JPH04116432A - 赤外線検出装置 - Google Patents
赤外線検出装置Info
- Publication number
- JPH04116432A JPH04116432A JP2238103A JP23810390A JPH04116432A JP H04116432 A JPH04116432 A JP H04116432A JP 2238103 A JP2238103 A JP 2238103A JP 23810390 A JP23810390 A JP 23810390A JP H04116432 A JPH04116432 A JP H04116432A
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- infrared
- infrared rays
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- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 34
- 238000001931 thermography Methods 0.000 abstract description 12
- 239000003973 paint Substances 0.000 abstract description 7
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 241000665112 Zonitoides nitidus Species 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は例えば被測定物の温度分布を測定し、それを画
像で表示するサーモグラフィ装置に適用して好適な赤外
線検出装置に関する。
像で表示するサーモグラフィ装置に適用して好適な赤外
線検出装置に関する。
本発明は例えば被測定物の温度分布を測定し、それを画
像で表示するサーモグラフィ装置に適用して好適な赤外
線積出装置に関し、赤外線検出素子の周辺部に反射防止
処理を施し、この周辺部の反射率を０．１以下としたこ
とにより、赤外線検出素子に迷光等を入射しないように
し、例えばサーモグラフィ装置の解像性能の向上を図る
ようにしたものである。
像で表示するサーモグラフィ装置に適用して好適な赤外
線積出装置に関し、赤外線検出素子の周辺部に反射防止
処理を施し、この周辺部の反射率を０．１以下としたこ
とにより、赤外線検出素子に迷光等を入射しないように
し、例えばサーモグラフィ装置の解像性能の向上を図る
ようにしたものである。
一般に被測定物の温度分布を測定し、それを画像で表示
する第３図に示す如きサーモグラフィ装置が提案されて
いる。この第３図のサーモグラフィ装置につき説明する
に、この第３図に於いて、（１）は人体等の被測定物を
示し、この被測定物（１）から放射された赤外線は、走
査部（２）の反射ミラー（２ａ）及び光学系（３）を介
して赤外線検出装置（４）に導かれる。この赤外線検出
装置（４）は赤外線の強さに応じた電気信号を得る様に
したもので、この赤外線検出装置（４）に得られる電気
信号を増幅回路（５）を介して信号処理回路（６）に供
給し、この信号処理回路（６）に於いてはこの電気信号
を走査部（２）からの位置検出データと共に演算処理し
、その結果をメモリに記憶し、この信号処理回路（６）
よりメモリに記憶した温度分布の画像信号を表示装置（
７）に供給して被測定物（１）の温度分布を画像表示す
る様にしたものである。斯るサーモグラフィ装置に使用
される赤外線検出装置（４）として第２図に示す如きも
のが提案されている。この第２図は電子冷却型の赤外線
検出装置（４）を示し、第２図に示すものは金属基板（
８）上にペルチェ効果を使用した電子冷却装置（９）を
設け、この電子冷却装置（９）上に例えばサファイア、
セラミックより成るベース（１０）を固定し、このベー
ス（１０）上にインジウムアンチモン１ｎｓｂ。
する第３図に示す如きサーモグラフィ装置が提案されて
いる。この第３図のサーモグラフィ装置につき説明する
に、この第３図に於いて、（１）は人体等の被測定物を
示し、この被測定物（１）から放射された赤外線は、走
査部（２）の反射ミラー（２ａ）及び光学系（３）を介
して赤外線検出装置（４）に導かれる。この赤外線検出
装置（４）は赤外線の強さに応じた電気信号を得る様に
したもので、この赤外線検出装置（４）に得られる電気
信号を増幅回路（５）を介して信号処理回路（６）に供
給し、この信号処理回路（６）に於いてはこの電気信号
を走査部（２）からの位置検出データと共に演算処理し
、その結果をメモリに記憶し、この信号処理回路（６）
よりメモリに記憶した温度分布の画像信号を表示装置（
７）に供給して被測定物（１）の温度分布を画像表示す
る様にしたものである。斯るサーモグラフィ装置に使用
される赤外線検出装置（４）として第２図に示す如きも
のが提案されている。この第２図は電子冷却型の赤外線
検出装置（４）を示し、第２図に示すものは金属基板（
８）上にペルチェ効果を使用した電子冷却装置（９）を
設け、この電子冷却装置（９）上に例えばサファイア、
セラミックより成るベース（１０）を固定し、このベー
ス（１０）上にインジウムアンチモン１ｎｓｂ。
水銀カドミウムテルル）ＩｇｃｄＴｅ等の赤外線検出素
子（１１）を設ける様にしたものである。この赤外線検
出素子（１１）、電子冷却装置（９）等を被う如く金属
ケース（１２）を設けると共にこの金属ケース（１２）
の赤外線検出素子（１１）に対応する部分に透明のサフ
ァイアより成る窓（１３）を設ける如くする。この赤外
線検出装置には電子冷却を行うものの外、液体窒素で冷
却するようにしたものもある。
子（１１）を設ける様にしたものである。この赤外線検
出素子（１１）、電子冷却装置（９）等を被う如く金属
ケース（１２）を設けると共にこの金属ケース（１２）
の赤外線検出素子（１１）に対応する部分に透明のサフ
ァイアより成る窓（１３）を設ける如くする。この赤外
線検出装置には電子冷却を行うものの外、液体窒素で冷
却するようにしたものもある。
Ｃ発明が解決しようとする課題〕
斯る赤外線検出装Ｍ（４）に於いて走査部（２）の反射
ミラー（２ａ）及び光学系（３）よりの赤外線を赤外線
検出素子（１１）にのみ入射させることは困難であり、
この為この赤外線検出素子（１１）の周辺にも、不要な
赤外線が到達し、これが反射され更に集光光学系（３）
の不要反射により、この赤外線検出素子（１１）に迷光
として入射されることがある不都合があり、この現象が
サーモグラフィ装置の解像性能に極めて悪い影響を及ぼ
していた。
ミラー（２ａ）及び光学系（３）よりの赤外線を赤外線
検出素子（１１）にのみ入射させることは困難であり、
この為この赤外線検出素子（１１）の周辺にも、不要な
赤外線が到達し、これが反射され更に集光光学系（３）
の不要反射により、この赤外線検出素子（１１）に迷光
として入射されることがある不都合があり、この現象が
サーモグラフィ装置の解像性能に極めて悪い影響を及ぼ
していた。
本発明は斯る点に鑑み、赤外線検出素子に迷光等を入射
しなし）ようにすることを目的とする。
しなし）ようにすることを目的とする。
本発明赤外線検出装置は例えば第１図に示す如く、赤外
線検出素子（１１）の周辺部（１０）に反射防止処理（
１４）を施し、この周辺部（１０）の反射率を０１以下
としたものである。
線検出素子（１１）の周辺部（１０）に反射防止処理（
１４）を施し、この周辺部（１０）の反射率を０１以下
としたものである。
斯る本発明に依れば赤外線検出素子（１１）の周辺部に
反射防止処理を施し、この周辺部（１０）の反射率を０
．１以下としたので、この赤外線検出素子（１１）の周
辺部に不要な赤外線が到達しても、この不要な赤外線の
反射はほとんどなく極めて小さくなり、これが迷光とし
て赤外線検出素子（１１）に入射されるレベルも極めて
小さくなり、被測定物（１）からの赤外線の強さの検出
にほとんど影響することがなくなり、サーモグラフィ装
置の解像性能の劣化を防止できる。
反射防止処理を施し、この周辺部（１０）の反射率を０
．１以下としたので、この赤外線検出素子（１１）の周
辺部に不要な赤外線が到達しても、この不要な赤外線の
反射はほとんどなく極めて小さくなり、これが迷光とし
て赤外線検出素子（１１）に入射されるレベルも極めて
小さくなり、被測定物（１）からの赤外線の強さの検出
にほとんど影響することがなくなり、サーモグラフィ装
置の解像性能の劣化を防止できる。
以下第１図及び第２図を参照しながら本発明赤外線検出
装置の一実施例につき説明しよう。
装置の一実施例につき説明しよう。
本例に於いては第２図に示す如き赤外線検出装置（４）
のベース（１０）を第１図に示す如く構成する。
のベース（１０）を第１図に示す如く構成する。
即ち例えばサファイ乙 セラミック板より成るベース（
１０）上に反射防止処理を施す。この反射防止処理とし
ては１例としてこのベース（１０）上に耐熱塗料（黒つ
やけし）をぬり、耐熱塗料被膜（１４）を形成する。こ
の耐熱塗料被膜（１４）の反射率は０．０５〜０．０２
（放射率が０．９５〜０．９８ ）である。このベース
（１０）の略中央部に赤外線検出素子り１１）を配する
如くする。その他は第２図と同様に構成する。
１０）上に反射防止処理を施す。この反射防止処理とし
ては１例としてこのベース（１０）上に耐熱塗料（黒つ
やけし）をぬり、耐熱塗料被膜（１４）を形成する。こ
の耐熱塗料被膜（１４）の反射率は０．０５〜０．０２
（放射率が０．９５〜０．９８ ）である。このベース
（１０）の略中央部に赤外線検出素子り１１）を配する
如くする。その他は第２図と同様に構成する。
本例は上述の如く赤外線検出素子（１１）の配されたベ
ース（１０）の上面に耐熱塗料被膜（１４）を設けて反
射防止処理をし、この赤外線検出素子（１１）のベース
＜１０）即ちこの周辺部の反射率を０．０５〜０，０２
としたので、この赤外線検出素子（１１）の周辺部に不
要な赤外線が到達しても、この不要な赤外線の反射はほ
とんどなく、極必て小さくなり、これが迷光としてこの
赤外線検出素子（１１）に入射されるレベルも極めて小
さくなり、これによる赤外線の強さの検出にほとんど影
響することがなくなり、サーモグラフィ装置の解像性能
の劣化を防止できる利益がある。
ース（１０）の上面に耐熱塗料被膜（１４）を設けて反
射防止処理をし、この赤外線検出素子（１１）のベース
＜１０）即ちこの周辺部の反射率を０．０５〜０，０２
としたので、この赤外線検出素子（１１）の周辺部に不
要な赤外線が到達しても、この不要な赤外線の反射はほ
とんどなく、極必て小さくなり、これが迷光としてこの
赤外線検出素子（１１）に入射されるレベルも極めて小
さくなり、これによる赤外線の強さの検出にほとんど影
響することがなくなり、サーモグラフィ装置の解像性能
の劣化を防止できる利益がある。
尚上述実施例に於いては反射防止処理として耐熱塗料を
塗布したが、この代わりに金属酸化物を被着する等その
他種々の手段により反射率を０．１以下とすることがで
きる。この反射率を０．１以下としたときは上述側同様
の作用効果が得られることは容易に理解できよう。また
本発明は」二連実施例に限らず本発明の要旨を逸脱する
ことなく、その他種々の構成が取り得ることは勿論であ
る。
塗布したが、この代わりに金属酸化物を被着する等その
他種々の手段により反射率を０．１以下とすることがで
きる。この反射率を０．１以下としたときは上述側同様
の作用効果が得られることは容易に理解できよう。また
本発明は」二連実施例に限らず本発明の要旨を逸脱する
ことなく、その他種々の構成が取り得ることは勿論であ
る。
本発明に依れば不要な赤外線の反射はほとんどなく、こ
れが被測定物（１）からの赤外線の検出にほとんど影響
することがなくなり、サーモグラフィ装置の解像性能の
劣化を防止できる利益がある。
れが被測定物（１）からの赤外線の検出にほとんど影響
することがなくなり、サーモグラフィ装置の解像性能の
劣化を防止できる利益がある。
第１図は本発明赤外線検出装置の一実施例の要部の例を
示す斜視図、第２図は従来の赤外線検出装置の例を示す
断面図、第３図はサーモグラフィ装置の例を示す構成図
である。 （１）は被測定物、（４）は赤外線検出装置、（１０）
はベース、（１１）は赤外線検出素子、＜１４）は耐熱
塗料被膜である。 代 理 人 松 隈 秀 盛
示す斜視図、第２図は従来の赤外線検出装置の例を示す
断面図、第３図はサーモグラフィ装置の例を示す構成図
である。 （１）は被測定物、（４）は赤外線検出装置、（１０）
はベース、（１１）は赤外線検出素子、＜１４）は耐熱
塗料被膜である。 代 理 人 松 隈 秀 盛
Claims (1)
- 赤外線検出素子の周辺部に反射防止処理を施し、該周辺
部の反射率を０．１以下としたことを特徴とする赤外線
検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238103A JPH04116432A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2238103A JPH04116432A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 赤外線検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116432A true JPH04116432A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=17025224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2238103A Pending JPH04116432A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 赤外線検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010107374A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269367A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
| JPS62281373A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP2238103A patent/JPH04116432A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62269367A (ja) * | 1986-05-19 | 1987-11-21 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
| JPS62281373A (ja) * | 1986-05-29 | 1987-12-07 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010107374A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Nissan Motor Co Ltd | 赤外線検出素子及びその製造方法 |
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