JPH0412543A - バンプ電極用金線 - Google Patents
バンプ電極用金線Info
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- JPH0412543A JPH0412543A JP2116036A JP11603690A JPH0412543A JP H0412543 A JPH0412543 A JP H0412543A JP 2116036 A JP2116036 A JP 2116036A JP 11603690 A JP11603690 A JP 11603690A JP H0412543 A JPH0412543 A JP H0412543A
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- JP
- Japan
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- ball
- weight
- wire
- concentration
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- Granted
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はワイヤレスボンディング法、特にフリラフチッ
プボンディング法又はテープキャリアボンディング法に
より半導体チップを基盤にボンディングする際のバンプ
電極用金線に関する。
プボンディング法又はテープキャリアボンディング法に
より半導体チップを基盤にボンディングする際のバンプ
電極用金線に関する。
〈従来の技術〉
従来、この種のバンプ電極用金線として例えば特開昭６
３−３０１５３５号公報に開示される如くキャピラリー
の先端から垂下したワイヤの先端を加熱してボールが形
成され、このボール形成時に熱影響を受けて再結晶する
ボールの根元部の弓張り強度が、熱影響を受けない他の
部分の引張り強度に比べ減少し、その後キャピラリーが
下降して該ボールを基盤の配線の上面又は半導体素子の
上面に接着させた状態で、キャピラリーが上昇してワイ
ヤを引張ることにより上記ボールの根元部、即ち再結晶
範囲のどこかで破断して配線の上面又は半導体素子の上
面にバンプ電極を形成せしめるものがある。
３−３０１５３５号公報に開示される如くキャピラリー
の先端から垂下したワイヤの先端を加熱してボールが形
成され、このボール形成時に熱影響を受けて再結晶する
ボールの根元部の弓張り強度が、熱影響を受けない他の
部分の引張り強度に比べ減少し、その後キャピラリーが
下降して該ボールを基盤の配線の上面又は半導体素子の
上面に接着させた状態で、キャピラリーが上昇してワイ
ヤを引張ることにより上記ボールの根元部、即ち再結晶
範囲のどこかで破断して配線の上面又は半導体素子の上
面にバンプ電極を形成せしめるものがある。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし乍ら、このような従来のバンプ電極用金線におい
て添加元素の種別及びその含有率の範囲ではボール形成
時に熱影響を受けて再結晶する範囲が比較的に長いため
、破断する位置にバラツキが多いと共にボールに残るテ
ィル量が長く、安定したバンプ電極を形成できないとい
う問題がある。
て添加元素の種別及びその含有率の範囲ではボール形成
時に熱影響を受けて再結晶する範囲が比較的に長いため
、破断する位置にバラツキが多いと共にボールに残るテ
ィル量が長く、安定したバンプ電極を形成できないとい
う問題がある。
本発明は斯る従来事情に鑑み、破断位置を一定にしてボ
ールのティル残り量を短くしながら加工性の低下及びチ
ップ割れを防止することを目的とする。
ールのティル残り量を短くしながら加工性の低下及びチ
ップ割れを防止することを目的とする。
〈課題を解決するための手段〉
上記課題を解決するために本発明が講する技術的手段は
、ワイヤが高純度ＡｕにＣａを５〜１００重量ｐｐｍと
、Ｙを１００〜５００重量ｐｐｍと、Ｇｅを３０〜１０
０重量ｐｐｍかＢｅを５〜１５重量ｐｐｍの１種又は２
種とを含有させて形成したことを特徴とするものである
。
、ワイヤが高純度ＡｕにＣａを５〜１００重量ｐｐｍと
、Ｙを１００〜５００重量ｐｐｍと、Ｇｅを３０〜１０
０重量ｐｐｍかＢｅを５〜１５重量ｐｐｍの１種又は２
種とを含有させて形成したことを特徴とするものである
。
〈作用〉
上記バンプ電極用金線における各成分の限定理由につい
て述べる。
て述べる。
Ｃａはボール形成時の再結晶温度を高める作用があるの
で再結晶範囲を短くするが、その含有量が５重量ｐｐｍ
未満では特性を満足することかできず、一方１００重量
ｐｐｍ以上では金線の脆化現象か見られて伸線加工が難
しくなると共に熱処理性が悪く、しかもボール形成時に
ボールが硬くなり過ぎてボンディングの際にチップ割れ
の原因となる。
で再結晶範囲を短くするが、その含有量が５重量ｐｐｍ
未満では特性を満足することかできず、一方１００重量
ｐｐｍ以上では金線の脆化現象か見られて伸線加工が難
しくなると共に熱処理性が悪く、しかもボール形成時に
ボールが硬くなり過ぎてボンディングの際にチップ割れ
の原因となる。
Ｙはボール形成時の再結晶範囲を短くする作用かあるが
、その含有量が１００重量ｐｐｍ未満では特性を満足す
ることができず、一方５００重量ｐｐｍ以上では金線の
脆化現象が見られて伸線加工が難しくなると共に熱処理
性が悪＜、シかもボール形成時にボールが硬くなり過ぎ
てチップ割れの原因となる。
、その含有量が１００重量ｐｐｍ未満では特性を満足す
ることができず、一方５００重量ｐｐｍ以上では金線の
脆化現象が見られて伸線加工が難しくなると共に熱処理
性が悪＜、シかもボール形成時にボールが硬くなり過ぎ
てチップ割れの原因となる。
Ｇｅは加工性を高める作用があるが、その含有量が３０
重量ｐｐｍ未満では特性を満足することができず、一方
１００重量ｐｐｍ以上ではチップ割れの原因となる。
重量ｐｐｍ未満では特性を満足することができず、一方
１００重量ｐｐｍ以上ではチップ割れの原因となる。
Ｂｅは加工性を高める作用があるが、その含有量が５重
量ｐｐｍ未満では特性を満足することができず、一方１
５重量ｐｐｍ以上では金線の脆化現象が見られて伸線加
工が難しくなると共にチップ割れの原因となる。
量ｐｐｍ未満では特性を満足することができず、一方１
５重量ｐｐｍ以上では金線の脆化現象が見られて伸線加
工が難しくなると共にチップ割れの原因となる。
そして、不可避不純物を含む純度９９．９９％以上のＡ
ｕにＣａを５〜１００重量ｐｐｍとＹを１００〜５００
重量ｐｐｍ添加することによって、再結晶範囲が短くな
り、これにＧｅを３０〜１００重量ｐｐｍかＢｅを５〜
１５重量ｐｐｍかこれら両者を複合添加することによっ
て、伸線加工が容易になると共にボールが硬くなり過ぎ
ないものである。
ｕにＣａを５〜１００重量ｐｐｍとＹを１００〜５００
重量ｐｐｍ添加することによって、再結晶範囲が短くな
り、これにＧｅを３０〜１００重量ｐｐｍかＢｅを５〜
１５重量ｐｐｍかこれら両者を複合添加することによっ
て、伸線加工が容易になると共にボールが硬くなり過ぎ
ないものである。
〈実施例〉
以下、具体的な実施例について説明する。
各試料は高純度Ａｕ （９９，９９９％）にＣａ。
Ｙ、Ｇｅ、Ｂｅを添加して溶解鋳造し、次に溝ロール加
工を施し、その途中で焼なまし処理を施した後に線引加
工で２５μφの極細金線に成形したものである。
工を施し、その途中で焼なまし処理を施した後に線引加
工で２５μφの極細金線に成形したものである。
各試料の元素含有量は表（１）に示す通りであり、その
試料ＮＯ６１〜１２０は本発明の実施品、試料Ｎｏ、１
２１，１２２は本発明の組成範囲にない比較界である。
試料ＮＯ６１〜１２０は本発明の実施品、試料Ｎｏ、１
２１，１２２は本発明の組成範囲にない比較界である。
表（１）
上記試料によって機械的特性、熱影響範囲長さ。
ボール根元部での切断性、加工性の良否及びチップ割れ
の有無を測定した結果を次表（２）に示す。
の有無を測定した結果を次表（２）に示す。
この測定結果により本発明の組成は前述した範囲で最適
であることが理解され、高純度ＡｕにＣａを５０〜１０
０重量ｐｐｍとＹを２５０〜１０００重量ｐｐｍを添加
すれば熱影響範囲長さが５０〜６０μｍとなる。
であることが理解され、高純度ＡｕにＣａを５０〜１０
０重量ｐｐｍとＹを２５０〜１０００重量ｐｐｍを添加
すれば熱影響範囲長さが５０〜６０μｍとなる。
尚、本発明の特性に影響を与えない範囲で他の元素、例
えばランタン系の希土類元素やＳｂ。
えばランタン系の希土類元素やＳｂ。
Ｉｎ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｐｂ等を添加すること
は任意である。
は任意である。
〈発明の効果〉
本発明は上記の構成であるから、以下の利点を有する。
不可避不純物を含む純度９９．９９％以上のＡＵにＣａ
を５〜１００重量ｐｐｍとＹを１００〜５００重量ｐｐ
ｍ添加することによって、再結晶範囲が短くなり、これ
にＧｅを３０〜１００重量ｐｐｍかＢｅを５〜１５重量
ｐｐｍかこれら両者を複合添加することによって、伸線
加工が容易になると共にボールが硬くなり過ぎないので
、破断位置を一定にしてボールのティル残り量を短くし
ながら加工性の低下及びチップ割れを防止することがで
きる。
を５〜１００重量ｐｐｍとＹを１００〜５００重量ｐｐ
ｍ添加することによって、再結晶範囲が短くなり、これ
にＧｅを３０〜１００重量ｐｐｍかＢｅを５〜１５重量
ｐｐｍかこれら両者を複合添加することによって、伸線
加工が容易になると共にボールが硬くなり過ぎないので
、破断位置を一定にしてボールのティル残り量を短くし
ながら加工性の低下及びチップ割れを防止することがで
きる。
従って、ワイヤボンダーの機械的な動作でワイヤーを切
断することなく均一なバンプ電極を形成できる。
断することなく均一なバンプ電極を形成できる。
特
許
Claims (1)
- 細いワイヤの先端を加熱してボールを形成し、該ボー
ルを配線の上面又は半導体素子の上面に接着させた状態
でワイヤを引張ることにより、ボールがその根本部から
切断されて配線の上面又は半導体素子の上面にバンプ電
極を形成せしめるバンプ電極用金線において、前記ワイ
ヤが高純度ＡｕにＣａを５〜１００重量ｐｐｍと、Ｙを
１００〜５００重量ｐｐｍと、Ｇｅを３０〜１００重量
ｐｐｍかＢｅを５〜１５重量ｐｐｍの１種又は２種とを
含有させて形成したことを特徴とするバンプ電極用金線
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116036A JP2826169B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | バンプ電極用金線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2116036A JP2826169B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | バンプ電極用金線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412543A true JPH0412543A (ja) | 1992-01-17 |
| JP2826169B2 JP2826169B2 (ja) | 1998-11-18 |
Family
ID=14677151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2116036A Expired - Fee Related JP2826169B2 (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | バンプ電極用金線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2826169B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6123786A (en) * | 1993-09-06 | 2000-09-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Gold materials for accessories hardened with minor alloying components |
| JP2009062808A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-26 | Bauer Maschinen Gmbh | 土壌内にトレンチを作製する基礎建造装置 |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP2116036A patent/JP2826169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6123786A (en) * | 1993-09-06 | 2000-09-26 | Mitsubishi Materials Corporation | Gold materials for accessories hardened with minor alloying components |
| JP2009062808A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-03-26 | Bauer Maschinen Gmbh | 土壌内にトレンチを作製する基礎建造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2826169B2 (ja) | 1998-11-18 |
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