JPH04120275A - マイクロ波プラズマ装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ装置Info
- Publication number
- JPH04120275A JPH04120275A JP2209321A JP20932190A JPH04120275A JP H04120275 A JPH04120275 A JP H04120275A JP 2209321 A JP2209321 A JP 2209321A JP 20932190 A JP20932190 A JP 20932190A JP H04120275 A JPH04120275 A JP H04120275A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- applicator
- plasma
- magnet
- substrate
- microwaves
- Prior art date
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は、真空容器を共用したアプリケータ内にマイク
ロ波が投入され、ガスと反応して非平衡プラズマ（′＠
子サすクロトン共鳴プラズマ；ＥＣＲプラズマ）が発生
し、該プラズマの雰囲気中もしくは近傍に配置した基板
に対し、表面の改質、エツチング、デポジション等を行
うマイクロ波プラズマ装置に関する。
ロ波が投入され、ガスと反応して非平衡プラズマ（′＠
子サすクロトン共鳴プラズマ；ＥＣＲプラズマ）が発生
し、該プラズマの雰囲気中もしくは近傍に配置した基板
に対し、表面の改質、エツチング、デポジション等を行
うマイクロ波プラズマ装置に関する。
第２図は従来のこの種のマイクロ波プラズマ装置の一例
の構造を示す。
の構造を示す。
図において１は導入管、２はマイクロ波導入窓、４は円
筒共振器形アプリケータ、５ａは電磁石、７はプラズマ
、８は基板、９は基板台である。
筒共振器形アプリケータ、５ａは電磁石、７はプラズマ
、８は基板、９は基板台である。
円筒共振器形アプリケータ４内を１０−７〜１Ｏ−８Ｔ
ｏｒｒ程度に排気し、反応ガスを導入し、圧力を１０−
’Ｔｏｒｒ程度に調整した後、マイクロ波を投入し、磁
界との相互作用により、円筒共振器形アプリケータ４内
にプラズマ７を発生させる。
ｏｒｒ程度に排気し、反応ガスを導入し、圧力を１０−
’Ｔｏｒｒ程度に調整した後、マイクロ波を投入し、磁
界との相互作用により、円筒共振器形アプリケータ４内
にプラズマ７を発生させる。
発生したプラズマ７を発散磁界により基板台９上に載置
した基板８の方へ引き出し、基板８表面に照射し、反応
ガスを選択することにより、基板８表面にエツチング、
デポジション等の各種処理を行う。
した基板８の方へ引き出し、基板８表面に照射し、反応
ガスを選択することにより、基板８表面にエツチング、
デポジション等の各種処理を行う。
従来の上記のような構造のマイクロ波プラズマ構造であ
るため、プラズマ状態が変化した場合、マイクロ波との
整合がずれるという問題点があった。
るため、プラズマ状態が変化した場合、マイクロ波との
整合がずれるという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解消するためになされたもので
、マイクロ波とプラズマの整合状態を常に最良の状態に
維持できるものを提供することを目的とする。
、マイクロ波とプラズマの整合状態を常に最良の状態に
維持できるものを提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段〕
本発明のマイクロ波プラズマ装置は、真空容器を共有す
る円筒共振器形アプリケータ内に可変短絡器を設けると
ともに、該アプリケータを取り囲むように可動構造の磁
石を配置し、反応ガスの違いやプラズマ状態の違いによ
り整合のずれが生じた場合、可変短絡器および可動磁石
の位置を調整することにより、常に最適な整合状態を維
持できる構造としたものである。
る円筒共振器形アプリケータ内に可変短絡器を設けると
ともに、該アプリケータを取り囲むように可動構造の磁
石を配置し、反応ガスの違いやプラズマ状態の違いによ
り整合のずれが生じた場合、可変短絡器および可動磁石
の位置を調整することにより、常に最適な整合状態を維
持できる構造としたものである。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す。
図において１．２，４，７，８．９は第２図の同一符号
と同一または相当するものを示し、３は移動装置、１３
はガス導入部である。
と同一または相当するものを示し、３は移動装置、１３
はガス導入部である。
円筒共振器形アプリケータ４内を１０−７〜１０−”Ｔ
ｏｒｒ程度に排気し、ガス導入部１３より反応ガスを導
入し、圧力を１０−’Ｔｏｒｒ程度に調整し、次に、磁
石５を磁石移動装置６により円筒共振器形アプリケータ
４内の高電界発生位置に移動させる。
ｏｒｒ程度に排気し、ガス導入部１３より反応ガスを導
入し、圧力を１０−’Ｔｏｒｒ程度に調整し、次に、磁
石５を磁石移動装置６により円筒共振器形アプリケータ
４内の高電界発生位置に移動させる。
マイクロ波発振器より放射されたマイクロ波を導波管ｌ
、マイクロ波導入窓２を経て円筒共振器形アプリケータ
４に導入し、磁石５による磁界との相互作用によりプラ
ズマを発生させる。
、マイクロ波導入窓２を経て円筒共振器形アプリケータ
４に導入し、磁石５による磁界との相互作用によりプラ
ズマを発生させる。
この時、プラズマとマイクロ波の整合状態が最適になる
ように可変短絡器１０、磁石５の位置を調整する（具体
的には、システムに組込まれたマイクロ波電力計の反射
電力の値が最小になるように、各々の位置を決定する。
ように可変短絡器１０、磁石５の位置を調整する（具体
的には、システムに組込まれたマイクロ波電力計の反射
電力の値が最小になるように、各々の位置を決定する。
）。
第１図では、プラズマ７は基板８より離れているが、基
板８近傍にプラズマを発生させたい時は、基板８近傍の
高電界発生位置に磁石５を配置することにより、実現で
きる。
板８近傍にプラズマを発生させたい時は、基板８近傍の
高電界発生位置に磁石５を配置することにより、実現で
きる。
以上のように、円筒共振器形アプリケータ４内部に可変
短絡器１０を設け、外部に該アプリケータ４を取り囲み
可動構造に磁石５を配置することにより、常に最適な整
合状態を実現でき、さらに、プラズマの発生位置を自由
に選択することができる。
短絡器１０を設け、外部に該アプリケータ４を取り囲み
可動構造に磁石５を配置することにより、常に最適な整
合状態を実現でき、さらに、プラズマの発生位置を自由
に選択することができる。
以上説明したように、本発明によれば、プラズマ状態の
違いによるマイクロ波の整合のずれに対し、容易に最適
な整合状態に調整することができるとともに、アプリケ
ータの円筒軸方向のプラズマの発生位置を制御すること
ができる。
違いによるマイクロ波の整合のずれに対し、容易に最適
な整合状態に調整することができるとともに、アプリケ
ータの円筒軸方向のプラズマの発生位置を制御すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例の構造を示す説明図、第２図
は従来のこの種のマイクロ波プラズマ装置の一例の構造
を示す説明図である。 入 １・・・導横管、２・・・マイクロ波導入窓、３・・・
０リング、４・・・円筒共振器形アプリケータ、５・・
・磁石、６・・・磁石移動装置、７・・・プラズマ、８
・・・基板、９・・・基板台、１０・・・可変短絡器、
１１・・・ベローズ、１２・・・可変短絡器移動装置、
１３・・・ガス導入部、なお図中において同一符号は同
一または相当するものを示す。
は従来のこの種のマイクロ波プラズマ装置の一例の構造
を示す説明図である。 入 １・・・導横管、２・・・マイクロ波導入窓、３・・・
０リング、４・・・円筒共振器形アプリケータ、５・・
・磁石、６・・・磁石移動装置、７・・・プラズマ、８
・・・基板、９・・・基板台、１０・・・可変短絡器、
１１・・・ベローズ、１２・・・可変短絡器移動装置、
１３・・・ガス導入部、なお図中において同一符号は同
一または相当するものを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空容器を共用したアプリケータ内にマイクロ波が投
入され、ガスと反応してプラズマが発生し、該プラズマ
の雰囲気中もしくは近傍に配置した基板表面の改質、エ
ッチング、デポジション等を行うマイクロ波プラズマ装
置において、 真空容器を共用し、可変短絡器を有する円筒共振器形ア
プリケータと、該アプリケータを取り囲むように配置さ
れた可動構造の磁石を備えたことを特徴とするマイクロ
波プラズマ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209321A JPH04120275A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | マイクロ波プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2209321A JPH04120275A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | マイクロ波プラズマ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04120275A true JPH04120275A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=16571016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2209321A Pending JPH04120275A (ja) | 1990-08-09 | 1990-08-09 | マイクロ波プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04120275A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH059742A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ処理装置及び装置構成方法 |
-
1990
- 1990-08-09 JP JP2209321A patent/JPH04120275A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH059742A (ja) * | 1991-07-01 | 1993-01-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ処理装置及び装置構成方法 |
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