JPH04122070A - 化合物半導体装置 - Google Patents
化合物半導体装置Info
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- JPH04122070A JPH04122070A JP24362890A JP24362890A JPH04122070A JP H04122070 A JPH04122070 A JP H04122070A JP 24362890 A JP24362890 A JP 24362890A JP 24362890 A JP24362890 A JP 24362890A JP H04122070 A JPH04122070 A JP H04122070A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、表面にオーミック電極が設けられた化合物半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
ＩｎＰ （インジウム・リン）基板に格子整合するＩｎ
ＧａＡｓ （インジウムψガリウムーヒ素）やＡｌｌＩ
ｎＡｓ （アルミニウムｅインジウム・ヒ素）等の■−
Ｖ族化合物半導体材料を用いたデバイスにおいて低抵抗
オーミック接触を得るために、例えばＩ ｎＧａＡｓ層
上には、不純物が高濃度に添加されたｎ”−ＩｎＧａＡ
ｓ層が、エピタキシャル成長法によって設けられている
。
ＧａＡｓ （インジウムψガリウムーヒ素）やＡｌｌＩ
ｎＡｓ （アルミニウムｅインジウム・ヒ素）等の■−
Ｖ族化合物半導体材料を用いたデバイスにおいて低抵抗
オーミック接触を得るために、例えばＩ ｎＧａＡｓ層
上には、不純物が高濃度に添加されたｎ”−ＩｎＧａＡ
ｓ層が、エピタキシャル成長法によって設けられている
。
これ以外にも不純物が高濃度に添加されたＩｎＡｓ層が
、電極とＩ ｎＧａＡｓ層との間に設けられた構造も提
案されている。この構造については、例えばＨ，Ｍｏｒ
ｋｏｇらによる報告、“Ｊｏｕｒｎ−ａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏｌ
、６４ ｐ、４２９〜４３１１９８８″で述べられてい
る。この報告によると、ドーピング濃度２Ｘ１０１８（
至）−３、膜厚１５０ＡのＩ ｎＡｓ層をＩ ｎＧａＡ
ｓ層上に設けることにより、２．６Ｘ１０−８Ωという
低抵抗のオーミック接触が得られる。
、電極とＩ ｎＧａＡｓ層との間に設けられた構造も提
案されている。この構造については、例えばＨ，Ｍｏｒ
ｋｏｇらによる報告、“Ｊｏｕｒｎ−ａｌ ｏｆ Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ｖｏｌ
、６４ ｐ、４２９〜４３１１９８８″で述べられてい
る。この報告によると、ドーピング濃度２Ｘ１０１８（
至）−３、膜厚１５０ＡのＩ ｎＡｓ層をＩ ｎＧａＡ
ｓ層上に設けることにより、２．６Ｘ１０−８Ωという
低抵抗のオーミック接触が得られる。
Ｉ ｎＧａＡｓ層やＡｌｌＩｎＡｓ層上に、エピタキシ
ャル成長によってＩ ｎＡｓ層が設けられた構造では、
例えばＩ ｎＧａＡｓ （Ｉ ｎＰ基板上に格不整合し
たもの）の格子定数か５．８６８６Ａであり、ＩｎＡｓ
の格子定数か６．０５８４Ａといった様に、双方の間に
大きな差がある。従ってこの格子不整合により、ＩｎＡ
ｓ層の結晶性が劣化することが考えられ、オーミックコ
ンタクト抵抗を劣化させてしまう懸念がある。さらに、
格子不整合によりＩ ｎＡｓ層に３次元的な核成長が起
こり、試料の表面モフオロジーを劣化させてしまうとい
う問題点がある。
ャル成長によってＩ ｎＡｓ層が設けられた構造では、
例えばＩ ｎＧａＡｓ （Ｉ ｎＰ基板上に格不整合し
たもの）の格子定数か５．８６８６Ａであり、ＩｎＡｓ
の格子定数か６．０５８４Ａといった様に、双方の間に
大きな差がある。従ってこの格子不整合により、ＩｎＡ
ｓ層の結晶性が劣化することが考えられ、オーミックコ
ンタクト抵抗を劣化させてしまう懸念がある。さらに、
格子不整合によりＩ ｎＡｓ層に３次元的な核成長が起
こり、試料の表面モフオロジーを劣化させてしまうとい
う問題点がある。
本発明は、これらの問題点を解決した化合物半導体装置
を提供するものである。
を提供するものである。
本発明は、■−■族化合物半導体材料の層上にコンタク
ト層を挾んでオーミック電極が形成され、そのコンタク
ト層は、Ｇ ａ Ａ ｓ （ガリウム・ヒ素）層とこれ
より膜厚の大きいＩｎＡｓ （インジウム・ヒ素）層と
が交互に堆積した超格子層で構成されていることを特徴
とする。
ト層を挾んでオーミック電極が形成され、そのコンタク
ト層は、Ｇ ａ Ａ ｓ （ガリウム・ヒ素）層とこれ
より膜厚の大きいＩｎＡｓ （インジウム・ヒ素）層と
が交互に堆積した超格子層で構成されていることを特徴
とする。
コンタクト層としてＩ ｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層を用
いることによって、下地のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結
晶層との格子不整合か緩和され、良好な表置モフオロジ
ーのコンタクト層を得ることかできる。さらに、ＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ超格子層の組成において、ＩｎＡｓ層の厚
さをＧａＡｓ層の厚さよりも厚くしてＩ ｎ Ａ ５−
ｒｔｃｈにしているた狛、電極とＩｎＧａＡｓ等の半導
体層との間の電気的なポテンシャル障壁がＩｎＡｓ層の
み用いた場合と同程度のものを得ることができる。
いることによって、下地のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結
晶層との格子不整合か緩和され、良好な表置モフオロジ
ーのコンタクト層を得ることかできる。さらに、ＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ超格子層の組成において、ＩｎＡｓ層の厚
さをＧａＡｓ層の厚さよりも厚くしてＩ ｎ Ａ ５−
ｒｔｃｈにしているた狛、電極とＩｎＧａＡｓ等の半導
体層との間の電気的なポテンシャル障壁がＩｎＡｓ層の
み用いた場合と同程度のものを得ることができる。
ここで、本発明に係る化合物半導体装置について図に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図は、その化合物半導体装置のコンタクト層である
ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層の構成を示したものである
。図示されている様に、■−■族化合物半導体材料層と
してのＡＮＩｎＡｓドーピング層４上にはＩｎＡｓ−Ｇ
ａＡｓ超格子コンタクト層５が形成され、その上にオー
ミック電極を形成するための金属層６か設けられている
。この様に、コンタクト層として超格子層を用いること
により、格子不整合の影響は超格子層を用いない場合に
比べて抑えられる。また、この１ｎＡｓＧａＡｓ超格子
層５は、Ｉ ｎＡｓ ３原子層５ａ□〜５ （膜厚９Ａ
以下）、ＧａＡＳ１原子層５ｂ１〜ｎ ５、。（膜厚３Ａ以下）とが交互に０層ずつ積層される
ことにより、Ｉ ｎ Ａ ５−ｒｉｃｈとされたもので
ある。このため、ＩｎＡｓのみをコンタクト層に用いた
ものと、はぼ同等の効果を実現することが可能になって
いる。
ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層の構成を示したものである
。図示されている様に、■−■族化合物半導体材料層と
してのＡＮＩｎＡｓドーピング層４上にはＩｎＡｓ−Ｇ
ａＡｓ超格子コンタクト層５が形成され、その上にオー
ミック電極を形成するための金属層６か設けられている
。この様に、コンタクト層として超格子層を用いること
により、格子不整合の影響は超格子層を用いない場合に
比べて抑えられる。また、この１ｎＡｓＧａＡｓ超格子
層５は、Ｉ ｎＡｓ ３原子層５ａ□〜５ （膜厚９Ａ
以下）、ＧａＡＳ１原子層５ｂ１〜ｎ ５、。（膜厚３Ａ以下）とが交互に０層ずつ積層される
ことにより、Ｉ ｎ Ａ ５−ｒｉｃｈとされたもので
ある。このため、ＩｎＡｓのみをコンタクト層に用いた
ものと、はぼ同等の効果を実現することが可能になって
いる。
次に、上述のＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層５をＡＩ Ｉ
ｎＡｓ／Ｉ ｎＧａＡｓ高移動度トランジスタ（ＨＥ
Ｍ Ｔ ； Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｔ
ｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉ−ｓｔｏｒ）に応用した実施例
について説明する。基本的には、半絶縁性基板上にバッ
ファ層、チャネル層、ドーピング層、及びコンタクト層
が順次積層された構造を用いている。
ｎＡｓ／Ｉ ｎＧａＡｓ高移動度トランジスタ（ＨＥ
Ｍ Ｔ ； Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｔ
ｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉ−ｓｔｏｒ）に応用した実施例
について説明する。基本的には、半絶縁性基板上にバッ
ファ層、チャネル層、ドーピング層、及びコンタクト層
が順次積層された構造を用いている。
第２図は、その化合物半導体装置の断面概略図である。
半絶縁性基板として用いられているＩｎＰ基板１はＦｅ
（鉄）がドーピングされたものであり、その上にはＡｆ
１１ｎＡｓバッファ層２、Ｇａ Ｉ ｎＡｓチャネル層
３、ＡｉＪＩｎＡｓドーピング層４、前述したＩ ｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ１ｉ格子コンタクト層５が順次積層され、
さらにその上にはオーミック電極７か形成されている。
（鉄）がドーピングされたものであり、その上にはＡｆ
１１ｎＡｓバッファ層２、Ｇａ Ｉ ｎＡｓチャネル層
３、ＡｉＪＩｎＡｓドーピング層４、前述したＩ ｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ１ｉ格子コンタクト層５が順次積層され、
さらにその上にはオーミック電極７か形成されている。
この構造において、Ａ、９１ｎＡｓバッファ層２（膜厚
５０Ａ以下）の組成比はＡ、Ｑ ： Ｉ ｎ ： Ａ
ｓ −０，４８：０：５２：１、ＧａＩｎＡｓチャネル
層３（膜厚１０００Ａ）の組成比はＧ ａ ： Ｉ ｎ
： Ａ ｓ ＝０．４７：０．５３：ｌである。この
上に積層されているＡΩＩｎＡｓドーピング層４は、ア
ンドープＡ、Ｑ Ｉｎ Ａｓ層０．４８ ０
．５２ ４１（膜厚２ＯＡ）、Ｓｔ（ケイ素）を２×１０ ｃ
＋ｎ ドープしたＡｌ１ Ｉｎ Ａｓ層０．
４８ ０．５２ ４２（膜厚３００Ａ）、及びアンドープ” ０．４８Ｉ
ｎ Ａｓ層４３（膜厚１００Ａ）が順次積層０．５
２ されたものである。さらに、このＡｌｌＩｎＡｓ層４上
に形成されているＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子コンタクト
層５は、前述した様にＩｎＡｓ３原子層５ａ （膜厚
９Ａ程度）とＧａＡｓ１原子層５ｂ（膜厚３Ａ程度）と
が交互に１０層づつ積層されたものである。このＩ ｎ
Ａｓ−ＧａＡｓ超格子コンタクト層５中にはＳｉかドー
ピングされており、そのドーピング濃度は、１ ｘ １
０１９ｃＩｎ−３である。
５０Ａ以下）の組成比はＡ、Ｑ ： Ｉ ｎ ： Ａ
ｓ −０，４８：０：５２：１、ＧａＩｎＡｓチャネル
層３（膜厚１０００Ａ）の組成比はＧ ａ ： Ｉ ｎ
： Ａ ｓ ＝０．４７：０．５３：ｌである。この
上に積層されているＡΩＩｎＡｓドーピング層４は、ア
ンドープＡ、Ｑ Ｉｎ Ａｓ層０．４８ ０
．５２ ４１（膜厚２ＯＡ）、Ｓｔ（ケイ素）を２×１０ ｃ
＋ｎ ドープしたＡｌ１ Ｉｎ Ａｓ層０．
４８ ０．５２ ４２（膜厚３００Ａ）、及びアンドープ” ０．４８Ｉ
ｎ Ａｓ層４３（膜厚１００Ａ）が順次積層０．５
２ されたものである。さらに、このＡｌｌＩｎＡｓ層４上
に形成されているＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子コンタクト
層５は、前述した様にＩｎＡｓ３原子層５ａ （膜厚
９Ａ程度）とＧａＡｓ１原子層５ｂ（膜厚３Ａ程度）と
が交互に１０層づつ積層されたものである。このＩ ｎ
Ａｓ−ＧａＡｓ超格子コンタクト層５中にはＳｉかドー
ピングされており、そのドーピング濃度は、１ ｘ １
０１９ｃＩｎ−３である。
以上述べてきたこれらの半導体結晶層を成長させる際に
は、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ ； Ｍｏ１
ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いるこ
とかでき、ＡｌｌｎＡｓ層２．４、及びＩｎＧａＡｓ層
３については基板温度５００℃、ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超
格子コンタクト層５については基板温度３５０℃で成長
が行われる。この半導体結晶層上にはフォトリソグラフ
ィ技術を用いて形成されたオーミック電極７か設けられ
ている。このオーミック電極７は、Ａｕ、Ｇｅ７１（金
・ゲルマニウム）（膜厚１０００Ａ） 、Ｎｉ ７２
にッケル）（膜厚４０ＯＡ） 、Ａｕ７Ｂ （膜厚２０
０ＯＡ）を順次蒸着後リフトオフによって形成され、さ
らに水素雰囲気中で４００℃、１分間の熱処理が施され
たものである。
は、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ ； Ｍｏ１
ｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）を用いるこ
とかでき、ＡｌｌｎＡｓ層２．４、及びＩｎＧａＡｓ層
３については基板温度５００℃、ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超
格子コンタクト層５については基板温度３５０℃で成長
が行われる。この半導体結晶層上にはフォトリソグラフ
ィ技術を用いて形成されたオーミック電極７か設けられ
ている。このオーミック電極７は、Ａｕ、Ｇｅ７１（金
・ゲルマニウム）（膜厚１０００Ａ） 、Ｎｉ ７２
にッケル）（膜厚４０ＯＡ） 、Ａｕ７Ｂ （膜厚２０
０ＯＡ）を順次蒸着後リフトオフによって形成され、さ
らに水素雰囲気中で４００℃、１分間の熱処理が施され
たものである。
上記の構造を有する半導体装置について、ＴＬＭ （Ｔ
ｒａｎｓＩＩｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ｍｅｔｈｏｄ）
によりオーミックコンタクト抵抗を測定したところ、２
．０×１０−７Ω■２という低いコンタクト抵抗が得ら
れた。
ｒａｎｓＩＩｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ｍｅｔｈｏｄ）
によりオーミックコンタクト抵抗を測定したところ、２
．０×１０−７Ω■２という低いコンタクト抵抗が得ら
れた。
そこで、従来構造の半導体装置についても同様にオーミ
ックコンタクト抵抗を測定し、実際に比較してみた。第
３図はこの比較に用いた従来の半導体装置の断面概略図
である。ｒｎＰ基板１上には、ＡｆＩｌｎＡｓバッファ
層２、Ｇａ Ｉ ｎＡｓチャネル層３、及びＡ、ＱＩｎ
Ａｓドーピング層４が順次積層され、その上にコンタク
ト層としてＩｎＡｓ層８が積層されている。このＩｎＡ
ｓコンタクト層８にはＳｌがドープされており、その濃
度はｌＸ１０ｃｍ、膜厚１００Ａである。前述の測定法
ＴＬＭを用いて、この半導体装置についてオーミックコ
ンタクト抵抗を測定したところ、２．５Ｘ１０−７Ωｃ
ｎ１２という値が得られた。
ックコンタクト抵抗を測定し、実際に比較してみた。第
３図はこの比較に用いた従来の半導体装置の断面概略図
である。ｒｎＰ基板１上には、ＡｆＩｌｎＡｓバッファ
層２、Ｇａ Ｉ ｎＡｓチャネル層３、及びＡ、ＱＩｎ
Ａｓドーピング層４が順次積層され、その上にコンタク
ト層としてＩｎＡｓ層８が積層されている。このＩｎＡ
ｓコンタクト層８にはＳｌがドープされており、その濃
度はｌＸ１０ｃｍ、膜厚１００Ａである。前述の測定法
ＴＬＭを用いて、この半導体装置についてオーミックコ
ンタクト抵抗を測定したところ、２．５Ｘ１０−７Ωｃ
ｎ１２という値が得られた。
これら測定結果の比較から、ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子
コンタクト層が、実用に耐え得る十分低いコンタクト抵
抗を有していることが明らかとなった。さらに、Ｉ ｎ
Ａｓ−ＧａＡｓ超格子コンタクト層がほとんど鏡面であ
るのに対して、ＩｎＡｓコンタクト層はごくわずかでは
あるものの白濁か見られ、表面モフォロジーにおいても
ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層が良好であることが明らか
になった。
コンタクト層が、実用に耐え得る十分低いコンタクト抵
抗を有していることが明らかとなった。さらに、Ｉ ｎ
Ａｓ−ＧａＡｓ超格子コンタクト層がほとんど鏡面であ
るのに対して、ＩｎＡｓコンタクト層はごくわずかでは
あるものの白濁か見られ、表面モフォロジーにおいても
ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層が良好であることが明らか
になった。
コンタクト層にＩ ｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層を用いる
場合については、Ｈ，Ｍｏｒｋｏ９らによってＪｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ｖｏｌ。
場合については、Ｈ，Ｍｏｒｋｏ９らによってＪｏｕｒ
ｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ ｖｏｌ。
５３ ｐ、９００〜９０１１９８８″で述べられている
。但しこの場合は、Ｉ ｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層の組
成が（ＩｎＡｓ層膜厚）＝ （ＧａＡｓ層膜厚）であり
、格子の整合、及び不整合については特に言及されてい
ない。
。但しこの場合は、Ｉ ｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子層の組
成が（ＩｎＡｓ層膜厚）＝ （ＧａＡｓ層膜厚）であり
、格子の整合、及び不整合については特に言及されてい
ない。
なお本実施例は、Ａｌ１１ｎＡｓ／ＩｎＧａＡｓＨＥＭ
Ｔのコンタクト層を例に説明したもので、これ以外にも
ＧａＡｓ５Ａ（ｌ ＧａＡｓ５ＡＩ ＧａＩｎＡｓなど
、これまで高濃度に不純物を添加したＩｎＡｓやＩ ｎ
ＧａＡｓをコンタクト層として用いていたものについて
はすべて適用可能である。
Ｔのコンタクト層を例に説明したもので、これ以外にも
ＧａＡｓ５Ａ（ｌ ＧａＡｓ５ＡＩ ＧａＩｎＡｓなど
、これまで高濃度に不純物を添加したＩｎＡｓやＩ ｎ
ＧａＡｓをコンタクト層として用いていたものについて
はすべて適用可能である。
また、コンタクト層の形成手段についてもＭＢＥ法に限
らず有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ；Ｏｒｇａｎｏ
Ｍｅｔａｌｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａ
ｘｙ）など、主々の設計変更を施すことが可能である。
らず有機金属気相成長法（ＯＭＶＰＥ；Ｏｒｇａｎｏ
Ｍｅｔａｌｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａ
ｘｙ）など、主々の設計変更を施すことが可能である。
以上説明した様に本発明において、オーミック電極下の
コンタクト層の材料としてＩｎＡｓ−ｒｉｃｈのＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ超格子を用いることにより、格子不整合が
ある場合でも表面モフオロジーが良好であるコンタクト
層を得る事ができ、さらに、オーミックコンタクト抵抗
の十分低い半導体装置を得ることができる。
コンタクト層の材料としてＩｎＡｓ−ｒｉｃｈのＩｎＡ
ｓ−ＧａＡｓ超格子を用いることにより、格子不整合が
ある場合でも表面モフオロジーが良好であるコンタクト
層を得る事ができ、さらに、オーミックコンタクト抵抗
の十分低い半導体装置を得ることができる。
第１図は本発明に係る化合物半導体に用いられるＩ ｎ
Ａｓ−ＧａＡｓ超格子層の構成を示す図、第２図は本発
明の実施例に係る化合物半導体の構造断面図、第３図は
従来の化合物半導体の構造断面図である。 １・・・ＩｎＰ基板、２・・・Ａｌｌ ＩｎＡｓバッフ
ァ層、３＝−ＧａｌｎＡｓチャネル層、４−Ａ１１Ｉｎ
Ａｓド一ピング層、５・・・ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子
コンタクト層、 ■ コンタ ク ト層、 ６・・・金属層、 ７・・・オーミ ク電極。
Ａｓ−ＧａＡｓ超格子層の構成を示す図、第２図は本発
明の実施例に係る化合物半導体の構造断面図、第３図は
従来の化合物半導体の構造断面図である。 １・・・ＩｎＰ基板、２・・・Ａｌｌ ＩｎＡｓバッフ
ァ層、３＝−ＧａｌｎＡｓチャネル層、４−Ａ１１Ｉｎ
Ａｓド一ピング層、５・・・ＩｎＡｓ−ＧａＡｓ超格子
コンタクト層、 ■ コンタ ク ト層、 ６・・・金属層、 ７・・・オーミ ク電極。
Claims (1)
- III−Ｖ族化合物半導体材料の層上にコンタクト層を挾
んでオーミック電極が形成され、前記コンタクト層は、
ＧａＡｓ（ガリウム・ヒ素）層とこれより膜厚の大きい
ＩｎＡｓ（インジウム・ヒ素）層とが交互に堆積した超
格子層で構成されていることを特徴とする、化合物半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24362890A JPH04122070A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24362890A JPH04122070A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04122070A true JPH04122070A (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=17106655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24362890A Pending JPH04122070A (ja) | 1990-09-13 | 1990-09-13 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04122070A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6479836B1 (en) * | 1999-08-19 | 2002-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2005260255A (ja) * | 1996-02-19 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US7365369B2 (en) | 1997-06-11 | 2008-04-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
-
1990
- 1990-09-13 JP JP24362890A patent/JPH04122070A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260255A (ja) * | 1996-02-19 | 2005-09-22 | Sharp Corp | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US7365369B2 (en) | 1997-06-11 | 2008-04-29 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| US6479836B1 (en) * | 1999-08-19 | 2002-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
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