JPH04111418A - 結晶成長法および結晶成長装置 - Google Patents
結晶成長法および結晶成長装置Info
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- JPH04111418A JPH04111418A JP23141290A JP23141290A JPH04111418A JP H04111418 A JPH04111418 A JP H04111418A JP 23141290 A JP23141290 A JP 23141290A JP 23141290 A JP23141290 A JP 23141290A JP H04111418 A JPH04111418 A JP H04111418A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、■−■族あるいはＩ［−ＶＩ族化合物半導体
の原子層結晶成長法および結晶成長装置に関する。
の原子層結晶成長法および結晶成長装置に関する。
換言すれば本発明は、超高速動作が期待される微細電子
デバイス構造を成長する技術において、デバイス特性を
左右するヘテロ界面での組成、膜厚均一性を原子層単位
で精密制御できる結晶成長法の原料効率化に利用できる
結晶成長法および結晶成長装置に関する。
デバイス構造を成長する技術において、デバイス特性を
左右するヘテロ界面での組成、膜厚均一性を原子層単位
で精密制御できる結晶成長法の原料効率化に利用できる
結晶成長法および結晶成長装置に関する。
（従来の技術）
従来、原子層結晶成長は自己成長停止機構を有したガス
を用いて行われている０例えば有機金属ガスを用いてＧ
ａ＾３結晶を成長する場合、Ｇａ原料としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ、（ＣＴｏ）ｓＧａ）、Ａｓ原料とし
てアルシン［ＡｓＴｏ ］を用い、基板結晶上に交互供
給することによりＧａ層、Ａｓ層を交互に成長させＧａ
Ａｓ結晶を得ていた。通常の原子層成長では、Ｇａ層を
形成するとき基板表面に未分解のトリメチルガリウムを
供給する。トリメチルガリウムは基板表面でＡｓ分子と
分解反応し化学的に吸着する。この吸着物質上にトリメ
チルガリウムが飛来しても吸着されない。すなわち、１
層分の吸着しか起こらない。この機構を自己成長停止機
構と呼び、通常の原子層成長は一般にこの自己停止成長
機構が働く、即ち有機金属ガスが分解されない比較的低
い温度領域で行われている。
を用いて行われている０例えば有機金属ガスを用いてＧ
ａ＾３結晶を成長する場合、Ｇａ原料としてトリメチル
ガリウム（ＴＭＧ、（ＣＴｏ）ｓＧａ）、Ａｓ原料とし
てアルシン［ＡｓＴｏ ］を用い、基板結晶上に交互供
給することによりＧａ層、Ａｓ層を交互に成長させＧａ
Ａｓ結晶を得ていた。通常の原子層成長では、Ｇａ層を
形成するとき基板表面に未分解のトリメチルガリウムを
供給する。トリメチルガリウムは基板表面でＡｓ分子と
分解反応し化学的に吸着する。この吸着物質上にトリメ
チルガリウムが飛来しても吸着されない。すなわち、１
層分の吸着しか起こらない。この機構を自己成長停止機
構と呼び、通常の原子層成長は一般にこの自己停止成長
機構が働く、即ち有機金属ガスが分解されない比較的低
い温度領域で行われている。
（発明が解決しようとする課題）
しかし、このトリメチルガリウムの基板表面への化学吸
着力は非常に小さいため、−度基板表面に物理的に吸着
しても容易に脱離する。そのため、基板表面を一層分の
Ｇａで覆うには、非常に多くのトリメチルガリウムを基
板表面に供給する必要がある。その量は通常の結晶成長
（現在、世の中で一般的に用いられている比較的基板温
度の高い状況下で、気相中で熱分解したＧａ原子と＾ｓ
ｌｈを同時供給する結晶成長法）における供給量の約数
〜数十倍に達する。この問題は原子層成長法の実用化を
妨げる一つの要因にもなっている。
着力は非常に小さいため、−度基板表面に物理的に吸着
しても容易に脱離する。そのため、基板表面を一層分の
Ｇａで覆うには、非常に多くのトリメチルガリウムを基
板表面に供給する必要がある。その量は通常の結晶成長
（現在、世の中で一般的に用いられている比較的基板温
度の高い状況下で、気相中で熱分解したＧａ原子と＾ｓ
ｌｈを同時供給する結晶成長法）における供給量の約数
〜数十倍に達する。この問題は原子層成長法の実用化を
妨げる一つの要因にもなっている。
この供給量を低減する方法として、トリメチルガリウム
の基板表面への化学吸着を促進するため、レーザ光を基
板表面に照射させ、トリメチルガリウムと基板表面のＡ
ｓとの交換反応を促進する方法が行われている。しかし
、量子効率が小さいため十分な供給量の低下には至って
いない。
の基板表面への化学吸着を促進するため、レーザ光を基
板表面に照射させ、トリメチルガリウムと基板表面のＡ
ｓとの交換反応を促進する方法が行われている。しかし
、量子効率が小さいため十分な供給量の低下には至って
いない。
本発明は上記の欠点を改善するために提案されたもので
、その目的は■−ｖ族あるいはＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体の原子層結晶成長法に関し、反応効率（成長に使用さ
れた量／供給量）を増加させ、より少量の原料で原子層
結晶成長が行える結晶成長法を提供することにある。
、その目的は■−ｖ族あるいはＩＩ−Ｖｌ族化合物半導
体の原子層結晶成長法に関し、反応効率（成長に使用さ
れた量／供給量）を増加させ、より少量の原料で原子層
結晶成長が行える結晶成長法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は■−Ｖ族あるいは
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体の原子層結晶成長において、
１層分以下のＩＩＩもしくはＩＩ族の金属原子を被成長
基板上に供給した後、再び前記金属元素を含む自己成長
停止機構を有した分子を被成長基板上に供給することに
より、１層分のｍもしくは■族元素層を成長することを
特徴とする結晶成長法を発明の要舌とするものである。
ＩＩ−Ｖｌ族化合物半導体の原子層結晶成長において、
１層分以下のＩＩＩもしくはＩＩ族の金属原子を被成長
基板上に供給した後、再び前記金属元素を含む自己成長
停止機構を有した分子を被成長基板上に供給することに
より、１層分のｍもしくは■族元素層を成長することを
特徴とする結晶成長法を発明の要舌とするものである。
さらに本発明は被成長用基板を収容する反応容器に、第
一の原料を前記反応管に導入するための第一の導入管と
、第二の原料を前記反応管に導入するための第二の導入
配管とを設けた装置において、前記第二の導入管はバル
ブを介して第一の分岐導入配管と、第二の分岐導入配管
とに分岐され、前記第一の分岐導入配管は、そのまま前
記の反応容器に導かれ、かつ前記第二の分岐導入配管は
有機金属原料ガスを熱分解させるための加熱装置を介し
て前記反応容器に導かれることを特徴とする結晶成長装
置を発明の要旨とするものである。
一の原料を前記反応管に導入するための第一の導入管と
、第二の原料を前記反応管に導入するための第二の導入
配管とを設けた装置において、前記第二の導入管はバル
ブを介して第一の分岐導入配管と、第二の分岐導入配管
とに分岐され、前記第一の分岐導入配管は、そのまま前
記の反応容器に導かれ、かつ前記第二の分岐導入配管は
有機金属原料ガスを熱分解させるための加熱装置を介し
て前記反応容器に導かれることを特徴とする結晶成長装
置を発明の要旨とするものである。
換言すれば、本発明は各成分元素の原料を交互供給する
化合物半導体の原子層結晶成長法において、予め■族あ
るいは■族金属を被成長基板上に１層以下の基で供給し
た後、■族あるいは■族元素を含む自己成長停止機構を
有した分子を供給することにより、■族あるいは■族元
素の単原子層成長が完了するように構成するもので、従
来の原子層結晶成長が、■族あるいは■族の成分を含む
自己成長停止機構を有した分子のみを基板表面に供給し
て、原子層成長していた点で異なるものである。
化合物半導体の原子層結晶成長法において、予め■族あ
るいは■族金属を被成長基板上に１層以下の基で供給し
た後、■族あるいは■族元素を含む自己成長停止機構を
有した分子を供給することにより、■族あるいは■族元
素の単原子層成長が完了するように構成するもので、従
来の原子層結晶成長が、■族あるいは■族の成分を含む
自己成長停止機構を有した分子のみを基板表面に供給し
て、原子層成長していた点で異なるものである。
（作 用）
本発明によれば、予め■族あるいは■族金属を被成長基
板上に１層以下の量で供給した後、■族あるいは■族元
素を含む自己成長停止機構を有した分子を供給すること
によって、結晶の原子層制御が容易であり、かつ結晶成
長に必要な供給量を低減できる作用を有する。
板上に１層以下の量で供給した後、■族あるいは■族元
素を含む自己成長停止機構を有した分子を供給すること
によって、結晶の原子層制御が容易であり、かつ結晶成
長に必要な供給量を低減できる作用を有する。
（実施例）
次に本発明の実施例について説明する。
なお実施例は一つの例示であって、本発明の精神を逸脱
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうること
は云うまでもない。
しない範囲で、種々の変更あるいは改良を行いうること
は云うまでもない。
第１図は本発明の有機金属ガスを用いた実施例としてＧ
ａＡｓの原子層成長法を説明するための装置模式図であ
る０図において１は■族原料であるトリメチルガリウム
、２はＶ族原料であるアルシン、３はトリメチルガリウ
ムを熱分解するための個別に温度制御された石英管、４
は温度制御のためのヒータ、５は温度をモニタする熱電
対、６はトリメチルガリウムが未分解の状態で流れる配
管、７はトリメチルガリウムが熱分解してＧａ原子の状
態で流れる配管、８はトリメチルガリウムの流れる経路
を制御するためのパルプ、９は被成長用基板、１０は反
応管、１１は基板温度を制御するＲＦコイル、である。
ａＡｓの原子層成長法を説明するための装置模式図であ
る０図において１は■族原料であるトリメチルガリウム
、２はＶ族原料であるアルシン、３はトリメチルガリウ
ムを熱分解するための個別に温度制御された石英管、４
は温度制御のためのヒータ、５は温度をモニタする熱電
対、６はトリメチルガリウムが未分解の状態で流れる配
管、７はトリメチルガリウムが熱分解してＧａ原子の状
態で流れる配管、８はトリメチルガリウムの流れる経路
を制御するためのパルプ、９は被成長用基板、１０は反
応管、１１は基板温度を制御するＲＦコイル、である。
本実施例は石英管３の温度を６００°Ｃ（好ましくは５
８０°Ｃ以上）、石英管３中のＴＭＧの通過時間を０．
５秒に設定した時の実験結果を示す、この温度、通過時
間では石英管３を通過した後のトリメチルガリウムは金
属Ｇａに熱分解されていることを四重極質量分析法によ
り確認している。
８０°Ｃ以上）、石英管３中のＴＭＧの通過時間を０．
５秒に設定した時の実験結果を示す、この温度、通過時
間では石英管３を通過した後のトリメチルガリウムは金
属Ｇａに熱分解されていることを四重極質量分析法によ
り確認している。
第２図は、−例としてＧａＡｓ結晶を成長した時のガス
流量のシーケンスを示す図である。まず、＾Ｓ原子で覆
われた基板表面に石英管３を通過させ配管７を通してト
リメチルガリウムガスを供給する。
流量のシーケンスを示す図である。まず、＾Ｓ原子で覆
われた基板表面に石英管３を通過させ配管７を通してト
リメチルガリウムガスを供給する。
この時ガスは熱分解されているため、基板表面にはＧａ
原子が供給される。ここでは０．９層分のＧａ量を供給
した。その後、第１図のパルプ８によりトリメチルガリ
ウムの導入経路を導入配管６に切り替えることにより、
石英管３を通さずに未分解のトリメチルガリウムを基板
表面に供給する。Ｇａ原子上にトリメチルガリウムは吸
着しない、いわゆる自己成長停止機構により、トリメチ
ルガリウムはＡｓ面の現れている０、１層分を覆う、こ
のシーケンスにより１層分のＧａ面が形成される。この
後、アルシンを供給する。アルシンはＧａ原子上はもち
ろんのこと、アルキル基を有したトリメチルガリウムの
アルキル基と交換反応をおこし、Ｇａと化学的に結合す
る。従って、Ｇａ面上に１層分のＡｓ面が形成される。
原子が供給される。ここでは０．９層分のＧａ量を供給
した。その後、第１図のパルプ８によりトリメチルガリ
ウムの導入経路を導入配管６に切り替えることにより、
石英管３を通さずに未分解のトリメチルガリウムを基板
表面に供給する。Ｇａ原子上にトリメチルガリウムは吸
着しない、いわゆる自己成長停止機構により、トリメチ
ルガリウムはＡｓ面の現れている０、１層分を覆う、こ
のシーケンスにより１層分のＧａ面が形成される。この
後、アルシンを供給する。アルシンはＧａ原子上はもち
ろんのこと、アルキル基を有したトリメチルガリウムの
アルキル基と交換反応をおこし、Ｇａと化学的に結合す
る。従って、Ｇａ面上に１層分のＡｓ面が形成される。
この工程を繰り返すことにより、所望の層数のＧａＡｓ
を成長した。
を成長した。
第２図において（ａ）は熱分解ＴＭＧ流量、（ｂ）は未
分解ＴＭＣ，流量、（Ｃ）はアルシン流量を示すもので
、夫々パルス状に支えられ、（ａ）、 （ｂ）で夫々パ
ルス幅（供給時間）は０．５秒、周期は４秒で、熱分解
ＴＭＧの流れが終わると、未分解ＴＭＧが供給される。
分解ＴＭＣ，流量、（Ｃ）はアルシン流量を示すもので
、夫々パルス状に支えられ、（ａ）、 （ｂ）で夫々パ
ルス幅（供給時間）は０．５秒、周期は４秒で、熱分解
ＴＭＧの流れが終わると、未分解ＴＭＧが供給される。
この未分解ＴＭＧの流れが終わると１秒後、アルシンが
供給される。供給時間は１秒、周期は４秒である。
供給される。供給時間は１秒、周期は４秒である。
第３図は、第２図のシーケンスにより基板温度を４８０
°Ｃとして成長した時のトリメチルガリウムの供給時間
（供給量）と、１サイクル当りの成長膜厚との関係を示
す図であり、本実験例の効果を示す図である。横軸には
ＴＭＧ供給時間、縦軸には成長速度をとっである０本発
明によるトリメチルガリウムの供給量は、熱分解してＧ
ａの状態で供給する量と、未分解で供給する量の和とし
て表わしている。ＧａＡｓ１層の膜厚は２．８人に相当
する。
°Ｃとして成長した時のトリメチルガリウムの供給時間
（供給量）と、１サイクル当りの成長膜厚との関係を示
す図であり、本実験例の効果を示す図である。横軸には
ＴＭＧ供給時間、縦軸には成長速度をとっである０本発
明によるトリメチルガリウムの供給量は、熱分解してＧ
ａの状態で供給する量と、未分解で供給する量の和とし
て表わしている。ＧａＡｓ１層の膜厚は２．８人に相当
する。
第３図に従来の原子層結晶成長法による結果を併せて示
す、従来の方法では基板表面への付着係数が小さい未分
解のトリメチルガリウムを基板表面に供給する。一方、
本発明では、まず基板表面の＾Ｓ原子と化学吸着し易い
（付着係数が約１ ） Ｇａ原子を供給し、基板表面の
大部分の領域（本実験例では９０％の領域）をＧａ原子
で覆う、この時Ｇａ原子は、−層以下の供給量ではＧａ
上に吸着せず、全てのＧａはＡｓ上に吸着することを確
認している。従って、Ｇａで覆われていない表面は、残
りの１０％である。続いて、この１０％の領域を覆うた
めにトリメチルガリウムを供給する。自己成長停止機構
があるため、付着は１層で停止する。付着係数が小さい
未分解のトリメチルガリウムの供給量を低減できるため
、第３図で示すように、原子層成長が可能なトリメチル
ガリウムの必要供給量を従来の方法に比べて約−桁程度
低域できたことが認められる。
す、従来の方法では基板表面への付着係数が小さい未分
解のトリメチルガリウムを基板表面に供給する。一方、
本発明では、まず基板表面の＾Ｓ原子と化学吸着し易い
（付着係数が約１ ） Ｇａ原子を供給し、基板表面の
大部分の領域（本実験例では９０％の領域）をＧａ原子
で覆う、この時Ｇａ原子は、−層以下の供給量ではＧａ
上に吸着せず、全てのＧａはＡｓ上に吸着することを確
認している。従って、Ｇａで覆われていない表面は、残
りの１０％である。続いて、この１０％の領域を覆うた
めにトリメチルガリウムを供給する。自己成長停止機構
があるため、付着は１層で停止する。付着係数が小さい
未分解のトリメチルガリウムの供給量を低減できるため
、第３図で示すように、原子層成長が可能なトリメチル
ガリウムの必要供給量を従来の方法に比べて約−桁程度
低域できたことが認められる。
固体Ｇａのみを用いた原子層成長法もあるが、先述した
ように１層以上の供給量ではＧａ原子の上にＧａ原子が
付着する。正確に１層分のＧａ原子量を供給するのは不
可能である。そのため、固体Ｇａのみを用いた単原子層
成長は実現していない、その点本発明は、Ｇａ供給量は
１層以下であればどれだけの量を供給しても良く、１層
量への不足分は自己停止機構を有したトリメチルガリウ
ムで行う点で暦数制御も容易である。
ように１層以上の供給量ではＧａ原子の上にＧａ原子が
付着する。正確に１層分のＧａ原子量を供給するのは不
可能である。そのため、固体Ｇａのみを用いた単原子層
成長は実現していない、その点本発明は、Ｇａ供給量は
１層以下であればどれだけの量を供給しても良く、１層
量への不足分は自己停止機構を有したトリメチルガリウ
ムで行う点で暦数制御も容易である。
第１図では、トリメチルガリウムの熱分解石英管を、反
応管の外部に設けた例を示したが、反応管の内部に設置
した構造であっても、本発明と同様の効果が期待できる
。また、第１図では、金属Ｇａを得るのに石英管３の部
分でトリメチルガリウムを熱分解する方法を述べたが、
例えば、光等により外部からエネルギーを与えて分解す
る方法はもちろんのこと、初めから金属Ｇａソースとト
リメチルガリウムをそれぞれ別々に設けて、第４図に示
すようにシーケンスで成長しても本発明と同様の効果が
期待できる。なお第４図において供給時間、周期は第２
図と同様である。
応管の外部に設けた例を示したが、反応管の内部に設置
した構造であっても、本発明と同様の効果が期待できる
。また、第１図では、金属Ｇａを得るのに石英管３の部
分でトリメチルガリウムを熱分解する方法を述べたが、
例えば、光等により外部からエネルギーを与えて分解す
る方法はもちろんのこと、初めから金属Ｇａソースとト
リメチルガリウムをそれぞれ別々に設けて、第４図に示
すようにシーケンスで成長しても本発明と同様の効果が
期待できる。なお第４図において供給時間、周期は第２
図と同様である。
ここではトリメチルガリウムを用いたＧａＡｓ結晶成長
の場合を示したが、他の自己成長停止機構を有した有機
金属材料やハライド系材料を用いた場合、あるいは他の
化合物半導体を形成する場合にも、本発明が適用できる
ことは言うまでもない。
の場合を示したが、他の自己成長停止機構を有した有機
金属材料やハライド系材料を用いた場合、あるいは他の
化合物半導体を形成する場合にも、本発明が適用できる
ことは言うまでもない。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば■−Ｖ族あるいは
■−■族化合物半導体の原子層結晶成長において、１層
分以下のＩＩＩもしくはＩＩ族の金属原子を被成長基板
上に供給した後、再び前記金属元素を含む自己成長停止
機構を有した分子を被成長基板上に供給することにより
原子層制御も容易でかつ結晶成長に必要な供給量を低減
できる。このことは未だ研究段階にある原子層結晶成長
法の実用化、応用化を著しく推進する効果を有する。
■−■族化合物半導体の原子層結晶成長において、１層
分以下のＩＩＩもしくはＩＩ族の金属原子を被成長基板
上に供給した後、再び前記金属元素を含む自己成長停止
機構を有した分子を被成長基板上に供給することにより
原子層制御も容易でかつ結晶成長に必要な供給量を低減
できる。このことは未だ研究段階にある原子層結晶成長
法の実用化、応用化を著しく推進する効果を有する。
第１図は本発明の実施例を示す装置の模式概略図、第２
図は本発明の実施に用いたガス流量のシーケンスを示す
図、第３図は本実施例と従来例による材料供給時間と成
長膜厚との関係を示す図、第４図は■練原料として、金
属Ｇａとトリメチルガリウムを併用した実施例の供給シ
ーケンスを示す図である。 ｌ・・・トリメチルガリウム、２・・・アルシン、３・
・・熱分解用石英管、４・・・温度制御用ヒータ、５・
・・温度モニタ用熱電対、６・・・トリメチルガリウム
導入配管、７・・・金属Ｇａ導入配管、８・・・パルプ
、９・・・被成長用基板、１０・・・反応管、１１・・
・基板温度制御用ＲＦコイル。 第１図 第２図 １０反応管 Ｉ４−１ 間 （ｊｌイｆｉｒ’ニジ）手続補正書（自
発） 平成２年１２月１９日 平成２年特許願第２３１４１２号 ２、発明の名称 結晶成長法および結晶成長装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （４２２）日本電信電話株式会社４、代理人〒１
６０ 住所 東京都新宿区西新宿７丁目５番１０号第２ミゾタ
ビルディング７階 電話（０３） ３６５４９８２番 氏名 弁理士（６１０８） 高 山 敏 夫５、補正
の対象 明細書中「図面の簡単な説明」の欄及び図面６、補正の
内容 （ａ） 明細書第１２頁第１１行目の「−ケンスを示
す図」の次に成文を挿入する。 「、第３図は本実施例と従来例による材料供給時間と成
長膜厚との関係を示す図、第４図は■族原料として、金
属Ｇａとトリメチル労すウムを併用した実施例の供給シ
ーケンスを示す図」 （ｂ） 第３図及び第４図を補正する。 手続補正書（自制 平成２年１２月１９日 ＴＭＧイ共短時聞ゆ幻 平成２年特許願第２３１４１２号 ２、発明の名称 結晶成長法および結晶成長装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （４２２）日本電信電話株式会社４、代理人〒１
６０ 住所 東京都新宿区西新宿７丁目５番１０号第２ミゾタ
ビルディング７階 時Ｐ！／Ｖ １位秒） 明細書中「図面の簡単な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書第１２頁第１１〜１５行目の「、第３図は・・・
・・を示す図」を削除する。 手続補正書 平成３年２月４日 平成２年 特許間 第２３１４１２号 ２゜ 発明の名称 結晶成長法および結晶成長装置 ３゜ 補正をする者 ４゜ 代 理 人 ５゜ 補正命令の日付 図面中、 「第２集口」の第１図及び第２図
図は本発明の実施に用いたガス流量のシーケンスを示す
図、第３図は本実施例と従来例による材料供給時間と成
長膜厚との関係を示す図、第４図は■練原料として、金
属Ｇａとトリメチルガリウムを併用した実施例の供給シ
ーケンスを示す図である。 ｌ・・・トリメチルガリウム、２・・・アルシン、３・
・・熱分解用石英管、４・・・温度制御用ヒータ、５・
・・温度モニタ用熱電対、６・・・トリメチルガリウム
導入配管、７・・・金属Ｇａ導入配管、８・・・パルプ
、９・・・被成長用基板、１０・・・反応管、１１・・
・基板温度制御用ＲＦコイル。 第１図 第２図 １０反応管 Ｉ４−１ 間 （ｊｌイｆｉｒ’ニジ）手続補正書（自
発） 平成２年１２月１９日 平成２年特許願第２３１４１２号 ２、発明の名称 結晶成長法および結晶成長装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （４２２）日本電信電話株式会社４、代理人〒１
６０ 住所 東京都新宿区西新宿７丁目５番１０号第２ミゾタ
ビルディング７階 電話（０３） ３６５４９８２番 氏名 弁理士（６１０８） 高 山 敏 夫５、補正
の対象 明細書中「図面の簡単な説明」の欄及び図面６、補正の
内容 （ａ） 明細書第１２頁第１１行目の「−ケンスを示
す図」の次に成文を挿入する。 「、第３図は本実施例と従来例による材料供給時間と成
長膜厚との関係を示す図、第４図は■族原料として、金
属Ｇａとトリメチル労すウムを併用した実施例の供給シ
ーケンスを示す図」 （ｂ） 第３図及び第４図を補正する。 手続補正書（自制 平成２年１２月１９日 ＴＭＧイ共短時聞ゆ幻 平成２年特許願第２３１４１２号 ２、発明の名称 結晶成長法および結晶成長装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （４２２）日本電信電話株式会社４、代理人〒１
６０ 住所 東京都新宿区西新宿７丁目５番１０号第２ミゾタ
ビルディング７階 時Ｐ！／Ｖ １位秒） 明細書中「図面の簡単な説明」の欄 ６、補正の内容 明細書第１２頁第１１〜１５行目の「、第３図は・・・
・・を示す図」を削除する。 手続補正書 平成３年２月４日 平成２年 特許間 第２３１４１２号 ２゜ 発明の名称 結晶成長法および結晶成長装置 ３゜ 補正をする者 ４゜ 代 理 人 ５゜ 補正命令の日付 図面中、 「第２集口」の第１図及び第２図
Claims (2)
- （１）III−Ｖ族あるいはII−VI族化合物半導体の原子
層結晶成長において、１層分以下のIIIもしくはII族の
金属原子を被成長基板上に供給した後、再び前記金属元
素を含む自己成長停止機構を有した分子を被成長基板上
に供給することにより、１層分のIIIもしくはII族元素
層を成長することを特徴とする結晶成長法。 - （２）被成長用基板を収容する反応容器に、第一の原料
を前記反応管に導入するための第一の導入管と、第二の
原料を前記反応管に導入するための第二の導入配管とを
設けた装置において、前記第二の導入管はバルブを介し
て第一の分岐導入配管と、第二の分岐導入配管とに分岐
され、前記第一の分岐導入配管は、そのまま前記の反応
容器に導かれ、かつ前記第二の分岐導入配管は有機金属
原料ガスを熱分解させるための加熱装置を介して前記反
応容器に導かれることを特徴とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23141290A JPH04111418A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 結晶成長法および結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23141290A JPH04111418A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 結晶成長法および結晶成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04111418A true JPH04111418A (ja) | 1992-04-13 |
Family
ID=16923192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23141290A Pending JPH04111418A (ja) | 1990-08-31 | 1990-08-31 | 結晶成長法および結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04111418A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
| US7094680B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7352048B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-04-01 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
-
1990
- 1990-08-31 JP JP23141290A patent/JPH04111418A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7094680B2 (en) | 2001-02-02 | 2006-08-22 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US7781326B2 (en) | 2001-02-02 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Formation of a tantalum-nitride layer |
| US10280509B2 (en) | 2001-07-16 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US7352048B2 (en) | 2001-09-26 | 2008-04-01 | Applied Materials, Inc. | Integration of barrier layer and seed layer |
| US7732325B2 (en) | 2002-01-26 | 2010-06-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced cyclic layer deposition process for barrier layers |
| US6833161B2 (en) * | 2002-02-26 | 2004-12-21 | Applied Materials, Inc. | Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode |
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