JPH04121649A - 試料水平型二結晶法x線回折装置 - Google Patents
試料水平型二結晶法x線回折装置Info
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- JPH04121649A JPH04121649A JP2243043A JP24304390A JPH04121649A JP H04121649 A JPH04121649 A JP H04121649A JP 2243043 A JP2243043 A JP 2243043A JP 24304390 A JP24304390 A JP 24304390A JP H04121649 A JPH04121649 A JP H04121649A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 title claims description 22
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、試料を水平に保持する形式の二結晶法X線回
折装置に関する。
折装置に関する。
[従来の技術]
近年、ガリウム・ヒ素(GaAs)−インジウム・リン
(InP)などからなる単結晶基板上ににエピタキシャ
ル層を成長させることによって形成される半導体が広く
使用されるようになっている。この半導体においては、
単結晶基板上に成長させたエピタキシャル層の完全性、
膜厚および組成をコントロールすることが極めて重要で
ある。
(InP)などからなる単結晶基板上ににエピタキシャ
ル層を成長させることによって形成される半導体が広く
使用されるようになっている。この半導体においては、
単結晶基板上に成長させたエピタキシャル層の完全性、
膜厚および組成をコントロールすることが極めて重要で
ある。
このような単結晶基板上の薄膜層の評価法として、従来
より、いわゆるロッキングカーブ測定法が広く用いられ
ている。
より、いわゆるロッキングカーブ測定法が広く用いられ
ている。
このロッキングカーブ測定法とは、薄膜が形成された単
結晶基板試料上にX線を照射し、そのときその試料で回
折するX線の強度ピーク位置の近傍数十秒〜数百秒にお
ける回折X線あるいは散乱X線についての強度を調べる
ことにより、上記エピタキシャル層の完全性などを評価
しようというものである。
結晶基板試料上にX線を照射し、そのときその試料で回
折するX線の強度ピーク位置の近傍数十秒〜数百秒にお
ける回折X線あるいは散乱X線についての強度を調べる
ことにより、上記エピタキシャル層の完全性などを評価
しようというものである。
上記のような、ロッキングカーブ測定は、通常は、第1
結晶によって単色化(ある特定の一種類の波長のX線の
みを取り出すこと)されたX線を試料の特定の1点に照
射し、その1点についてのロッキングカーブを検出する
ことにより、試料全体の膜状態を推測するというのが従
来の一般的なものであった。
結晶によって単色化(ある特定の一種類の波長のX線の
みを取り出すこと)されたX線を試料の特定の1点に照
射し、その1点についてのロッキングカーブを検出する
ことにより、試料全体の膜状態を推測するというのが従
来の一般的なものであった。
[発明が解決しようとする課!]
しかしながら最近では、測定されるべき試料としての単
結晶基板、いわゆるウェーハが大型化しており、従来の
ように単にある1点のみのロッキングカーブを検出した
だけでは、試料全体についての正確な評価ができないと
いう問題が生して来た。
結晶基板、いわゆるウェーハが大型化しており、従来の
ように単にある1点のみのロッキングカーブを検出した
だけでは、試料全体についての正確な評価ができないと
いう問題が生して来た。
本発明は、従来のX線回折装置における上記の問題点に
鑑みてなされたものであって、極めて簡単な操作だけで
、試料上の多くの点に関するロッキングカーブその他の
X線回折曲線を得ることのできるX線回折装置を提供す
ることを目的とする。
鑑みてなされたものであって、極めて簡単な操作だけで
、試料上の多くの点に関するロッキングカーブその他の
X線回折曲線を得ることのできるX線回折装置を提供す
ることを目的とする。
[課題を解決するための手段]
上記の目的を達成するため、本発明に係るX線回折装置
は、第1結晶によって単色化されたX線を試料に照射し
、その試料で回折するX線の強度を測定するXi1回折
装置であって、試料が水平に載置される試料台と、試料
台を第1水平軸線を中心として微小ステップ角度で所定
角度範囲にわたって回転駆動する試料微回転駆動手段と
、試料台の周囲にその試料台と間隔をおいて設けられた
回転フレームと、その回転フレームを上記第1水平軸線
のまわりに回転させるフレーム回転手段と、上記回転フ
レーム上に設けられていて上記第1水平軸線と平行な第
2水平軸線を中心として回動可能な回転台と、その回転
台上に設けられていて上記第2水平軸線を中心として回
動可能な第1結晶と、上記回転台上に固定して配置され
ていて上記11!1結晶にX線を入射させるX線管とを
有しており、さらに、上記試料微回転駆動手段は、水平
面内を平行移動可能なXY子テーブル上固定されている
ことを特徴としている。
は、第1結晶によって単色化されたX線を試料に照射し
、その試料で回折するX線の強度を測定するXi1回折
装置であって、試料が水平に載置される試料台と、試料
台を第1水平軸線を中心として微小ステップ角度で所定
角度範囲にわたって回転駆動する試料微回転駆動手段と
、試料台の周囲にその試料台と間隔をおいて設けられた
回転フレームと、その回転フレームを上記第1水平軸線
のまわりに回転させるフレーム回転手段と、上記回転フ
レーム上に設けられていて上記第1水平軸線と平行な第
2水平軸線を中心として回動可能な回転台と、その回転
台上に設けられていて上記第2水平軸線を中心として回
動可能な第1結晶と、上記回転台上に固定して配置され
ていて上記11!1結晶にX線を入射させるX線管とを
有しており、さらに、上記試料微回転駆動手段は、水平
面内を平行移動可能なXY子テーブル上固定されている
ことを特徴としている。
このxm回折装置において、上記試料台は、第1結晶に
対する平行度を調整できるように傾動可能であることが
好ましい。
対する平行度を調整できるように傾動可能であることが
好ましい。
また、上記試料台の試料載置面を垂直方向へ昇降させる
ための昇降手段を有することが好ましい。
ための昇降手段を有することが好ましい。
[作用]
試料は試料台に水平にR置される。接着したり、クラン
プされることなく単に載置されるだけである。
プされることなく単に載置されるだけである。
試料台を位置固定した状態で試料台上の試料にX線を照
射する。このX線は、第1結晶で回折させることによっ
て単色化されたものである。このX線照射中、試料微回
転駆動手段によって試料が微小角度範囲、例えば数百秒
間隔にわたって、微小ステップ角度ごと、例えば0.5
秒ごとに間欠微回転される。この試料の間欠微回転の間
、試料で回折あるいは散乱するX線の強度がX線検出器
によって測定されて目標とするロッキングカーブその他
のX線強度曲線が得られる。
射する。このX線は、第1結晶で回折させることによっ
て単色化されたものである。このX線照射中、試料微回
転駆動手段によって試料が微小角度範囲、例えば数百秒
間隔にわたって、微小ステップ角度ごと、例えば0.5
秒ごとに間欠微回転される。この試料の間欠微回転の間
、試料で回折あるいは散乱するX線の強度がX線検出器
によって測定されて目標とするロッキングカーブその他
のX線強度曲線が得られる。
試料の1ケ所について上記の測定が終わると。
XY子テーブルよって試料微回転駆動手段が同一水平面
で平行移動される。これにより、試料微回転駆動手段に
よって支持される試料台上の試料に対する、単色化され
たX線の入射位置が変更され、異なった位置でのロッキ
ングカーブなどが得られる。
で平行移動される。これにより、試料微回転駆動手段に
よって支持される試料台上の試料に対する、単色化され
たX線の入射位置が変更され、異なった位置でのロッキ
ングカーブなどが得られる。
[実施例]
第1図は、本発明に係る試料水平型二結晶法X線回折装
置の一実施例を示している。
置の一実施例を示している。
同図において、ゴニオ基台1の上にフレームスタンド2
が垂直上方へ突出して固定されている。
が垂直上方へ突出して固定されている。
このフレームスタンド2の内部には、内部に大径の円形
状令聞Oが形成された回転フレーム4が回動可能に設け
られている。フレームスタンド2の上端には、パルスモ
ータ5の回転運動を回転フレーム4に伝達してその回転
フレーム4を適宜の角度だけ回転させる動力伝達手段、
例えばウオームとウオームホイールを有する動力伝達手
段6が固定して取り付けられている。
状令聞Oが形成された回転フレーム4が回動可能に設け
られている。フレームスタンド2の上端には、パルスモ
ータ5の回転運動を回転フレーム4に伝達してその回転
フレーム4を適宜の角度だけ回転させる動力伝達手段、
例えばウオームとウオームホイールを有する動力伝達手
段6が固定して取り付けられている。
回転フレーム4の左端部には、その回転フレーム4と一
体にアーム7が設けられており、そのアーム7の右端部
には第2スリット部材11が設けられ、一方そのアーム
7の左端部には、xsg回転板8および結晶ホルダ9が
取り付けられている。
体にアーム7が設けられており、そのアーム7の右端部
には第2スリット部材11が設けられ、一方そのアーム
7の左端部には、xsg回転板8および結晶ホルダ9が
取り付けられている。
Xllll転回転板8び結晶ホルダ9は、いずれも第2
水平軸ω2を中心として独立して回動可能であり1図示
しない回転駆動手段、例えばパルスモータ、あるいは手
動などによって適宜の角度位置に回動させることができ
、しかもその回動した位置にクランプ、すなわち位置固
定することができるようになっている。
水平軸ω2を中心として独立して回動可能であり1図示
しない回転駆動手段、例えばパルスモータ、あるいは手
動などによって適宜の角度位置に回動させることができ
、しかもその回動した位置にクランプ、すなわち位置固
定することができるようになっている。
結晶ホルダ9の先端には、第1結晶10が固定して取り
付けられている。
付けられている。
XB源回転板8の下端に設けられた取付用フランジ8a
には、X線管12が固定して取り付けられている。この
X線管12は、熱電子を放出するフィラメント(図示せ
ず)およびその熱電子が衝突することによってX線を発
生するターゲット(対陰極二図示せず)を有する周知の
構造のX線管である。このX線管12のX線取り出し窓
には第1スリット部材13が設けられている。X線管1
2からは、ポイント焦点Pよりポイント状X&Iが取り
出される。
には、X線管12が固定して取り付けられている。この
X線管12は、熱電子を放出するフィラメント(図示せ
ず)およびその熱電子が衝突することによってX線を発
生するターゲット(対陰極二図示せず)を有する周知の
構造のX線管である。このX線管12のX線取り出し窓
には第1スリット部材13が設けられている。X線管1
2からは、ポイント焦点Pよりポイント状X&Iが取り
出される。
アーム7と一体である回転フレーム4の右端には、円弧
形状のレール部材である2θ設定用レール14が固定し
て設けられており、そのレール上にX線検出器15が固
定されている。
形状のレール部材である2θ設定用レール14が固定し
て設けられており、そのレール上にX線検出器15が固
定されている。
第1図において、回転フレーム4を回転可能に支持して
いるフレームスタンド2の奥側のゴニオ基台1上に、X
Y子テーブル6が固定して配置されている。このXY子
テーブル6は、第2図に示すように、X軸パルスモータ
17によってX方向(回転フレーム4に対して平行な方
向)に平行移動するXステージ18と、そのXステージ
18上に配設されてY軸パルスモータ19によってY方
向(回転フレームに対して直交する方向)に平行移動す
るYステージ20とによって構成されている。
いるフレームスタンド2の奥側のゴニオ基台1上に、X
Y子テーブル6が固定して配置されている。このXY子
テーブル6は、第2図に示すように、X軸パルスモータ
17によってX方向(回転フレーム4に対して平行な方
向)に平行移動するXステージ18と、そのXステージ
18上に配設されてY軸パルスモータ19によってY方
向(回転フレームに対して直交する方向)に平行移動す
るYステージ20とによって構成されている。
Yステージ20の上には角筒状のケース21が固定され
ており、そのケース21の前面に固定された軸受36に
よって、円柱状の試料台支持軸22が支持されている。
ており、そのケース21の前面に固定された軸受36に
よって、円柱状の試料台支持軸22が支持されている。
この試料台支持軸22は、その中心軸線、すなわち第1
水平軸線ωIを中心として回転可能に支持されている。
水平軸線ωIを中心として回転可能に支持されている。
ケース21の内部において試料台支持軸22の奥端に板
状の棒材であるサインパー23が固定して取り付けられ
、」一方へ延びている。
状の棒材であるサインパー23が固定して取り付けられ
、」一方へ延びている。
ケース21の1一端には微回転駆動用パルスモータ24
が下向きに固定されている。そのパルスモータ24の出
力軸に固定されたウオーム25には、ケース21の右側
パネルに固定された微少直進機構(いわゆる、マイクロ
メータ機構)26の一構成要素であるウオームギヤ27
がかみ合っている。
が下向きに固定されている。そのパルスモータ24の出
力軸に固定されたウオーム25には、ケース21の右側
パネルに固定された微少直進機構(いわゆる、マイクロ
メータ機構)26の一構成要素であるウオームギヤ27
がかみ合っている。
微少直進機構26はウオームギヤ27の回転運動をアク
チュエータロッド28の微少な往復直線運動に変換する
。上記サインパー23の上端は1図示しないバネ等の付
勢手段によってアクチュエータロッド28の先端(左端
)に一定圧力下で接触している。
チュエータロッド28の微少な往復直線運動に変換する
。上記サインパー23の上端は1図示しないバネ等の付
勢手段によってアクチュエータロッド28の先端(左端
)に一定圧力下で接触している。
微回転駆動用パルスモータ24が回転すると微少直進機
構26の作用のよってアクチュエターロンド28が直進
移動し、それに応じてサインパー23が第1水平軸線ω
1を中心として微少回転する。このサインパー23の微
少回転に従って、試料台支持軸22もそれと一体に微少
置引する。
構26の作用のよってアクチュエターロンド28が直進
移動し、それに応じてサインパー23が第1水平軸線ω
1を中心として微少回転する。このサインパー23の微
少回転に従って、試料台支持軸22もそれと一体に微少
置引する。
試料台支持軸22の手前側端には保持板29が固定して
取り付けられており、その保持板29の両側辺に設けら
れた支持片30.30に試料台31が揺動可能に支持さ
れている。試料台31の上には試料、例えば直径3〜4
インチ程度の大きさの単結晶ウェーハ33が接着あるい
はクランプなどの固定処理を施されることなく、単に載
置されている。保持板29の底面には試料チルト用パル
スモータ32が設けられている。このパルスモータ32
が適宜の角度だけ回転すると、支持片30゜30を結ぶ
チルト軸線χを中心として試料台31゜従って試料33
が微少角度だけ傾動する。
取り付けられており、その保持板29の両側辺に設けら
れた支持片30.30に試料台31が揺動可能に支持さ
れている。試料台31の上には試料、例えば直径3〜4
インチ程度の大きさの単結晶ウェーハ33が接着あるい
はクランプなどの固定処理を施されることなく、単に載
置されている。保持板29の底面には試料チルト用パル
スモータ32が設けられている。このパルスモータ32
が適宜の角度だけ回転すると、支持片30゜30を結ぶ
チルト軸線χを中心として試料台31゜従って試料33
が微少角度だけ傾動する。
ケース21から突出する試料台支持軸22およびそれに
支持される試料台31は、第1図に示すように、回転フ
レーム4に形成された円形状空間0を貫通して、回転フ
レーム4の手前側へ突出している。
支持される試料台31は、第1図に示すように、回転フ
レーム4に形成された円形状空間0を貫通して、回転フ
レーム4の手前側へ突出している。
このように構成することにより、X線管12のX線焦点
Pから放射されたポイント状X線は、第1スリット部材
13を経由して第1結晶10へ照射される。このときX
線は、第1結晶10で回折することによりいわゆる単色
化され、特定の波長成分1例えばKa線のみが取り出さ
れる。
Pから放射されたポイント状X線は、第1スリット部材
13を経由して第1結晶10へ照射される。このときX
線は、第1結晶10で回折することによりいわゆる単色
化され、特定の波長成分1例えばKa線のみが取り出さ
れる。
取り出された単色X線は、その後、ff12図スリット
部材11を経由して試料33へ入射し、そこで回折ある
いは散乱し、そしてXi検出器15によってそれら回折
X線あるいは散乱X線の強度が検出される。
部材11を経由して試料33へ入射し、そこで回折ある
いは散乱し、そしてXi検出器15によってそれら回折
X線あるいは散乱X線の強度が検出される。
その際、サインパー23.微少直進機構26、そして微
回転駆動用パルスモータ24によって構成される試料微
回転駆動手段により、試料33が第1水平軸線ωlを中
心として極めて微少な角度範囲、例えば数十秒から数百
秒の角度範囲にわたって、極めて微少なステップ角度、
例えば0.5秒ごとに間欠回転する。これにより、各々
の角度位置における試料33からの回折X線あるいは散
乱X線の強度情報が得られ、第4図に示すような、いわ
ゆるロッキングカーブが得られる。このロッキングカー
ブに現れた各入射XM角度位置に対するX線強度情報よ
り、試料33についての′fi!I膜層の完全性、組成
などが評価される。第4図では、基板結晶のピークPI
と薄膜のビークP2が測定された状態を示している。
回転駆動用パルスモータ24によって構成される試料微
回転駆動手段により、試料33が第1水平軸線ωlを中
心として極めて微少な角度範囲、例えば数十秒から数百
秒の角度範囲にわたって、極めて微少なステップ角度、
例えば0.5秒ごとに間欠回転する。これにより、各々
の角度位置における試料33からの回折X線あるいは散
乱X線の強度情報が得られ、第4図に示すような、いわ
ゆるロッキングカーブが得られる。このロッキングカー
ブに現れた各入射XM角度位置に対するX線強度情報よ
り、試料33についての′fi!I膜層の完全性、組成
などが評価される。第4図では、基板結晶のピークPI
と薄膜のビークP2が測定された状態を示している。
以上のようなロッキングカーブは、試料33の特定の一
点についてのものである。この特定の一点についての測
定が終わると、第1図において。
点についてのものである。この特定の一点についての測
定が終わると、第1図において。
X軸パルスモータ17あるいは/およびY軸パルスモー
タ19が作動して、ケース21の全体が水平面内におい
て微少に平行移動する。この微少平行移動により、試料
台31上に載置された試料33も同様に平行移動する。
タ19が作動して、ケース21の全体が水平面内におい
て微少に平行移動する。この微少平行移動により、試料
台31上に載置された試料33も同様に平行移動する。
こうして、第1結晶10から送られる単色X線の試料3
3に対する入射位置をそれまでと異なった任意の位置に
移動させることができ、その異なった位置についてのロ
ッキングカーブ(第4図)を得ることができる。
3に対する入射位置をそれまでと異なった任意の位置に
移動させることができ、その異なった位置についてのロ
ッキングカーブ(第4図)を得ることができる。
以上のような、試料33についての水平面内での位置変
更を何度か行うことにより、極めて短時間の間に、試料
33についていくつかの異なった位置でのロッキングカ
ーブを得ることができる。
更を何度か行うことにより、極めて短時間の間に、試料
33についていくつかの異なった位置でのロッキングカ
ーブを得ることができる。
これにより、特に面積の大きい試料33についての評価
を極めて正確に行うことが可能となる。
を極めて正確に行うことが可能となる。
以上のロッキングカーブ測定は、X線源P、第I結晶1
0、試料33、そしてX線検出#;t15などといった
各機器の初期状態が正確に設定された後で行われる。以
下、その初期設定の操作について簡単に触れておく。
0、試料33、そしてX線検出#;t15などといった
各機器の初期状態が正確に設定された後で行われる。以
下、その初期設定の操作について簡単に触れておく。
第3図は、第1図において矢視IIIに従ってX線回折
装置を手前側から見た場合の平面!IA略を示している
。同図において、まず、X線検出器15を回折角2θ=
ゼロの位W (A)にセットする。また、試料台支持軸
22(第1図)の先端の試料台31には、まだ試料33
を載置しておかない。
装置を手前側から見た場合の平面!IA略を示している
。同図において、まず、X線検出器15を回折角2θ=
ゼロの位W (A)にセットする。また、試料台支持軸
22(第1図)の先端の試料台31には、まだ試料33
を載置しておかない。
この状態で、結晶ホルダ9を第2水平軸線ω2を中心と
して回転させて、A位置にセットされたX線検出@15
によって測定されるX線強度が最大になるところで結晶
ホルダ9をX線源回転板8にクランプする。これにより
、第1結晶10が最適位置、すなわちにα線を回折する
位置にセットされる。
して回転させて、A位置にセットされたX線検出@15
によって測定されるX線強度が最大になるところで結晶
ホルダ9をX線源回転板8にクランプする。これにより
、第1結晶10が最適位置、すなわちにα線を回折する
位置にセットされる。
次に、結晶ホルダ9がクランプされた状態のX線源回転
板8を第2水平軸線ω2を中心として結晶ホルダ9と共
に微回転させ、第1結晶10からの回折X線が試料33
の中心を通るように精密に調節する。その後、試料台3
1に試料33を載置する。このとき、試料33の厚さに
バラツキがある場合にも試料33の測定面、すなわち上
面を常に一定位置に置くために、試料33を鉛直方向に
昇降させる機構を設けておくことが好ましい。そのため
の昇降機構としては、試料台31に対して試料33を昇
降させる機構であっても良いし、試料33を載置した試
料台31の全体を昇降させる機構であっても良い。
板8を第2水平軸線ω2を中心として結晶ホルダ9と共
に微回転させ、第1結晶10からの回折X線が試料33
の中心を通るように精密に調節する。その後、試料台3
1に試料33を載置する。このとき、試料33の厚さに
バラツキがある場合にも試料33の測定面、すなわち上
面を常に一定位置に置くために、試料33を鉛直方向に
昇降させる機構を設けておくことが好ましい。そのため
の昇降機構としては、試料台31に対して試料33を昇
降させる機構であっても良いし、試料33を載置した試
料台31の全体を昇降させる機構であっても良い。
次に、第1図において、フレーム回転用パルスモータ5
を始動させて回転フレーム4を回転させ、試料33にお
けるX線回折強度がピークとなる位置(第4図のθe)
に第1結晶10の角度位置を調節する。また同時に、X
線検出器15を20設定用レール14に沿って移動させ
、試料33からの回折X線を受光できる2θ位置にxm
検出器15をクランプする。以上により、ロッキングカ
ーブ(第4図)における最大ピーク(08位置)を見つ
けるための調節が完了する。
を始動させて回転フレーム4を回転させ、試料33にお
けるX線回折強度がピークとなる位置(第4図のθe)
に第1結晶10の角度位置を調節する。また同時に、X
線検出器15を20設定用レール14に沿って移動させ
、試料33からの回折X線を受光できる2θ位置にxm
検出器15をクランプする。以上により、ロッキングカ
ーブ(第4図)における最大ピーク(08位置)を見つ
けるための調節が完了する。
以上の操作が行われた後、あるいはそれらの操作が行わ
れている適宜のタイミングにおいて、チルト用パルスモ
ータ32を作動させてχ軸を中心として試料33を微少
量傾動させる。これは、試料33のX線回折面を第1結
晶10のX線回折面に対して平行に調節するためにtテ
うものであって。
れている適宜のタイミングにおいて、チルト用パルスモ
ータ32を作動させてχ軸を中心として試料33を微少
量傾動させる。これは、試料33のX線回折面を第1結
晶10のX線回折面に対して平行に調節するためにtテ
うものであって。
通常は「あおり調整」と呼ばれているものである。
以上により、X線回折装置の各光学系間の初期調節が終
了し、上述したロッキングカーブ測定を実行できる状態
となる。
了し、上述したロッキングカーブ測定を実行できる状態
となる。
なお、第1結晶10によって回折されるX線が特定波長
のX線、例えばにα線であることは既に述べた通りであ
るが、このにα線を詳細に観察すると、第5図に示すよ
うに、にα、線とにα2線を含んでいることが既に知ら
れている。本装置のような二結晶法X線回折装置でロッ
キングカーブを測定する場合は、極めて精密な回折X線
強度の変化を検知する必要があり、そのためにも試料3
3に入射されるX線は正確に特定波長のものに限定され
ることが要求され、それ故、低強度のにα2線は除去す
ることが好ましい6本実施例ではそのために第1結晶1
0に対するX線管12、特にポイント焦点Pの位置に関
して次のような方法を採用している。
のX線、例えばにα線であることは既に述べた通りであ
るが、このにα線を詳細に観察すると、第5図に示すよ
うに、にα、線とにα2線を含んでいることが既に知ら
れている。本装置のような二結晶法X線回折装置でロッ
キングカーブを測定する場合は、極めて精密な回折X線
強度の変化を検知する必要があり、そのためにも試料3
3に入射されるX線は正確に特定波長のものに限定され
ることが要求され、それ故、低強度のにα2線は除去す
ることが好ましい6本実施例ではそのために第1結晶1
0に対するX線管12、特にポイント焦点Pの位置に関
して次のような方法を採用している。
既に説明したように、X線管12の内部においては、第
6図に示すように、フィラメント34から放出された熱
電子がターゲット35に衝突して、そこからX線が発生
する0本実施例では1図示のようにポイント状X綿Rが
取り出され、これが第1結晶10(第1図)に照射され
る。この場合、通常のX線管においては、ターゲット3
5からのX線取り出し角度θはθ=6°程度に設定され
ており、従ってポイント状X線Rは正確な正方形ではな
く、例えば0.4閣xO,8m+といったような111
面長方形状になる。
6図に示すように、フィラメント34から放出された熱
電子がターゲット35に衝突して、そこからX線が発生
する0本実施例では1図示のようにポイント状X綿Rが
取り出され、これが第1結晶10(第1図)に照射され
る。この場合、通常のX線管においては、ターゲット3
5からのX線取り出し角度θはθ=6°程度に設定され
ており、従ってポイント状X線Rは正確な正方形ではな
く、例えば0.4閣xO,8m+といったような111
面長方形状になる。
本実施例においては、第3図に示す方向から見た場合の
X$111111Lが短辺(上記の場合の0.4#11
1)となってX線が第1結晶10へ入射するように、X
線管12の取り付は位置を設定しである。このように、
第3図に示す状態の第1結晶10に入射するX線の線l
1%ILが小さければ小さい程、第1結品10で回折し
た後のにα線において、Kα1線の線幅とにα2線の線
幅も同様に狭くなる。その結果、第1結晶10から第2
スリット部材11に至る距離Leが短くても、第2スリ
ット部材11によってにα2線の進行を遮断してにα、
綿のみを通過させること、すなわちにα1線の分離取り
出しを確実に行うことができる。上記の距離Ll!を小
さくできるということは、とりもなおさず、X線回折装
置の全体形状を小型にすることができるということであ
る。
X$111111Lが短辺(上記の場合の0.4#11
1)となってX線が第1結晶10へ入射するように、X
線管12の取り付は位置を設定しである。このように、
第3図に示す状態の第1結晶10に入射するX線の線l
1%ILが小さければ小さい程、第1結品10で回折し
た後のにα線において、Kα1線の線幅とにα2線の線
幅も同様に狭くなる。その結果、第1結晶10から第2
スリット部材11に至る距離Leが短くても、第2スリ
ット部材11によってにα2線の進行を遮断してにα、
綿のみを通過させること、すなわちにα1線の分離取り
出しを確実に行うことができる。上記の距離Ll!を小
さくできるということは、とりもなおさず、X線回折装
置の全体形状を小型にすることができるということであ
る。
以、し、一つの実施例をあげて本発明を説明したが、本
発明はその実施例に限定されない。
発明はその実施例に限定されない。
例えば、試料微回転駆動手段その他の各構成要素の具体
的な構造は他の任意の構造とすることができる。
的な構造は他の任意の構造とすることができる。
試料微回転駆動手段を平行移動させるためのXY子テー
ブル、第2図に示した構造のもののように、必ずしもX
Yの二軸方向に平行移動させるものに限らず、いずれか
一方の方向へ移動させる構造のものを用いることもでき
る。
ブル、第2図に示した構造のもののように、必ずしもX
Yの二軸方向に平行移動させるものに限らず、いずれか
一方の方向へ移動させる構造のものを用いることもでき
る。
[発明の効果]
本発明によれば、XY子テーブル使って試料を水平面内
で平行移動させることにより、試料内の数多くの位置を
測定位置として選択して、ロッキングカーブその他のX
線強度曲線を得ることが可能となった。従って、従来の
ように単に一点のみについて測定を行っていた場合に比
べて、試料の全体にわたって極めて正確な評価を行うこ
とが可能となった。
で平行移動させることにより、試料内の数多くの位置を
測定位置として選択して、ロッキングカーブその他のX
線強度曲線を得ることが可能となった。従って、従来の
ように単に一点のみについて測定を行っていた場合に比
べて、試料の全体にわたって極めて正確な評価を行うこ
とが可能となった。
第1図は本発明に係る試料水平型二結晶X線回折装置の
一実施例の全体を示す斜視図、第2図はそのX線回折装
置の要部を示すIR視図、jff3図は第1図における
矢視■に従って上記X線回折装置を見た場合の模式図、
第4図は上記X線回折装置を使って得られた測定結果で
あるロッキングカーブの一例を示すグラフ、第5図はX
線管より発生するX線の波長成分の一部を示すスペクト
ル図、第6図はX線管内におけるX線の発生の様子を模
式的に示す図である。 4・・一回転フレーム、 5・・・回転フレーム用パ
ルスモータ、 6・・・動力伝達手段、8・・・X線
源回転板、 10・・・第1結晶、12・・・X線管
、15・・・X線検出器、 16・・・XY子テーブ
ル 18・・・Xステージ、 20・・・Yステー
ジ、 23・・・サインバー、 24・・・微回
転駆動用パルスモータ、 25・・・ウオーム、26
・・・微少直進機構、 27・・・ウオームギヤ。
一実施例の全体を示す斜視図、第2図はそのX線回折装
置の要部を示すIR視図、jff3図は第1図における
矢視■に従って上記X線回折装置を見た場合の模式図、
第4図は上記X線回折装置を使って得られた測定結果で
あるロッキングカーブの一例を示すグラフ、第5図はX
線管より発生するX線の波長成分の一部を示すスペクト
ル図、第6図はX線管内におけるX線の発生の様子を模
式的に示す図である。 4・・一回転フレーム、 5・・・回転フレーム用パ
ルスモータ、 6・・・動力伝達手段、8・・・X線
源回転板、 10・・・第1結晶、12・・・X線管
、15・・・X線検出器、 16・・・XY子テーブ
ル 18・・・Xステージ、 20・・・Yステー
ジ、 23・・・サインバー、 24・・・微回
転駆動用パルスモータ、 25・・・ウオーム、26
・・・微少直進機構、 27・・・ウオームギヤ。
Claims (3)
- (1)第1結晶によつて単色化されたX線を試料に照射
し、その試料で回折するX線の強度を測定するX線回折
装置において、 試料が水平に載置される試料台と、 試料台を第1水平軸線を中心として微小ステップ角度で
所定角度範囲にわたつて回転駆動する試料微回転駆動手
段と、 試料台の周囲にその試料台と間隔をおいて設けられた回
転フレームと、 その回転フレームを上記第1水平軸線のまわりに回転さ
せるフレーム回転手段と、 上記回転フレーム上に設けられ、上記第1水平軸線と平
行な第2水平軸線を中心として回動可能な回転台と、 その回転台上に設けられ上記第2水平軸線を中心として
回動可能な第1結晶と、 上記回転台上に固定して配置され、上記第1結晶にX線
を入射させるX線管と を有しており、 上記試料微回転駆動手段は水平面内を平行移動可能なX
Yテーブル上に固定されていることを特徴とするX線回
折装置。 - (2)上記試料台は、第1結晶に対する平行度を調整で
きるように傾動可能であることを特徴とする請求項1記
載のX線回折装置。 - (3)上記試料台の試料載置面を垂直方向へ昇降させる
ための昇降手段を有することを特徴とする請求項1記載
のX線回折装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243043A JPH04121649A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 試料水平型二結晶法x線回折装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2243043A JPH04121649A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 試料水平型二結晶法x線回折装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04121649A true JPH04121649A (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=17097981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2243043A Pending JPH04121649A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 試料水平型二結晶法x線回折装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04121649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05322804A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-07 | Hitachi Ltd | X線反射プロファイル測定方法及び装置 |
| JPH07318517A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | X線回折装置 |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP2243043A patent/JPH04121649A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05322804A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-07 | Hitachi Ltd | X線反射プロファイル測定方法及び装置 |
| JPH07318517A (ja) * | 1994-05-30 | 1995-12-08 | Nec Corp | X線回折装置 |
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