JPH04125443U - 縦型減圧ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ボートの下部付近に載置したウェーハの温度
を短時間で安定させる。 【構成】 内部反応管２内壁にボート１を保持すること
によりボート１の下部付近に載置したウェーハの温度を
短時間で安定させることができる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は内，外部反応管を垂設して炉口部を蓋６で密封し、内部反応管内にボ ートを設けて該ボートに載置されたウェーハに薄膜を堆積する縦型減圧ＣＶＤ装 置に関する。

【０００２】

【従来の技術】

シリコン半導体プロセスにおいて、多結晶シリコン膜，シリコン窒化膜等の薄 膜の堆積法として、化学的気相成長法が必要不可欠となっている。

【０００３】 図４は従来装置の１例の要部を示す断面図である。２，３はそれぞれ内，外部 反応管、６は炉口部を密封するステンレス製蓋、５はこの蓋６上に置かれた石英 キャップ、１はこのキャップ５上に載せたボートで、多数枚のウェーハ４が載置 されている。

【０００４】 このような従来装置は図示しないヒータによりボート１上に載置されたウェー ハ４を加熱し、反応ガスを流入させつつ排気することによりウェーハに薄膜を堆 積する装置である。

【０００５】

【考案が解決しようとする課題】

上記従来例にあっては、ウェーハ４を載置したボート１を保持するため、ステ ンレス製蓋６上の石英キャップ５にボート１を載せているので、ウェーハ４の熱 がボート１，石英キャップ５及びステンレス製蓋６を介して放熱するためボート １の下部付近に載置したウェーハ４の温度が安定するまで長時間を要するという 課題がある。

【０００６】 本考案の目的は、ボート１の下部付近に載置したウェーハ４の温度が安定する までに要する時間を短縮することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】

本考案装置は上記の課題を解決し上記の目的を達成するため、図１に示すよう に内，外部反応管２，３を垂設して炉口部を蓋６で密封し、上記内部反応管２内 にボート１を設けて該ボート１に載置されたウェーハ４に薄膜を堆積する縦型減 圧ＣＶＤ装置において、前記内部反応管２内壁にボート１を保持してなる。

【０００８】

【作用】

このように内部反応管２の内壁にボート１を保持することにより、ボート１の 下部付近に載置したウェーハ４の温度は内部反応管２の温度とほぼ等温になり、 ボート１の下部付近に載置したウェーハ４の熱が放熱する度合が極めて少なくな るため、当該ボート１の下部付近のウェーハ４の温度が短時間で安定することに なる。

【０００９】

【実施例】

図１は本考案装置の１実施例の要部を示す断面図、図２は本実施例におけるボ ートの平面図、図３は同じくその内部反応管の平面図である。２，３はそれぞれ 内，外部反応管、６は炉口部を密封するステンレス製蓋で、炉内を減圧状態に保 つためのものである。この蓋６の内部には１１０〜１５０℃に温度制御されたヒ ータ８が収設されている。ヒータ８の温度制御は公知の手段を適宜用いればよい 。

【００１０】 １はボートで、多数枚のウェーハ４が載置されている。このボート１の下面外 周には図２に示すように３つの突部９が等角度１２０°おきに設けられ、これに 対し内部反応管２の内壁には図３に示すようにボート１の３つの突部９をそれぞ れ支える突起部７が設けられている。この各突起部７の隣接相互間にはボート１ の３つの突部９が挿通する部分１０が形成されることになる。７Ａは各突起部７ に設けた支え部分であり、１１はボート１を昇降するエレベータである。

【００１１】 上記構成の本実施例において内部反応管２内にボート１をエレベータ１１によ り上昇させ、３つの突起部７の支え部分７Ａに保持するには、蓋６を取り除いた 後、エレベータ１１によりボート１を上昇させ、内部反応管２の挿通部分１０を 挿通させる。しかる後、エレベータ１１自体を１２０°回転させ、エレベータ１ １を下降させることによりボート１の３つの突部９を内部反応管２の３つの突起 部７の支え部分７Ａで支えてボート１を内部反応管２の３つの突起部７に保持す ることができることになる。

【００１２】 次いで炉口部を蓋６で密封した後、この実施例においても従来と同様に図示し ないヒータによりボート１上に載置されたウェーハ４を加熱し、反応ガスを流入 させつつ排気することによりウェーハ４に薄膜を堆積することができる。

【００１３】 本実施例は内部反応管２内壁に設けた突起部７に、ボート１の下面外周に設け た複数の突部９を保持することにより、ボート１の下部付近に載置したウェーハ ４の温度は内部反応管２の温度とほぼ等温になり、ボート１の下部付近に載置し ないウェーハ４の熱が放熱する度合が極めて少なくなるため、当該ボート１の下 部付近のウェーハ４の温度が短時間で安定することになる。

【００１４】 更に炉口部を密封するステンレス製蓋６の内部に温度制御されるヒータ８を収 設し、このヒータ８を温度制御することによりボート１の下部付近に載置したウ ェーハ４の熱が放熱する度合をなお一層少なくできるため、当該ボート１の下部 付近のウェーハ４の温度が更に短時間で安定することができることになる。

【００１５】

【考案の効果】

上述のように本考案によれば、内，外部反応管２，３を垂設して炉口部を蓋６ で密封し、上記内部反応管２内にボート１を設けて該ボート１に載置されたウェ ーハ４に薄膜を堆積する縦型減圧ＣＶＤ装置において、前記内部反応管２内壁に ボート１を保持してなるので、ボート１の下部付近に載置したウェーハ４の温度 を短時間で安定させることができ、又スループットを向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案装置の１実施例の要部を示す断面図であ
る。

【図２】本実施例におけるボートの平面図である。

【図３】同じくその内部反応管の平面図である。

【図４】従来装置の１例の要部を示す断面図である。

【符号の説明】

１ ボート ２ 内部反応管 ３ 外部反応管 ４ ウェーハ ６ （ステンレス製）蓋 ７ 突起部 ７Ａ 支え部分 ８ ヒータ ９ 突部 １０ 挿通部分

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 内，外部反応管（２，３）を垂設して炉
   口部を蓋（６）で密封し、上記内部反応管（２）内にボ
   ート（１）を設けて該ボート（１）に載置されたウェー
   ハ（４）に薄膜を堆積する縦型減圧ＣＶＤ装置におい
   て、前記内部反応管（２）内壁にボート（１）を保持し
   てなる縦型減圧ＣＶＤ装置。
2. 【請求項２】 内部反応管（２）内壁に複数の突起部
   （７）を設け、ボート（１）の下面外周には前記各突起
   部（７）に保持される複数の突部（９）を設けてなる請
   求項１の縦型減圧ＣＶＤ装置。
3. 【請求項３】 蓋（６）内部に温度制御されたヒータ
   （８）を収設することを特徴とする請求項１，２の縦型
   減圧ＣＶＤ装置。