JPH04121105U - 集中定数型サーキユレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 必要な静電容量を得るために基板を薄くして
も、破損し難く、取扱い容易な構造にして小型化を可能
にする。 【構成】 磁性と導電性の両性を有する金属板５の片面
に薄膜状にセラミックをコートし、セラミック基板７と
して用いる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、通信機器などに用いられる集中定数型サーキュレータに関するもの である。

【０００２】

【従来の技術】

従来の集中定数型サーキュレータの斜視図を図３に、その分解斜視図を図４に 示す。この従来例は、図５に示すようにシールド板１３から突出した３つの中心 導体１０ａ、１０ｂ、１０ｃを用い、このシールド板１３上にフェライト１１を 配置し、その上に中心導体１０ａ、１０ｂ、１０ｃを折り込んで中心導体部を構 成している。このとき、各中心導体間には絶縁板が挿入され、各中心導体１０ａ 、１０ｂ、１０ｃの端部１２ａ、１２ｂ、１２ｃはそれぞれ端子も兼ねている。

【０００３】 また、この従来例のセラミック基板１６の裏面の斜視図を図６に示す。このセ ラミック基板１６はＡｌ２Ｏ３、Ｔｉ―Ｂａ系等の素材で形成され、一面には中 心導体１０ａ、１０ｂ、１０ｃの端部１２ａ、１２ｂ、１２ｃに対応し、静電容 量を構成する電極１４ａ、１４ｂ、１４ｃと、裏面の接地電極１４ｅとスルーホ ール１５を介して接続されている接地用電極１４ｄが形成されている。

【０００４】 そして、磁性、導電性の両性を有する金属板１７にセラミック基板１６の接地 電極１４ｅを接合し、さらにセラミック基板１６の接地用電極１４ｄに中心導体 部のシールド板１３を接合し、各中心導体の端部１２ａ、１２ｂ、１２ｃを電極 １４ａ、１４ｂ、１４ｃにそれぞれ接合する。この接合は半田付けで行われてい る。更に、磁石及び金属ケース（図示してない）を配置して、集中定数型サーキ ュレータを構成していた。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

従来の構造では、小型化を図るために、フェライトの大きさを固定し、所定の 静電容量を得るには、電極面積、基板面積の縮少が困難であるため、セラミック 基板の厚さを薄くし、必要な静電容量を得ていた。このため、セラミック基板の 厚さが１００μｍ程度の厚みになると、セラミック基板の取り扱いが難しく、破 損しやすいといった問題点があった。

【０００６】 本考案は、上記の事を鑑みて、小型化を可能とする集中定数型サーキュレータ を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案は、磁性と導電性の両性を有する金属板の片面に薄膜状にセラミックを コートし、そのセラミックをコートした面上に３本の中心導体の各端部に対応し 静電容量を構成する電極と、中央部にシールド板を固定し、スルーホールを介し て金属板と導通する電極とを形成して基板とし、この基板上にフェライトと３本 の中心導体を配置し、前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁石を配置する ものである。

【０００８】 また、上記の集中定数型サーキュレータにおいて、金属板のコート面には誘電 体粉を含有する液晶ポリマーを薄膜状にコートしたものである。

【０００９】

【実施例】

本考案に係る一実施例の分解斜視図を図１に、平面図を図２に示す。尚、磁石 と金属ケースは省略している。この実施例では、従来と同様の中心導体部を用い 、フェライト１に端子を兼ねた端部３ａ、３ｂ、３ｃとシールド板４をもつ３本 の中心導体２ａ、２ｂ、２ｃが折り込まれている。

【００１０】 また、磁性、導電性の両性を有するＦｅ系金属板５の片面にイオンプレーティ ングによりＡｌ２Ｏ３のセラミックあるいはＴｉ―Ｂａ系誘電体粉を含有する液 晶が１００μｍ前後の薄膜状にコートされて基板７とし、その上に中心導体の各 端部２ａ、２ｂ、２ｃに対応し静電容量を構成する電極６ａ、６ｂ、６ｃと、中 央部にスルーホール８を介して接地される接地用電極６ｄが形成されている。こ の接地用電極６ｄにシールド板４を接合し、各中心導体の端部３ａ、３ｂ、３ｃ を各電極６ａ、６ｂ、６ｃに半田付けする。そして、磁石及び金属ケースを配置 して集中定数型サーキュレータ構成した。

【００１１】

【考案の効果】

本考案によれば、基板部の薄型化が容易で、基板の破損を無くすことができ、 集中定数型サーキュレータの小型化を図ることができる。

【００１２】 また、本考案は集中定数型アイソレータにも適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案に係る一実施例の分解斜視図である。

【図２】本考案に係る一実施例の斜視図である。

【図３】従来例の斜視図である。

【図４】従来例の分解斜視図である。

【図５】中心導体の平面図である。

【図６】従来例のセラミック基板の裏面の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１、１１ フェライト ２ａ、２ｂ、２ｃ、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ 中心導体 ３ａ、３ｂ、３ｃ、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ 端部 ４、１３ シールド ５、７ 金属板 ６ａ、６ｂ、６ｃ、１４ａ、１４ｂ、１４ｃ 静電容量
用電極 ６ｄ、１４ｄ 接地用電極 ７、１６ 基板 ８、１５ スルーホール

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁性と導電性の両性を有する金属板の片
   面に薄膜状にセラミックをコートし、そのセラミックを
   コートした面上に３本の中心導体の各端部に対応し静電
   容量を構成する電極と、中央部にシールド板を固定し、
   スルーホールを介して金属板と導通する電極とを形成し
   て基板とし、この基板上にフェライトと３本の中心導体
   を配置し、前記フェライトに直流磁界を印加する永久磁
   石を配置したことを特徴とする集中定数型サーキュレー
   タ。
2. 【請求項２】 請求項１において、金属板のコート面に
   は誘電体粉を含有する液晶ポリマーが薄膜状にコートし
   てあることを特徴とする集中定数型サーキュレータ。