状態でウェハ１への露光が行なわれる。
しかるに、従来のステージ２では、ウェハ１を真空吸着
させる時にウェハ載置面３ａ上に異物が付着していると
、第５図に示すようにウェハ１が異物によって歪み、吸
着状態での平坦度が低下してしまう。なお、第５図にお
いて８はウェハ載置面３ａ上に付着した異物を示し、Ａ
は異物８がウェハ載置面３ａとウェハ１との間に挟み込
まれることに起因して生じるウェハ１の歪み寸法を示す
。
させる時にウェハ載置面３ａ上に異物が付着していると
、第５図に示すようにウェハ１が異物によって歪み、吸
着状態での平坦度が低下してしまう。なお、第５図にお
いて８はウェハ載置面３ａ上に付着した異物を示し、Ａ
は異物８がウェハ載置面３ａとウェハ１との間に挟み込
まれることに起因して生じるウェハ１の歪み寸法を示す
。
このようにウェハ１が歪むと、ステッパ等、線幅測定、
パターン重ね合わせ等の測定時にフォーカスぼけとなり
、このフォーカスぼけが生じる部分に形成された半導体
チップは不良となってしまう。
パターン重ね合わせ等の測定時にフォーカスぼけとなり
、このフォーカスぼけが生じる部分に形成された半導体
チップは不良となってしまう。
このフォーカスぼけとなる範囲を第６図ウニ点鎖ｖＡＢ
で示す。
で示す。
本発明に係る半導体ウェハ用ステージは、ステージ本体
に、半導体ウェハ載置面に開口する透孔を多数穿設し、
これらの透孔に、ステージ本体上の半導体ウェハの裏面
に光を反射させて前記裏面までの寸法を測定する光反射
式距離測定器を装着したものである。
に、半導体ウェハ載置面に開口する透孔を多数穿設し、
これらの透孔に、ステージ本体上の半導体ウェハの裏面
に光を反射させて前記裏面までの寸法を測定する光反射
式距離測定器を装着したものである。
半導体ウェハの裏面と光反射式距離測定器との間隔が設
定値より大きくなることによって、半導体ウェハが歪ん
でいることが検出される。
定値より大きくなることによって、半導体ウェハが歪ん
でいることが検出される。
以下、本発明の一実施例を第１図ないし第４図によって
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明に係る半導体ウェハ用ステージの要部を
拡大して示す断面図、第２図は本発明に係る半導体ウェ
ハ用ステージの平面図、第３図は本発明の半導体ウェハ
用ステージに使用する光反射式距離測定器のセンサーを
拡大して示す断面図、第４図は光反射式距離測定器を使
用した場合の反射光量とギャップ距離との関係を示すグ
ラフである。これらの図において前記第５図および第６
図で説明したものと同一もしくは同等部材については、
同一符号を付し詳細な説明は省略する。これらの図にお
いて、１１は光反射式距離測定器本体、１２はこの光反
射式距離測定器本体のセンサーとしての光ファイバで、
この光反射式距離測定器本体１１と光ファイバ１２とに
よって光反射式距離測定器が構成されている。前記光フ
ァイバ１２はステージ本体３に穿設された貫通孔１３内
に装着されている。この貫通孔１３は、ウェハ載置面３
ａに開口するようにステージ本体３を上下に貫通して穿
設されており、ステージ本体３に多数、ウェハ載置面３
ａの全面にわたって設けられている。
拡大して示す断面図、第２図は本発明に係る半導体ウェ
ハ用ステージの平面図、第３図は本発明の半導体ウェハ
用ステージに使用する光反射式距離測定器のセンサーを
拡大して示す断面図、第４図は光反射式距離測定器を使
用した場合の反射光量とギャップ距離との関係を示すグ
ラフである。これらの図において前記第５図および第６
図で説明したものと同一もしくは同等部材については、
同一符号を付し詳細な説明は省略する。これらの図にお
いて、１１は光反射式距離測定器本体、１２はこの光反
射式距離測定器本体のセンサーとしての光ファイバで、
この光反射式距離測定器本体１１と光ファイバ１２とに
よって光反射式距離測定器が構成されている。前記光フ
ァイバ１２はステージ本体３に穿設された貫通孔１３内
に装着されている。この貫通孔１３は、ウェハ載置面３
ａに開口するようにステージ本体３を上下に貫通して穿
設されており、ステージ本体３に多数、ウェハ載置面３
ａの全面にわたって設けられている。
この貫通孔１３の形成位置としては、本実施例では第２
図に示すように、ウェハ載置面３ａに仮想線で描かれた
折目と対応するように設定されており、各貫通孔１３は
等間隔おいて並設されている。
図に示すように、ウェハ載置面３ａに仮想線で描かれた
折目と対応するように設定されており、各貫通孔１３は
等間隔おいて並設されている。
この間隔としては、５〜１０ｍとされる。また、本実施
例ではこの貫通孔１３は真空吸着装置に連通され、貫通
孔１３がら空気を吸引することによってウェハ１がウェ
ハ載置面３ａに真空吸着されるように構成されている。
例ではこの貫通孔１３は真空吸着装置に連通され、貫通
孔１３がら空気を吸引することによってウェハ１がウェ
ハ載置面３ａに真空吸着されるように構成されている。
前記光ファイバ１２は、第３図に示すように、径方向中
央部にウェハ１の裏面へ光を照射する発光部１４が設け
られると共に、この発光部１４の外側に、前記ウェハ１
の裏面で反射した光が入射される受光部１５が設けられ
ている。また、この光ファイバ１２は、先端をウェハ載
置面３ａから０．１〜０．３μｍ程度離間させて前記貫
通孔１３内に装着されており、光反射式距離測定器本体
１１に接続されている。なお、第３図中１６はウェハ１
の裏面で反射した反射光を示す。
央部にウェハ１の裏面へ光を照射する発光部１４が設け
られると共に、この発光部１４の外側に、前記ウェハ１
の裏面で反射した光が入射される受光部１５が設けられ
ている。また、この光ファイバ１２は、先端をウェハ載
置面３ａから０．１〜０．３μｍ程度離間させて前記貫
通孔１３内に装着されており、光反射式距離測定器本体
１１に接続されている。なお、第３図中１６はウェハ１
の裏面で反射した反射光を示す。
前記光反射式距離測定器本体１１は、受光部１５での受
光強度（ウェハ１の裏面で反射した光の量）によりウェ
ハ１の裏面から光ファイバ１２の先端までの距離（ギャ
ップ距離）を測定し、この距離が、ウェハ１の歪みを許
容する規格値（例えば０．５μｍ）を超えた場合にアラ
ームを発するように構成されている。すなわち、受光部
１５に入射される反射光は、第４図に示すように、ギャ
ップ距離に比例してその光量が増大されるため、ウェハ
１における光ファイバ１２と対向する部分に歪みが生し
ていたりしてギャップ距離が長くなれば、前記反射光の
光量がその分だけ増大される。
光強度（ウェハ１の裏面で反射した光の量）によりウェ
ハ１の裏面から光ファイバ１２の先端までの距離（ギャ
ップ距離）を測定し、この距離が、ウェハ１の歪みを許
容する規格値（例えば０．５μｍ）を超えた場合にアラ
ームを発するように構成されている。すなわち、受光部
１５に入射される反射光は、第４図に示すように、ギャ
ップ距離に比例してその光量が増大されるため、ウェハ
１における光ファイバ１２と対向する部分に歪みが生し
ていたりしてギャップ距離が長くなれば、前記反射光の
光量がその分だけ増大される。
光反射式距離測定器本体１１は、この反射光の光量から
ギャップ距離を測定する構造である。なお、第４図中り
は、歪みの無いウェハ１をステージ２に吸着させた時の
ギャップ距離（例えば０．３μｍ）を示す。
ギャップ距離を測定する構造である。なお、第４図中り
は、歪みの無いウェハ１をステージ２に吸着させた時の
ギャップ距離（例えば０．３μｍ）を示す。
このように光ファイバ１２が装着されたステージ２では
、第１図に示すようにウェハ１がウェハ載置面３ａとの
間に異物８を挟んだ状態でステージ本体３に吸着されて
歪むと、この歪み部分と対向する光ファイバ１２におい
ては、受光部１５へ入射される反射光の光量が増えるこ
とになる。これを光反射式距離測定器本体１１が検出し
、ギャップ距離が規定値より大きい場合にアラームを鳴
らす。
、第１図に示すようにウェハ１がウェハ載置面３ａとの
間に異物８を挟んだ状態でステージ本体３に吸着されて
歪むと、この歪み部分と対向する光ファイバ１２におい
ては、受光部１５へ入射される反射光の光量が増えるこ
とになる。これを光反射式距離測定器本体１１が検出し
、ギャップ距離が規定値より大きい場合にアラームを鳴
らす。
したがって、このステージ２によれば、ウェハ１の裏面
と光ファイバ１２との間隔が設定値より大きくなったこ
とを検出してウェハ１の歪みを検出することができるか
ら、ウェハ１に露光処理等を施す前に異物８を除去する
ことができる。
と光ファイバ１２との間隔が設定値より大きくなったこ
とを検出してウェハ１の歪みを検出することができるか
ら、ウェハ１に露光処理等を施す前に異物８を除去する
ことができる。
なお、本発明は検査装置のみならずコーターデベロッパ
ー等のウェハチャフキング、マスクホルダー等にも適用
することができるということはいうまでもない。
ー等のウェハチャフキング、マスクホルダー等にも適用
することができるということはいうまでもない。
以上説明したように本発明に係る半導体ウェハ用ステー
ジは、ステージ本体に、半導体ウェハ載置面に開口する
透孔を多数穿設し、これらの透孔に、ステージ本体上の
半導体ウェハの裏面に光を反射させて前記裏面までの寸
法を測定する光反射式距離測定器を装着したため、半導
体ウェハの裏面と光反射式距離測定器との間隔が設定値
より太き（なることによって、半導体ウェハが歪んでい
ることが検出される。したがって、半導体ウェハの歪み
に起因してデフォーカス、計測誤差が生じるのを確実に
防ぐことができる。また、半導体ウェハをステージ本体
に吸着させた直後にエラーを検出でき、直ちに吸着させ
直せるから、装置の稼動率を向上させることができると
いう効果もある。
ジは、ステージ本体に、半導体ウェハ載置面に開口する
透孔を多数穿設し、これらの透孔に、ステージ本体上の
半導体ウェハの裏面に光を反射させて前記裏面までの寸
法を測定する光反射式距離測定器を装着したため、半導
体ウェハの裏面と光反射式距離測定器との間隔が設定値
より太き（なることによって、半導体ウェハが歪んでい
ることが検出される。したがって、半導体ウェハの歪み
に起因してデフォーカス、計測誤差が生じるのを確実に
防ぐことができる。また、半導体ウェハをステージ本体
に吸着させた直後にエラーを検出でき、直ちに吸着させ
直せるから、装置の稼動率を向上させることができると
いう効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に係る半導体ウェハ用ステージの要部を
拡大して示す断面図、第２図は本発明に係る半導体ウェ
ハ用ステージの平面図、第３図は本発明の半導体ウェハ
用ステージに使用する光反射式距離測定器のセンサーを
拡大して示す断面図、第４図は光反射式距離測定器を使
用した場合の反射光量とギャップ距離との関係を示すグ
ラフである。第５図は従来の半導体ウェハ用ステージの
一部を示す断面図、第６図は従来の半導体ウェハ用ステ
ージにウェハを吸着させた状態の平面図である。 １・・・・ウェハ、２・・・・ステージ、３・・・・ス
テージ本体、３ａ・・・・ウェハ載置面、１１・・・・
光反射式距離測定器本体、１２・・・・光ファイバ、１
３・・・・貫通孔。
拡大して示す断面図、第２図は本発明に係る半導体ウェ
ハ用ステージの平面図、第３図は本発明の半導体ウェハ
用ステージに使用する光反射式距離測定器のセンサーを
拡大して示す断面図、第４図は光反射式距離測定器を使
用した場合の反射光量とギャップ距離との関係を示すグ
ラフである。第５図は従来の半導体ウェハ用ステージの
一部を示す断面図、第６図は従来の半導体ウェハ用ステ
ージにウェハを吸着させた状態の平面図である。 １・・・・ウェハ、２・・・・ステージ、３・・・・ス
テージ本体、３ａ・・・・ウェハ載置面、１１・・・・
光反射式距離測定器本体、１２・・・・光ファイバ、１
３・・・・貫通孔。
Claims (1)
- ステージ本体のウェハ載置面に半導体ウェハが吸着され
る半導体ウェハ用ステージにおいて、前記ステージ本体
に、半導体ウェハ載置面に開口する透孔を多数穿設し、
これらの透孔に、ステージ本体上の半導体ウェハの裏面
に光を反射させて前記裏面までの寸法を測定する光反射
式距離測定器を装着したことを特徴とする半導体ウェハ
用ステージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231127A JPH04111339A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体ウエハ用ステージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2231127A JPH04111339A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体ウエハ用ステージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111339A true JPH04111339A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16918710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2231127A Pending JPH04111339A (ja) | 1990-08-30 | 1990-08-30 | 半導体ウエハ用ステージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111339A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014033057A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Murata Mfg Co Ltd | 基板吸着装置 |
| JP2020521321A (ja) * | 2017-08-29 | 2020-07-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャック力制御を有する静電チャック基板支持体 |
-
1990
- 1990-08-30 JP JP2231127A patent/JPH04111339A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014033057A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Murata Mfg Co Ltd | 基板吸着装置 |
| JP2020521321A (ja) * | 2017-08-29 | 2020-07-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャック力制御を有する静電チャック基板支持体 |
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