JPH0412428A - ヒューズエレメント - Google Patents
ヒューズエレメントInfo
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- JPH0412428A JPH0412428A JP11365290A JP11365290A JPH0412428A JP H0412428 A JPH0412428 A JP H0412428A JP 11365290 A JP11365290 A JP 11365290A JP 11365290 A JP11365290 A JP 11365290A JP H0412428 A JPH0412428 A JP H0412428A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H85/00—Protective devices in which the current flows through a part of fusible material and this current is interrupted by displacement of the fusible material when this current becomes excessive
- H01H85/02—Details
- H01H85/04—Fuses, i.e. expendable parts of the protective device, e.g. cartridges
- H01H85/05—Component parts thereof
- H01H85/055—Fusible members
- H01H85/06—Fusible members characterised by the fusible material
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電流ヒユーズに使用するヒユーズエレメントに
関するものである。
関するものである。
（従来の技術）
電流ヒユーズにおいては、過電流が流れると、ヒユーズ
エレメント自体のジュール熱によってヒユーズエレメン
トが溶断し、通電を遮断する。
エレメント自体のジュール熱によってヒユーズエレメン
トが溶断し、通電を遮断する。
ところで、電子部品を搭載した回路基板髪、当該基板に
装着した電流ヒユーズによって保護する場合、電流ヒユ
ーズエレメントの溶融温度が余り高いと、ヒユーズエレ
メントの溶断時に、回路基板が熱的に損傷しやすく、回
路基板の継続使用が不可能となる。
装着した電流ヒユーズによって保護する場合、電流ヒユ
ーズエレメントの溶融温度が余り高いと、ヒユーズエレ
メントの溶断時に、回路基板が熱的に損傷しやすく、回
路基板の継続使用が不可能となる。
従って、電流ヒユーズエレメントには、比較的融点の低
い低融点可溶合金を使用することが望ましく、その融点
は回路基板のはんだ付は温度を勘案して２５０℃〜３０
０℃にすることが妥当である。
い低融点可溶合金を使用することが望ましく、その融点
は回路基板のはんだ付は温度を勘案して２５０℃〜３０
０℃にすることが妥当である。
しかしながら、回路基板を保護対象とする電流ヒユーズ
においては、電子部品のコンパクト性との均衡上、ヒユ
ーズニレメン１へを極細化する必要があり、かかる極細
の低融点可溶合金線では、引っ張り強度が弱く、ヒユー
ズの製作中、運搬中等でのヒユーズエレメントの断線が
懸念される。
においては、電子部品のコンパクト性との均衡上、ヒユ
ーズニレメン１へを極細化する必要があり、かかる極細
の低融点可溶合金線では、引っ張り強度が弱く、ヒユー
ズの製作中、運搬中等でのヒユーズエレメントの断線が
懸念される。
本発明の目的は、低融点可溶合金線を電流ヒユーズエレ
メントとして使用可能ならしめることにある。
メントとして使用可能ならしめることにある。
（課題を解決するための手段）
本発明に係わるヒユーズエレメントは融点が２３０℃〜
３３０℃の低融点可溶合金体の表面に酸化被膜を設け、
表面積１ａｎ”当たりの酸素量を３゜０ ｐｐｍ以下で
且つ１ｇ当たりの酸素量を５０ｐｐｍ以下としたことを
特徴とする構成である。
３３０℃の低融点可溶合金体の表面に酸化被膜を設け、
表面積１ａｎ”当たりの酸素量を３゜０ ｐｐｍ以下で
且つ１ｇ当たりの酸素量を５０ｐｐｍ以下としたことを
特徴とする構成である。
（作用）
低融点可溶合金体表面の酸化被膜は、低融点可溶合金よ
りも硬く、従って、ヤング率が高く、ヒユーズエレメン
トに作用する力の相当部分を酸化被膜に負荷でき、低融
点可溶合金体に作用する応力を良く軽減できる。従って
、ヒユーズエレメントの断線が生じにくくなる。また、
１ｇ当たりの酸素量を５０ｐｐｍ以下としているので、
低融点可溶合金体の脆弱化を防止できる。更に、表面１
ａＴ当たりの酸素量を３．Ｏｐｐｍ以下としているので
、ヒユーズエレメントの溶断迅速性を充分保持でき、電
流ヒユーズの作動性を良く確保できる。
りも硬く、従って、ヤング率が高く、ヒユーズエレメン
トに作用する力の相当部分を酸化被膜に負荷でき、低融
点可溶合金体に作用する応力を良く軽減できる。従って
、ヒユーズエレメントの断線が生じにくくなる。また、
１ｇ当たりの酸素量を５０ｐｐｍ以下としているので、
低融点可溶合金体の脆弱化を防止できる。更に、表面１
ａＴ当たりの酸素量を３．Ｏｐｐｍ以下としているので
、ヒユーズエレメントの溶断迅速性を充分保持でき、電
流ヒユーズの作動性を良く確保できる。
（実施例の説明）
図面は本発明の一実施例を用いた電流ヒユーズの一例を
示している。
示している。
図において、Ａは本発明に係わるヒユーズエレメントを
示し、融点が２３０６Ｃ〜３３０℃の低融点可溶合金体
の表面に酸化被膜を設け、表面積１ｃＩｒ１２当たりの
酸素量を３．０ｐｐｍ以下で且つ１ｇ当たりの酸素量を
５Ｑｐｐｍ以下としである。低融点可溶金属にはＰｂと
Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕとの二元または二元以上の合金を用いる
ことができる。
示し、融点が２３０６Ｃ〜３３０℃の低融点可溶合金体
の表面に酸化被膜を設け、表面積１ｃＩｒ１２当たりの
酸素量を３．０ｐｐｍ以下で且つ１ｇ当たりの酸素量を
５Ｑｐｐｍ以下としである。低融点可溶金属にはＰｂと
Ｓｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃｕとの二元または二元以上の合金を用いる
ことができる。
合金組成には、ヒユーズエレメントの即断性、組織の安
定性などの面から、液相線と同相線との温度差の小さい
ものを使用することが好ましく、例えば、Ｐｂ９５重景
％重量ｎ５重量％（Ｐ ｂ −５Ｓｎと略称し、以下こ
の表現法で全ての合金組成を表す。）、Ｐｂ−５８ｎ−
１，５Ａｇ、Ｐｂ−２゜５Ａｇ、Ｐｂ−５Ｉｎ、Ｐｂ−
５Ｉｎ−２，５Ａｇ等を使用できる。ヒユーズエレメン
トの形状は、ワイヤー状、リボン状等になし得、ワイヤ
ー状の場合、線形は通常０．０５〜０．３ ｍｎ＋φ、
リボン状の場合厚は通常０．０３−０．２ｍｍ、巾は通
常０．５−３．０ｍｍである。
定性などの面から、液相線と同相線との温度差の小さい
ものを使用することが好ましく、例えば、Ｐｂ９５重景
％重量ｎ５重量％（Ｐ ｂ −５Ｓｎと略称し、以下こ
の表現法で全ての合金組成を表す。）、Ｐｂ−５８ｎ−
１，５Ａｇ、Ｐｂ−２゜５Ａｇ、Ｐｂ−５Ｉｎ、Ｐｂ−
５Ｉｎ−２，５Ａｇ等を使用できる。ヒユーズエレメン
トの形状は、ワイヤー状、リボン状等になし得、ワイヤ
ー状の場合、線形は通常０．０５〜０．３ ｍｎ＋φ、
リボン状の場合厚は通常０．０３−０．２ｍｍ、巾は通
常０．５−３．０ｍｍである。
図において、２はセラミックス板等の絶縁基板、３．３
は、導体であり、銅箔と絶縁基板との積層板の銅箔のエ
ツチングによって形成できる。４．４は導体３．３には
んだ又は導電性接着剤５によって固着した電極であり、
これらの電極４．４間に上記ヒユーズエレメントＡを溶
接（電気溶接、超音波溶接、レーザー溶接、冷間溶接）
によって橋設しである。上記はんだ付けに用いるはんだ
等の融点はヒユーズエレメントの融点よりも低くしであ
る。６は絶縁層、例えばエポキシ樹脂のモールド層であ
る。
は、導体であり、銅箔と絶縁基板との積層板の銅箔のエ
ツチングによって形成できる。４．４は導体３．３には
んだ又は導電性接着剤５によって固着した電極であり、
これらの電極４．４間に上記ヒユーズエレメントＡを溶
接（電気溶接、超音波溶接、レーザー溶接、冷間溶接）
によって橋設しである。上記はんだ付けに用いるはんだ
等の融点はヒユーズエレメントの融点よりも低くしであ
る。６は絶縁層、例えばエポキシ樹脂のモールド層であ
る。
上記ヒユーズエレメントＡには、表面に酸化被膜を設け
てあり、この酸化被膜が低融点可溶合金体自体よりも硬
く、ヤング率が高いから、ヒユーズエレメントに作用す
る力の相当部分を酸化被膜に負荷でき、それだけ低融点
可溶合金体に作用する力従って、応力を良く減じうる。
てあり、この酸化被膜が低融点可溶合金体自体よりも硬
く、ヤング率が高いから、ヒユーズエレメントに作用す
る力の相当部分を酸化被膜に負荷でき、それだけ低融点
可溶合金体に作用する力従って、応力を良く減じうる。
また１ｇ当たりの酸化量を５０ｐｐｍ以下に抑えである
から、ヒユーズエレメントの脆弱化を良く防止できる。
から、ヒユーズエレメントの脆弱化を良く防止できる。
従って、ヒユーズエレメントを極細化しても、ヒユーズ
エレメントの断線を防止できる。
エレメントの断線を防止できる。
上記ヒユーズエレメントに過電流が流れると、ヒユーズ
エレメントはその過電流によるジュール熱によって溶断
する。この溶断温度を２３０℃〜３３０℃としであるか
ら、回路基板の熱的損傷を防止できる。この場合、表面
積ｆａｎ２当たりの酸素量を５０ｐｐｍ以下に抑えであ
るから、溶断をスムーズに行わせえ、電流を迅速に遮断
でき、ヒユーズエレメントの表面に酸化被膜を設けたに
もかかわらず、電流ヒユーズの迅速作動性を良く保証で
きる。
エレメントはその過電流によるジュール熱によって溶断
する。この溶断温度を２３０℃〜３３０℃としであるか
ら、回路基板の熱的損傷を防止できる。この場合、表面
積ｆａｎ２当たりの酸素量を５０ｐｐｍ以下に抑えであ
るから、溶断をスムーズに行わせえ、電流を迅速に遮断
でき、ヒユーズエレメントの表面に酸化被膜を設けたに
もかかわらず、電流ヒユーズの迅速作動性を良く保証で
きる。
このことは次ぎの試験結果からも明らかである。
（試験結果）
低融点可溶合金体として、Ｐｂ−５８ｎ−１゜５Ａｇ、
Ｐｂ−２，５Ａｇ、Ｐｂ−５Ｉｎ、Ｐｂ−５Ｉｎ−２，
５Ａｇを用い、表面積１ ａ＋Ｖ当たりの酸素量２．８
ｐｐｍ〜３．０ｐｐｍ、１ｇ当たりの酸素量４５ ｐｐ
ｍ〜５０ ｐｐｍ、線径０．１ｍｍのヒユーズエレメン
トを製作した。これらのヒューズエレメントを用い、図
において、セラミックス基板の厚みを約０ 、６ ｎｕ
ｎ、エポキシ樹脂の厚みを約２．０ｍｍにして電流ヒユ
ーズを製作した。これらの各電流ヒユーズにおいて、そ
の電流ヒユーズのヒユーズエレメント（低融点可溶合金
）の融点よりも２〜３℃高い温度のバス中に浸漬し、該
浸漬後からヒユーズ溶断時までの時間を測定したところ
、全て２゜０秒以下であった。
Ｐｂ−２，５Ａｇ、Ｐｂ−５Ｉｎ、Ｐｂ−５Ｉｎ−２，
５Ａｇを用い、表面積１ ａ＋Ｖ当たりの酸素量２．８
ｐｐｍ〜３．０ｐｐｍ、１ｇ当たりの酸素量４５ ｐｐ
ｍ〜５０ ｐｐｍ、線径０．１ｍｍのヒユーズエレメン
トを製作した。これらのヒューズエレメントを用い、図
において、セラミックス基板の厚みを約０ 、６ ｎｕ
ｎ、エポキシ樹脂の厚みを約２．０ｍｍにして電流ヒユ
ーズを製作した。これらの各電流ヒユーズにおいて、そ
の電流ヒユーズのヒユーズエレメント（低融点可溶合金
）の融点よりも２〜３℃高い温度のバス中に浸漬し、該
浸漬後からヒユーズ溶断時までの時間を測定したところ
、全て２゜０秒以下であった。
本発明に係わるヒユーズエレメントにおいて、溶接性の
向上、酸化進行の抑制のために、酸化被膜上にＡｇ又は
ΔＵを蒸着、メツキ等により被覆しても良い。
向上、酸化進行の抑制のために、酸化被膜上にＡｇ又は
ΔＵを蒸着、メツキ等により被覆しても良い。
また、ヒユーズエレメントを回路基板の導体間に直接、
溶接、はんだ付けなどにより橋設することもできる。
溶接、はんだ付けなどにより橋設することもできる。
（発明の効果）
本発明に係わるヒユーズエレメントは、上述したとおり
の構成であり、低融点可溶合金体の表面に酸化被膜を、
ヒユーズエレメントの即断性を充分に保持させうる範囲
内の厚みで形成しであるから、ヒユーズの作動性を良く
保証して低融点可溶合金体（ヒユーズエレメント）の強
度を増強でき、極細の低融点可溶合金線を電流ヒユーズ
エレメントとして使用できる。従って、回路基板のコン
バク１へ化を損なうことなく、ヒユーズ溶断時発生熱に
よる回路基板の熱的損傷を防止しうる。
の構成であり、低融点可溶合金体の表面に酸化被膜を、
ヒユーズエレメントの即断性を充分に保持させうる範囲
内の厚みで形成しであるから、ヒユーズの作動性を良く
保証して低融点可溶合金体（ヒユーズエレメント）の強
度を増強でき、極細の低融点可溶合金線を電流ヒユーズ
エレメントとして使用できる。従って、回路基板のコン
バク１へ化を損なうことなく、ヒユーズ溶断時発生熱に
よる回路基板の熱的損傷を防止しうる。
図面は本発明に係わるヒユーズニレメン１−を使用した
電流ヒユーズを示す説明図である。 Ａ・・・ヒユーズエレメント
電流ヒユーズを示す説明図である。 Ａ・・・ヒユーズエレメント
Claims (2)
- （１）融点が２３０〜３３０℃の低融点可溶合金体の表
面に酸化被膜を設け、表面積１ｃｍ＾２当たりの酸素量
を３．０ｐｐｍ以下で且つ１ｇ当たりの酸素量を５０ｐ
ｐｍ以下としたことを特徴とするヒューズエレメント。 - （２）請求項（１）において、低融点可溶金属体が、Ｐ
ｂとＳｎ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｐｔ
、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕとの二元または二元以上の合金であ
ることを特徴とするヒューズエレメント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113652A JP2860819B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ヒューズエレメント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2113652A JP2860819B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ヒューズエレメント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412428A true JPH0412428A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2860819B2 JP2860819B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=14617700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2113652A Expired - Fee Related JP2860819B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | ヒューズエレメント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2860819B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021278A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Yazaki Corp | 低融点材溶断装置及び回路遮断装置 |
| JP2002260518A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Dowa Mining Co Ltd | ヒューズ用亜鉛合金およびヒューズとその製造方法 |
| US6774761B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-08-10 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof |
| US6819215B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-11-16 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof |
| US6963264B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-11-08 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element |
| US7042327B2 (en) * | 2002-10-30 | 2006-05-09 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element |
| KR100822184B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2008-04-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지용 온도 퓨즈 |
| JP2013175361A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Kyocera Corp | 電流ヒューズおよび電子機器 |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP2113652A patent/JP2860819B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000021278A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Yazaki Corp | 低融点材溶断装置及び回路遮断装置 |
| JP2002260518A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-13 | Dowa Mining Co Ltd | ヒューズ用亜鉛合金およびヒューズとその製造方法 |
| KR100822184B1 (ko) * | 2001-09-19 | 2008-04-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지용 온도 퓨즈 |
| US6774761B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-08-10 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof |
| US6819215B2 (en) * | 2002-03-06 | 2004-11-16 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof |
| US6911892B2 (en) | 2002-03-06 | 2005-06-28 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and fuse element thereof |
| US6963264B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-11-08 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element |
| US7042327B2 (en) * | 2002-10-30 | 2006-05-09 | Uchihashi Estec Co., Ltd. | Alloy type thermal fuse and wire member for a thermal fuse element |
| JP2013175361A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Kyocera Corp | 電流ヒューズおよび電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2860819B2 (ja) | 1999-02-24 |
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