JPH04123307A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JPH04123307A JPH04123307A JP24234490A JP24234490A JPH04123307A JP H04123307 A JPH04123307 A JP H04123307A JP 24234490 A JP24234490 A JP 24234490A JP 24234490 A JP24234490 A JP 24234490A JP H04123307 A JPH04123307 A JP H04123307A
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- Japan
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- magnetoresistive
- film
- pair
- magnetoresistive film
- head
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は媒体に磁気的に記録された情報を読取るための
専用の感磁素子に係る。さらに詳しくは強磁性体膜の磁
気抵抗効果を利用した高感度の磁気抵抗効果型ヘッドに
関する。
専用の感磁素子に係る。さらに詳しくは強磁性体膜の磁
気抵抗効果を利用した高感度の磁気抵抗効果型ヘッドに
関する。
従来の磁気抵抗効果型ヘッドは、例えば特開昭５０−６
５２１３号公報において記載されている６第４図に上記
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構造を示す。基板１
上に下部シールド部材２を形成し、その上に絶縁層３を
基板上で全面に約２０００人程度の厚さに均一な膜厚と
なるように堆積する。
５２１３号公報において記載されている６第４図に上記
従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構造を示す。基板１
上に下部シールド部材２を形成し、その上に絶縁層３を
基板上で全面に約２０００人程度の厚さに均一な膜厚と
なるように堆積する。
その上に２００〜５００人の厚さの磁気抵抗効果素子４
を形成した後、その両端に電極５を接続する。再び絶縁
層６を基板全面で均一な膜厚となるように堆積した後、
上部シールド部材７を形成する。
を形成した後、その両端に電極５を接続する。再び絶縁
層６を基板全面で均一な膜厚となるように堆積した後、
上部シールド部材７を形成する。
磁気記録密度の増加の要求にともなって記録ビット長を
減少させる必要が生じる。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
用いて再生を行う場合、前後に隣接した記録信号の影響
を除去し、ノイズを低減するためにはトラック部におけ
る上部シールド部材と下部シールド部材の間隔を記録ビ
ット長以下に狭めなけ九ばならない。そのためには、磁
気抵抗効果素子と絶縁層の膜厚を薄くする必要がある。
減少させる必要が生じる。磁気抵抗効果型磁気ヘッドを
用いて再生を行う場合、前後に隣接した記録信号の影響
を除去し、ノイズを低減するためにはトラック部におけ
る上部シールド部材と下部シールド部材の間隔を記録ビ
ット長以下に狭めなけ九ばならない。そのためには、磁
気抵抗効果素子と絶縁層の膜厚を薄くする必要がある。
しかし、磁気抵抗効果素子として一般に用いられている
ＮｉＦｅ合金等は、膜厚が約４０ｎｍ以下になると表面
の構造が不均一になり、磁気特性が急激に低下する。そ
のため、磁気抵抗効果膜の膜厚限界は制限されてしまう
。そこで、絶縁層の膜厚を出来る限り薄くしなければな
らない、しかし。
ＮｉＦｅ合金等は、膜厚が約４０ｎｍ以下になると表面
の構造が不均一になり、磁気特性が急激に低下する。そ
のため、磁気抵抗効果膜の膜厚限界は制限されてしまう
。そこで、絶縁層の膜厚を出来る限り薄くしなければな
らない、しかし。
上述した磁気抵抗効果型磁気ヘッドでは、絶縁層の膜厚
が基板全面で均一となるように基板面にほぼ垂直な方向
から堆積されている。そのため、磁気抵抗効果素子と電
極の接続部４１や、電極が磁気抵抗効果素子に乗り上げ
る部分４２などに生じる段差では、絶縁層の膜厚が薄く
なってしまい電極と上下シールド間で短絡するおそれが
あった。
が基板全面で均一となるように基板面にほぼ垂直な方向
から堆積されている。そのため、磁気抵抗効果素子と電
極の接続部４１や、電極が磁気抵抗効果素子に乗り上げ
る部分４２などに生じる段差では、絶縁層の膜厚が薄く
なってしまい電極と上下シールド間で短絡するおそれが
あった。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解消す
るものであって、トラック部における狭ギャップ化を図
りつつ、段差部において短絡しない磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することにある。
るものであって、トラック部における狭ギャップ化を図
りつつ、段差部において短絡しない磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを提供することにある。
上記本発明を達成するために、本発明は磁気抵抗効果膜
と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す為に上記磁気抵抗効
果膜に接続された一対の導体部と。
と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す為に上記磁気抵抗効
果膜に接続された一対の導体部と。
上記磁気抵抗効果膜の上下に設けられたシールド層と、
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、上記トラック部における絶縁体膜
の厚さと、トラック部以外の絶縁体膜の厚さが異なる磁
気抵抗効果型ヘッドとして構成される。
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、上記トラック部における絶縁体膜
の厚さと、トラック部以外の絶縁体膜の厚さが異なる磁
気抵抗効果型ヘッドとして構成される。
磁気抵抗効果素子のトラック部の上下には設計値に従っ
た膜厚の絶縁層を薄く堆積でき、高記録密度化に対応し
た磁気ヘッドを作製できる。そして、トラック部以外の
部分では絶縁層の膜厚を厚くできるため、断差部におけ
る導線とシールド部材の短絡を防止できる。
た膜厚の絶縁層を薄く堆積でき、高記録密度化に対応し
た磁気ヘッドを作製できる。そして、トラック部以外の
部分では絶縁層の膜厚を厚くできるため、断差部におけ
る導線とシールド部材の短絡を防止できる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面に基づいてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
（実施例１）
第１図（ａ）、（ｂ）は、本実施例において例示する磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの概略を示す。
気抵抗効果型磁気ヘッドの概略を示す。
第２図は本実施例において例示する磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造工程を示す図である。
ヘッドの製造工程を示す図である。
本実施例においては、非磁性基板１上にＮｉ−Ｆｅ合金
などの軟磁性体膜よりなる磁気シールド２を０．５〜３
μｍの厚さに、真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積
層し、ホトリソグラフィの手法により、所定の形状にパ
ターニングした。その上に絶縁層３ａとなる５ｉｎ２や
ＡＱ、Ｏ，を０．０５〜０．５μｍの厚さに、スパッタ
法を用いて積層した。
などの軟磁性体膜よりなる磁気シールド２を０．５〜３
μｍの厚さに、真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積
層し、ホトリソグラフィの手法により、所定の形状にパ
ターニングした。その上に絶縁層３ａとなる５ｉｎ２や
ＡＱ、Ｏ，を０．０５〜０．５μｍの厚さに、スパッタ
法を用いて積層した。
磁気抵抗効果膜４ａとなるＮｉ−Ｆｅ合金膜とＮｂなど
からなるシャント膜４ｂを真空蒸着法やスパッタ法など
を用いて絶縁層３ａの上に積層した後、ホトリソグラフ
ィの手法により所定の形状にパターニングした。なお、
磁気抵抗効果膜４ａとしてはＮｉ−Ｆｅ合金のほかに、
例えばＮｉ−Ｃ０合金など磁気抵抗効果をもつ他の合金
系材料を使用してもなんら差し支えない。
からなるシャント膜４ｂを真空蒸着法やスパッタ法など
を用いて絶縁層３ａの上に積層した後、ホトリソグラフ
ィの手法により所定の形状にパターニングした。なお、
磁気抵抗効果膜４ａとしてはＮｉ−Ｆｅ合金のほかに、
例えばＮｉ−Ｃ０合金など磁気抵抗効果をもつ他の合金
系材料を使用してもなんら差し支えない。
次に絶縁層３ｂとなるＳ ｉ Ｏ，やＡｌ２Ｏ，を、０
．０５〜０．５μｍの厚さに磁気抵抗効果素子４以外の
部分に堆積する。このとき、磁気抵抗効果素子４の上に
マスクとしてレジストパターンを形成してからＳ ｉ
Ｏ，やＡｌ２Ｏ，などをイオンビームスパッタ法を用い
て堆積し、その後レジストパターンを有機溶剤などで除
去するりフトオフ法を用いる。
．０５〜０．５μｍの厚さに磁気抵抗効果素子４以外の
部分に堆積する。このとき、磁気抵抗効果素子４の上に
マスクとしてレジストパターンを形成してからＳ ｉ
Ｏ，やＡｌ２Ｏ，などをイオンビームスパッタ法を用い
て堆積し、その後レジストパターンを有機溶剤などで除
去するりフトオフ法を用いる。
そして引き続き、磁気抵抗効果膜４ａとシャント膜４ｂ
の端部に検出電流を流すための導体部５と絶縁層６ａを
、ＣｕやＡｕ、Ａｇなどの良導体を０ 、１〜０ 、５
ｐ ｍの厚さに、Ｓｉｎ、やＡＱ、Ｏ。
の端部に検出電流を流すための導体部５と絶縁層６ａを
、ＣｕやＡｕ、Ａｇなどの良導体を０ 、１〜０ 、５
ｐ ｍの厚さに、Ｓｉｎ、やＡＱ、Ｏ。
などの絶縁材料を０．１〜１μｍの厚さに連続して積層
し、ホトリソグラフィの手法により２層同時にパターニ
ングして作製した。ここで、２本の導体部５の間隔すな
わちトラックｌｉＴｗは５μｍとした。また、導体部５
の材料としてＣｕを用いた場合には、酸化防止のために
Ｃｒ層を上下に設けると良い。
し、ホトリソグラフィの手法により２層同時にパターニ
ングして作製した。ここで、２本の導体部５の間隔すな
わちトラックｌｉＴｗは５μｍとした。また、導体部５
の材料としてＣｕを用いた場合には、酸化防止のために
Ｃｒ層を上下に設けると良い。
次に、絶縁層６ｂとなるＳｉＯ□やＡＪｘＯａを基板全
面で均一に形成するためにスパッタ法などにより０．０
５〜１．０μｍの厚さに積層した。
面で均一に形成するためにスパッタ法などにより０．０
５〜１．０μｍの厚さに積層した。
最後に、Ｎｉ−Ｆｅ合金などの軟磁性体膜よりなる磁気
シールド７を０．５〜３μｍの厚さに。
シールド７を０．５〜３μｍの厚さに。
真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積層し、ホトリソ
グラフィの手法により、所定の形状にパタニングした。
グラフィの手法により、所定の形状にパタニングした。
なお、本実施例においては、バイアス印加手段としてシ
ャントｌ［４ｂ （Ｎｂ膜りを設ける場合を示したが、
その他に電流線あるいは永久磁石などを用いても本発明
の効果は変わらない、また、磁気シールド２，７に軟磁
性体膜を使用する例を挙げたが、これの代りにバルクの
軟磁性体を用いても上記と同様の効果が得られることは
言うまでもない。
ャントｌ［４ｂ （Ｎｂ膜りを設ける場合を示したが、
その他に電流線あるいは永久磁石などを用いても本発明
の効果は変わらない、また、磁気シールド２，７に軟磁
性体膜を使用する例を挙げたが、これの代りにバルクの
軟磁性体を用いても上記と同様の効果が得られることは
言うまでもない。
（実施例２）
第３図は第２の実施例である磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
本実施例においては、非磁性基板１上にＮｉ−Ｆｅ合金
などの軟磁性体膜よりなる磁気シールド２を０．５〜３
μｍの厚さに、真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積
層し、ホトリソグラフィの手法により、所定の形状にパ
ターニングした。その上に絶縁層３ａとなるＳｉＯ，や
Ａ Ｑ ａ Ｏｘを０．０５〜０．５μｍの厚さに、ス
パッタ法を用いて積層した後、次の工程で形成する磁気
抵抗効果膜４ａの幅と同等以上の部分をイオンミリング
法などを用いて除去した。
などの軟磁性体膜よりなる磁気シールド２を０．５〜３
μｍの厚さに、真空蒸着法やスパッタ法などの手段で積
層し、ホトリソグラフィの手法により、所定の形状にパ
ターニングした。その上に絶縁層３ａとなるＳｉＯ，や
Ａ Ｑ ａ Ｏｘを０．０５〜０．５μｍの厚さに、ス
パッタ法を用いて積層した後、次の工程で形成する磁気
抵抗効果膜４ａの幅と同等以上の部分をイオンミリング
法などを用いて除去した。
次にＪｌ！縁層３ｂとなるＳ ｉ Ｏ２やＡρ、０３を
、スパッタ法などにより０．０５〜１．０μｍの厚さに
積層した。ついで、磁気抵抗効果膜４ａとなるＮｉ−Ｆ
ｅ合金膜とＮｂよりなるに＝Ｍシャント膜４ｂを真空蒸
着法やスパッタ法などを用いて絶縁層３ｂの上に積層し
た後、ホトリソグラフィの手法により所定の形状にパタ
ーニングした。なお、磁気抵抗効果膜４ａとしてはＮ
ｉ −Ｆ ｅ合金のほかに、例えばＮｉ−Ｃｏ合金など
磁気抵抗効果をもつ他の合金系材料を使用してもなんら
差し支えない。
、スパッタ法などにより０．０５〜１．０μｍの厚さに
積層した。ついで、磁気抵抗効果膜４ａとなるＮｉ−Ｆ
ｅ合金膜とＮｂよりなるに＝Ｍシャント膜４ｂを真空蒸
着法やスパッタ法などを用いて絶縁層３ｂの上に積層し
た後、ホトリソグラフィの手法により所定の形状にパタ
ーニングした。なお、磁気抵抗効果膜４ａとしてはＮ
ｉ −Ｆ ｅ合金のほかに、例えばＮｉ−Ｃｏ合金など
磁気抵抗効果をもつ他の合金系材料を使用してもなんら
差し支えない。
そして引き続き、磁気抵抗効果膜４ａの端部に検出電流
を流すための導体部５としてＣｕやＡｕ。
を流すための導体部５としてＣｕやＡｕ。
Ａｇなどの良導体を、絶縁層６ａとして５ｉｎ２やＡＪ
２０．などの絶縁材料を連続して積層し、ホトリソグラ
フィの手法によりパターニングして作製した。ここで、
２本の導体部５の間隔すなわちトラック幅Ｔｗは５μｍ
とした。また、導体部５の材料としてＣｕを用いた場合
には、酸化防止のためにＣｒ層を上下に設けると良い。
２０．などの絶縁材料を連続して積層し、ホトリソグラ
フィの手法によりパターニングして作製した。ここで、
２本の導体部５の間隔すなわちトラック幅Ｔｗは５μｍ
とした。また、導体部５の材料としてＣｕを用いた場合
には、酸化防止のためにＣｒ層を上下に設けると良い。
次に、絶縁層６ｂとなる５ｉ０２やＡｆｉ、Ｏ，を基板
全面で均一に形成するためにスパッタ法などにより０．
０５〜１．０μｍの厚さに積層した。
全面で均一に形成するためにスパッタ法などにより０．
０５〜１．０μｍの厚さに積層した。
最後に、Ｎｉ−Ｆｅ合金などの軟磁性体膜よりなる磁気
シールド７を０．５〜３μｍの厚さに、真空蒸着法やス
パッタ法などの手段で積層し、ホトリソグラフィの手法
により、所定の形状にパターニングした。
シールド７を０．５〜３μｍの厚さに、真空蒸着法やス
パッタ法などの手段で積層し、ホトリソグラフィの手法
により、所定の形状にパターニングした。
なお、本実施例においても、バイアス印加手段としてシ
ャント膜４ｂ（Ｎｂ膜）を設ける場合を示したが、その
他に電流線あるいは永久磁石などを用いても本発明の効
果は変わらない、また、磁気シールド２，７に軟磁性体
膜を使用する例を挙げたが、これの代わりにバルクの軟
磁性体を用いても上記と同様の効果が得られることは言
うまでもない。
ャント膜４ｂ（Ｎｂ膜）を設ける場合を示したが、その
他に電流線あるいは永久磁石などを用いても本発明の効
果は変わらない、また、磁気シールド２，７に軟磁性体
膜を使用する例を挙げたが、これの代わりにバルクの軟
磁性体を用いても上記と同様の効果が得られることは言
うまでもない。
以上詳細に説明したごとく本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドは、磁気抵抗効果素子のトラック部の上下には設
計値に従った膜厚の絶縁層を堆積でき、高記録密度化に
対応した磁気ヘッドを作製できる。そして、トラック部
以外の部分では絶縁層の膜厚を厚くできるため、断差部
における導線とシールド層の短絡を防止できる効果があ
る。
ヘッドは、磁気抵抗効果素子のトラック部の上下には設
計値に従った膜厚の絶縁層を堆積でき、高記録密度化に
対応した磁気ヘッドを作製できる。そして、トラック部
以外の部分では絶縁層の膜厚を厚くできるため、断差部
における導線とシールド層の短絡を防止できる効果があ
る。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの概略を示す斜視図と断面図、第２図は本発明の磁
気抵抗効果型ヘッドの製造工程を示した断面図、第３図
は本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの他の製造工程を
示した断面図、第４図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの概略を示す斜視図である。 ’ｆ）＋ 凹 （メ〕 猶 図
ッドの概略を示す斜視図と断面図、第２図は本発明の磁
気抵抗効果型ヘッドの製造工程を示した断面図、第３図
は本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの他の製造工程を
示した断面図、第４図は従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドの概略を示す斜視図である。 ’ｆ）＋ 凹 （メ〕 猶 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体からの磁束信号を検出する磁気抵抗効
果素子と、該磁気抵抗効果素子に電流を流して同時にそ
の両端の電圧を読み取るため磁気抵抗効果素子に接続さ
れた２本の導体部と、上記磁気抵抗効果素子に接続した
２本の導体部の間隔をトラック部とし、さらに上記磁気
抵抗効果素子を磁気的にシールドするための一対の磁気
シールド部材と、該シールド部材と上記磁気抵抗効果素
子の間の絶縁層を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、少なくともトラック部における絶縁層の厚さと、トラ
ック部以外の部分における絶縁層の厚さが異なることを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ２、請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、導
体部が形成されている部分の磁気シールド部材の間隔は
トラック部における磁気シールド部材の間隔よりも広い
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ３、請求項１または２記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、その両側に薄膜あるいはバルクの磁気シールド部
材を設置したことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 ４、請求項１〜３のうちいずれかに記載の磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、バイアス印加手段としてシャント膜
や電流線あるいは永久磁石などを１つあるいは２つ以上
を組合せて用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 ５、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す
為に上記磁気抵抗効果膜に接続された一対の導体部と、
上記磁気抵抗効果膜の上下に設けられたシールド層と、
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、上記トラック部における絶縁体膜
の厚さと、トラック部以外の絶縁体膜の厚さが異なる磁
気抵抗効果型ヘッド。 ６、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す
為に上記磁気抵抗効果膜に接続された一対の導体部と、
上記磁気抵抗効果膜の上下に設けられたシールド層と、
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、上記絶縁体層の厚さが不均一な磁
気抵抗効果型ヘッド。 ７、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す
為に上記磁気抵抗効果膜に接続された一対の導体部と、
上記磁気抵抗効果膜の上下に設けられたシールド層と、
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドにおいて、上記トラック部以外の部分で上記
シールド層と絶縁体層が平行となっている磁気抵抗効果
型ヘッド。 ８、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す
為に上記磁気抵抗効果膜に接続された一対の導体部と、
上記磁気抵抗効果膜の上下に設けられたシールド層と、
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドの製造方法において、絶縁物をマスクを用い
て複数回積層することによって上記絶縁体膜を形成し、
上記絶縁体膜の厚さを場所によって異ならせる磁気抵抗
効果型ヘッドの製造方法。 ９、磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜に電流を流す
為に上記磁気抵抗効果膜に接続された一対の導体部と、
上記磁気抵抗効果膜の上下に設けられたシールド層と、
該シールド層と上記磁気抵抗効果膜の間に設けられた絶
縁体層を有し、上記一対の導体部の間隔を磁気記録媒体
からの磁束信号を検出するトラック部とした磁気抵抗効
果型ヘッドの製造方法において、上記磁気抵抗効果膜の
上に絶縁物を表面が平坦になるように堆積した後、少な
くともトラック部の一部の上記絶縁物に溝を設け、その
上に上記シールド層を形成する磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24234490A JPH04123307A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24234490A JPH04123307A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04123307A true JPH04123307A (ja) | 1992-04-23 |
Family
ID=17087804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24234490A Pending JPH04123307A (ja) | 1990-09-14 | 1990-09-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04123307A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701221A (en) * | 1994-04-06 | 1997-12-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive thin-film magnetic head and method of fabrication thereof |
| US5792546A (en) * | 1993-11-22 | 1998-08-11 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head and method of producing the same |
-
1990
- 1990-09-14 JP JP24234490A patent/JPH04123307A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5792546A (en) * | 1993-11-22 | 1998-08-11 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head and method of producing the same |
| US5701221A (en) * | 1994-04-06 | 1997-12-23 | Hitachi, Ltd. | Magnetoresistive thin-film magnetic head and method of fabrication thereof |
| US5897969A (en) * | 1994-04-06 | 1999-04-27 | Hitachi, Ltd. | Method of fabricating a magnetoresistive thin-film magnetic head |
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