JPH04127604A - 差動増幅回路 - Google Patents
差動増幅回路Info
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- JPH04127604A JPH04127604A JP2248231A JP24823190A JPH04127604A JP H04127604 A JPH04127604 A JP H04127604A JP 2248231 A JP2248231 A JP 2248231A JP 24823190 A JP24823190 A JP 24823190A JP H04127604 A JPH04127604 A JP H04127604A
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0088—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は差動増幅回路の構成に関し、
動作を制御する方式に関する。
第3図に従来の制御信号入力を有する差動増幅回路の回
路図を示す。vCCは高電位が与えられる第一の電源端
子、vSSは低電位が与えられる第二の電源端子、IO
I並びにIO2は各々差動入力端子、001は出力端子
、NOI、NO2゜NO3,NO4は各回路節点、工S
O1は一端が第一の電圧源端子vCCに、他端が回路節
点N01に接続された定電流源、DOIは7ノードが回
路節点NOIに、カソードが第二の電圧源端子VSSに
接続されたダイオード、Dllは7ノー特に回路 ドが第一の電圧源端子VCCに、カソードが節点NO3
に接続されたダイオード、MNOIはドレインが回路節
点NOIに、ゲートが制御信号入力端子SO1に、ソー
スが第二の電圧源端子■SSに接続されたNチャンネル
MO8)ランシスタ、QOIはコレクタが回路節点NO
3に、ベースカ差動入力端子I01に、エミッタが回路
節点N02に接続されたNPNバイポーラトランジスタ
、QO2はコレクタが回路節点NO4に、ベースカ差動
入力端子I02に、エミッタが回路節点N02に接続さ
れたNPNバイポーラトランジスタ、QO3はコレクタ
が回路節点NO2に、ベースが回路節点NOIに、エミ
ッタが第二の電圧源端子vSSに接続されたNPNバイ
ポーラトランジスタ、Qllはコレクタが回路節点NO
4に、ベースが回路節点NO3に、エミッタが第一の電
圧源端子vCCに接続されたPNPバイポーラトランジ
スタ、QO4はコレクタが第一の電圧源端子VCCに、
ベースが回路節点NO4に、エミッタが出力端子001
に接続されたNPNバイポーラトランジスタ、QO5は
コレクタが出力端子001に、ベースが回路節点NOI
に、エミッタが第二の電圧源端子vSSに接続されたN
PNバイポーラトランジスタである。
路図を示す。vCCは高電位が与えられる第一の電源端
子、vSSは低電位が与えられる第二の電源端子、IO
I並びにIO2は各々差動入力端子、001は出力端子
、NOI、NO2゜NO3,NO4は各回路節点、工S
O1は一端が第一の電圧源端子vCCに、他端が回路節
点N01に接続された定電流源、DOIは7ノードが回
路節点NOIに、カソードが第二の電圧源端子VSSに
接続されたダイオード、Dllは7ノー特に回路 ドが第一の電圧源端子VCCに、カソードが節点NO3
に接続されたダイオード、MNOIはドレインが回路節
点NOIに、ゲートが制御信号入力端子SO1に、ソー
スが第二の電圧源端子■SSに接続されたNチャンネル
MO8)ランシスタ、QOIはコレクタが回路節点NO
3に、ベースカ差動入力端子I01に、エミッタが回路
節点N02に接続されたNPNバイポーラトランジスタ
、QO2はコレクタが回路節点NO4に、ベースカ差動
入力端子I02に、エミッタが回路節点N02に接続さ
れたNPNバイポーラトランジスタ、QO3はコレクタ
が回路節点NO2に、ベースが回路節点NOIに、エミ
ッタが第二の電圧源端子vSSに接続されたNPNバイ
ポーラトランジスタ、Qllはコレクタが回路節点NO
4に、ベースが回路節点NO3に、エミッタが第一の電
圧源端子vCCに接続されたPNPバイポーラトランジ
スタ、QO4はコレクタが第一の電圧源端子VCCに、
ベースが回路節点NO4に、エミッタが出力端子001
に接続されたNPNバイポーラトランジスタ、QO5は
コレクタが出力端子001に、ベースが回路節点NOI
に、エミッタが第二の電圧源端子vSSに接続されたN
PNバイポーラトランジスタである。
本従来例に於いてダイオードDO1、NPNバイポーラ
トランジスタQO3並びにQO5はそれぞれ各NPNバ
イポーラトランジスタQO3,Q05のコレクタに定電
流を出力するカレントミラー回路を構成している。また
夕゛イオードDll、PNPバイポーラトランジスタQ
llは差動増幅回路の能動負荷を構成するカレントミラ
ー回路を形成している。先ず、制御信号入力端子Sol
にロウレベルの制御信号が入力されている場合について
説明する。NチャンネルMO8)ランシスタMNOIは
遮断状態となり、電流源ISO1の供給する電流のほと
んどはダイオ−)”DOIを流れる。従ってダイオード
DOIとカレントミラー回路を構成するNPNバイポー
ラトランジスタQO3並びにQO6のコレクタにも電流
がそれぞれ流れることとなり、エミッタフォロワ構成の
出力段を有する差動増幅回路として動作する。
トランジスタQO3並びにQO5はそれぞれ各NPNバ
イポーラトランジスタQO3,Q05のコレクタに定電
流を出力するカレントミラー回路を構成している。また
夕゛イオードDll、PNPバイポーラトランジスタQ
llは差動増幅回路の能動負荷を構成するカレントミラ
ー回路を形成している。先ず、制御信号入力端子Sol
にロウレベルの制御信号が入力されている場合について
説明する。NチャンネルMO8)ランシスタMNOIは
遮断状態となり、電流源ISO1の供給する電流のほと
んどはダイオ−)”DOIを流れる。従ってダイオード
DOIとカレントミラー回路を構成するNPNバイポー
ラトランジスタQO3並びにQO6のコレクタにも電流
がそれぞれ流れることとなり、エミッタフォロワ構成の
出力段を有する差動増幅回路として動作する。
次に制御信号入力端子SDIにハイレベルの信号が入力
されるとNチャンネルMOSトランジスタMNOIは導
通状態となり電流源l5OIの供給する電流はほとんど
NチャンネルMOSトランジスタMNOIのドレイン電
流となるため、タイオードDOIを流れる電流はなくな
り、従ってNPNバイポーラトランジスタQO3並びに
QO5のコレクタに流れる電流もなくなる。このときN
PNバイポーラトランジスタQO4には回路節点NO4
の寄生容量よりベース電流が供給されているためすぐに
は遮断状態とはならず、数10μs〜数100μsの間
出力電流を供給した後遮断状態となる。
されるとNチャンネルMOSトランジスタMNOIは導
通状態となり電流源l5OIの供給する電流はほとんど
NチャンネルMOSトランジスタMNOIのドレイン電
流となるため、タイオードDOIを流れる電流はなくな
り、従ってNPNバイポーラトランジスタQO3並びに
QO5のコレクタに流れる電流もなくなる。このときN
PNバイポーラトランジスタQO4には回路節点NO4
の寄生容量よりベース電流が供給されているためすぐに
は遮断状態とはならず、数10μs〜数100μsの間
出力電流を供給した後遮断状態となる。
以上説明したように、従来の差動増幅回路は能動状態か
ら非能動状態への遷移時間が長いという欠点を有する。
ら非能動状態への遷移時間が長いという欠点を有する。
本発明の差動増幅回路は能動負荷を有する差動入力段と
、エミッタフォロワ構成による出力段と、入力段並びに
出力段に動作の基本となる電流を各々供給する電流源と
、各々の電流源を遮断し得る制御回路とを有する差動増
幅回路において、出力段を構成するエミッタフォロワの
エミッタ電流を供給するトランジスタのベースに、電流
源を遮断し得る制御回路の動作と同期して、ベース電流
を遮断する回路を有する。
、エミッタフォロワ構成による出力段と、入力段並びに
出力段に動作の基本となる電流を各々供給する電流源と
、各々の電流源を遮断し得る制御回路とを有する差動増
幅回路において、出力段を構成するエミッタフォロワの
エミッタ電流を供給するトランジスタのベースに、電流
源を遮断し得る制御回路の動作と同期して、ベース電流
を遮断する回路を有する。
本発明の差動増幅回路によれば、出力段のエミッタフォ
ロワ回路のエミッタフォロワ出力トランジスタのベース
電流を遮断する回路はこのエミッタフォロワ出力トラン
ジスタのベース寄生容量から電荷を急速に取り除く作用
をするので、差動増幅回路の能動状態から非能動状態へ
の遷移時間を短くできる。
ロワ回路のエミッタフォロワ出力トランジスタのベース
電流を遮断する回路はこのエミッタフォロワ出力トラン
ジスタのベース寄生容量から電荷を急速に取り除く作用
をするので、差動増幅回路の能動状態から非能動状態へ
の遷移時間を短くできる。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。
第1図に本発明の一実施例の回路図を示す。
VCCは高電位を与える第一の電圧源端子、VSSは低
電位を与える第二の電圧源端子、SQLは制御信号入力
端子、IOI並びにIO2は各々差動信号入力端子、0
01は出力端子、NOI、NO2゜No3.NO4,N
o 5は各回路節点、工SOIは一端が第一の電圧源端
子vCCに、他端が回路節点NOIに接続された定電流
源、DOIはアノードが回路節点NOIに、カソードが
第二の電圧源端子vSSに接続されたダイオード、Dl
lはアノードが第一の電圧源端子vCCに、カソードが
回路節点NO3に接続されたダイオード、MNOIはト
レインが回路節点Notに、ゲートが制御信号入力端子
SQLに、ソースが第二の電圧源端子■SSに接続され
たNチャンネルMOSトランジスタ、QOIはコレクタ
が回路8点NO3に、ベースか差動入力端子I01に、
エミッタが回路節点NO2に接続されたNPNバイポー
ラトランジスタ、Q02はコレクタが回路節点NO4に
、ベースが差動入力端チエ02に、エミッタが回路節点
NO2に接続されたNPNバイポーラトランジスタ、Q
O3はコレクタが回路節点NO2に、ベースか回路節点
NOIに、エミッタが第二の電圧源端子vSSに接続さ
れたNPNバイポーラトランジスタ、Qllはコレクタ
が回路節点N04に、ベースが回路節点NO3に、エミ
ッタが第一の電圧源端子vCCに接続されたPNPバイ
ポーラトランジスタ、QO4はコレクタが第一の電圧源
端子vCCに、ベースが回路節点NO4に、エミッタが
圧力端子001に接続されたNPNバイポーラトランジ
スタ、QO5はコレクタが出力端子001に、ベースが
回路節点NOIに、エミッタが第二の電圧源端子■SS
に接続されたNPNバイポーラトランジスタ、MNO2
はドレインが回路節点NO4に、ゲートが制御信号入力
端子S01に、ソースが第二の電圧源端子vSSに接続
されたNチャンネルMOS)ランシスタである。
電位を与える第二の電圧源端子、SQLは制御信号入力
端子、IOI並びにIO2は各々差動信号入力端子、0
01は出力端子、NOI、NO2゜No3.NO4,N
o 5は各回路節点、工SOIは一端が第一の電圧源端
子vCCに、他端が回路節点NOIに接続された定電流
源、DOIはアノードが回路節点NOIに、カソードが
第二の電圧源端子vSSに接続されたダイオード、Dl
lはアノードが第一の電圧源端子vCCに、カソードが
回路節点NO3に接続されたダイオード、MNOIはト
レインが回路節点Notに、ゲートが制御信号入力端子
SQLに、ソースが第二の電圧源端子■SSに接続され
たNチャンネルMOSトランジスタ、QOIはコレクタ
が回路8点NO3に、ベースか差動入力端子I01に、
エミッタが回路節点NO2に接続されたNPNバイポー
ラトランジスタ、Q02はコレクタが回路節点NO4に
、ベースが差動入力端チエ02に、エミッタが回路節点
NO2に接続されたNPNバイポーラトランジスタ、Q
O3はコレクタが回路節点NO2に、ベースか回路節点
NOIに、エミッタが第二の電圧源端子vSSに接続さ
れたNPNバイポーラトランジスタ、Qllはコレクタ
が回路節点N04に、ベースが回路節点NO3に、エミ
ッタが第一の電圧源端子vCCに接続されたPNPバイ
ポーラトランジスタ、QO4はコレクタが第一の電圧源
端子vCCに、ベースが回路節点NO4に、エミッタが
圧力端子001に接続されたNPNバイポーラトランジ
スタ、QO5はコレクタが出力端子001に、ベースが
回路節点NOIに、エミッタが第二の電圧源端子■SS
に接続されたNPNバイポーラトランジスタ、MNO2
はドレインが回路節点NO4に、ゲートが制御信号入力
端子S01に、ソースが第二の電圧源端子vSSに接続
されたNチャンネルMOS)ランシスタである。
ダイオードDo l、NPNバイポーラトランジスタQ
O3並びにQO5は従来例と同様にそれぞれカレントミ
ラー回路を構成している。またダイオードDll、PN
PバイポーラトランジスタQ11は差動増幅段の能動負
荷を構成するカレントミラー回路となっている。
O3並びにQO5は従来例と同様にそれぞれカレントミ
ラー回路を構成している。またダイオードDll、PN
PバイポーラトランジスタQ11は差動増幅段の能動負
荷を構成するカレントミラー回路となっている。
次に本実施例の回路動作について説明する。先ず、制御
信号入力端子SQLにロウレベルの制御信号か入力され
ている場合について説明する。NチャンネルMOSトラ
ンジスタMNOI、並びにMNO2は遮断状態となり、
電流源王01の供給する電流のほとんどはダイオードD
OIを流れる、従ってダイオードDO1とカレントミラ
ー回路を構成するNPNバイポーラトランジスタQO3
並びにQO5にも電流が流れることとなる。またNチャ
ンネルMOS)ランシスタMNO2が遮断状態であるこ
とがらNPNバイポーラトランジスタQO4のベース電
流をバイパスすることもなく、エミッタフォロワ構成の
出力段を有する差動増幅回路として動作する。
信号入力端子SQLにロウレベルの制御信号か入力され
ている場合について説明する。NチャンネルMOSトラ
ンジスタMNOI、並びにMNO2は遮断状態となり、
電流源王01の供給する電流のほとんどはダイオードD
OIを流れる、従ってダイオードDO1とカレントミラ
ー回路を構成するNPNバイポーラトランジスタQO3
並びにQO5にも電流が流れることとなる。またNチャ
ンネルMOS)ランシスタMNO2が遮断状態であるこ
とがらNPNバイポーラトランジスタQO4のベース電
流をバイパスすることもなく、エミッタフォロワ構成の
出力段を有する差動増幅回路として動作する。
次に、制御信号入力端子SOIにハイレベルの信号が入
力されるとNチャンネルMOS)ランシスタMNOIは
導通状態となF)電流源101の供給する電流はほとん
どNチャンネルMOS)ランジスタMNOIのドレイン
電流となるためダイオ−F’DOIを流れる電流はなく
なり、従ってNPNバイポーラトランジスタQO3並び
にQO5を流れる電流もなくなる。このときNチャンネ
ルMOSトランジスタMNO2も導通状態となり回路節
点NO4の寄生容量をすばやく放電して、NPNバイポ
ーラトランジスタQO4のベース’1tdtを遮断する
。これにより、本実施例では差動増幅回路の能動状態か
ら非能動状態への遷移時間を短縮する。本実施例におい
ては回路節点NO4の電位はほとんど第二の電圧源■S
Sの電位まですばやく降下する。
力されるとNチャンネルMOS)ランシスタMNOIは
導通状態となF)電流源101の供給する電流はほとん
どNチャンネルMOS)ランジスタMNOIのドレイン
電流となるためダイオ−F’DOIを流れる電流はなく
なり、従ってNPNバイポーラトランジスタQO3並び
にQO5を流れる電流もなくなる。このときNチャンネ
ルMOSトランジスタMNO2も導通状態となり回路節
点NO4の寄生容量をすばやく放電して、NPNバイポ
ーラトランジスタQO4のベース’1tdtを遮断する
。これにより、本実施例では差動増幅回路の能動状態か
ら非能動状態への遷移時間を短縮する。本実施例におい
ては回路節点NO4の電位はほとんど第二の電圧源■S
Sの電位まですばやく降下する。
第2図に本発明の他の実施例の回路図を示す。
vCCは高電位が与えられる第一の電圧源端子、vSS
は低電位が与えられる第二の電圧源端子、SOIは制御
信号入力端子、IOI並びにIO2は各々差動信号入力
端子、001は圧力端子、N01、NO2,NO3,N
O4,NO5は回路節点、l5OIは一端が第一の電圧
源端子vCCに、他端が回路節点NOIに接続された定
電流源、DOlは7ノードが回路節点NOIに、カソー
ドが第二の電圧源端子VSSに接続されたグイオート、
Dllはアノードが第一の電圧源端子VCCに、カソー
ドが回路節点NO3に接続されたダイオード、MNOI
はドレインが回路節点NOIに、ゲートが制御信号入力
端子SOIに、ソースが第二の電圧源端子vSSに接続
されたNチャンネルMO8)ランシタ、QOIはコレク
タが回路節点NO3に、ベースが差動入力端子I01に
、エミッタが回路節点NO2に接続されたNPNバイポ
ーラトランジスタ、QO2はコレクタが回路節点NO4
に、ベースが差動入力端子1.02に、エミッタが回路
節点NO2に接続されたNPNバイポーラトランジスタ
、QO3はコレクタが回路節点N02に、ベースが回路
節点NOIに、エミッタが第二の電圧源端子■SSに接
続されたNPNバイポーラトランジスタ、Qllはコレ
クタが回路節点NO4に、ベースが回路節点NO3に、
エミッタが第一の電圧源端子vCCに接続されたPNP
バイポーラトランジスタ、O04はコレクタが第一の電
圧源端子VCCに、ベースが回路節点NO4に、エミッ
タが出力端子001に接続されたNPNバイポーラトラ
ンジスタ、QO5はコレクタが出力端子001に、ベー
スが回路節点NOIに、エミッタが第二の電圧源端子v
SSに接続されたNPNバイポーラトランジスタ、MN
O2はドレインが回路節点NO5に、ゲートが制御信号
入力端子Solに、ソースが第二の電圧源端子vSSに
接続されたNチャンネルM、O8)ランシスタ、MPO
Lはドレインが出力端子001にゲートが回路節点NO
5に、ソースが回路節点NO4に接続されたPチャンネ
ルMOSトランジスタ、ROIは一端が回路節点NO5
に、他端か第一の電圧源端子VCCに接続された抵抗で
ある。
は低電位が与えられる第二の電圧源端子、SOIは制御
信号入力端子、IOI並びにIO2は各々差動信号入力
端子、001は圧力端子、N01、NO2,NO3,N
O4,NO5は回路節点、l5OIは一端が第一の電圧
源端子vCCに、他端が回路節点NOIに接続された定
電流源、DOlは7ノードが回路節点NOIに、カソー
ドが第二の電圧源端子VSSに接続されたグイオート、
Dllはアノードが第一の電圧源端子VCCに、カソー
ドが回路節点NO3に接続されたダイオード、MNOI
はドレインが回路節点NOIに、ゲートが制御信号入力
端子SOIに、ソースが第二の電圧源端子vSSに接続
されたNチャンネルMO8)ランシタ、QOIはコレク
タが回路節点NO3に、ベースが差動入力端子I01に
、エミッタが回路節点NO2に接続されたNPNバイポ
ーラトランジスタ、QO2はコレクタが回路節点NO4
に、ベースが差動入力端子1.02に、エミッタが回路
節点NO2に接続されたNPNバイポーラトランジスタ
、QO3はコレクタが回路節点N02に、ベースが回路
節点NOIに、エミッタが第二の電圧源端子■SSに接
続されたNPNバイポーラトランジスタ、Qllはコレ
クタが回路節点NO4に、ベースが回路節点NO3に、
エミッタが第一の電圧源端子vCCに接続されたPNP
バイポーラトランジスタ、O04はコレクタが第一の電
圧源端子VCCに、ベースが回路節点NO4に、エミッ
タが出力端子001に接続されたNPNバイポーラトラ
ンジスタ、QO5はコレクタが出力端子001に、ベー
スが回路節点NOIに、エミッタが第二の電圧源端子v
SSに接続されたNPNバイポーラトランジスタ、MN
O2はドレインが回路節点NO5に、ゲートが制御信号
入力端子Solに、ソースが第二の電圧源端子vSSに
接続されたNチャンネルM、O8)ランシスタ、MPO
Lはドレインが出力端子001にゲートが回路節点NO
5に、ソースが回路節点NO4に接続されたPチャンネ
ルMOSトランジスタ、ROIは一端が回路節点NO5
に、他端か第一の電圧源端子VCCに接続された抵抗で
ある。
次に本実施例の回路動作について説明する。先ず、制御
信号入力端子SO1にロウレベルの制御信号が入力され
ている場合について説明する。NチャンネルMOSトラ
ンジスタMNOI、並びにMNO2は遮断状態となり、
電流源■O1の供給する電流のほとんどはダイオードD
OIを流れる、従って夕゛イオードDOIとカレントミ
ラー回路を構成するNPNバイポーラトランジスタQO
3並びにQO5にも電流が流れることとなる。またNチ
ャンネルMO8)ランジスタMNO2が遮断状態である
ことから抵抗Rotを流れる電流は無く、回路節点NO
5は第一の電圧源端子vCCの電位と等しいためPチャ
ンネルMO8)ランジスタMPOIは遮断状態となって
NPNバイポーラトランジスタQO4のベース電流をバ
イパスすることもなく、エミッタフォロワ構成の出力段
を有する差動増幅回路として動作する。
信号入力端子SO1にロウレベルの制御信号が入力され
ている場合について説明する。NチャンネルMOSトラ
ンジスタMNOI、並びにMNO2は遮断状態となり、
電流源■O1の供給する電流のほとんどはダイオードD
OIを流れる、従って夕゛イオードDOIとカレントミ
ラー回路を構成するNPNバイポーラトランジスタQO
3並びにQO5にも電流が流れることとなる。またNチ
ャンネルMO8)ランジスタMNO2が遮断状態である
ことから抵抗Rotを流れる電流は無く、回路節点NO
5は第一の電圧源端子vCCの電位と等しいためPチャ
ンネルMO8)ランジスタMPOIは遮断状態となって
NPNバイポーラトランジスタQO4のベース電流をバ
イパスすることもなく、エミッタフォロワ構成の出力段
を有する差動増幅回路として動作する。
次に制御信号入力端子Solにハイレベルの信号が入力
されるとNチャンネルMO3)ランシスタMNOIは導
通状態となり電流源I01の供給する電流はほとんどN
チャンネルMO8)ランシスタMNOIのドレイン電流
となるためタイオードDOIを流れる電流はなくなり、
従ってNPNバイポーラトランジスタQO3並びにQO
5を流れる電流もなくなる。このときNチャンネルMO
SトランジスタMNO2も導通状態となり抵抗R01を
介してドレイン電流を流すため回路節点NO5の電位は
ほとんど第二の電圧源vSSの電位まで降下する。従っ
てPチャンネルMOSトランジスタMPOIは導通状態
となりNPNノ・イボーラトランシスタQO4のベース
とエミッタを短絡する。これによりNPNバイポーラト
ランジスタQO4は遮断状態となる。これにより、本実
施例では差動増幅回路の能動状態から非能動状態への遷
移時間を短絡する。
されるとNチャンネルMO3)ランシスタMNOIは導
通状態となり電流源I01の供給する電流はほとんどN
チャンネルMO8)ランシスタMNOIのドレイン電流
となるためタイオードDOIを流れる電流はなくなり、
従ってNPNバイポーラトランジスタQO3並びにQO
5を流れる電流もなくなる。このときNチャンネルMO
SトランジスタMNO2も導通状態となり抵抗R01を
介してドレイン電流を流すため回路節点NO5の電位は
ほとんど第二の電圧源vSSの電位まで降下する。従っ
てPチャンネルMOSトランジスタMPOIは導通状態
となりNPNノ・イボーラトランシスタQO4のベース
とエミッタを短絡する。これによりNPNバイポーラト
ランジスタQO4は遮断状態となる。これにより、本実
施例では差動増幅回路の能動状態から非能動状態への遷
移時間を短絡する。
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は本発
明の他の実施例を示す回路図、第3図は従来の制御信号
入力端子付き差動増幅回路を示す回路図である。 ■CC・・・第一の電圧源端子、vSS・・・・第二の
電圧源端子、No 1.No 2.No 3.NO4゜
NO5・・・・・・回路節点、IOI、IO2・・・・
・差動信号入力端子、SQL・・・・・・制御信号入力
端子、001・・・・・出力端子、DO1,DI 1・
・・・・・ダイオード、MNOI、MNO2・・・・・
・NチャンネルMO3)うンシスタ、MPO1・・・・
・PチャンネルMOSトランジスタ、QOI、QO2,
QO3,QO4,Q05・・・・・NPNバイポーラト
ランジスタ、Qll・PNPバイポーラトランジスタ。 代理人 弁理士 内 原 晋
明の他の実施例を示す回路図、第3図は従来の制御信号
入力端子付き差動増幅回路を示す回路図である。 ■CC・・・第一の電圧源端子、vSS・・・・第二の
電圧源端子、No 1.No 2.No 3.NO4゜
NO5・・・・・・回路節点、IOI、IO2・・・・
・差動信号入力端子、SQL・・・・・・制御信号入力
端子、001・・・・・出力端子、DO1,DI 1・
・・・・・ダイオード、MNOI、MNO2・・・・・
・NチャンネルMO3)うンシスタ、MPO1・・・・
・PチャンネルMOSトランジスタ、QOI、QO2,
QO3,QO4,Q05・・・・・NPNバイポーラト
ランジスタ、Qll・PNPバイポーラトランジスタ。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、差動入力段と、該差動入力段の出力を駆動トランジ
スタのベースに受けるエミッタフォロワ構成による出力
段と、前記差動入力段並びに前記出力段に動作の基本と
なる電流を各々供給する電流源と、前記各々の電流源を
遮断し得る第1の制御回路と、前記第1の制御回路の前
記電流源遮断動作に同期して前記出力段の前記駆動トラ
ンジスタのベース電流を遮断する第2の制御回路とを有
することを特徴とする差動増幅回路。 2、請求項1記載の第2の制御回路は前記出力段の前記
駆動トランジスタのベースを電源電位の最低電位に下げ
る構成であることを特徴とする差動増幅回路。 3、請求項1記載の第2の制御回路は前記出力段の前記
駆動トランジスタのベースとエミッタとを同電位とする
構成であることを特徴とする差動増幅回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248231A JP2697273B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 差動増幅回路 |
| US07/761,189 US5166638A (en) | 1990-09-18 | 1991-09-18 | Differential amplifier having output stage quickly brought into inactive condition by a control signal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2248231A JP2697273B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 差動増幅回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127604A true JPH04127604A (ja) | 1992-04-28 |
| JP2697273B2 JP2697273B2 (ja) | 1998-01-14 |
Family
ID=17175118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2248231A Expired - Fee Related JP2697273B2 (ja) | 1990-09-18 | 1990-09-18 | 差動増幅回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5166638A (ja) |
| JP (1) | JP2697273B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182693A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 全差動増幅装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5517148A (en) * | 1994-10-31 | 1996-05-14 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Low current differential level shifter |
| US6380804B1 (en) | 2000-06-08 | 2002-04-30 | Mitsubishi Electric & Electronics U.S.A. | Method and apparatus for switching stages of a multistage amplifier quickly between operational modes |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143711U (ja) * | 1981-03-02 | 1982-09-09 | ||
| JPS63107211A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 信号処理回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5913409A (ja) * | 1982-07-14 | 1984-01-24 | Toshiba Corp | 電力増幅回路 |
-
1990
- 1990-09-18 JP JP2248231A patent/JP2697273B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-18 US US07/761,189 patent/US5166638A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57143711U (ja) * | 1981-03-02 | 1982-09-09 | ||
| JPS63107211A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 信号処理回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008182693A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 全差動増幅装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2697273B2 (ja) | 1998-01-14 |
| US5166638A (en) | 1992-11-24 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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