JPH04125402A - 微小プローブの製造方法 - Google Patents
微小プローブの製造方法Info
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- JPH04125402A JPH04125402A JP24378990A JP24378990A JPH04125402A JP H04125402 A JPH04125402 A JP H04125402A JP 24378990 A JP24378990 A JP 24378990A JP 24378990 A JP24378990 A JP 24378990A JP H04125402 A JPH04125402 A JP H04125402A
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- JP
- Japan
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- probe
- mask
- etching
- deposited
- microprobe
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- Pending
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/06—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
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- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は走査型トンネル顕微鏡またはその原理を応用し
た高密度情報処理装置等の走査型トンネル電流検知装置
用の微小プローブの製造方法に関するものである。
た高密度情報処理装置等の走査型トンネル電流検知装置
用の微小プローブの製造方法に関するものである。
［従来の技術］
原子や分子サイズの分解能を有する観察方法として近年
多くの注目を集めている走査型トンネル顕微鏡（以下、
ＳＴＭという）は、試料表面と対向するプローブ先端の
曲率半径が小さいほど分解能が高いとされている。理想
的には先端が１原子程度まで尖っていることが望まれて
いる。更にこのＳＴＭの応用例の一つとして超高密度情
報処理装置があるが、勿論、高い情報処理密度を達成す
るために先端部の曲率半径が小さいことが要求されてい
る。と同時に、情報処理システムの機能向上、特に高速
化の観点から、多数のプローブを同時に駆動すること（
プローブのマルチ化）が提案され、この為に同一基板上
に作成された特性の揃ったプローブが求められている。
多くの注目を集めている走査型トンネル顕微鏡（以下、
ＳＴＭという）は、試料表面と対向するプローブ先端の
曲率半径が小さいほど分解能が高いとされている。理想
的には先端が１原子程度まで尖っていることが望まれて
いる。更にこのＳＴＭの応用例の一つとして超高密度情
報処理装置があるが、勿論、高い情報処理密度を達成す
るために先端部の曲率半径が小さいことが要求されてい
る。と同時に、情報処理システムの機能向上、特に高速
化の観点から、多数のプローブを同時に駆動すること（
プローブのマルチ化）が提案され、この為に同一基板上
に作成された特性の揃ったプローブが求められている。
従来、上記の様な先端部の曲率半径が小さいプローブ電
極は切削及び電界研磨法等を用いて製造されていた。切
削法では時計旋盤を用いて繊維状結晶の線材を切削し曲
率半径５乃至１０μｍの微小先端部をもつプローブの製
造が可能であり、ダイスによる線引加工によれば曲率半
径１０μｍ以下のものが可能である。また、電界研磨法
はプローブとなる線材（通常、直径ｉｎｍ以下）を電界
液中で電圧印加によって浸食させ先端を尖らせるもので
あるが、先端曲率半径０．１乃至１μｍと切削法より微
小なプローブを製造することができる。
極は切削及び電界研磨法等を用いて製造されていた。切
削法では時計旋盤を用いて繊維状結晶の線材を切削し曲
率半径５乃至１０μｍの微小先端部をもつプローブの製
造が可能であり、ダイスによる線引加工によれば曲率半
径１０μｍ以下のものが可能である。また、電界研磨法
はプローブとなる線材（通常、直径ｉｎｍ以下）を電界
液中で電圧印加によって浸食させ先端を尖らせるもので
あるが、先端曲率半径０．１乃至１μｍと切削法より微
小なプローブを製造することができる。
又、微小プローブの形成方法として、半導体製造プロセ
ス技術を使いシリコンの異方性エツチングにより、マル
チに配列したプローブが記載されている。（特開昭６１
−２０６１４８号公報）［発明が解決しようとする課題
］ これら従来の微小プローブ製造方法のうち、切削法は先
端曲率を小さくすることに適していないばかりでなく、
プローブに応力が加わるために曲がり易いという欠点も
有している。また、電界研磨法で作成したプローブ先端
も決して原子、分子オーダの曲率半径を満足するもので
はない。更に、これらの製造方法では微小な形状を再現
性よく作製することが難しく、製造工程での歩留まりが
低いと同時に、同一基板上に特性の揃った多数のプロー
ブを作製することは困難であった。
ス技術を使いシリコンの異方性エツチングにより、マル
チに配列したプローブが記載されている。（特開昭６１
−２０６１４８号公報）［発明が解決しようとする課題
］ これら従来の微小プローブ製造方法のうち、切削法は先
端曲率を小さくすることに適していないばかりでなく、
プローブに応力が加わるために曲がり易いという欠点も
有している。また、電界研磨法で作成したプローブ先端
も決して原子、分子オーダの曲率半径を満足するもので
はない。更に、これらの製造方法では微小な形状を再現
性よく作製することが難しく、製造工程での歩留まりが
低いと同時に、同一基板上に特性の揃った多数のプロー
ブを作製することは困難であった。
又、単結晶シリコンを用いて異方性エツチングにより形
成する場合、プローブのマルチ化は容易だが材料がシリ
コンに限定されてしまう。そのためドープされたシリコ
ンをプローブに用いた場合には、シリコンが酸化されや
すいことから、大気中では再現性の良い安定な特性を得
ることは困難であった。更に、シリコンプローブ上に導
電性材料を被覆して形成する場合には、プローブの最先
端部は鋭利に形成されているため、被覆されにくく安定
な特性を得ることは難しいという問題があった。
成する場合、プローブのマルチ化は容易だが材料がシリ
コンに限定されてしまう。そのためドープされたシリコ
ンをプローブに用いた場合には、シリコンが酸化されや
すいことから、大気中では再現性の良い安定な特性を得
ることは困難であった。更に、シリコンプローブ上に導
電性材料を被覆して形成する場合には、プローブの最先
端部は鋭利に形成されているため、被覆されにくく安定
な特性を得ることは難しいという問題があった。
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたものであっ
て、酸化しにくい材料を用いるため微小プローブとして
再現性の良い安定な特性が得られ、かつ先端が鋭利に形
成できプローブのマルチ化も容易である微小プローブの
製造方法を提供するものである。
て、酸化しにくい材料を用いるため微小プローブとして
再現性の良い安定な特性が得られ、かつ先端が鋭利に形
成できプローブのマルチ化も容易である微小プローブの
製造方法を提供するものである。
［課題を解決するための手段］
本発明によれば、プローブ材料に隣接したところにマス
クを配置し、斜めイオンエツチングすることにより、マ
スクの影となった部分では非エツチング部を生じること
を利用したものであり、この非エツチング部を微小プロ
ーブとして用いるものである。
クを配置し、斜めイオンエツチングすることにより、マ
スクの影となった部分では非エツチング部を生じること
を利用したものであり、この非エツチング部を微小プロ
ーブとして用いるものである。
すなわち本発明の特徴とするところは、支持体の表面に
パターニングされた電極を形成する工程と、前記支持体
及び電極上にパターニングされたマスクを形成する工程
と、全面又は一部にプローブ材料を成膜する工程と、斜
めイオンエツチングによりプローブ材料を加工し、微小
突起を形成する工程と、を備えて形成される微小プロー
ブの製造方法である。
パターニングされた電極を形成する工程と、前記支持体
及び電極上にパターニングされたマスクを形成する工程
と、全面又は一部にプローブ材料を成膜する工程と、斜
めイオンエツチングによりプローブ材料を加工し、微小
突起を形成する工程と、を備えて形成される微小プロー
ブの製造方法である。
続いて図面に従って本発明を説明する。
第１図は製造工程の断面図である。又第２図はマスク形
状を表わす平面図である。又第３図は斜めイオンエツチ
ングの入射方向を表わす平面図である。
状を表わす平面図である。又第３図は斜めイオンエツチ
ングの入射方向を表わす平面図である。
図中の１は支持体、２は電極、３はマスク、４はプロー
ブ、５はイオンの入射方向である。
ブ、５はイオンの入射方向である。
第１図（ａ）に於いて、先ず支持体１を用意する。この
支持体１は表面凹凸の少ない材料が好ましく例えば＃７
０５９フュージョン、溶融石英さらには表面を研磨した
＃７０５９、石英、シリコンウェハー等を用いることが
できる。又、駆動機構を有する基板、例えばＰＬＺＴ圧
電体、基板上に形成された圧電素子、さらには静電力を
用いた片持及び両持ち梁等を用いることができる。次に
支持体１上に電極２を形成する。該電極２はトンネル電
流を取り出す配線であるから、高導電性を有していれば
良いが、後工程でイオンエツチングにさらされる場合に
は、エッチレートの遅い材料が好ましい。例えば、Ｃｒ
、Ａｊ２．Ｔｉ、Ｍｏなどが挙げられる。
支持体１は表面凹凸の少ない材料が好ましく例えば＃７
０５９フュージョン、溶融石英さらには表面を研磨した
＃７０５９、石英、シリコンウェハー等を用いることが
できる。又、駆動機構を有する基板、例えばＰＬＺＴ圧
電体、基板上に形成された圧電素子、さらには静電力を
用いた片持及び両持ち梁等を用いることができる。次に
支持体１上に電極２を形成する。該電極２はトンネル電
流を取り出す配線であるから、高導電性を有していれば
良いが、後工程でイオンエツチングにさらされる場合に
は、エッチレートの遅い材料が好ましい。例えば、Ｃｒ
、Ａｊ２．Ｔｉ、Ｍｏなどが挙げられる。
係る電極２の形成方法は従来公知の技術、例えば半導体
産業で一般に用いられている真空蒸着法やスパッタ法、
化学気相成長法などの薄膜作製技術やフォトリソグラフ
技術およびエツチング技術を適用することができ、その
作製方法は本発明を制限するものではない。
産業で一般に用いられている真空蒸着法やスパッタ法、
化学気相成長法などの薄膜作製技術やフォトリソグラフ
技術およびエツチング技術を適用することができ、その
作製方法は本発明を制限するものではない。
次に第１図（ｂ）に示すように電極２及び支持体１上に
マスク３を形成する。該マスク３は後工程でイオンエツ
チングにさらされるため、エッチレートの遅い材料が好
ましく、例えばＳｉＯ□やフォトレジストであるＡＺ１
３５０ （ヘキスト社製）などが挙げられる。該マスク
３のパターン形状はイオンエツチングの方向と係りが深
いため、後で詳細に説明する。該マスク３の形成方法と
しても従来公知の技術で十分であるが、電極面に対して
なるべく垂直に形成することが好ましい。
マスク３を形成する。該マスク３は後工程でイオンエツ
チングにさらされるため、エッチレートの遅い材料が好
ましく、例えばＳｉＯ□やフォトレジストであるＡＺ１
３５０ （ヘキスト社製）などが挙げられる。該マスク
３のパターン形状はイオンエツチングの方向と係りが深
いため、後で詳細に説明する。該マスク３の形成方法と
しても従来公知の技術で十分であるが、電極面に対して
なるべく垂直に形成することが好ましい。
次に第１図（Ｃ）に示すようにプローブ４を全面にスパ
ッタ等の成膜法で形成する。又、電気メツキ等の選択性
がある成膜法を用いた場合には一部分に形成可能である
。該プローブ４はトンネル電流を検知するために用いら
れるため、酸化しにくい高導電率の材料が好ましく例え
ばプラチナ、金、パラジウム等が挙げられる。
ッタ等の成膜法で形成する。又、電気メツキ等の選択性
がある成膜法を用いた場合には一部分に形成可能である
。該プローブ４はトンネル電流を検知するために用いら
れるため、酸化しにくい高導電率の材料が好ましく例え
ばプラチナ、金、パラジウム等が挙げられる。
次に第１図（ｄ）に示すように電極面に対し斜めイオン
エツチングでプローブ材を加工することにより、プロー
ブ４を形成できる。該プローブ４はマスク３のパターン
形状を変えることにより色々な形状を作ることが可能で
ある。例えば第２図に示したようにマスク３のパターン
形状をＶ型に開口したものとした場合は、第３図に示し
たイオンの入射方向５を図中の二方向から行えば、マス
クの影を利用した非エツチング部、すなわちプローブ４
を角錐形状に形成できる。尚、第３図に示したようにマ
スク３のＶ型パターン形状の開口角度をθとした場合、
反対方向から入射してくるイオンの方向をθくθ゛ と
した方が角錐形状を得やすくなる。又マスク３の開口部
を円形パターンとした場合には基板回転を行いながらイ
オンエツチングすることにより円錐形状のプローブ４を
得ることができる。
エツチングでプローブ材を加工することにより、プロー
ブ４を形成できる。該プローブ４はマスク３のパターン
形状を変えることにより色々な形状を作ることが可能で
ある。例えば第２図に示したようにマスク３のパターン
形状をＶ型に開口したものとした場合は、第３図に示し
たイオンの入射方向５を図中の二方向から行えば、マス
クの影を利用した非エツチング部、すなわちプローブ４
を角錐形状に形成できる。尚、第３図に示したようにマ
スク３のＶ型パターン形状の開口角度をθとした場合、
反対方向から入射してくるイオンの方向をθくθ゛ と
した方が角錐形状を得やすくなる。又マスク３の開口部
を円形パターンとした場合には基板回転を行いながらイ
オンエツチングすることにより円錐形状のプローブ４を
得ることができる。
次に第１図（ｅ）に示すようにマスク３をエツチング除
去することにより微小プローブが製造できる。
去することにより微小プローブが製造できる。
［実施例１］
本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
第１図及び第２図は第１実施例の微小プローブの製造方
法を説明するための製造工程の断面図及びステップ部の
パターン形状を表わす平面図である。又第３図はエツチ
ング方向を表わす平面図である。
法を説明するための製造工程の断面図及びステップ部の
パターン形状を表わす平面図である。又第３図はエツチ
ング方向を表わす平面図である。
まず、板厚１．１ｍｍのコーニング社製＃７０５９ガラ
スを洗浄し支持体１とし、これに真空蒸着法によりクロ
ムを０．２μｍ堆積し、フォトリソグラフィー技術を用
いて加工することにより、電極２を形成した。（工程ａ
）次に、スパッタ法により５ｉ０２を全面に膜厚２．０
μｍ堆積させ、フォトリソグラフィー技術とＲＩＥ（反
応性イオンエツチング）を用いてマスク３を形成した。
スを洗浄し支持体１とし、これに真空蒸着法によりクロ
ムを０．２μｍ堆積し、フォトリソグラフィー技術を用
いて加工することにより、電極２を形成した。（工程ａ
）次に、スパッタ法により５ｉ０２を全面に膜厚２．０
μｍ堆積させ、フォトリソグラフィー技術とＲＩＥ（反
応性イオンエツチング）を用いてマスク３を形成した。
（工程ｂ）尚、マスク３のパターン形状は第２図に示し
た通り、平面図で見てＶ型の切込みを持ったパターン形
状となっている。又、Ｖ型の間口角は９０” とした。
た通り、平面図で見てＶ型の切込みを持ったパターン形
状となっている。又、Ｖ型の間口角は９０” とした。
次に、プローブ材料としてプラチナをスパッタ法を用い
て全面に、膜厚２．２μｍ堆積させた。
て全面に、膜厚２．２μｍ堆積させた。
（工程Ｃ）続いて、アルゴンを用いた斜めイオンミーリ
ングにより、プラチナをエツチングしプローブ４を得た
。（工程ｄ）該エツチングは基板面に対し入射角６０°
、イオンエネルギー５００ｅＶ、イオン電流密度１ｍＡ
／ａｍ２の条件で行フた。この時、基板ホルダーを第３
図中のθ’＝１００°の範囲で動かしく首振り運動）エ
ツチングすることにより角錐形状のプローブ４を形成し
た。次に、マスク３である５ｉ０２をフッ酸水溶液で除
去することにより微小プローブを得た。（工程ｅ） 次に上述した方法により作製した微小プローブをＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、角錐形状のプ
ローブの先端が鋭利に形成されているのを確認した。こ
のプローブの先端曲率半径は０．０１μｍであった。ま
た本実施例の微小プローブを使用したＳＴＭにより炭素
の臂開面を観察した結果、原子レベルで鮮明に観察する
ことができ、本実施例の微小プローブが十分、実用に耐
えるものであることを確認できた。
ングにより、プラチナをエツチングしプローブ４を得た
。（工程ｄ）該エツチングは基板面に対し入射角６０°
、イオンエネルギー５００ｅＶ、イオン電流密度１ｍＡ
／ａｍ２の条件で行フた。この時、基板ホルダーを第３
図中のθ’＝１００°の範囲で動かしく首振り運動）エ
ツチングすることにより角錐形状のプローブ４を形成し
た。次に、マスク３である５ｉ０２をフッ酸水溶液で除
去することにより微小プローブを得た。（工程ｅ） 次に上述した方法により作製した微小プローブをＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、角錐形状のプ
ローブの先端が鋭利に形成されているのを確認した。こ
のプローブの先端曲率半径は０．０１μｍであった。ま
た本実施例の微小プローブを使用したＳＴＭにより炭素
の臂開面を観察した結果、原子レベルで鮮明に観察する
ことができ、本実施例の微小プローブが十分、実用に耐
えるものであることを確認できた。
［実施例２］
第４図は本発明の第２実施例を説明するための製造工程
の断面図である。
の断面図である。
まず、板厚１．１ｍｍのコーニング社製＃７０５９ガラ
スを洗浄し支持体１とし、これに真空蒸着法により金を
０．２μｍ、下引き層としてクロムを１００人堆積し、
フォトリソグラフィー技術を用いて加工することにより
電極２を形成した。続いてスパッタ法によりＳｉＯ２を
全面に膜厚５．０μｍ堆積させ、フォトリソグラフィー
技術とを用いてマスク３を形成した。尚パターン形状は
φ３μｍの円形とした。（工程ａ）次にプローブ材料と
して、金を電気めっきにより、開口部内に膜厚４．０μ
ｍ成長させた。
スを洗浄し支持体１とし、これに真空蒸着法により金を
０．２μｍ、下引き層としてクロムを１００人堆積し、
フォトリソグラフィー技術を用いて加工することにより
電極２を形成した。続いてスパッタ法によりＳｉＯ２を
全面に膜厚５．０μｍ堆積させ、フォトリソグラフィー
技術とを用いてマスク３を形成した。尚パターン形状は
φ３μｍの円形とした。（工程ａ）次にプローブ材料と
して、金を電気めっきにより、開口部内に膜厚４．０μ
ｍ成長させた。
（工程ｂ）該電気めっきは亜硫酸金めつき液（ＥＥＪＡ
製ニュートロネクス３０９）を用い、めっき液温５０℃
、電流密度１ｍＡ／ａｍ２で１時間行った。
製ニュートロネクス３０９）を用い、めっき液温５０℃
、電流密度１ｍＡ／ａｍ２で１時間行った。
次に、アルゴンを用いた斜めイオンミーリングにより、
全面をエツチングしプローブ４を得た。
全面をエツチングしプローブ４を得た。
（工程Ｃ）
該エツチングは基板面に対し入射角４５°、イオンエ゛
ネルギー５００ｅＶ、イオン電流密度１ｍＡ／ａｍ”の
条件で行った。この時、基板ホルダーを回転させること
により、円錐形状のプローブ４を形成した。
ネルギー５００ｅＶ、イオン電流密度１ｍＡ／ａｍ”の
条件で行った。この時、基板ホルダーを回転させること
により、円錐形状のプローブ４を形成した。
続いて、マスク３である５ｉ０２をフッ酸水溶液で除去
することにより微小プローブを得た。
することにより微小プローブを得た。
（工程ｄ）
次に上述した方法により作製した微小プローブをＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、円錐形状のプ
ローブの先端が鋭利に形成されているのを確認した。こ
のプローブの先端曲率半径は０．０２μｍであった。ま
た本実施例の微小プローブを使用したＳＴＭにより炭素
の臂開面を観察した結果、原子レベルで鮮明に観察する
ことができ、本実施例の微小プローブが十分、実用に耐
えるものであることを確認できた。
（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、円錐形状のプ
ローブの先端が鋭利に形成されているのを確認した。こ
のプローブの先端曲率半径は０．０２μｍであった。ま
た本実施例の微小プローブを使用したＳＴＭにより炭素
の臂開面を観察した結果、原子レベルで鮮明に観察する
ことができ、本実施例の微小プローブが十分、実用に耐
えるものであることを確認できた。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、斜めイオンエツチ
ングにより、微小突起を持つプローブを形成できるため
、酸化しにくい材料をプローブとして用いることが可能
となり、微小プローブとして再現性の良い安定な特性が
得られ、かつマルチ化も容易である。
ングにより、微小突起を持つプローブを形成できるため
、酸化しにくい材料をプローブとして用いることが可能
となり、微小プローブとして再現性の良い安定な特性が
得られ、かつマルチ化も容易である。
第１図及び第４図は本発明の各実施例に於ける製造工程
の断面図である。 第２図は本発明に用いられるマスクのパターン形状の一
例を表わす平面図である。 第３図は本発明に用いられるイオンの入射方向の一例を
表わす平面図である。 １・・・支持体 ２・・・電極 ３・・・マスク ４・・・プローブ５・・・イオ
ンの入射方向
の断面図である。 第２図は本発明に用いられるマスクのパターン形状の一
例を表わす平面図である。 第３図は本発明に用いられるイオンの入射方向の一例を
表わす平面図である。 １・・・支持体 ２・・・電極 ３・・・マスク ４・・・プローブ５・・・イオ
ンの入射方向
Claims (1)
- １、支持体の表面にパターニングされた電極を形成する
工程と、前記支持体及び電極上にパターニングされたマ
スクを形成する工程と、全面又は一部にプローブ材料を
成膜する工程と、斜めイオンエッチングによりプローブ
材料を加工し、微小突起を形成する工程と、を備えるこ
とを特徴とする微小プローブの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24378990A JPH04125402A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 微小プローブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24378990A JPH04125402A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 微小プローブの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04125402A true JPH04125402A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17108985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24378990A Pending JPH04125402A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | 微小プローブの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04125402A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027767A3 (de) * | 2001-09-11 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Mittel und verfahren zur strukturierung eines substrates mit einer maske |
| JP2008536306A (ja) * | 2005-03-28 | 2008-09-04 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるクリーニングまたはコンディショニングプロセスのエンドポイント決定方法及び装置 |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24378990A patent/JPH04125402A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003027767A3 (de) * | 2001-09-11 | 2003-07-17 | Infineon Technologies Ag | Mittel und verfahren zur strukturierung eines substrates mit einer maske |
| JP2008536306A (ja) * | 2005-03-28 | 2008-09-04 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理システムにおけるクリーニングまたはコンディショニングプロセスのエンドポイント決定方法及び装置 |
| JP2013085002A (ja) * | 2005-03-28 | 2013-05-09 | Lam Research Corporation | プラズマ処理システムにおけるクリーニングまたはコンディショニングプロセスのエンドポイント決定方法及び装置 |
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