JPH04114328A - 光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光学的情報記録再生装置Info
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- JPH04114328A JPH04114328A JP2233167A JP23316790A JPH04114328A JP H04114328 A JPH04114328 A JP H04114328A JP 2233167 A JP2233167 A JP 2233167A JP 23316790 A JP23316790 A JP 23316790A JP H04114328 A JPH04114328 A JP H04114328A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は光学的情報記録媒体に情報を記録及び/又は再
生する光学的情報記録再生装置に関し、特に光ヘッドと
光カードとを相対的に往復運動させながら情報の記録再
生を行なう光カード記録再生装置に好適な光学的情報記
録再生装置に関する。
生する光学的情報記録再生装置に関し、特に光ヘッドと
光カードとを相対的に往復運動させながら情報の記録再
生を行なう光カード記録再生装置に好適な光学的情報記
録再生装置に関する。
[従来の技術]
従来から光を用いて情報を記録、再生する媒体の形態と
して光ディスク、光カード、光テープ等の各種のものが
知られている。これらはそれぞれ特徴を持っており、目
的、用途等によって使い分けられているが、そのうち光
カードは製造の容易さ、携帯性のよさ、アクセス性のよ
さといった特徴を生かし、今後、用途がますます広まっ
てゆくと考えられる。
して光ディスク、光カード、光テープ等の各種のものが
知られている。これらはそれぞれ特徴を持っており、目
的、用途等によって使い分けられているが、そのうち光
カードは製造の容易さ、携帯性のよさ、アクセス性のよ
さといった特徴を生かし、今後、用途がますます広まっ
てゆくと考えられる。
これらの光カードにおいては、カード長辺に平行に複数
本のトラッキングトラックが設けられており、2本のト
ラッキングトラックの間を情報を記録する情報トラック
とするのが一般的である。
本のトラッキングトラックが設けられており、2本のト
ラッキングトラックの間を情報を記録する情報トラック
とするのが一般的である。
また、トラッキングトラックは、情報の記録再生時に情
報の記録再生用の光スポットの走査の際に所定の情報ト
ラックから逸脱しないように制御するオートトラッキン
グFAT)の為のガイドとして利用される。実際の情報
の記録再生においては、前記光スポットを記録媒体面上
に正しく焦点を結ばせるように制御するオートフォーカ
ス(AP)も利用される。これらのAT、AFは、光を
用いて情報の記録再生を行なう装置においては、従来よ
りよく用いられている一般的な技術である。
報の記録再生用の光スポットの走査の際に所定の情報ト
ラックから逸脱しないように制御するオートトラッキン
グFAT)の為のガイドとして利用される。実際の情報
の記録再生においては、前記光スポットを記録媒体面上
に正しく焦点を結ばせるように制御するオートフォーカ
ス(AP)も利用される。これらのAT、AFは、光を
用いて情報の記録再生を行なう装置においては、従来よ
りよく用いられている一般的な技術である。
第6図は、この様な光カードlの概略平面図であり、1
02は情報記録エリア、103は情報トラック、104
.104′はそれぞれトラック選択エリア、105は光
スポットのホームポジションである。
02は情報記録エリア、103は情報トラック、104
.104′はそれぞれトラック選択エリア、105は光
スポットのホームポジションである。
第7図は以上の様な光カード1へ情報を記録し且つ該光
カードに記録されている情報を再生するための情報記録
再生装置の一例を示すブロック図である。第7図におい
て、19は記録再生装置を示し、該装置には上位制御装
置たるCPU9が接続されている。記録再生装置19に
おいて、14は不図示の搬送機構を介して光カード1を
記録再生装置内に導入し、所定の記録再生位置でR方向
に往復移動させ、更に該装置外に排出するための駆動モ
ータである。17は光源を含む光ビーム照射光学系であ
り、これにより情報記録時及び再生時には光カード1上
に光スポットが形成される。
カードに記録されている情報を再生するための情報記録
再生装置の一例を示すブロック図である。第7図におい
て、19は記録再生装置を示し、該装置には上位制御装
置たるCPU9が接続されている。記録再生装置19に
おいて、14は不図示の搬送機構を介して光カード1を
記録再生装置内に導入し、所定の記録再生位置でR方向
に往復移動させ、更に該装置外に排出するための駆動モ
ータである。17は光源を含む光ビーム照射光学系であ
り、これにより情報記録時及び再生時には光カード1上
に光スポットが形成される。
光カード1上には3つの光スポットが形成される。28
〜30は光検出器であり、上記光カード1上の3つの光
スポットの反射光をそれぞれ受光することができる。1
5は光ビーム照射光学系17の一部を駆動して光カード
面上の光スポットの焦点位置をZ方向、すなわち、光カ
ード面と垂直方向に移動させてAFを行なうためのAF
アクチュエータであり、16は光ビーム照射系光学17
の一部を駆動して光カード面上の光スポットをY方向、
すなわち、R方向と2方向との双方に直交する方向に移
動させてATを行なうためのATアクチュエータである
。
〜30は光検出器であり、上記光カード1上の3つの光
スポットの反射光をそれぞれ受光することができる。1
5は光ビーム照射光学系17の一部を駆動して光カード
面上の光スポットの焦点位置をZ方向、すなわち、光カ
ード面と垂直方向に移動させてAFを行なうためのAF
アクチュエータであり、16は光ビーム照射系光学17
の一部を駆動して光カード面上の光スポットをY方向、
すなわち、R方向と2方向との双方に直交する方向に移
動させてATを行なうためのATアクチュエータである
。
上記光ビーム照射光学系17、光検出器28〜30、A
Fアクチュエータ15及びATアクチュエータ16を含
んで光ヘッド18が構成される。
Fアクチュエータ15及びATアクチュエータ16を含
んで光ヘッド18が構成される。
13は該光ヘッドをY方向に移動させて光スポットを光
カード上の所望のトラックへとアクセスさせるための駆
動モータである。上記駆動モータ13及び14はMPU
l0により制御される。
カード上の所望のトラックへとアクセスさせるための駆
動モータである。上記駆動モータ13及び14はMPU
l0により制御される。
71は駆動モータ14に結合されたエンコーダであり、
駆動モータ14が所定角度回転する毎にパルスを出力す
る。駆動モータの回転角度と光カードのR方向の移動量
には一定の関係があるので、エンコーダ71の出力パル
スを計数することにより、光カード上の光スポットのR
方向の位置を検出することができる。72は波形整形回
路であり、エンコーダ71の出力パルスをMPUl0が
受は取れる形に整形する。
駆動モータ14が所定角度回転する毎にパルスを出力す
る。駆動モータの回転角度と光カードのR方向の移動量
には一定の関係があるので、エンコーダ71の出力パル
スを計数することにより、光カード上の光スポットのR
方向の位置を検出することができる。72は波形整形回
路であり、エンコーダ71の出力パルスをMPUl0が
受は取れる形に整形する。
上記光検出器28〜30の出力はAT/AF制御回路1
1に入力され、これに基づき該制御回路は上記AFアク
チュエータ15及びATアクチュエータ16を制御して
AF及びATを行なう。上記光検出器28〜30の出力
はまた変復調回路12にも入力され、読み取り情報の復
調が行なわれ、復調信号は上記MPLIIOへと送られ
る。また、該変復調回路12は上記MPU10から送ら
れてくる情報信号を変調し、変調信号に従って上記光ビ
ーム照射光学系17を駆動して情報の記録を行なう。上
記MPU 10は上記CPU9により制御され且つCP
U9とデータのやりとりを行なっている。
1に入力され、これに基づき該制御回路は上記AFアク
チュエータ15及びATアクチュエータ16を制御して
AF及びATを行なう。上記光検出器28〜30の出力
はまた変復調回路12にも入力され、読み取り情報の復
調が行なわれ、復調信号は上記MPLIIOへと送られ
る。また、該変復調回路12は上記MPU10から送ら
れてくる情報信号を変調し、変調信号に従って上記光ビ
ーム照射光学系17を駆動して情報の記録を行なう。上
記MPU 10は上記CPU9により制御され且つCP
U9とデータのやりとりを行なっている。
第8図は第7図の光ヘツド部分の詳細を示す斜視図であ
る。
る。
第8図に示すように、半導体レーザ等の光源20から発
したビームは、コリメータレンズ21によって平行化さ
れ、回折格子23によって3本のビームに分けられる。
したビームは、コリメータレンズ21によって平行化さ
れ、回折格子23によって3本のビームに分けられる。
これらのビームは、対物レンズ26により、光カード1
上のトラッキングトラック37、情報トラック39、ト
ラッキングトラック38に結像され、各々ビームスポッ
トSl、S2.S3を形成する。第9図に、各トラック
と光スポットの位置関係を拡大して示している。ここで
光カード1は、図示されない駆動手段によって矢印方向
(R方向)に移動され、前記ビームスポットによって、
トラッキングトラックの延びている方向に走査される。
上のトラッキングトラック37、情報トラック39、ト
ラッキングトラック38に結像され、各々ビームスポッ
トSl、S2.S3を形成する。第9図に、各トラック
と光スポットの位置関係を拡大して示している。ここで
光カード1は、図示されない駆動手段によって矢印方向
(R方向)に移動され、前記ビームスポットによって、
トラッキングトラックの延びている方向に走査される。
ビームスポットSl、S2.S3の反射光は再び対物レ
ンズを通過し、ビームスプリッタ−24によって反射さ
れ、集光レンズ系27により、光検出器28゜29.3
0に夫々投影される。
ンズを通過し、ビームスプリッタ−24によって反射さ
れ、集光レンズ系27により、光検出器28゜29.3
0に夫々投影される。
また、集光レンズ系27は非点収差系になっており、オ
ートフォーカシングを良く知られた非点収差方式で行え
るよう配置されている。これらの光電8器は、第10図
のように図示した配置で構成されている。また、第8図
において、22は¥導体レーザから出射し、コリメート
された光束の断面分布を楕円から円形に変換するための
プリズムで、25は対物レンズ26に光束を導くミラー
である。また光検出器29は第10図にA、B。
ートフォーカシングを良く知られた非点収差方式で行え
るよう配置されている。これらの光電8器は、第10図
のように図示した配置で構成されている。また、第8図
において、22は¥導体レーザから出射し、コリメート
された光束の断面分布を楕円から円形に変換するための
プリズムで、25は対物レンズ26に光束を導くミラー
である。また光検出器29は第10図にA、B。
C,Dで示すように受光面が4分割されている。
第11図は、従来のAP及びAT制制御ルー1路路一例
を説明するためのブロック図である。第11図において
、光検出器28および光検出器30は、トラッキングト
ラック37.38から反射した光ビームを検出するもの
であり、光検出器28および光検出器30の出力電流は
電流電圧変換器6および5を通り、トラッキング制御回
路110に送られる。トラッキング制御回路1102で
は、上記2つの出力の差をとり、そのトラッキング誤差
信号をビームスポットの駆動手段であるトラッキングア
クチュエータ16に印加し、負帰還ループを形成してい
る。
を説明するためのブロック図である。第11図において
、光検出器28および光検出器30は、トラッキングト
ラック37.38から反射した光ビームを検出するもの
であり、光検出器28および光検出器30の出力電流は
電流電圧変換器6および5を通り、トラッキング制御回
路110に送られる。トラッキング制御回路1102で
は、上記2つの出力の差をとり、そのトラッキング誤差
信号をビームスポットの駆動手段であるトラッキングア
クチュエータ16に印加し、負帰還ループを形成してい
る。
同様に、光検出器29は情報トラックから反射した光ビ
ームを検出するものであり、4分割センサのうち、Aお
よびDの和信号と、BおよびCの和信号とを電流電圧変
換器3,4を介しフォーカシング制御回路111に送る
。ここで2つの信号の差がとられ、いわゆるフォーカシ
ング誤差信号となる。この誤差信号はビームスポットの
駆動手段であるフォーカシングアクチュエータ15に印
加され、負帰還ループを形成している。
ームを検出するものであり、4分割センサのうち、Aお
よびDの和信号と、BおよびCの和信号とを電流電圧変
換器3,4を介しフォーカシング制御回路111に送る
。ここで2つの信号の差がとられ、いわゆるフォーカシ
ング誤差信号となる。この誤差信号はビームスポットの
駆動手段であるフォーカシングアクチュエータ15に印
加され、負帰還ループを形成している。
ここで、電流電圧変換器3〜6は、それぞれ2つの帰還
抵抗RI1.Rwをスイッチ素子SWで切換える構成に
なっている。即ち、変復調回路12から出力される記録
情報信号(WD)に応じて各電流電圧変換器のゲインを
変化させるようになっている。このゲインの変化は、特
に光カード記録媒体として、有機色素を用いた媒体に適
用される。有機色素媒体は、量産性に優れている反面、
再生光による反射率の劣化速度が速いため、再生光パワ
ーは低(抑えられ、記録光パワーに対しての比率が大き
くなる。そのため、帰還抵抗R8は再生レベルでのS/
Nが良好となるように設定されており、このR8を記録
時に用いようとすると、ゲインが高すぎるため、電流電
圧変換器の出力が飽和し、安定した信号処理ができない
。そこで、記録時には帰還抵抗をRwに切換え、電流電
圧変換器の出力を適正値に設定するようになっている。
抵抗RI1.Rwをスイッチ素子SWで切換える構成に
なっている。即ち、変復調回路12から出力される記録
情報信号(WD)に応じて各電流電圧変換器のゲインを
変化させるようになっている。このゲインの変化は、特
に光カード記録媒体として、有機色素を用いた媒体に適
用される。有機色素媒体は、量産性に優れている反面、
再生光による反射率の劣化速度が速いため、再生光パワ
ーは低(抑えられ、記録光パワーに対しての比率が大き
くなる。そのため、帰還抵抗R8は再生レベルでのS/
Nが良好となるように設定されており、このR8を記録
時に用いようとすると、ゲインが高すぎるため、電流電
圧変換器の出力が飽和し、安定した信号処理ができない
。そこで、記録時には帰還抵抗をRwに切換え、電流電
圧変換器の出力を適正値に設定するようになっている。
次に、その帰還抵抗の切換動作を第12図に示すタイム
チャートを参照して説明する。
チャートを参照して説明する。
同図において、WDは情報記録信号、LDPは半導体レ
ーザの光パワーであり、光パワーは情報配録信号に対応
して記録レベルPw、再生レベルP8に切換λられる。
ーザの光パワーであり、光パワーは情報配録信号に対応
して記録レベルPw、再生レベルP8に切換λられる。
また、帰還抵抗も同様に記録レベル、再生レベルに応じ
てRw、R,lに切換えられる。このように記録信号に
応じて切換えられたレーザ光は、前述の光カードlに照
射され、その反射光は光検出器28〜3oで受光される
。
てRw、R,lに切換えられる。このように記録信号に
応じて切換えられたレーザ光は、前述の光カードlに照
射され、その反射光は光検出器28〜3oで受光される
。
そして、この受光信号は電流電圧変換器5〜6に送られ
、光電流が電圧信号に変換される。その際、前述したよ
うに帰還抵抗を記録レベルに対してはRw、再生レベル
ではR11とし、R8は良好なS/Nが得られる値、R
,は電流電圧変換器が飽和しないようにその出力範囲内
に納まる値に設定されている。第12図の例では、R,
、P、の積とR*、P*の積が同じになるように設定さ
れ、これにより同図に示すように電流電圧変換器の出力
Voutは記録レベル、再生レベルとも一定となってい
る。従って、記録レベル時においても安定したAT、A
F制御を行うことができる。なお、第1O図に示す如(
各光検出器28〜30には逆バイアス電圧子Vゎが印加
され、再生時の応答速度を上げるようになっている。
、光電流が電圧信号に変換される。その際、前述したよ
うに帰還抵抗を記録レベルに対してはRw、再生レベル
ではR11とし、R8は良好なS/Nが得られる値、R
,は電流電圧変換器が飽和しないようにその出力範囲内
に納まる値に設定されている。第12図の例では、R,
、P、の積とR*、P*の積が同じになるように設定さ
れ、これにより同図に示すように電流電圧変換器の出力
Voutは記録レベル、再生レベルとも一定となってい
る。従って、記録レベル時においても安定したAT、A
F制御を行うことができる。なお、第1O図に示す如(
各光検出器28〜30には逆バイアス電圧子Vゎが印加
され、再生時の応答速度を上げるようになっている。
以上のような電流電圧変換器3〜6は、光検出器28〜
30の近傍に配置されることが好ましい。特に、前述の
ように再生光パワーが低く、光検出器からの出力電流が
小さい場合、電流電圧変換器までの伝送線路で外乱ノイ
ズの影響を受は易く、S/Nの低下を招き易い。従って
、ノイズの影響を防止するためには、第11図に示した
ように電流電圧変換器を光ヘツド内に搭載し、光検出器
に隣接して配置する必要があった。
30の近傍に配置されることが好ましい。特に、前述の
ように再生光パワーが低く、光検出器からの出力電流が
小さい場合、電流電圧変換器までの伝送線路で外乱ノイ
ズの影響を受は易く、S/Nの低下を招き易い。従って
、ノイズの影響を防止するためには、第11図に示した
ように電流電圧変換器を光ヘツド内に搭載し、光検出器
に隣接して配置する必要があった。
[発明が解決しようとしている課題]
しかしながら、上記従来の情報記録再生装置では、光ヘ
ッドに搭載される回路素子数が多く、それに伴って回路
基板が大きくなる。即ち、各電流電圧変換器の帰還抵抗
がそれぞれ2個必要であり、しかもそれを切換えるスイ
ッチ素子を要するために、電流電圧変換器の周辺の回路
素子が多くなってしまう。そのため、光ヘッドの重要課
題である小型、軽量化の点からは好ましいものではなく
、アクセスの高速化を妨げる一因ともなっていた。
ッドに搭載される回路素子数が多く、それに伴って回路
基板が大きくなる。即ち、各電流電圧変換器の帰還抵抗
がそれぞれ2個必要であり、しかもそれを切換えるスイ
ッチ素子を要するために、電流電圧変換器の周辺の回路
素子が多くなってしまう。そのため、光ヘッドの重要課
題である小型、軽量化の点からは好ましいものではなく
、アクセスの高速化を妨げる一因ともなっていた。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、その
目的は、光ヘツド内の部品点数を極力削減でき、しかも
外乱ノイズの影響も受けることのない光学的情報記録再
生装置を提供することにある。
目的は、光ヘツド内の部品点数を極力削減でき、しかも
外乱ノイズの影響も受けることのない光学的情報記録再
生装置を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記目的を達成するため、光学的情報記録媒体に光ビー
ムを記録信号に応じた2値の光パワーに変化させて照射
し、かつ光電変換器で受光された前述媒体からの反射光
の受光信号によりサーボ制御を行いながら前記媒体に情
報の記録を行う装置において、前記光電変換器に印加す
るための前配光ビームの2値の光パワーに対応したバイ
アス電圧を発生する手段と、このバイアス電圧を前記光
電変換器に前記2値の光パワーに対応して切換えて印加
する手段とを設けたことを特徴とする光学的情報記録再
生装置が提供される。
ムを記録信号に応じた2値の光パワーに変化させて照射
し、かつ光電変換器で受光された前述媒体からの反射光
の受光信号によりサーボ制御を行いながら前記媒体に情
報の記録を行う装置において、前記光電変換器に印加す
るための前配光ビームの2値の光パワーに対応したバイ
アス電圧を発生する手段と、このバイアス電圧を前記光
電変換器に前記2値の光パワーに対応して切換えて印加
する手段とを設けたことを特徴とする光学的情報記録再
生装置が提供される。
[実施例]
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。第1図は本発明の一実施例を示すブロック
図であり、従来例と同様な機能を持つものについては同
一符号を付している。
に説明する。第1図は本発明の一実施例を示すブロック
図であり、従来例と同様な機能を持つものについては同
一符号を付している。
第1図において、光ヘツド18内には光検出器28〜3
0及び電流電圧変換器3〜6が設けられ、これらは回路
基板(図示せず)上に対応する光検出器と電流電圧変換
器同志が隣接して配置されている。各電流電圧変換器3
〜6の帰還抵抗としては、R7が固定され、その値は再
生レベルでのS/Nが良好となるような値に設定されて
いる。電流電圧変換器3,4の出力は、フォーカシング
制御回路111へ出力され、前述したようにフォーカシ
ング制御が行われる。また、電流電圧変換器5,6の出
力はトラッキング制御回路110へ出力され、この出力
信号に基づいてトラッキング制御が行われる。
0及び電流電圧変換器3〜6が設けられ、これらは回路
基板(図示せず)上に対応する光検出器と電流電圧変換
器同志が隣接して配置されている。各電流電圧変換器3
〜6の帰還抵抗としては、R7が固定され、その値は再
生レベルでのS/Nが良好となるような値に設定されて
いる。電流電圧変換器3,4の出力は、フォーカシング
制御回路111へ出力され、前述したようにフォーカシ
ング制御が行われる。また、電流電圧変換器5,6の出
力はトラッキング制御回路110へ出力され、この出力
信号に基づいてトラッキング制御が行われる。
バイアス電圧設定回路130は、光検出器28〜30に
バイアス電圧を印加する回路である。このバイアス電圧
設定回路130は、順バイアス電圧■、を発生する順バ
イアス電圧発生器120、逆バイアス電圧Vゎを発生す
る逆バイアス電圧発生器121を備え、この2つのバイ
アス電圧がスイッチ素子122で切換えられる構成であ
る。スイッチ素子122は、図示しない制御部の指示に
より情報記録信号WDに対応して切換えられ、記録レベ
ルでは順バイアス電圧が、再生レベルでは逆バイアス電
圧が出力されるように切換えられる。バイアス電圧設定
回路130は、トラッキング制御回路110、フォーカ
シング制御回路111と同様に光ヘッド18の外部の固
定された回路基板上に搭載されている。なお、本例では
光検出器28〜30としては、それぞれフォトダイオー
ドが使用されている。また、図中123は保護用の抵抗
器である。
バイアス電圧を印加する回路である。このバイアス電圧
設定回路130は、順バイアス電圧■、を発生する順バ
イアス電圧発生器120、逆バイアス電圧Vゎを発生す
る逆バイアス電圧発生器121を備え、この2つのバイ
アス電圧がスイッチ素子122で切換えられる構成であ
る。スイッチ素子122は、図示しない制御部の指示に
より情報記録信号WDに対応して切換えられ、記録レベ
ルでは順バイアス電圧が、再生レベルでは逆バイアス電
圧が出力されるように切換えられる。バイアス電圧設定
回路130は、トラッキング制御回路110、フォーカ
シング制御回路111と同様に光ヘッド18の外部の固
定された回路基板上に搭載されている。なお、本例では
光検出器28〜30としては、それぞれフォトダイオー
ドが使用されている。また、図中123は保護用の抵抗
器である。
次に、前記実施例の具体的動作を第2図に示すタイムチ
ャートを用いて説明する。
ャートを用いて説明する。
同図において、WDは情報記録信号、LPDは半導体レ
ーザの光パワーである。半導体レーザは、第7図で説明
したように光ヘツド18内に内蔵され、所定の光学的処
理を施した後、光カードへ照射される。また、半導体レ
ーザの光パワーLPDは、第2図に示す如(情報記録信
号WDに対応して記録光パワーPw、再生光パワーP8
に切換えられ、光カードに照射される。一方、光カード
からの反射光は光検出器28〜30でそれぞれ受光され
るが、この場合スイッチ素子122は制御部の指示によ
って記録レベルと再生レベルで切換えられる。即ち、記
録レベルでは順バイアス電圧発生器120の順バイアス
電圧−■、が出力されるように、また再生レベルでは逆
バイアス電圧発生器121の逆バイアス電圧+Vゎが出
力されるように切換えられる。この結果、各光検出器に
印加される電圧は、第2図にV、Dとして示す如(、記
録レベルでは一■1、再生レベルでは、+vI、となり
、記録レベルでは順バイアスされるために順電流工、が
流れる。
ーザの光パワーである。半導体レーザは、第7図で説明
したように光ヘツド18内に内蔵され、所定の光学的処
理を施した後、光カードへ照射される。また、半導体レ
ーザの光パワーLPDは、第2図に示す如(情報記録信
号WDに対応して記録光パワーPw、再生光パワーP8
に切換えられ、光カードに照射される。一方、光カード
からの反射光は光検出器28〜30でそれぞれ受光され
るが、この場合スイッチ素子122は制御部の指示によ
って記録レベルと再生レベルで切換えられる。即ち、記
録レベルでは順バイアス電圧発生器120の順バイアス
電圧−■、が出力されるように、また再生レベルでは逆
バイアス電圧発生器121の逆バイアス電圧+Vゎが出
力されるように切換えられる。この結果、各光検出器に
印加される電圧は、第2図にV、Dとして示す如(、記
録レベルでは一■1、再生レベルでは、+vI、となり
、記録レベルでは順バイアスされるために順電流工、が
流れる。
この場合、順電流は光電流を相殺する方向に流れており
、その順電流値は記録レベル時に光検出器に流れる光電
流値と同程度に設定されている。
、その順電流値は記録レベル時に光検出器に流れる光電
流値と同程度に設定されている。
この順電流は順バイアス電圧と抵抗器123によって、
光電流と同程度となるように設定されている。
光電流と同程度となるように設定されている。
ここで、光検出器として使用したフォトダイオードにつ
いて説明する。第3図はフォトダイオードの等価回路図
である。
いて説明する。第3図はフォトダイオードの等価回路図
である。
第3図において、I phは光電流、工。はダイオード
電流、工。は出力電流、VDはダイオードの両端電圧で
ある。また、clは接合容量、R,、。
電流、工。は出力電流、VDはダイオードの両端電圧で
ある。また、clは接合容量、R,、。
は並列抵抗、工′はその並列抵抗の電流である。
この等価回路においては、出力電流工。は次式で表わさ
れる 但し、工、はフォトダイオードの逆方向飽和電流、eは
電子の電荷、Kはボルツマン定数、Tは素子の絶対温度
、Vaは逆バイアス電圧である。
れる 但し、工、はフォトダイオードの逆方向飽和電流、eは
電子の電荷、Kはボルツマン定数、Tは素子の絶対温度
、Vaは逆バイアス電圧である。
第4図は上記式に基づいてフォトダイオードの電流−電
圧特性をグラフにした図で、141は光電流が流れてい
ないときのグラフである。また、光電流が流れると、1
42.143として示すようにその光電流I phの分
だけ平行移動したグラフになる。
圧特性をグラフにした図で、141は光電流が流れてい
ないときのグラフである。また、光電流が流れると、1
42.143として示すようにその光電流I phの分
だけ平行移動したグラフになる。
第5図は記録レベル時と再生光レベル時のフォトダイオ
ードの電流−電圧特性図である。図中、151はフォト
ダイオードの再生レベル時の特性曲線、152は記録レ
ベル時の特性曲線である。
ードの電流−電圧特性図である。図中、151はフォト
ダイオードの再生レベル時の特性曲線、152は記録レ
ベル時の特性曲線である。
再生レベルにおいては、前述のようにフォトダイオード
には逆バイアス電圧+Voが印加され、光電流−工、が
流れる。そこで、記録レベル時においては、この光電流
−■。と等しい電流が流れるよう順バイアス電圧−〜′
、を印加する。つまり、記録レベル時に順バイアス電圧
−■、を印加することによって、再生レベル時の光電流
と等しい光電流ヘシフトするわけである。
には逆バイアス電圧+Voが印加され、光電流−工、が
流れる。そこで、記録レベル時においては、この光電流
−■。と等しい電流が流れるよう順バイアス電圧−〜′
、を印加する。つまり、記録レベル時に順バイアス電圧
−■、を印加することによって、再生レベル時の光電流
と等しい光電流ヘシフトするわけである。
この結果、第2図に示すように、各光検出器(フォトダ
イオード)の出力電流I0は、言己録レベル時に再生レ
ベル時で等しくなる。従って、その出力電圧Vout
(出力電流I0と帰還抵抗R11の積)もレーザパワー
に関係な(等しくなり、帰還抵抗R7が再生レベル時の
S/Nの条件から設定されていても、記録レベル時には
電流電圧変換器の出力が飽和することなく、安定した出
力を得ることが可能となる。
イオード)の出力電流I0は、言己録レベル時に再生レ
ベル時で等しくなる。従って、その出力電圧Vout
(出力電流I0と帰還抵抗R11の積)もレーザパワー
に関係な(等しくなり、帰還抵抗R7が再生レベル時の
S/Nの条件から設定されていても、記録レベル時には
電流電圧変換器の出力が飽和することなく、安定した出
力を得ることが可能となる。
[発明の効果]
以上説明したように本発明によれば、記録信号に応じて
光電変換器に印加するバイアス電圧を切換えるようにし
たので、電流電圧変換器のゲイン切換えを要することな
く、その電流電圧変換器の出力を安定させることができ
る。従って、従来必要であった帰還抵抗を半減でき、ま
たゲイン切換えに使用されていたスイッチ素子も不要に
することができる。よって、光ヘッドの構成部品を大幅
に削減できるので、光ヘッドを小型化及び軽量化でき、
それによってアクセス速度を著しく高速化できる効果が
ある。
光電変換器に印加するバイアス電圧を切換えるようにし
たので、電流電圧変換器のゲイン切換えを要することな
く、その電流電圧変換器の出力を安定させることができ
る。従って、従来必要であった帰還抵抗を半減でき、ま
たゲイン切換えに使用されていたスイッチ素子も不要に
することができる。よって、光ヘッドの構成部品を大幅
に削減できるので、光ヘッドを小型化及び軽量化でき、
それによってアクセス速度を著しく高速化できる効果が
ある。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は前記
実施例の動作を示すタイムチャート、第3図はフォトダ
イオードの等価回路図、第4図はフォトダイオードの電
流−電圧特性を光電流をパラメータとして示す特性図、
第5図は光パワーの記録レベル時と再生レベル時でフォ
トダイオードのバイアス状態を比較して示す特性図、第
6図は光カードの記録域を模式的に示す平面図、第7図
は光カードを用いた情報記録再生装置の一例を示す構成
図、第8図は第7図の装置に用いられる光ヘッドの分解
斜視図、第9図は光カードのトラック上に光スポットが
照射された状態を示す説明図、第10図は光検出器の受
光面を模式的に示す説明図、第11図は第7図の装置の
AP及びAT制御ループ回路を示す回路図、第12図は
その第11図の回路の動作を示すタイムチャートである
。 1:光カード、 3〜6:電流電圧変換器、 18:光ヘッド、 28〜3o;光検出器、120:
順バイアス電圧発生器、 121:逆バイアス電圧発生器、 122:スイッチ素子、 130:バイアス電圧設定回路。
実施例の動作を示すタイムチャート、第3図はフォトダ
イオードの等価回路図、第4図はフォトダイオードの電
流−電圧特性を光電流をパラメータとして示す特性図、
第5図は光パワーの記録レベル時と再生レベル時でフォ
トダイオードのバイアス状態を比較して示す特性図、第
6図は光カードの記録域を模式的に示す平面図、第7図
は光カードを用いた情報記録再生装置の一例を示す構成
図、第8図は第7図の装置に用いられる光ヘッドの分解
斜視図、第9図は光カードのトラック上に光スポットが
照射された状態を示す説明図、第10図は光検出器の受
光面を模式的に示す説明図、第11図は第7図の装置の
AP及びAT制御ループ回路を示す回路図、第12図は
その第11図の回路の動作を示すタイムチャートである
。 1:光カード、 3〜6:電流電圧変換器、 18:光ヘッド、 28〜3o;光検出器、120:
順バイアス電圧発生器、 121:逆バイアス電圧発生器、 122:スイッチ素子、 130:バイアス電圧設定回路。
Claims (4)
- (1)光学的情報記録媒体に光ビームを記録信号に応じ
た2値の光パワーに変化させて照射し、かつ光電変換器
で受光された前記媒体からの反射光の受光信号によりサ
ーボ制御を行いながら前記媒体に情報の記録を行う装置
において、前記光電変換器に印加するための前記光ビー
ムの2値の光パワーに対応したバイアス電圧を発生する
手段と、このバイアス電圧を前記光電変換器に前記2値
の光パワーに対応して切換えて印加する手段とを設けた
ことを特徴とする光学的情報記録再生装置。 - (2)前記バイアス電圧発生手段は、前記光パワーが再
生レベルでは前記光電変換器への逆バイアス電圧を発生
し、前記光パワーが記録または消去レベルでは順バイア
ス電圧を発生することを特徴とする請求項1項記載の光
学的情報記録再生装置。 - (3)前記光電変換器は、フォトダイオードであること
を特徴とする請求項1項記載の光学的情報記録再生装置
。 - (4)前記順バイアス電圧は、該電圧印加による前記光
電変換器の順電流が、前記逆バイアス印加時の光電変換
器の光電流と略等しくなるように設定されていることを
特徴とする請求項2項記載の光学的情報記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233167A JPH04114328A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 光学的情報記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2233167A JPH04114328A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 光学的情報記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114328A true JPH04114328A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16950774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2233167A Pending JPH04114328A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 光学的情報記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114328A (ja) |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP2233167A patent/JPH04114328A/ja active Pending
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