JPH04115585A - アレイ型半導体レーザ装置及び駆動方法 - Google Patents
アレイ型半導体レーザ装置及び駆動方法Info
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- JPH04115585A JPH04115585A JP23479990A JP23479990A JPH04115585A JP H04115585 A JPH04115585 A JP H04115585A JP 23479990 A JP23479990 A JP 23479990A JP 23479990 A JP23479990 A JP 23479990A JP H04115585 A JPH04115585 A JP H04115585A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
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- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光デイスク装置やレーザプリンタなどの高性能
化のために使用される、アレイ型の半導体レーザ装置に
関するものである。
化のために使用される、アレイ型の半導体レーザ装置に
関するものである。
第４図に従来の内部ストライブ型の半導体レーザをアレ
イ化したものの断面構造を示す、ｐ−ＧａＡｓ基板１上
に電流挟さく用にｎ−ＧａＡｓ層２を設け、屈折率ガイ
ド用の溝３を形成する。
イ化したものの断面構造を示す、ｐ−ＧａＡｓ基板１上
に電流挟さく用にｎ−ＧａＡｓ層２を設け、屈折率ガイ
ド用の溝３を形成する。
その上にｐクラッドのｐ−ＡｌＧａＡｓ層４、活性層で
あるＡｌＧａＡｓ層５、ｎクラッドのｎ−１ＧａＡｓ層
６、キャップ層であるｎ−ＧａＡｓ層７を形成し、最後
にｎ側電極８を設ける。各発光部を電気的に分離するた
めの分離溝９を形成することにより独立駆動が可能とな
る。
あるＡｌＧａＡｓ層５、ｎクラッドのｎ−１ＧａＡｓ層
６、キャップ層であるｎ−ＧａＡｓ層７を形成し、最後
にｎ側電極８を設ける。各発光部を電気的に分離するた
めの分離溝９を形成することにより独立駆動が可能とな
る。
このようなアレイ型半導体レーザ装置においては、各発
光部である活性層で発生する熱が、隣接の発光部へ与え
る影響を無視することが出来なくなる。
光部である活性層で発生する熱が、隣接の発光部へ与え
る影響を無視することが出来なくなる。
例えば隣接する２つの発光部において、１つの発光部ａ
を定電流駆動し、他方の発光部すの駆動電流を変化させ
ると、発光部ａの光出力は熱干渉の影響で第５図に示す
ように低下する。従って、何等かの方法で発光部の光出
力をモニターし一定の光出力が得られるように駆動電流
の制御をおこなう必要があるため、構成が複雑となる。
を定電流駆動し、他方の発光部すの駆動電流を変化させ
ると、発光部ａの光出力は熱干渉の影響で第５図に示す
ように低下する。従って、何等かの方法で発光部の光出
力をモニターし一定の光出力が得られるように駆動電流
の制御をおこなう必要があるため、構成が複雑となる。
本発明の目的は上記のような問題点を生じることの無い
アレイ型の半導体レーザ装置及びその駆動方法を提供す
るものである。
アレイ型の半導体レーザ装置及びその駆動方法を提供す
るものである。
本発明の半導体レーザ装置は、複数の独立に駆動可能な
発光部と前記発光部と同等の発熱量を有する非発光部を
同一基板にモノリシックに設けたことを特徴とする構成
がある。
発光部と前記発光部と同等の発熱量を有する非発光部を
同一基板にモノリシックに設けたことを特徴とする構成
がある。
また、本発明の半導体レーザ駆動方法は、前記アレイ型
半導体レーザ装置において、発光部の駆動電流を変調す
るとき前記発光部に近接した他の発光部に与える熱干渉
がほぼ一定となるように非発光部の電流値を制御するこ
とを特徴とする構成である。
半導体レーザ装置において、発光部の駆動電流を変調す
るとき前記発光部に近接した他の発光部に与える熱干渉
がほぼ一定となるように非発光部の電流値を制御するこ
とを特徴とする構成である。
〔実施例〕
本発明ではレーザ発光を行わない非発光部を設けること
でレーザ素子内部での発熱量を一定とし、近傍発光部の
変調による光出力の変動を抑える構成となっている。以
下図を用いて作用を説明する。
でレーザ素子内部での発熱量を一定とし、近傍発光部の
変調による光出力の変動を抑える構成となっている。以
下図を用いて作用を説明する。
第１図は２つの発光部１１．１２と２つの非発光部１３
．１４を有するアレイ型半導体レーザ装置１０を示す図
である。非発光部は構造的には発光部と同じ構成である
が、光軸方向の一部や端面に欠陥を意図的に形成するこ
とにより容易にレーザ発光をしない活性層を形成するこ
とが出来る。
．１４を有するアレイ型半導体レーザ装置１０を示す図
である。非発光部は構造的には発光部と同じ構成である
が、光軸方向の一部や端面に欠陥を意図的に形成するこ
とにより容易にレーザ発光をしない活性層を形成するこ
とが出来る。
このような構成により発光部とほぼ同等の発熱量を有す
る非発光部を形成することが出来る。
る非発光部を形成することが出来る。
発光部１１を変調する場合は、スイッチ１５により非発
光部１３との間での電流切り替えで行う。このような動
作を行えば、発光部１２における熱干渉量は発光部１１
と非発光部１３とはほぼ等距離にあるため常に一定とな
り、定電流駆動においても光出力変動を生じることはな
い。
光部１３との間での電流切り替えで行う。このような動
作を行えば、発光部１２における熱干渉量は発光部１１
と非発光部１３とはほぼ等距離にあるため常に一定とな
り、定電流駆動においても光出力変動を生じることはな
い。
発光部１２を変調する場合は同様にスイッチ１６により
非発光部１４との電流切り替えを行えばよい。
非発光部１４との電流切り替えを行えばよい。
第２図は、発光部２０と非発光部２１を近接して一体と
した構成のアレイ型半導体レーザ装置１０である。スイ
ッチ２２により駆動電流を切り替えることで、温度分布
を変化をあまり伴うことなくレーザ出力を変調すること
が出来る。
した構成のアレイ型半導体レーザ装置１０である。スイ
ッチ２２により駆動電流を切り替えることで、温度分布
を変化をあまり伴うことなくレーザ出力を変調すること
が出来る。
アレイ型半導体レーザ装置の基本構造としては第４図に
示した従来例ものをそのまま利用することが出来る。活
性層を非発光構造とする１つの方法としはレーザ素子端
面の反射率を低減するものがある。第３図のように、非
発光部２１の端面にのみ無反射コート３０を施すことに
よりレーザ発光閾値を容易に上昇させることができ、低
電流駆動の状態では非発光部となる。
示した従来例ものをそのまま利用することが出来る。活
性層を非発光構造とする１つの方法としはレーザ素子端
面の反射率を低減するものがある。第３図のように、非
発光部２１の端面にのみ無反射コート３０を施すことに
よりレーザ発光閾値を容易に上昇させることができ、低
電流駆動の状態では非発光部となる。
また、非発光部にのみ１度過大電流を流し、端面破壊を
意図的に起こさせるとでも非発光部を形成することが出
来る。
意図的に起こさせるとでも非発光部を形成することが出
来る。
レーザ構造そのもので非発光部を形成する方法としては
、活性層を一部除去して共振器としての損失を増加させ
レーザ発光を抑制する構造としてもよい。
、活性層を一部除去して共振器としての損失を増加させ
レーザ発光を抑制する構造としてもよい。
さらには、出射端面にのみ遮光膜を形成し、内部で発光
したレーザ光が外部に達するのを阻害するような構造で
もよい。
したレーザ光が外部に達するのを阻害するような構造で
もよい。
本発明により、光出力変動の少ないレーザ光源を容易に
得ることが出来る。
得ることが出来る。
第１図〜第３図は本発明の実施例を示す図、第４図は従
来のアレイ型半導体レーザの構造を示す図、第５図は従
来技術の問題点を示す図である。 図中で、 １・・・基板、２・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、３・・・溝
、４−−− ｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｎ層、５−・
−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層、６−・−ｎ −Ａ Ｉ
Ｇ ａ Ａ ｓ層、７−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ層、８・
・・ｎ側電極、９・・・分離溝、１０・・・アレイ型半
導体レーザ装置、１１．１２．２０・・・発光部、１３
゜１４．２１・・・非発光部、１５，１６．２２・・・
スイッチ、 ０・・・無反射コート である。
来のアレイ型半導体レーザの構造を示す図、第５図は従
来技術の問題点を示す図である。 図中で、 １・・・基板、２・・・ｎ−ＧａＡｓ基板、３・・・溝
、４−−− ｐ −Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｎ層、５−・
−Ａ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ層、６−・−ｎ −Ａ Ｉ
Ｇ ａ Ａ ｓ層、７−ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ層、８・
・・ｎ側電極、９・・・分離溝、１０・・・アレイ型半
導体レーザ装置、１１．１２．２０・・・発光部、１３
゜１４．２１・・・非発光部、１５，１６．２２・・・
スイッチ、 ０・・・無反射コート である。
Claims (2)
- （１）複数の独立に駆動可能な発光部と、前記発光部と
同等の発熱量を有する非発光部を同一基板にモノリシッ
クに設けたことを特徴とするアレイ型半導体レーザ装置
。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載のアレイ型半導体レ
ーザ装置において、発光部の駆動電流を変調するとき前
記発光部に近接した他の発光部に与える熱干渉がほぼ一
定となるように非発光部の電流値を制御することを特徴
するアレイ型半導体レーザ装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23479990A JPH04115585A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | アレイ型半導体レーザ装置及び駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23479990A JPH04115585A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | アレイ型半導体レーザ装置及び駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115585A true JPH04115585A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=16976574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23479990A Pending JPH04115585A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | アレイ型半導体レーザ装置及び駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04115585A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5515391A (en) * | 1994-03-07 | 1996-05-07 | Sdl, Inc. | Thermally balanced diode laser package |
| US8139618B2 (en) | 2009-06-18 | 2012-03-20 | Seiko Epson Corporation | Light emission device, light emission device driving method, and projector |
| JP2014192249A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多波長半導体レーザ光源 |
| JP2016533026A (ja) * | 2013-10-10 | 2016-10-20 | オートモーティブ コアリション フォー トラフィック セーフティ， インコーポレイテッド | 配列された複数の波長調整レーザを制御するためのシステムおよび方法 |
| US10826270B2 (en) | 2016-01-04 | 2020-11-03 | Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc. | Heater-on-heatspreader |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP23479990A patent/JPH04115585A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5515391A (en) * | 1994-03-07 | 1996-05-07 | Sdl, Inc. | Thermally balanced diode laser package |
| US8139618B2 (en) | 2009-06-18 | 2012-03-20 | Seiko Epson Corporation | Light emission device, light emission device driving method, and projector |
| US8304786B2 (en) | 2009-06-18 | 2012-11-06 | Seiko Epson Corporation | Light emission device, light emission device driving method, and projector |
| JP2014192249A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多波長半導体レーザ光源 |
| JP2016533026A (ja) * | 2013-10-10 | 2016-10-20 | オートモーティブ コアリション フォー トラフィック セーフティ， インコーポレイテッド | 配列された複数の波長調整レーザを制御するためのシステムおよび方法 |
| US10826270B2 (en) | 2016-01-04 | 2020-11-03 | Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc. | Heater-on-heatspreader |
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