JPH04114410A - 高周波磁心用非晶質合金 - Google Patents
高周波磁心用非晶質合金Info
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- JPH04114410A JPH04114410A JP2234036A JP23403690A JPH04114410A JP H04114410 A JPH04114410 A JP H04114410A JP 2234036 A JP2234036 A JP 2234036A JP 23403690 A JP23403690 A JP 23403690A JP H04114410 A JPH04114410 A JP H04114410A
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- Japan
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- amorphous
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15316—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals based on Co
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はスイッチングｔ：ｓのマグアンプ（磁気増幅器
）やインダクタンス素子など高周波帯域で用いる非晶質
軟質磁性合金に関するものである。
）やインダクタンス素子など高周波帯域で用いる非晶質
軟質磁性合金に関するものである。
（従来の技術）
電子計算機やその周辺機器、通信機器などの電源に対す
る小型化の要請は年々高まっている。電源の小型化には
用いられる部品の小型化、高効率化が必要である。磁性
部品を小型化するためには周波数を高める、動作磁束密
度を高めるなどの手段をとればよい。しかし周波数や動
作磁束密度を上げると損失が大きくなり、結果として磁
心の発熱による問題が大きくなる。このため高周波で損
失の少ない磁性材料が求められる。高周波における損失
の少ない軟磁気特性材料として注目されているのは非晶
質合金である。非晶質′合金は従来の軟磁性金属に比べ
て電気抵抗が大きく、板厚の薄い材料が容品に製造でき
る。すなわち高周波になるほど非晶質合金は有利になる
のである。なかでも磁歪がほとんどゼロのＣｏ基非晶質
合金は保磁力Ｈｃも小さいためマグアンプやコモンモー
ドチョークのコアとして今日すでに実用化されている。
る小型化の要請は年々高まっている。電源の小型化には
用いられる部品の小型化、高効率化が必要である。磁性
部品を小型化するためには周波数を高める、動作磁束密
度を高めるなどの手段をとればよい。しかし周波数や動
作磁束密度を上げると損失が大きくなり、結果として磁
心の発熱による問題が大きくなる。このため高周波で損
失の少ない磁性材料が求められる。高周波における損失
の少ない軟磁気特性材料として注目されているのは非晶
質合金である。非晶質′合金は従来の軟磁性金属に比べ
て電気抵抗が大きく、板厚の薄い材料が容品に製造でき
る。すなわち高周波になるほど非晶質合金は有利になる
のである。なかでも磁歪がほとんどゼロのＣｏ基非晶質
合金は保磁力Ｈｃも小さいためマグアンプやコモンモー
ドチョークのコアとして今日すでに実用化されている。
今日、知られているゼロ磁歪ＣＯ基非晶質合金はいずれ
も菊池らの提案したＣｏＦｅ５ｉＢ合金をベースに各種
の補助元素を含むものである。特開昭５８−３１０５３
号公報に記載の合金、特公昭６３−２８４８３号公報に
記載の合金がその代表である。前者はＣｏＦｅ５ｉＢに
Ｔｉ＋ Ｖｉ Ｃｙ、 Ｍｎｉ Ｎｉ＋ Ｚｒ＋ Ｎ
ｂ、 Ｍｏ、 Ｒｕ、 ）Ｉｆ、 Ｔａ＋Ｗ、Ｒｅを添
加することにより熱的安定性を改良するものであり、後
者は非晶質ＣｏＸ５ ｉ Ｂ合金薄帯のトロイダルコア
の周方向に平行な磁場中でアニールした角型比の高いコ
アを製造する方法である。ただし、ＸはＴｉ、 Ｖ＋
Ｃｒ、 Ｍｎ、 Ｎｉ＋ Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｍｏ＋
Ｒｕ＋訂、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｒｅ＋ Ｆｅ、 Ｙ、 Ｃ
ｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ＋ Ｓｍ＋ ＥｕＧｄ、 Ｔｂ、
ａｙの１種または２種以上である。実用成分としてはこ
の他さまざまな特性要求がある。例えばロフトによる組
成変動の影響を受けにくいこと、アニール条件の範囲が
広いこと、コア加工工程における劣化の小さいこと、耐
食性がすぐれていることなどが要求される。しかしこれ
らの付加的要因をすべて考慮した場合、今日提示されて
いる合金では不満足な点が多い。
も菊池らの提案したＣｏＦｅ５ｉＢ合金をベースに各種
の補助元素を含むものである。特開昭５８−３１０５３
号公報に記載の合金、特公昭６３−２８４８３号公報に
記載の合金がその代表である。前者はＣｏＦｅ５ｉＢに
Ｔｉ＋ Ｖｉ Ｃｙ、 Ｍｎｉ Ｎｉ＋ Ｚｒ＋ Ｎ
ｂ、 Ｍｏ、 Ｒｕ、 ）Ｉｆ、 Ｔａ＋Ｗ、Ｒｅを添
加することにより熱的安定性を改良するものであり、後
者は非晶質ＣｏＸ５ ｉ Ｂ合金薄帯のトロイダルコア
の周方向に平行な磁場中でアニールした角型比の高いコ
アを製造する方法である。ただし、ＸはＴｉ、 Ｖ＋
Ｃｒ、 Ｍｎ、 Ｎｉ＋ Ｚｒ、 Ｎｂ、 Ｍｏ＋
Ｒｕ＋訂、 Ｔａ、 Ｗ、 Ｒｅ＋ Ｆｅ、 Ｙ、 Ｃ
ｅ、 Ｐｒ、 Ｎｄ＋ Ｓｍ＋ ＥｕＧｄ、 Ｔｂ、
ａｙの１種または２種以上である。実用成分としてはこ
の他さまざまな特性要求がある。例えばロフトによる組
成変動の影響を受けにくいこと、アニール条件の範囲が
広いこと、コア加工工程における劣化の小さいこと、耐
食性がすぐれていることなどが要求される。しかしこれ
らの付加的要因をすべて考慮した場合、今日提示されて
いる合金では不満足な点が多い。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は磁気特性を満足するだけでなく、実用成分に対
して要求される緒特性をバランスよく保持する新規なＣ
ｏ基非晶質合金を捷供することを目的とするものである
。
して要求される緒特性をバランスよく保持する新規なＣ
ｏ基非晶質合金を捷供することを目的とするものである
。
（課題を解決するための手段・作用）
本発明の要旨とするところは、組成が
Ｃｏ＠ Ｆｅｂ Ｍｏｃ Ｓ４ Ｓｉ＊ Ｂｙで表示さ
れる熱処理（以下、アニール）後の高周波における軟磁
気特性のすぐれた高周波磁心用非晶質合金にある。
れる熱処理（以下、アニール）後の高周波における軟磁
気特性のすぐれた高周波磁心用非晶質合金にある。
ここで、ａ＝６７〜７１（原子％、以下おなじ）、ｂ＝
３〜６、ｃ＝１〜３、ｄ＝０．０１〜０．１０、ｃ＝５
〜１９、ｆ＝７〜１６かつａ十りトｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ−１
００である。
３〜６、ｃ＝１〜３、ｄ＝０．０１〜０．１０、ｃ＝５
〜１９、ｆ＝７〜１６かつａ十りトｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ−１
００である。
本発明の合金は従来から知られているＣｏＦｅ５ｔＢ合
金をベースにＭｏとＳを複合添加したことが特徴である
。ＭｏとＳの複合添加により本発明が目的とする軟磁気
特性の向上とともに新たな効果が付加される。すなわち
、高周波における損失あるいは保磁力が従来の組成に比
べて低減できるだけでなく、従来の合金においては不十
分であった実用特性の改善がなされる。たとえば、■ア
ニール条件自由度の拡大、■歪み劣化の低減、■耐食性
の向上、■組成自由度の拡大が達成される。
金をベースにＭｏとＳを複合添加したことが特徴である
。ＭｏとＳの複合添加により本発明が目的とする軟磁気
特性の向上とともに新たな効果が付加される。すなわち
、高周波における損失あるいは保磁力が従来の組成に比
べて低減できるだけでなく、従来の合金においては不十
分であった実用特性の改善がなされる。たとえば、■ア
ニール条件自由度の拡大、■歪み劣化の低減、■耐食性
の向上、■組成自由度の拡大が達成される。
第１図はＭｏは含有するがＳを添加しないＣｏ基非晶質
合金とＭｏ、 Ｓを添加した本発明のＣｏ基非晶質合金
の磁気特性のアニール温度依存性を比較したものである
。第１図ら）に示すようにＳを添加しない合金では樹脂
コーティング前（アニール後）の角型比はアニール温度
に敏感に変化するとともに、樹脂コーテイング後（歪み
が加わる）の特性劣化が大きい、これに対して第１図（
萄に示す本発明の合金は樹脂コーティング前の角型比が
広いアニール温度範囲ですぐれた特性を示すとともに樹
脂コーテイング後も特性劣化が小さい、このようにＭ。
合金とＭｏ、 Ｓを添加した本発明のＣｏ基非晶質合金
の磁気特性のアニール温度依存性を比較したものである
。第１図ら）に示すようにＳを添加しない合金では樹脂
コーティング前（アニール後）の角型比はアニール温度
に敏感に変化するとともに、樹脂コーテイング後（歪み
が加わる）の特性劣化が大きい、これに対して第１図（
萄に示す本発明の合金は樹脂コーティング前の角型比が
広いアニール温度範囲ですぐれた特性を示すとともに樹
脂コーテイング後も特性劣化が小さい、このようにＭ。
の添加だけでは不十分であった実用特性がＳの添加によ
り一層の特性向上と製造安定性の改善が達成されること
が分かる。
り一層の特性向上と製造安定性の改善が達成されること
が分かる。
Ｓの添加がもたらす効果は主にＳの表面改質作用のため
と考えられる。その根拠として、第２図に示すようにＳ
添加非晶質合金薄帯の表面層にＳｔが異常に濃縮される
という本発明者自身が見出した現象がある。すなわち、
高周波損失の低減はＳｔの異常な表面偏析が薄帯表面の
絶縁抵抗を高め、層間渦電流損の増大を抑制するためと
考えられる。
と考えられる。その根拠として、第２図に示すようにＳ
添加非晶質合金薄帯の表面層にＳｔが異常に濃縮される
という本発明者自身が見出した現象がある。すなわち、
高周波損失の低減はＳｔの異常な表面偏析が薄帯表面の
絶縁抵抗を高め、層間渦電流損の増大を抑制するためと
考えられる。
耐食性の向上も同様にして説明できる。アニール裕度お
よび組成の自由度については明らかではないが、やはり
表面層が関与しているものと推定される。
よび組成の自由度については明らかではないが、やはり
表面層が関与しているものと推定される。
以上説明したように本発明はＳの異常な挙動と特性の関
係を追究する過程を経て完成するに至ったのである。
係を追究する過程を経て完成するに至ったのである。
次に、本発明の合金組成を限定する理由について述べる
。
。
Ｓは本発明の目的とするすぐれた実用特性を付与するた
めの必須元素で０．０１〜０．１０％の範囲に規定した
。その理由は０．０１％未満では本発明が目的とするＳ
の効果が顕著に表れず、また０、１０％を超えると非晶
質薄帯の機械的性質が劣化するからである。
めの必須元素で０．０１〜０．１０％の範囲に規定した
。その理由は０．０１％未満では本発明が目的とするＳ
の効果が顕著に表れず、また０、１０％を超えると非晶
質薄帯の機械的性質が劣化するからである。
ＭＯは非晶質合金の熱的安定性、非晶質形成能を高める
とともにＳと共存することにより高周波における磁気特
性を改善する効果をもつ元素で、その範囲を１〜３％に
限定した。１％を下回ると添加の効果が不十分なため下
限を１％とし、３％を超えると飽和磁束密度が低下する
ので上限を３％とした。
とともにＳと共存することにより高周波における磁気特
性を改善する効果をもつ元素で、その範囲を１〜３％に
限定した。１％を下回ると添加の効果が不十分なため下
限を１％とし、３％を超えると飽和磁束密度が低下する
ので上限を３％とした。
Ｃｏ、 Ｆｅ、 Ｓｉ、、 Ｂ ４元素の組成範囲は添
力Ｉ目〜るＳと訃の量を考慮して次の条件を満足するよ
うに決められた。第１の条件は磁歪が１０”６以下、第
２の条件は飽和磁束密度が０．５ Ｔ以上、第３の条件
はコアの周方向に印加した磁場中アニール後の１００ｋ
ＩＩ ２におりる交流磁気特性が、角型比Ｂｒ／Ｂｓ
≧０．９０、保磁力Ｈｃ ≦３００ｓＯｅ、好まし、く
はＢｒ／Ｂｓ≧０．９５、保磁力Ｈｃ≦２００ｍ０ｅで
ある。
力Ｉ目〜るＳと訃の量を考慮して次の条件を満足するよ
うに決められた。第１の条件は磁歪が１０”６以下、第
２の条件は飽和磁束密度が０．５ Ｔ以上、第３の条件
はコアの周方向に印加した磁場中アニール後の１００ｋ
ＩＩ ２におりる交流磁気特性が、角型比Ｂｒ／Ｂｓ
≧０．９０、保磁力Ｈｃ ≦３００ｓＯｅ、好まし、く
はＢｒ／Ｂｓ≧０．９５、保磁力Ｈｃ≦２００ｍ０ｅで
ある。
また、直角方向に印加しまた磁界中アニール後の１００
ｋＨｚにおける透磁率が少なくとも３０，０００である
。これらの条件を満足する組成条件として、本発明にお
いては、Ｃｏを６７〜７１％、Ｆｅ３−６％、Ｓｉ５〜
１９％、８７〜１６％に規定する。 Ｃｏ。
ｋＨｚにおける透磁率が少なくとも３０，０００である
。これらの条件を満足する組成条件として、本発明にお
いては、Ｃｏを６７〜７１％、Ｆｅ３−６％、Ｓｉ５〜
１９％、８７〜１６％に規定する。 Ｃｏ。
Ｆｅは規定した範囲を外れると磁歪および飽和磁束密度
に対する条件を満だしなくなる。また、ＳｉどＢが規定
し７た範囲を外れると非晶質合金の形成が困難になると
ともに所定の交流磁気特性を満足しなくなる。
に対する条件を満だしなくなる。また、ＳｉどＢが規定
し７た範囲を外れると非晶質合金の形成が困難になると
ともに所定の交流磁気特性を満足しなくなる。
次に本発明の実施態様について述べる。まず、上述の組
成範囲となるように配合した原料あるいは母合金を溶解
し、通常の液体２．論法で非晶質の連続薄帯とする。こ
のとき使用Ｊるノズルは単〜・スリットノズルまたは多
重スリットノズルあるいはラップした多孔ノズルを用い
るＪとができる。
成範囲となるように配合した原料あるいは母合金を溶解
し、通常の液体２．論法で非晶質の連続薄帯とする。こ
のとき使用Ｊるノズルは単〜・スリットノズルまたは多
重スリットノズルあるいはラップした多孔ノズルを用い
るＪとができる。
鋳造する雰囲気は大気中、不活性ガス中、真空中のいず
れでもよい。以１−説明した非晶質薄帯の製造法はとく
に限定するものではなく、他の方法４・採用することも
できる。
れでもよい。以１−説明した非晶質薄帯の製造法はとく
に限定するものではなく、他の方法４・採用することも
できる。
非晶質合金薄帯は所定の４′法の巻コ“７に成形された
後アニールされる。通常、コアに成形づる前に非晶質合
金薄帯は層間絶縁のため何らかの］−・−ライングを施
される。しかし本発明の合金では急冷状態ですでに高い
抵抗の表面皮膜が形成されているので絶縁コーティング
は不要である。アニルは、高角型比が要求される場合は
：Ｊアの周方向に平行な磁界中で行われる。磁界の強さ
は合金の保磁力の１０倍あれば十分である。アニール温
度は合金の結晶化開始温度を′１゛ｘとするとき、Ｔｘ
−１２０°ＣからＴｘ−２０℃の範囲、時間は３０〜１
２０分が適当である。また、高透磁率が要求される場合
は磁界をコアの周方向に直角に印加する。
後アニールされる。通常、コアに成形づる前に非晶質合
金薄帯は層間絶縁のため何らかの］−・−ライングを施
される。しかし本発明の合金では急冷状態ですでに高い
抵抗の表面皮膜が形成されているので絶縁コーティング
は不要である。アニルは、高角型比が要求される場合は
：Ｊアの周方向に平行な磁界中で行われる。磁界の強さ
は合金の保磁力の１０倍あれば十分である。アニール温
度は合金の結晶化開始温度を′１゛ｘとするとき、Ｔｘ
−１２０°ＣからＴｘ−２０℃の範囲、時間は３０〜１
２０分が適当である。また、高透磁率が要求される場合
は磁界をコアの周方向に直角に印加する。
アニール温度と時間は高角型比の場合とほとんど同じで
よい。また、高透磁率を達成するためにキ工り一温度以
上の温度でアニールしたのち水冷する方法を採用するこ
ともできる。本発明のＳ含有合金はアニール温度の適正
範囲が２０℃程度広いことが特徴の一つである。この理
由としてＳ添加による薄帯表面のＳｉ濃化の関与が考え
られる。
よい。また、高透磁率を達成するためにキ工り一温度以
上の温度でアニールしたのち水冷する方法を採用するこ
ともできる。本発明のＳ含有合金はアニール温度の適正
範囲が２０℃程度広いことが特徴の一つである。この理
由としてＳ添加による薄帯表面のＳｉ濃化の関与が考え
られる。
（実施例）
以下、実施例に基づいて説明する。
実施例１
化学組成（ＣＯｔｈｓ、ｓ Ｆｅ３．ｓ ５ｉｔｓ Ｂ
ｓ ＭｏｚＬｏｏ−ｘ Ｓｘ合金（ｘ＝０．ＯＬ Ｏ，
０２，０，０５，０，１）の薄帯を単ロールゑ、論法を
用いて作製した。薄帯の幅は５ｍ、板厚は１５〜２０μ
隊である。作製した薄帯はＸ線回折法により非晶質であ
ることが確認された。
ｓ ＭｏｚＬｏｏ−ｘ Ｓｘ合金（ｘ＝０．ＯＬ Ｏ，
０２，０，０５，０，１）の薄帯を単ロールゑ、論法を
用いて作製した。薄帯の幅は５ｍ、板厚は１５〜２０μ
隊である。作製した薄帯はＸ線回折法により非晶質であ
ることが確認された。
この薄帯をそれぞれ内径１４■、外径２１ｍのトロイダ
ルコアに成形した後、約１０ｅの直流磁界をかけながら
Ｎ２気流中てアニールした。アニール条件は、保定時間
を１時間に固定し、温度はパラメータとして４００〜４
８０ ”Ｃの範囲で変化させた。アニールしたコアの実
用特性を評価するために樹脂コーティングの前後で磁気
特性を測定した。すなわち、アニール後のコアをそのま
ま樹脂のゲースに入れて巻き線したものと、コアを樹脂
コーティングした後巻き線したものそれぞれについて磁
気特性を測定した。
ルコアに成形した後、約１０ｅの直流磁界をかけながら
Ｎ２気流中てアニールした。アニール条件は、保定時間
を１時間に固定し、温度はパラメータとして４００〜４
８０ ”Ｃの範囲で変化させた。アニールしたコアの実
用特性を評価するために樹脂コーティングの前後で磁気
特性を測定した。すなわち、アニール後のコアをそのま
ま樹脂のゲースに入れて巻き線したものと、コアを樹脂
コーティングした後巻き線したものそれぞれについて磁
気特性を測定した。
表１に本発明の合金の最適アニール条件における磁気特
性を示した。また、比較のために本発明に属しないＳを
所定置台まない合金の特性も表１に示した。表１から明
らかなように本発明の合金は樹脂コーティング前にすぐ
れた磁気特性（角型比≧０．９５ 、保磁力≦２００■
Ｏｅ）を示すとともに樹脂コーテイング後も特性の劣化
はほとんどないことが分かる。これに対してＳを添加し
ない組成、およびＳが本発明の規定する範囲にない組成
は樹脂コーティング前の特性が不十−分（角型比≦０．
９０、あるいは保磁力≧３００ｗ０ｅ）か、樹脂コーテ
ィング前の特性がよくても樹脂コーテイング後の劣化が
大きいため目標特性を達成できないことが分かる。
性を示した。また、比較のために本発明に属しないＳを
所定置台まない合金の特性も表１に示した。表１から明
らかなように本発明の合金は樹脂コーティング前にすぐ
れた磁気特性（角型比≧０．９５ 、保磁力≦２００■
Ｏｅ）を示すとともに樹脂コーテイング後も特性の劣化
はほとんどないことが分かる。これに対してＳを添加し
ない組成、およびＳが本発明の規定する範囲にない組成
は樹脂コーティング前の特性が不十−分（角型比≦０．
９０、あるいは保磁力≧３００ｗ０ｅ）か、樹脂コーテ
ィング前の特性がよくても樹脂コーテイング後の劣化が
大きいため目標特性を達成できないことが分かる。
また、本発明の合金は広いアニール温度の範囲で特性が
安定でかつ樹脂コーテイング後の特性もアニール条件の
自由度（裕度）が高いことが分かる。
安定でかつ樹脂コーテイング後の特性もアニール条件の
自由度（裕度）が高いことが分かる。
実施例２
実施例１と同じ組成の非晶１ｔｍ帯を成形したトロイダ
ルコアに長手方向に直角な磁界を印加しながらアニール
した。樹脂コーティング前の透磁率および樹脂コーテイ
ング後の透磁率を表２に記載した０表２にみるように本
発明の合金は樹脂コーティング前の透磁率がすぐれてい
るだけでなく、樹脂コーテイング後の特性劣化が比較合
金に比べて小さいことが示されている。
ルコアに長手方向に直角な磁界を印加しながらアニール
した。樹脂コーティング前の透磁率および樹脂コーテイ
ング後の透磁率を表２に記載した０表２にみるように本
発明の合金は樹脂コーティング前の透磁率がすぐれてい
るだけでなく、樹脂コーテイング後の特性劣化が比較合
金に比べて小さいことが示されている。
（発明の効果）
本発明のＳ添加Ｃｏ基ゼロ磁歪非晶質合金はすぐれた軟
磁気特性を示すとともに樹脂コーテイング後においても
特性の劣化がきわめて小さい。またアニール条件の自由
度が広い。このようにＳとＭＯが共存するＣｏ基非晶質
合金は従来のＣｏ基非晶質合金に比べて著しく実用特性
が改善される。
磁気特性を示すとともに樹脂コーテイング後においても
特性の劣化がきわめて小さい。またアニール条件の自由
度が広い。このようにＳとＭＯが共存するＣｏ基非晶質
合金は従来のＣｏ基非晶質合金に比べて著しく実用特性
が改善される。
第１図は本発明のＳ添加非晶質合金と従来のＳなし非晶
質合金の磁気特性（角型比）のアニール温度依存性を比
較する図である。第２図はグロー放電発光分光法（ＧＤ
Ｓ）で分析した表面深さ方向の元素濃度を比較する図で
ある。ただし、（ａ）は本発明のＳを含有する非晶質合
金、■）はＳを含まない合金である。 アニール温座（・ｃン ７二一ル湿度（”Ｃ）
質合金の磁気特性（角型比）のアニール温度依存性を比
較する図である。第２図はグロー放電発光分光法（ＧＤ
Ｓ）で分析した表面深さ方向の元素濃度を比較する図で
ある。ただし、（ａ）は本発明のＳを含有する非晶質合
金、■）はＳを含まない合金である。 アニール温座（・ｃン ７二一ル湿度（”Ｃ）
Claims (1)
- 組成がＣｏ＿ａＦｅ＿ｂＭｏ＿ｃＳ＿ｄＳｉ＿ｅＢ＿
ｆで表示される熱処理後の高周波における軟磁気特性の
すぐれた高周波磁心用非晶質合金。ここで、ａ＝６７〜
７１（原子％、以下おなじ）、ｂ＝３〜６、ｃ＝１〜３
、ｄ＝０．０１〜０．１０、ｅ＝５〜１９、ｆ＝７〜１
６かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ＋ｆ＝１００である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2234036A JPH0747800B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 高周波磁心用非晶質合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2234036A JPH0747800B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 高周波磁心用非晶質合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114410A true JPH04114410A (ja) | 1992-04-15 |
| JPH0747800B2 JPH0747800B2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=16964559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2234036A Expired - Fee Related JPH0747800B2 (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 高周波磁心用非晶質合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747800B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113774293A (zh) * | 2020-06-10 | 2021-12-10 | 株式会社Bmg | 高磁通密度软磁性Fe基非晶合金 |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP2234036A patent/JPH0747800B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113774293A (zh) * | 2020-06-10 | 2021-12-10 | 株式会社Bmg | 高磁通密度软磁性Fe基非晶合金 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0747800B2 (ja) | 1995-05-24 |
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