JPH0412501A - 厚膜低抵抗組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明はレーザートリミング安定性を改良した厚膜低（
ｌｏｗ−ｅｎｄ）抵抗組成物に関し、特にチップ抵抗体
の製造に適する。

〔発明の背景〕

回路素子（チップ）抵抗体は典型的には大きな正方形の
アルミナ基体上に厚膜ペーストとして単一の前記基体上
の１千個に及ぶ回路素子抵抗体と共にスクリーン印刷さ
れる。次いで印刷された抵抗体を焼成し、印刷したパタ
ーンから有機媒体をすべて除去しその固体の密度を高め
る。第１のカプセル化材であるガラス層を抵抗体上に印
刷しそして焼成する。この時点で抵抗値は３〜５％の分
布がある。−度カプセル化した抵抗体をカプセル化材、
および印刷した抵抗体層を通り、アルミナ基体に直接入
り込むレーザービームを使用してトリミングする。この
レーザートリミングは抵抗値を約５０％増加させるが、
抵抗値の分布を約０．１％まで低減する。

第１のカプセル材層および抵抗体を通してレーザートリ
ミングを行なった後、第２のガラスカフ’セル化材をト
リミングした抵抗体上に印刷し、そして６００℃で焼成
する。第２カプセル化層を焼成の後、広い基体を細片に
分割し、細片の端部を伝導性ペースト中に浸漬すること
により伝導性の端子付けを行なう。このように端子付け
した片を次に焼成した。この端部焼成の後、前記片を別
々のチップに分割し、チップの端子をニッケルでそして
はんだでメツキした。仕上げられた回路素子（チップ）
抵抗体は大粒の秒位の大きさである。これは通常プリン
ト回路基板にハンダ付けして使用される。

上述のようなチップ抵抗体は突際上１〜１．０００，０
００オームの広い抵抗範囲で広汎に製造されており、こ
れらは、カプセル化とトリミングする際でも０．５％以
下の抵抗変化を有さねばならない。しかしながらこのよ
うな抵抗安定性を低（ｌｏｗ−ｅｎｄ）抵抗体すなわち
単位面積あたりわずか１〜１００オームの抵抗値しかな
い抵抗で達成するのは非常に困難である。

この技術分野において行なわれているＲｕｂ、単独をベ
ースにしたような低抵抗の抵抗体はレーザートリミング
後１０００時間で０．５％以上の抵抗変化を有し、一方
より高抵抗の抵抗体ははるかに安定である。さ−らにこ
の技術分野で慣用の低抵抗の抵抗体は±１０％の抵抗で
そして抵抗温度係数（ＴＣＲ）±１００　ｐ　ｐ　ｍ　
／　’Ｃで製造するのが困難である。なぜなら密度が高
く、しっかりした、壊れにくい微細構造を達成するのが
困難であるからである。このような組成物中における比
較的体積の少ないガラスバイダー相のフラクションのた
めにこの望ましい密度で、しっかりとした微細構造を達
成するのが困難になる。

〔発明の内容〕

本発明は比較的密度が高く低多孔度の、それ故に安定な
微細構造を付与するような成分を使用することにより上
述の問題点を解消しようとするものである。低軟化点ガ
ラスおよびＰｄおよびＡｇの合金挙動により抵抗体を焼
成している間に微細構造的挙動が起こり、これにより安
定な抵抗体特性およびロット間で一定の特性を与える。

さらに低抵抗の能力として電力を輸送できるという利点
もあり、これはＲｕＯ２をベースとした抵抗体の１．５
〜２倍に及ぶ。このように本発明は従来技術の多くの問
題を克服するものである。

本発明の第１の観点において本発明は厚膜低抵抗体組成
物を指向するものであって、この厚膜低抵抗体組成物は
、下記の微細粉末 （ａ）パラジウムおよび銀の合金、パラジウムおよび銀
の酸化物の混合物、またはそれらの混合物であり、パラ
ジウムと銀の重量割合は６各３５〜４５％および６５〜
５５％である。

（ｂ）　（１）全固体を基準に軟化点３５０〜５００°
Ｃを有するガラス０，２〜５．０重量％、これは溶融時
に組成物中の他の固体と濡れ性である；と（２）軟化点
５５０〜６５０°Ｃを有するガラスとの混合物；および （ｃ）全固体を基準としてＲｕＯ２のサブミクロン粒子
５〜２０体積％；と （ｄ）上記（ａ）〜（ｃ）のすべてを分散させた有機媒
体 の混合物からなるものである。

本発明の観点において本発明は、低抵抗体の製造法を指
向するものであり、下記連続工程： （ａ）不活性基体上に上述の厚膜組成物のパターン化層
を施し；そして （ｂ）最高温度８００〜９００℃で前記層を焼成し、そ
こから有機媒体を揮発させて固体を高密度化する； ことからなる前記低抵抗体の製造方法にある。

〔発明の内容〕

Ａ、伝導性金属 本発明の組成物の伝導性相はパラジウムと銀との合金で
あり、またはパラジウムと銀の金ｌ粉混合物でもよい。

両者の混合物も良好に使用し得る。パラジウム：銀の重
量比は焼結および合金特性から４０：６０という特定の
比率が好ましい。しかしながらパラジウム／銀の比は低
い方は３５：６５から高い方の４５：５５まで使用する
ことも可能である。

金属粉の粒径は塗布方法に適切でありさえすれば特に重
要ではないが、０．５〜５ミクロンの範囲内にあるのが
好ましい。

Ｂ、無機バインダー 本発明の無機バインダー成分は２種のガラスからなって
いる。片方のガラスは低融点であり組成物中の他の固体
表面と濡れ性を有しなければならない。この低融点ガラ
スは軟化点（膨張計）３５０〜５００℃を有し、かつ組
成物中の他の固体、すなわち第２のガラス、伝導性金属
およびＲｕ０ｚの表面に対する濡れ性がなければならな
い。

ガラスの濡れ性は予想される焼成温度（８００〜９００
℃）で、他の固体各々の表面上で溶融ガラスの接触角を
測定することにより容易に決定される。本発明にとって
安定な濡れ性は他の固体上の低融点ガラスの接触角が３
０°またはそれ以下、好ましくはｌＯ°以下である。

低融点ガラスの軟化点は約５００℃を越えないようにし
、焼成中のガラスの流動化が不十分にならないようにし
て他の固体粒子の適当な溶融を得る必要がある。一方ガ
ラスの軟化点が３５０℃以下の場合焼成中のガラスの流
動化は過剰となり焼成抵抗体全体にわたるガラスの分布
が悪くなる。最適な性能のためには低融点側のガラスの
軟化点は３７５〜４２５℃の範囲である。

無機バインダーの１２の本質的成分は軟化点（膨張計）
５５０〜６５０℃好ましくは５７５〜６００℃を有する
高融点ガラスである。このガラスの軟化点は５５０℃以
下でない方が好ましい。というのはこれらのガラスの膨
張温度係数（ＴＣＥ）は慣用の基体材料と比較して過剰
となる傾向にあるからである。一方軟化点が６５０℃よ
り相当高い場合、焼成抵抗体の微細構造の均一性が悪く
なり抵抗体は耐性が劣るようになる。

２つのガラスの物性が適切であるとすると、両ガラスの
組成物が焼成された時ガラスの粘度および濡れ特性に関
連する点を除いて、ガラスの組成物はそれ自体では臨界
的でない。したがって慣用のガラス形成性およびガラス
変性成分を含有する広範な種類の酸化物ガラス例えばア
ルミノボロシリケート、鉛ボロシリケートおよび船シリ
ケート自体のような鉛シリケート、およびビスマスシリ
ケート等を使用することが出来る。しかしながら低軟化
点ガラスは焼成温度で結晶化せず（不定形）焼成段階に
おいて適当量のガラス流動性を得る必要がある。

本発明の組成物中における無機バインダーの総量は所望
とする抵抗体の性能の機能に一部関与する。例えば１オ
一ム／口抵抗体では無機バインダー４５体積％オーダー
を必要とし、１０オ一ム／口抵抗体ではガラスバインダ
ー約６５体積％ヲ要シ、１００オーム／口抵抗体はガラ
スバインダーツ５体積％を含有する。したがってバイン
ダー量は体積で低い方は４０％から高い方は８０％まで
変化してもよいが、通常５０〜６５％の範囲内である。

無機バインダー中の低融点ガラスの相対量は組成物中の
全固体と他の固体上の低融点ガラスの濡れ性との関数で
ある。特に全固体が適当に濡れるためには低融点ガラス
少なくとも０．２重量％そして好ましくは少なくとも０
．５重量％が必要である。しかしながら、低融点ガラス
を約５重量％以上使用した場合組成物は焼成に際してフ
クレを生じる傾向がある。

無機バインダーの粒径は特に臨界値があるわけではない
。しかしながらガラス粒子は０．１〜１０ミクロン・（
好ましく（ま０．５〜５ミクロン）の範囲で平均粒径は
２〜３ミクロンであるべきである。０．１ミクロン以下
の微細ガラスは表面積が非常に大きく印刷用ペーストと
して適当な流動性を得るには大量の有機媒体を必要とす
る。

一方、ｌＯミクロン以上の粒子の場合、スクリーン印刷
の障害となる。

Ｃ１二酸化ルテニウム 本発明の組成物のＴＣＰを低下させるため少量の二酸化
ルテニウム（Ｒｕｂ、）が必要である。必要なＲｕＯ２
の量は固体組成物の全体積と関連する。

特にＲｕＯ□少なくとも５体積％を必要とするが場合に
よっては２０体積％までのＲｕＯ２を使用してもよい。

Ｒｕ０３が５体積％以下の場合抵抗体を再現性よく作製
するのが困難であり、約２０体積％以上では伝導相の全
量が過剰となり、その結果ガラスの量が不十分となり良
好な微細構造が得られない。しかしながらＲｕＯ２の粒
径は適切なＴＣＰ特性を得るには常に１ミクロン以下で
なければならない。

Ｒｕ５ｔは２つの形態いずれでも組成物中に加えること
が出来る。離散したＲｕｂ、粒子として加えるかまたは
ガラス粒子の表面上に焼結したＲｕｂ。

の形態で加えることが出来る。ガラス粒子表面上にＲｕ
５ｔを焼結して導入することによりさらに均一な粒子分
布、より良好な濡れ性、およびより均一なＲｕ０１粒子
の被着を得、そして有機媒体中に分散した場合粒子によ
る触媒作用を減少させるのが好ましい。後者の例では粒
子はＲｕＯ２粒子とガラス粒子とを混合し、この混合物
をガラスは焼結するが溶融や流れ出ることはないような
軟化点以上で加熱し、次にこの焼結製造物を粉砕するこ
とにより製造される。

ＲｕＯ２添加に用いられるガラスは４００〜６５０℃の
範囲の中間的な軟化点を有するのが好ましく、この温度
は無機バインダーの主要ガラス成分の軟化点の範囲に対
して中間的である。この目的とするところは焼成中にガ
ラスがあまり多く転位することなくＲｕＯ２の良好な濡
れ性と被着性を得ることにある。また中間的ガラスに少
量のＭｎ０１、Ｃｏ、Ｏ，、Ｆｅ＝ＯイＣｕｂ、　Ｎｉ
、Ｏ，等のような遷移金属酸化物工またはそれ以上を含
有させＴＣＰの制御をさらに容易にすることが好ましい
。有効量としては約１重量％が必要であるが場合により
２０重量％程度を使用してもよい。しかしながら感湿性
が過度になるのを防ぐには遷移金属酸化物は１５重量％
を越えない量で使用するのが好ましい。

Ｄ、有機媒体 前記無機粒子は有機液体媒体（担体）と機械撹拌により
混合しスクリーン印刷用として適切な軟度と流動度を有
するペースト状組成物を形成させる。次にこのペースト
を「厚膜」とシテ慣用法により誘電性のまたは他の基体
上に印刷する。

有機媒体の主要目的は組成物の微細固体分散のための担
体として作用し、セラミックまたは他の基体に容易に塗
布できるような形態とすることにある。したがって有機
媒体は先づ第１に固体がその中で適当な程度の安定性を
有するような分散性でなければならない。第２に有機媒
体の流動特性は分散物に対して良好な塗布特性を付与す
るようなものでなければならない。

厚膜組成物のほとんどはスクリーン印刷法により基体上
に塗布される。したがって、スクリーンを容易に通過出
来るような適当な粘度を有さねばならない。さらにスク
リーン印刷した後、直ちに組み立て、これにより良好な
解像性を付与するために揺変性でなければならない。流
動特性が主に重要であるが、有機溶媒は固体および基体
との適当な濡れ性、良好な乾燥速度、手荒な取り扱いに
十分耐えるような乾燥被膜強度、および良好な焼成特性
を付与するのが好ましい。

焼成した組成物は満足できる外観であることも重要であ
る。

これらすべての基準において広範な不活性液体を有機媒
体として使用出来る。はとんどの厚膜組成物のための有
機媒体は典型的には溶媒中の樹脂溶液であり、通常は樹
脂および揺変剤の両方を含有する溶媒である。溶媒は普
通１３０〜３５０℃の範囲内で沸騰する。

この目的で最も頻繁に使用されている樹脂は断熱エチル
セルロースである。しかしながらエチルヒドロキシエチ
ルセルロース、ウッドロジン、エチルセルロースとフェ
ノール系樹脂との混合物のような樹脂、低級アルコール
のポリメタクリレートおよびエチレングリコールモノア
セテートのモノブチルエーテルも使用できる。

厚膜の用途のため最も汎用されている溶媒はσまたはβ
−テルピネオールのようなテルペンまたはそれらとケロ
シンジブチルフタレート、ブチルカルピトール、ブチル
カルピトールアセテート、ヘキシレングリコールおよび
高沸点アルコールのような他の溶媒との混合物およびア
ルコールエステルである。これらのおよび他の溶媒の種
々の組み合わせを配合して各塗布に必要とされる所望の
粘度および揮発性を得る。

一般に使用されている揺変剤は水添ヒマシ油およびその
誘導体およびエチルセルロースである。勿論揺変剤を常
に入れる必要はない。それはどんな懸濁物中でも生米有
するせん断性（ｓｈｅａｒ　ｔｈｉｎｎｉｎｇ）と組み
合わされた溶媒／樹脂特性は単独でもこの点に関し適す
るかも知れないからである。

有機媒体：分散物中の固体の比は和尚変動し得る。そし
て分散物の塗布方法および使用される有機媒体の種類に
依存する。通常良好な被覆を得るには分散物は補足的に
固体６０〜９０重量％および有機媒体４０〜１０重量％
を含有する。このような分散物は普通半流動性の軟度で
あり一般的に「ペースト」と称されている。

スクリーン印刷用のペースト粘度は典型的にはＢｒｏｏ
ｋｆｉｅｌｄ　ＨＢＴ粘度計で高中低せん断速度で測定
して以下の範囲内にある。

せん断速度（秒−ワ　　　　　粘度（Ｐａ、ｓ）０．２
　　　　　　１００−５０００ ３００−２０００　　　　　良好 ６００−１５００　　　　　最良 １００−２５０　　　　　良好 １４０−２００　　　　　最良 ３８４本　　　　　　　　　　　　　　７−４０１０−
２５　　　　　　良好 １２−１８　　　　　　最良 ＊ＨＢＴ　ＣｏｎｅおよびＰｌａｔｅ　Ｍｏｄｅｌ　Ｂ
ｒｏｏｋｆｉｅｌｄ粘度計で測定利用される担体の量は
所望とする最終粘度により決定される。

試験手順 ＾、試料調製 抵抗温度係数（ＴＣＰ）の試験用サンプルを以下のよう
に調製した。

試験するべき抵抗体配合物のパターンを各々符号を付け
たｌＯコのＡｌｓｉｍａｇ　６１４　１　Ｘ　ｌ″（２
，４５０１角）セラミック基体上にスクリーン印刷し、
室温平衡となるまで放置し、次いで１５０℃で乾燥した
。各組の焼成前の１０コの平均乾燥厚みはＢｒｕｓｈ　
５ｕｒｆａｎａｌｙｚｅｒの測定で２２〜２８ミクロン
でなければならない。乾燥した印刷基体を次いで約６０
分間焼成し、このとき毎分３５℃で８５０℃まで加熱し
、８５０°Ｃで９〜１０分間維持し、毎分３０°Ｃで室
温まで冷却する加熱サイクルを使用しＩこ。

Ｂ９　　抵抗の測定と計算 上述のようにして作製した基体に温度制御下の小部屋内
で端子を取り付はデジタルオーム計と電気的に接続した
。小部屋内の温度を２５℃に調整し平衡となるまで放置
し、その後各基体の抵抗を測定し記録した。

次いで小部屋の温度を１２５°Ｃに昇温し平衡となるま
で放置し、その後再び抵抗を測定し記録した。

小部屋の温度を次に一５５℃に冷却し、放置して平衡と
し冷時抵抗を測定し記録した。

高・低温時の抵抗温度係数（ＴＣＰ）は以下のように計
算した。

Ｒ２５’Ｃ！の値および高温および低温のＴＣＰを平均
し、そしてＲ２５”Ｃの値は乾燥時印刷厚み２５ミクロ
ンを標準とし、抵抗は２５ミクロン乾燥時印Ｍ厚みでの
オーム／口として報告した。多数回のテストの標準値は
下記関係式で計算した。

Ｃ８レーザートリム安定性 厚膜抵抗体のレーザートリミングは混成マイクロエレク
トロニクス回路の製造にとって重要な技術である。（Ｔ
ｈｉｃｋ　Ｆｉｌｍ　Ｈｙｂｒｉｄ　Ｍｉｃｒｏ−ｃｉ
ｒｃｕｉｔ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、　　Ｄ、Ｗ、　
　Ｈａｍｅｒ８よびＪ、Ｖ。

Ｂｉｇｇｅｒｓ　（Ｗｉｌｅｙ、　１９７２）　ｐ−１
７３ｆｆで議論されている〕。基体の群上に同一の抵抗
体ペーストで印刷した特定の抵抗体の抵抗はガウス（様
）分布を有していることを考慮するとその使用について
理解できる。適当な回路特性とするために同じ設計値を
すべての抵抗体に持たせるにはレーザーを使用して抵抗
体材料の小部分を除去（蒸発）することにより抵抗をト
リミングする。

トリミングされた抵抗体の安定性はレーザートリミング
後に生じる抵抗のフラクション変化（ドリフト）として
の測定値である。抵抗ドリフトは回路特性に適する設計
値に近い値を維持するためには低く（高安定性で）なけ
ればならない。

Ｄ、濡れ性 低融点ガラスと他の固体との濡れ性は他の固体表面上の
低融点ガラスの溶融滴の接触角を測定することにより決
定される。重力下で平滑固体表面上に置いた液滴により
仮定される平衡形状は３つの表面張力の機械的平衡力に
より決定される：δ（ＬＶ）液−気界面：δ（ＬＳ）液
−固界面：およびδ（ＳＶ）固−気界面。接触角は理論
的には液滴体積に依存せず、そして基体と試験液体との
間に結晶化および相互作用がない場合は温度および平衡
状態にある固、液および気相の各々の性質のみに依存す
る。接触角の測定は固体表面上の濡れ性の定性化には正
確な方法である。なぜなら液体の広がりやすさおよび固
体表面の「濡れ」は接触角が減少するにつれ増加するか
らである。

Ｅ、静電気放電試験 この静電気放電（ＥＳＤ）試験は軍事用標準規格ＭＩＬ
−ＳＴＤ−８８３Ｃ，方法３０１５．６である。マイク
ロ回路（およびマイクロ回路上の抵抗体）の損傷の受は
易さすなわち静電気放電に曝らされることによる劣化に
ついての分類手段としてこれは確立されている。

この試験で使用される静電気放電は異なった静電的電位
を有する２つの物体の間の静電電荷の移動として定義さ
れ立ち上がり時間５〜１０ナノ秒および崩壊時間１５０
±２０ナノ秒を有する。

試験結果には抵抗体を静電気放電に付した時のピーク電
圧および相対的抵抗変化が含まれる。

実施例　１ 銀４．８ｇおよびパラジウム２，３ｇの粉末とＲｕ０３
粉末２５．７ｇとを混合して混合物とした。この伝導性
粉末をさらに軟化点５１０℃を有するマンガンアルミノ
鉛ボロシリケートガラス３２．２９、軟化点５２５℃を
有するアルミノ鉛ボロシリケートガラス７．７ｇ、軟化
点４４５℃を有するビスマスシリケートガラス０．７９
および軟化点６６０℃を有するカルシウムアルミノ鉛ボ
ロシリケートと混合した。全粉末を表面積が１〜１０　
ｍ　”　／　９となるまで粉砕した。

この粉末混合物をエチルセルロースおよびβ−テルピネ
オールからなる液体媒体３８ｇで分散させ粘度１００〜
３００　Ｐａ−秒を有する粘稠懸濁液とした。本発明の
実施においてこの分散物を通常は絶縁基体上にスクリー
ン印刷し、空気中７００〜９５０℃の温度で焼成し焼成
抵抗体膜を製造する。

印刷厚み２５ミクロンを有するこの抵抗体を８５０℃で
１０分間焼成した。焼成抵抗体は９．８オ一ム／口の抵
抗を有し抵抗温度係数（ＴＣＲ）は２５〜１２５℃間の
測定により３５ｐｐｍ／　”Ｃであった。この抵抗ドリ
フトはレーザートリミング後および８５℃／８５％の相
対湿度環境中で貯蔵後で０．０８士０．０６％であった
。この抵抗は静電的放電試験で５ｏｏｏ　ｖの単パルス
を加えた時０．０１±０．Ｏ１％変化し最大定格出力８
６４ｍＷ／　ｓｑ、ｍ＋ｍｌ有した。

実施例　２ Ｒｕ０２２０．８ｙａ銀１５．０ｇおよびｐｄ７．２ｇ
とを混合することによりさらに混合物を形成した。これ
らの伝導体をマンガンアルミノボロシリケートガラス２
６．１ｇ、鉛アルミノボロシリケートガラス１８．１９
、軟化点６００℃のガラス１０．５９、およびビスマス
シリケートガラス２．３ｇと混合した。これらの粉末を
有機媒体中に分散させてペースト化し、これを抵抗体パ
ターンで印刷し、そして前出の実施例のようにして焼成
した。この抵抗体の抵抗は３．０オ一ム／口およびＴＣ
Ｒは５０ｐｐｍ／・Ｃであった。この抵抗ドリフトはレ
ーザートリミング後および８５℃／８５％の相対湿度環
境中で貯ｆｆｉ後で０．Ｏ１±０．０６％であった。こ
の抵抗は静電的放電試験で最大定格出力８８８ｍＷ／　
ｔｔｒｒｎ”で５０００Ｖ単パルスをかけた時−〇、０
１±０．０４％変化しｔこ。

実施例　３ 銀１９．５９およびＲｕｎｇ　　１６．４９を混合する
ことにより、微細固体混合物を形成した。これらの伝導
体を上記のアルミノ船ボロシリケートガラス１９．５９
、チタニア鉛アルミノボロシリケートガラス２．３ｇお
よびビスマス鉛アルミノボロシリケートガラス６．３ｇ
と混合した。この粉末を粉砕して実施例Ｉのようにして
表面積１〜１０ｍ”／ｙとした。粉砕粒子を次いで有機
媒体中に分散しペースト化した。印刷および焼成の後、
焼成層の抵抗は３２．５オ一ム／口、高温ＴＣＰは一４
７ｐｐｍ／’ｃ、および低温ＴＣＰは一９９ｐｐｍ／’
ｃであった。

実施例　４ Ｒｕｓｈ　１８Ａｙをパラジウム１１．０９および銀１
９．７９と混合して混合物とした。Ｒｕ０２粒子はこの
場合ガラス粒子の表面上に焼結しなかった。この混合物
をさらに軟化点５１０℃のマンガン鉛アルミノボロシリ
ケートガラス１２．３９、軟化点４４５℃のビスマスシ
リケートガラス１．９９、軟化点６００°Ｃの鉛アルミ
ノボロシリケートガラス４．１２ｇおよび軟化点５２５
℃のチタニア鉛アルミノボロシリケートガラス８．９ｇ
と混合した。全部のガラスの表面積を再び１−１０ｍ”
／　ｙとした。

この粉末混合物をエチルセルロースおよびβ−テルピネ
ノール液体媒体中で分散させて、前出の実施例と同じ粘
度範囲を有する粘稠懸濁物を形成した。絶縁性基体上に
印刷し、８５０℃で１０分間焼成後印刷した層の抵抗は
２．８オームであり、抵抗温度係数は１１０ｐｐｍ／’
Ｏであった。レーザートリミング後、８５℃／８５％の
相対湿度下で５００時間貯蔵した後の抵抗ドリフトは０
．２１％であった。

実施例　５ 銀／パラジウム合金粉１１．１９をパラジウム１．３９
およびＲｕｅ、　　６−Ｌｙと混合することにより混合
物とした。この合金の銀：パラジウムの比の値は２．６
である。ＲｕＯ２はマンガンアルミノ鉛ボロシリケート
ガラスの表面上に焼結した。軟化点５１０℃を有するこ
のガラスの量は１８．７ｇであった。この混合物をさら
に軟化点６６０℃のカルシウムアルミノ鉛ボロシリケー
トガラス０．７９、軟化点６００℃のアルミノ鉛ボロシ
リケートガラス１．７９、軟化点５２５℃のチタニアア
ルミノ鉛ボロシリケートガラス４　、７３９と混合した
。この粉末混合物をエチルセルロースおよびβ−テルピ
ネノールを含有する有機媒体２３９中に分散した。

絶縁基体上に印刷し、８５０℃で１０分間焼成後、この
抵抗体は８．３オ一ム／口であり、抵抗温度係数は一５
５℃〜２５℃で８８ｐｐｍ／’Ｏであった。レーザート
リミングし８５℃７８５％相対湿度下で貯蔵後の抵抗ド
リフトは０．１２％であった。

次は比較的高濃度のＰｄを有する抵抗体の例である。Ａ
ｇ／　（Ｐｄ十Ａｇ）の比率は他のほとんどの例が約６
０％であるのに比しわずか４２％である。

実施例　６ Ｒｕｓｔ　　１４−６９とパラジウム１６．８５ｇおよ
び銀１２．２９とを混合することにより混合物を形成し
た。この場合のＡｇ／　（Ｐｄ＋　Ａｇ）の比は他のほ
とんどの例が約６０％であるのに比べわずか４２％であ
った。この混合物をさらに軟化点５１０℃のマンガンア
ルミノ船ボロシリケートガラス７．８ｇオヨび軟化点５
２５℃のチタニアアルミナ鉛ボロシリケートガラス２４
．４９と混合した。

この粉末混合物をエチルセルロース、β−テルピネノー
ル液２７．２９と分散した。焼成した抵抗は８５オーム
であり、抵抗温度係数は一５５℃〜２５℃で一２５７ｐ
ｐｍ／　”Ｏであった。この負の係数は各ガラスの相対
的な量のバランスをとることによりより正の値に補正す
ることが可能である。

以上のように本発明の詳細な説明したが、本発明はさら
に以下の夾施態様によりわかりやすく示すことが出来る
。

１）下記微粉末： （ａ）銀、パラジウム、銀とパラジウムの合金まＩ；は
その混合物、 （ｂ）　（１）全固体分を基準に、軟化点３５０〜５０
０℃を有し、溶融した時組成物中の他の固体と濡れ性を
有するガラス０．２〜５．０重量％と （２）軟化点５５０〜６５０℃を有するガラスとの混合
物、および （ｃ）全固体分を基準にＲｕＯ２のサブミクロン粒子５
〜２０体積％； の（ａ）〜（Ｃ）すべてを （ｄ）有機媒体に分散させた混合物 からなる厚膜低抵抗組成物。

２）　　成分（ａ）がパラジウムと銀の合金である前項
ｌ記載の組成物。

３）成分（ａ）がパラジウムの銀の粒子とが合金化する
割合である混合物である前項１記載の組成物。

４）パラジウムと銀とが銀４０％を含有する合金の形態
である前項３記載の組成物。

５）　　Ｒｕｂ、粒子を中間的軟化点４００〜６５０℃
を有するガラス粒子表面に焼結させる前項ｌ記載の組成
物。

６）前記中間的ガラスが遷移金属酸化物１−１５重量％
を含有する前項３記載の組成物。

７）低融点ガラスの軟化点が３７５〜４２５℃である前
項ｌ記載の組成物。

８）高融点ガラスの軟化点が５７５〜６００℃である前
項ｌ記載の組成物。

９）ガラスの平均粒径が２〜３ミクロンであり、実質的
にすべてのガラス粒子は０．１−１０ミクロンの径であ
る前項ｌ記載の組成物。

１０Ｘａ）請求項１記載の厚膜組成物のパターン層を不
活性な基体に塗布し、 （ｂ）最高温度８００〜９００℃で、この層を焼成しそ
こから有機媒体を揮発させて固体を高密度化する、 連続工程からなる低抵抗体の製造方法。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）下記微粉末； （ａ）銀、パラジウム、銀とパラジウムの合金またはそ
   の混合物、 （ｂ）（１）全固体分を基準に、軟化点３５０〜５００
   ℃を有し、溶融した時組成物中の他の固体 と濡れ性を有するガラス０．２〜５．０重量％と （２）軟化点５５０〜６５０℃を有するガラスとの混合
   物、および （ｃ）全固体分を基準にＲｕＯ＿２のサブミクロン粒子
   ５〜２０体積％； の（ａ）〜（ｃ）すべてを （ｄ）有機媒体に分散させた混合物 からなる厚膜低抵抗組成物。 ２）（ａ）請求項１記載の厚膜組成物のパターン層を不
   活性な基体に塗布し、 （ｂ）最高温度８００〜９００℃で、この層を焼成しそ
   こから有機媒体を揮発させて固体を高密 度化する、 連続工程からなる低抵抗体の製造方法。