JPH0412616B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0412616B2 JPH0412616B2 JP59022610A JP2261084A JPH0412616B2 JP H0412616 B2 JPH0412616 B2 JP H0412616B2 JP 59022610 A JP59022610 A JP 59022610A JP 2261084 A JP2261084 A JP 2261084A JP H0412616 B2 JPH0412616 B2 JP H0412616B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- group
- concentrated
- inorganic
- epitaxial wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P70/00—Cleaning of wafers, substrates or parts of devices
- H10P70/10—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H10P70/15—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process by wet cleaning only
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明な周期律表第ｂ族及び第ｂ族元素か
らなる無機化合物（以下「−族化合物」とい
う。）エピタキシヤルウエハの表面処理方法に関
する。
らなる無機化合物（以下「−族化合物」とい
う。）エピタキシヤルウエハの表面処理方法に関
する。
GaP、GaAs、Ga1-xAlxAs、GaAs1-xPx等の
−族化合物の単結晶は、発光ダイオード、半
導体レーザー、FET等の製造に用いられている。
−族化合物の単結晶は、発光ダイオード、半
導体レーザー、FET等の製造に用いられている。
これらの素子を製造する場合、GaAs、GaP等
の単結晶基板上に気相エピタキシヤル成長法又は
液相エピタキシヤル成長法により単結晶層を形成
したエピタキシヤルウエハが用いられる。
の単結晶基板上に気相エピタキシヤル成長法又は
液相エピタキシヤル成長法により単結晶層を形成
したエピタキシヤルウエハが用いられる。
これらのエピタキシヤルウエハは、製造後、カ
ーボン、その他の汚染物を除去するために、純水
中における超音波洗浄法等の方法によつて洗浄し
た後乾燥することが行なわれている。この場合、
洗浄及び乾燥むらのために、エピタキシヤルウエ
ハ面に斑点状のしみが生じることが多かつた。
ーボン、その他の汚染物を除去するために、純水
中における超音波洗浄法等の方法によつて洗浄し
た後乾燥することが行なわれている。この場合、
洗浄及び乾燥むらのために、エピタキシヤルウエ
ハ面に斑点状のしみが生じることが多かつた。
従来、このようなしみを除去するために、エピ
タキシヤルウエハの表面を再度ポリシングするこ
とが行なわれていた。
タキシヤルウエハの表面を再度ポリシングするこ
とが行なわれていた。
しかしながら、かかるポリシングを行なうこと
は、手数を要し生産性を低下することとなるので
簡便なしみの除去方法が必要とされていた。
は、手数を要し生産性を低下することとなるので
簡便なしみの除去方法が必要とされていた。
本発明者等は、簡便なしみの除去方法を見出す
ことを目的として鋭意研究を重ねた結果本発明に
到達したものであつて、本発明の上記の目的は、
単結晶基板上に−族化合物単結晶薄膜をエピ
タキシヤル成長させて得られるエピタキシヤルウ
エハを洗浄乾燥する際に生じるしみを除去する方
法において、上記しみを生じたエピタキシヤルウ
エハを無機ブレンステツド酸中に浸漬してしみを
除去することを特徴とする方法により達せられ
る。
ことを目的として鋭意研究を重ねた結果本発明に
到達したものであつて、本発明の上記の目的は、
単結晶基板上に−族化合物単結晶薄膜をエピ
タキシヤル成長させて得られるエピタキシヤルウ
エハを洗浄乾燥する際に生じるしみを除去する方
法において、上記しみを生じたエピタキシヤルウ
エハを無機ブレンステツド酸中に浸漬してしみを
除去することを特徴とする方法により達せられ
る。
本発明方法に用いられる処理液としては無機ブ
レンステツド酸が適当である。特に、濃硫酸（70
〜98％）、又は濃塩酸（20〜38％）が好ましく、
濃燐酸（75％以上）、濃硝酸（60〜95％）等も用
いられる。なお、濃度の低い酸ではしみの除去に
長時間を要するので好ましくない。
レンステツド酸が適当である。特に、濃硫酸（70
〜98％）、又は濃塩酸（20〜38％）が好ましく、
濃燐酸（75％以上）、濃硝酸（60〜95％）等も用
いられる。なお、濃度の低い酸ではしみの除去に
長時間を要するので好ましくない。
本発明方法においては、洗浄、乾燥むらによつ
て、表面に斑点状のしみを生じたエピタキシヤル
ウエハを室温で短時間、例えば20〜90秒程度浸漬
する。しみが除去されたことを確認した後、エピ
タキシヤルウエハを取り出して通常の方法によつ
て水洗乾燥される。例えば、純水によりカスケー
ド洗浄し、続いて、iso−プロパノールで水分を
除去した後フレオン乾燥する。
て、表面に斑点状のしみを生じたエピタキシヤル
ウエハを室温で短時間、例えば20〜90秒程度浸漬
する。しみが除去されたことを確認した後、エピ
タキシヤルウエハを取り出して通常の方法によつ
て水洗乾燥される。例えば、純水によりカスケー
ド洗浄し、続いて、iso−プロパノールで水分を
除去した後フレオン乾燥する。
本発明方法が適用される−族化合物として
は、GaAs、GaP、GaAs1-xPx（０＜ｘ＜１）、
Ga1-xAlxAs（０＜ｘ＜１）、InP、InAs等が例示
される。
は、GaAs、GaP、GaAs1-xPx（０＜ｘ＜１）、
Ga1-xAlxAs（０＜ｘ＜１）、InP、InAs等が例示
される。
本発明方法によると、しみが生じたウエハをポ
リシングする必要がなく、極めて容易にしみを除
去でき、かつ、ウエハの表面が腐蝕されることが
ない。
リシングする必要がなく、極めて容易にしみを除
去でき、かつ、ウエハの表面が腐蝕されることが
ない。
したがつて、−族化合物エピタキシヤルウ
エハの生産性を向上させることができる。
エハの生産性を向上させることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 単結晶基板上に周期律表第ｂ族及び第ｂ
族元素からなる無機化合物単結晶薄膜をエピタキ
シヤル成長させて得られるエピタキシヤルウエハ
を洗浄乾燥する際に上記ウエハの表面に生じるし
みを除去する方法において、上記しみを生じたウ
エハを無機ブレンステツド酸中に浸漬してしみを
除去することを特徴とする方法。 ２ 無機ブレンステツド酸が濃硫酸、濃塩酸、濃
燐酸及び濃硝酸からなる群から選ばれた一種の酸
である特許請求の範囲第１項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022610A JPS60167333A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 無機化合物エピタキシヤルウエハ表面のしみ除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59022610A JPS60167333A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 無機化合物エピタキシヤルウエハ表面のしみ除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60167333A JPS60167333A (ja) | 1985-08-30 |
| JPH0412616B2 true JPH0412616B2 (ja) | 1992-03-05 |
Family
ID=12087605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59022610A Granted JPS60167333A (ja) | 1984-02-09 | 1984-02-09 | 無機化合物エピタキシヤルウエハ表面のしみ除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60167333A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103014875B (zh) * | 2012-11-30 | 2015-10-21 | 甘肃虹光电子有限责任公司 | 一种人造蓝宝石薄片的处理方法 |
-
1984
- 1984-02-09 JP JP59022610A patent/JPS60167333A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60167333A (ja) | 1985-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |